JPWO2012005374A1 - パネル、パネルの製造方法、太陽電池モジュール、印刷装置および印刷方法 - Google Patents
パネル、パネルの製造方法、太陽電池モジュール、印刷装置および印刷方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2012005374A1 JPWO2012005374A1 JP2012523547A JP2012523547A JPWO2012005374A1 JP WO2012005374 A1 JPWO2012005374 A1 JP WO2012005374A1 JP 2012523547 A JP2012523547 A JP 2012523547A JP 2012523547 A JP2012523547 A JP 2012523547A JP WO2012005374 A1 JPWO2012005374 A1 JP WO2012005374A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- printing
- conductive ink
- ink
- conductive
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007639 printing Methods 0.000 title claims abstract description 213
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 124
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 101
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 42
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 42
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 32
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 23
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 16
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 16
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 16
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 151
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910004612 CdTe—CdS Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002475 Cu2ZnSnS4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical group OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/12—Active materials
- H10F77/122—Active materials comprising only Group IV materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/215—Geometries of grid contacts
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Printing Methods (AREA)
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
Abstract
Description
以下、図面を参照して、本発明によるパネルの第1実施形態を説明する。図1に、パネル100の模式的な断面図を示す。ここでは、パネル100はソーラーパネルである。図1は、パネル100の一方の主面の近傍を拡大して示している。
以下、図8を参照して本発明によるパネルの第2実施形態を説明する。本実施形態のパネル100Aは、酸化防止層をさらに備えている点を除いて図1〜図3を参照して上述したパネル100と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する説明を省略する。ここでも、電極20は、導電層20aおよび導電層20bを有しており、導電層20aの幅は導電層20bの幅とほぼ等しい。
以下、図12を参照して本発明によるパネルの第3実施形態を説明する。本実施形態のパネル100Cは、ある方向(ここではx方向)に延びる電極24の断面積が位置に応じて異なる点を除いて、図1から図3を参照して上述したパネル100と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する説明を省略する。
12 表面
14 裏面
20 電極
20D 積層構造
20a 第1導電層
20b 第2導電層
22 バスバー電極
24 フィンガー電極
100 パネル
200 印刷装置
210 コンベア
220 印刷部
230 加熱装置
300 太陽電池モジュール
Claims (24)
- 基板の表面にインクを印刷する印刷部を備える、印刷装置であって、
前記印刷部は、第1導電性材料を含む第1導電性インクをオフセット印刷で印刷し、前記第1導電性インクの上に、前記第1導電性材料とは異なる第2導電性材料を含む第2導電性インクをオフセット印刷で印刷する、印刷装置。 - 前記基板を搬送するコンベアをさらに備える、請求項1に記載の印刷装置。
- 前記印刷部は、
前記第1導電性インクを印刷する第1印刷機と、
前記第2導電性インクを印刷する第2印刷機と
を有する、請求項1または2に記載の印刷装置。 - 前記第1導電性材料は銀を含む、請求項1から3のいずれかに記載の印刷装置。
- 前記第2導電性材料は、銅、金、炭素、コバルト、チタン、ニッケルおよびアルミニウムのいずれか、または、銀、銅、金、炭素、コバルト、チタン、ニッケルおよびアルミニウムからなる群から選択された少なくとも2つを含む、請求項1から4のいずれかに記載の印刷装置。
- 前記印刷部は、前記第1導電性インクおよび前記第2導電性インクの少なくとも一部を覆う酸化防止用インクを印刷する、請求項1から5のいずれかに記載の印刷装置。
- 前記酸化防止用インクは透明材料を含む、請求項6に記載の印刷装置。
- 前記酸化防止用インクは導電性材料を含む、請求項6または7に記載の印刷装置。
- 前記基板の前記表面の法線方向から見た場合、前記第1導電インクの幅は前記第2導電インクの幅よりも大きい、請求項1から8のいずれかに記載の印刷装置。
- 前記第1導電性インクの長さは前記第2導電性インクの長さよりも大きい、請求項1から9のいずれかに記載の印刷装置。
- 基板の表面にインクを印刷する印刷方法であって、
第1導電性材料を含む第1導電性インクをオフセット印刷で印刷する工程と、
前記第1導電性インクの上に、前記第1導電性材料とは異なる第2導電性材料を含む第2導電性インクをオフセット印刷で印刷する工程と
を含む、印刷方法。 - 表面を有する基板を用意する工程と、
前記基板の前記表面に電極を形成する工程と
を包含する、パネルの製造方法であって、
前記電極を形成する工程は、
前記基板の前記表面に、第1導電性材料を含む第1導電性インクをオフセット印刷で印刷する工程と、
前記第1導電性インクの上に、前記第1導電性材料とは異なる第2導電性材料を含む第2導電性インクをオフセット印刷で印刷する工程と、
前記第1導電性インクおよび前記第2導電性インクを加熱する工程と
を含む、パネルの製造方法。 - 基板の表面にインクを印刷する印刷部を備える、印刷装置であって、
前記印刷部は、ある方向に線状に延びた積層構造を有する第1線状部および前記第1線状部とは異なる方向に延びた第2線状部を含む導電性インクを、前記第2線状部の長手方向に直交する断面の断面積が前記第1線状部から離れる方向に沿って減少するように印刷する、印刷装置。 - 前記基板を搬送するコンベアをさらに備える、請求項13に記載の印刷装置。
- 前記印刷部は、
第1導電性インクを印刷する第1印刷機と、
前記第1導電性インクの上に、第2導電性インクを印刷する第2印刷機と
を有する、請求項13または14に記載の印刷装置。 - 基板の表面にインクを印刷する印刷方法であって、
ある方向に線状に延びた積層構造を有する第1線状部および前記第1線状部とは異なる方向に延びた第2線状部を含む導電性インクを、前記第2線状部の長手方向に直交する断面の断面積が前記第1線状部から離れる方向に沿って減少するように印刷する工程を包含する、印刷方法。 - 前記印刷する工程は、
前記基板の表面に第1導電性インクを印刷する工程と、
前記第1導電性インクの上に、前記第1導電性インクと比べて幅および長さの少なくとも一方の小さい第2導電性インクを印刷する工程と
を含む、請求項16に記載の印刷方法。 - 表面を有する基板を用意する工程と、
前記基板の前記表面に電極を形成する工程と
を包含する、パネルの製造方法であって、
前記電極を形成する工程は、
ある方向に線状に延びた積層構造を有する第1線状部および前記第1線状部とは異なる方向に延びた第2線状部を含む導電性インクを、前記第2線状部の長手方向に直交する断面の断面積が前記第1線状部から離れる方向に沿って減少するように印刷する工程と、
前記導電性インクを加熱する工程と
を含む、パネルの製造方法。 - 前記印刷する工程は、
第1導電性インクを印刷する工程と、
前記第1導電性インクの上に、前記第1導電性インクと比べて幅および長さの少なくとも一方の小さい第2導電性インクを印刷する工程と
を含む、請求項18に記載のパネルの製造方法。 - 基板の表面にインクを印刷する印刷部を備える、印刷装置であって、
前記印刷部は、
導電性インクを印刷する導電性インク印刷機と、
酸化防止用インクを印刷する酸化防止用インク印刷機と
を有する、印刷装置。 - 前記基板を搬送するコンベアをさらに備える、請求項20に記載の印刷装置。
- 前記導電性インク印刷機は、
第1導電性インクを印刷する第1印刷機と、
前記第1導電性インクの上に、第2導電性インクを印刷する第2印刷機と
を含む、請求項20または21に記載の印刷装置。 - 基板の表面にインクを印刷する印刷方法であって、
前記基板の表面に導電性インクを印刷する工程と、
前記導電性インクを覆う酸化防止用インクを印刷する工程と
を包含する、印刷方法。 - 表面を有する基板を用意する工程と、
前記基板の前記表面に導電性インクを印刷する工程と、
前記導電性インクを覆う酸化防止用インクを印刷する工程と、
前記導電性インクおよび前記酸化防止用インクを加熱する工程と
を含む、パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012523547A JP5372253B2 (ja) | 2010-07-09 | 2011-07-11 | パネル、パネルの製造方法、太陽電池モジュール、印刷装置および印刷方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010157344 | 2010-07-09 | ||
JP2010157344 | 2010-07-09 | ||
JP2012523547A JP5372253B2 (ja) | 2010-07-09 | 2011-07-11 | パネル、パネルの製造方法、太陽電池モジュール、印刷装置および印刷方法 |
PCT/JP2011/065754 WO2012005374A1 (ja) | 2010-07-09 | 2011-07-11 | パネル、パネルの製造方法、太陽電池モジュール、印刷装置および印刷方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013192437A Division JP5922072B2 (ja) | 2010-07-09 | 2013-09-17 | パネル、パネルの製造方法、太陽電池モジュール、印刷装置および印刷方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012005374A1 true JPWO2012005374A1 (ja) | 2013-09-05 |
JP5372253B2 JP5372253B2 (ja) | 2013-12-18 |
Family
ID=45441343
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012523547A Active JP5372253B2 (ja) | 2010-07-09 | 2011-07-11 | パネル、パネルの製造方法、太陽電池モジュール、印刷装置および印刷方法 |
JP2013192437A Active JP5922072B2 (ja) | 2010-07-09 | 2013-09-17 | パネル、パネルの製造方法、太陽電池モジュール、印刷装置および印刷方法 |
JP2016019709A Pending JP2016066826A (ja) | 2010-07-09 | 2016-02-04 | パネル、パネルの製造方法、太陽電池モジュール、印刷装置および印刷方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013192437A Active JP5922072B2 (ja) | 2010-07-09 | 2013-09-17 | パネル、パネルの製造方法、太陽電池モジュール、印刷装置および印刷方法 |
JP2016019709A Pending JP2016066826A (ja) | 2010-07-09 | 2016-02-04 | パネル、パネルの製造方法、太陽電池モジュール、印刷装置および印刷方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9559241B2 (ja) |
EP (3) | EP2804205A1 (ja) |
JP (3) | JP5372253B2 (ja) |
KR (2) | KR101528409B1 (ja) |
CN (3) | CN103098227B (ja) |
MX (2) | MX2013000108A (ja) |
TW (3) | TWI495121B (ja) |
WO (1) | WO2012005374A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6186683B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2017-08-30 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
WO2014097829A1 (ja) * | 2012-12-17 | 2014-06-26 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
TWI508311B (zh) * | 2013-04-23 | 2015-11-11 | Motech Ind Inc | 太陽能電池及其製造方法 |
KR101614186B1 (ko) | 2013-05-20 | 2016-04-20 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조 방법 |
CN103240967A (zh) * | 2013-05-30 | 2013-08-14 | 昆山欧莱特印刷机械工业有限公司 | 一种新型移印机胶头装置 |
TWI509114B (zh) * | 2014-03-07 | 2015-11-21 | Chang Yi Chen | 使用印刷金屬化圖案製作塑模互連元件的方法及其塑模互連元件 |
CN105592640B (zh) * | 2014-10-22 | 2019-02-15 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种柔性印制电路的制备方法 |
JP2016219508A (ja) * | 2015-05-15 | 2016-12-22 | パナソニック株式会社 | 電子デバイスの製造方法および電子デバイス |
CN107718862B (zh) * | 2017-09-01 | 2020-12-15 | 昆山恒盛电子有限公司 | 用于印刷太阳能电池电极的无网结网版及其制备方法 |
CN111819701B (zh) | 2018-03-22 | 2024-07-23 | 应用材料意大利有限公司 | 用于生产半导体电池的设备、用于清洁印刷装置的印刷装置和用于在半导体生产设备中清洁印刷装置的方法 |
KR102192869B1 (ko) * | 2018-11-30 | 2020-12-18 | (주)케이엔씨 | 그라비아 오프셋 인쇄 시스템 |
CN112013665A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-12-01 | 涌明科技(上海)有限公司 | 一种半导体芯片除湿及抗氧化装置 |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2726323B2 (ja) | 1990-02-01 | 1998-03-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜太陽電池作製方法 |
JPH04312985A (ja) | 1991-01-31 | 1992-11-04 | Showa Shell Sekiyu Kk | 非晶質シリコン太陽電池 |
JP2938634B2 (ja) | 1991-10-08 | 1999-08-23 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュール |
JP3203078B2 (ja) | 1992-12-09 | 2001-08-27 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子 |
JPH06318724A (ja) * | 1993-05-07 | 1994-11-15 | Canon Inc | 電極及び光起電力素子 |
JPH07335922A (ja) | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Canon Inc | 光起電力素子及びその製造方法 |
US6208400B1 (en) | 1996-03-15 | 2001-03-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrode plate having metal electrodes of aluminum or nickel and copper or silver disposed thereon |
US6207268B1 (en) * | 1996-11-12 | 2001-03-27 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Transfer sheet, and pattern-forming method |
KR100366349B1 (ko) * | 2001-01-03 | 2002-12-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양 전지 및 그의 제조 방법 |
CN1380182A (zh) * | 2002-05-15 | 2002-11-20 | 安旭 | 一种多色丝网印刷机 |
EP1548868A4 (en) * | 2002-10-03 | 2009-08-12 | Fujikura Ltd | ELECTRODE SUBSTRATE, PHOTOELECTRIC IMPLEMENTATION ELEMENT, CONDUCTIVE GLASS SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD DAF R AND PIGMENTSENSIBILIZATION SOLAR CELL |
JP2004311957A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 |
JP4373133B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2009-11-25 | 住友ゴム工業株式会社 | プラズマディスプレイパネル用前面板の製造方法 |
JP4316475B2 (ja) | 2003-11-19 | 2009-08-19 | シャープ株式会社 | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
WO2005072455A2 (en) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Kent Displays Incorporated | Drapable liquid crystal transfer display films |
JP2005353691A (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Sharp Corp | 電極、太陽電池、これらの製造方法 |
TW200600344A (en) * | 2004-06-29 | 2006-01-01 | Top Digital Co Ltd | Intaglio offset printing machine |
JP5091392B2 (ja) * | 2005-08-09 | 2012-12-05 | 住友ゴム工業株式会社 | 電極線の形成方法および該電極線を備えた電極板 |
JP2007207957A (ja) | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光電変換素子 |
EP2012362A1 (en) * | 2006-04-14 | 2009-01-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell, solar cell string and solar cell module |
JP5121181B2 (ja) * | 2006-07-28 | 2013-01-16 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子及びその製造方法 |
JP5230089B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2013-07-10 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
JP5020642B2 (ja) * | 2007-01-15 | 2012-09-05 | 阪本 順 | 印刷装置、印刷方法および多層構造形成方法 |
JP2008205137A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
US7569160B2 (en) * | 2007-04-10 | 2009-08-04 | Henkel Ag & Co. Kgaa | Electrically conductive UV-curable ink |
US8133768B2 (en) * | 2007-05-31 | 2012-03-13 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
DE102007031958A1 (de) * | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Deutsche Cell Gmbh | Kontakt-Struktur für ein Halbleiter-Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung desselben |
TW200918325A (en) * | 2007-08-31 | 2009-05-01 | Optomec Inc | AEROSOL JET® printing system for photovoltaic applications |
JP2009064855A (ja) | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
JP5105427B2 (ja) | 2008-02-12 | 2012-12-26 | シャープ株式会社 | 焼成電極の形成方法とそれを利用する光電変換素子の製造方法。 |
JP2009253096A (ja) * | 2008-04-08 | 2009-10-29 | Sharp Corp | 太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法ならびに太陽電池モジュール |
JP5072759B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2012-11-14 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法 |
JP4986945B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2012-07-25 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
KR100993846B1 (ko) * | 2008-07-30 | 2010-11-11 | 고려대학교 산학협력단 | 태양전지, 그 제조방법 및 이를 제조하기 위한 태양전지제조장치 |
JP2010090211A (ja) | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性インク組成物及びこれを用いた電極の形成方法 |
JP2010103347A (ja) | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Kaneka Corp | 薄膜光電変換装置 |
KR100993511B1 (ko) * | 2008-11-19 | 2010-11-12 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
JP2010147107A (ja) | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力装置とその製造方法 |
JP5178489B2 (ja) | 2008-12-17 | 2013-04-10 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
TWM361106U (en) | 2009-02-11 | 2009-07-11 | Neo Solar Power Corp | Electrode structure and solar cell applying the same |
CN101546684B (zh) * | 2009-04-30 | 2011-11-16 | 福州大学 | 抗氧化复合薄膜电极 |
JP2010067987A (ja) | 2009-10-29 | 2010-03-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造装置及び太陽電池の製造方法 |
KR101135584B1 (ko) * | 2010-08-13 | 2012-04-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
-
2011
- 2011-07-08 TW TW100124309A patent/TWI495121B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-07-08 TW TW100124312A patent/TWI463683B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-07-08 TW TW100124311A patent/TWI475702B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-07-11 CN CN201180042850.2A patent/CN103098227B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-11 EP EP20140178319 patent/EP2804205A1/en not_active Withdrawn
- 2011-07-11 WO PCT/JP2011/065754 patent/WO2012005374A1/ja active Application Filing
- 2011-07-11 CN CN201510319246.XA patent/CN105047741B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-11 KR KR1020137003111A patent/KR101528409B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-11 CN CN201510319557.6A patent/CN104900732B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-11 EP EP14178316.7A patent/EP2804204B1/en not_active Not-in-force
- 2011-07-11 JP JP2012523547A patent/JP5372253B2/ja active Active
- 2011-07-11 EP EP11803705.0A patent/EP2592658B1/en not_active Not-in-force
- 2011-07-11 KR KR1020147034149A patent/KR101757968B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-11 MX MX2013000108A patent/MX2013000108A/es active IP Right Grant
- 2011-07-11 MX MX2014013954A patent/MX338776B/es unknown
-
2013
- 2013-01-03 US US13/733,766 patent/US9559241B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-09-17 JP JP2013192437A patent/JP5922072B2/ja active Active
-
2016
- 2016-02-04 JP JP2016019709A patent/JP2016066826A/ja active Pending
- 2016-12-08 US US15/372,647 patent/US20170092802A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9559241B2 (en) | 2017-01-31 |
TW201205841A (en) | 2012-02-01 |
TWI495121B (zh) | 2015-08-01 |
TWI463683B (zh) | 2014-12-01 |
TW201205842A (en) | 2012-02-01 |
JP2014042035A (ja) | 2014-03-06 |
MX2013000108A (es) | 2013-06-13 |
KR20130031930A (ko) | 2013-03-29 |
JP5372253B2 (ja) | 2013-12-18 |
EP2804204A1 (en) | 2014-11-19 |
EP2804205A1 (en) | 2014-11-19 |
CN104900732A (zh) | 2015-09-09 |
CN105047741B (zh) | 2018-01-12 |
EP2592658B1 (en) | 2016-01-13 |
EP2592658A1 (en) | 2013-05-15 |
JP5922072B2 (ja) | 2016-05-24 |
KR101757968B1 (ko) | 2017-07-14 |
KR20150003916A (ko) | 2015-01-09 |
WO2012005374A1 (ja) | 2012-01-12 |
TWI475702B (zh) | 2015-03-01 |
KR101528409B1 (ko) | 2015-06-11 |
JP2016066826A (ja) | 2016-04-28 |
CN103098227B (zh) | 2016-04-20 |
CN103098227A (zh) | 2013-05-08 |
CN104900732B (zh) | 2017-07-28 |
US20130122645A1 (en) | 2013-05-16 |
EP2804204B1 (en) | 2017-11-29 |
CN105047741A (zh) | 2015-11-11 |
EP2592658A4 (en) | 2014-06-11 |
TW201212256A (en) | 2012-03-16 |
MX338776B (es) | 2016-05-02 |
US20170092802A1 (en) | 2017-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5922072B2 (ja) | パネル、パネルの製造方法、太陽電池モジュール、印刷装置および印刷方法 | |
US8066840B2 (en) | Finger pattern formation for thin film solar cells | |
WO2014096929A2 (en) | Photovoltaic cell element having a specific electrode configuration | |
KR102593979B1 (ko) | 광전지 장치 및 방법 | |
US20150129011A1 (en) | Solar cell module | |
CN102782874A (zh) | 太阳能电池设备及其制造方法 | |
US9076900B2 (en) | Solar cell module and solar cell | |
JP5968344B2 (ja) | タッチパネル、及びタッチパネルの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20130805 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130815 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130917 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5372253 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |