JPS6345048Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6345048Y2 JPS6345048Y2 JP5409982U JP5409982U JPS6345048Y2 JP S6345048 Y2 JPS6345048 Y2 JP S6345048Y2 JP 5409982 U JP5409982 U JP 5409982U JP 5409982 U JP5409982 U JP 5409982U JP S6345048 Y2 JPS6345048 Y2 JP S6345048Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- collector
- pair
- transistors
- oscillation circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、発振回路の改良に係り、特に良質の
発振出力を得ることが出来、かつIC（集積回路）
化に適した発振回路を提供せんとするものであ
る。
発振出力を得ることが出来、かつIC（集積回路）
化に適した発振回路を提供せんとするものであ
る。
従来から例えば第１図に示す如き発振回路が公
知である。第１図の回路は、オペアンプ１と、該
オペアンプ１の負入力端子２と出力端子３との間
に接続された帰還抵抗４と、該帰還抵抗４と並列
接続された水晶振動子やセラミツク振動子等の振
動素子５と、前記オペアンプ１の出力端子３とア
ースとの間に接続された第１コンデンサ６と、前
記オペアンプ１の負入力端子２とアースとの間に
接続された第２コンデンサ７と、前記オペアンプ
１の正入力端子に接続されたバイアス回路８とに
よつて構成されており、オペアンプ１の出力端子
に得られる出力信号を、所定の選択特性を有する
振動素子５を通過させることにより、選択的正帰
還をかけ、前記振動素子５によつて定まる周波数
の発振出力信号を得んとするものである。
知である。第１図の回路は、オペアンプ１と、該
オペアンプ１の負入力端子２と出力端子３との間
に接続された帰還抵抗４と、該帰還抵抗４と並列
接続された水晶振動子やセラミツク振動子等の振
動素子５と、前記オペアンプ１の出力端子３とア
ースとの間に接続された第１コンデンサ６と、前
記オペアンプ１の負入力端子２とアースとの間に
接続された第２コンデンサ７と、前記オペアンプ
１の正入力端子に接続されたバイアス回路８とに
よつて構成されており、オペアンプ１の出力端子
に得られる出力信号を、所定の選択特性を有する
振動素子５を通過させることにより、選択的正帰
還をかけ、前記振動素子５によつて定まる周波数
の発振出力信号を得んとするものである。
しかして、第１図に示される発振回路は、振動
素子５のＱ（尖鋭度）が低下し、妨害波が発生し
たり、温度安定性が悪化するという欠点を有して
いた。すなわち、第１図の発振回路においては、
直流的な安定を得る為に、帰還抵抗４を必要とす
るが、該帰還抵抗４が振動素子５と並列に接続さ
れる為に、前記帰還抵抗４の値が十分に大でない
と、振動素子５のＱが低下する。
素子５のＱ（尖鋭度）が低下し、妨害波が発生し
たり、温度安定性が悪化するという欠点を有して
いた。すなわち、第１図の発振回路においては、
直流的な安定を得る為に、帰還抵抗４を必要とす
るが、該帰還抵抗４が振動素子５と並列に接続さ
れる為に、前記帰還抵抗４の値が十分に大でない
と、振動素子５のＱが低下する。
また、第１図の発振回路は、オペアンプ１の入
出力端子間に振動素子５が挿入される為、前記発
振回路をIC化した際、外付の振動素子５を接続
する為の２つの外付用ピン（すなわち入力端子ピ
ンと出力端子ピン）を必要としていた。
出力端子間に振動素子５が挿入される為、前記発
振回路をIC化した際、外付の振動素子５を接続
する為の２つの外付用ピン（すなわち入力端子ピ
ンと出力端子ピン）を必要としていた。
本考案は、上述の点に鑑み成されたもので、以
下実施例に基き図面を参照しながら説明する。第
２図は本考案の一実施例を示すもので、９はエミ
ツタが共通接続された一対の同導電型トランジス
タ１０及び１１から成る差動増幅部、１２は前記
一対のトランジスタ１０及び１１の共通エミツタ
に接続された定電流源、１３は前記差動増幅部９
の一方のトランジスタ１０のコレクタと他方のト
ランジスタ１１のベースとの間に接続された帰還
コンデンサ、１４は前記一対のトランジスタ１０
及び１１のベースバイアスを与える抵抗１５及び
１６と電源１７とから成るバイアス回路、１８は
前記一対のトランジスタ１０及び１１のコレクタ
電流を供給するダイオード１９とトランジスタ２
０とから成る電流ミラー回路、２１は前記一方の
トランジスタ１０のコレクタと前記電流ミラー回
路１８を構成するトランジスタ２０のコレクタと
の接続点に接続された水晶振動子やセラミツク振
動子等の振動素子である。
下実施例に基き図面を参照しながら説明する。第
２図は本考案の一実施例を示すもので、９はエミ
ツタが共通接続された一対の同導電型トランジス
タ１０及び１１から成る差動増幅部、１２は前記
一対のトランジスタ１０及び１１の共通エミツタ
に接続された定電流源、１３は前記差動増幅部９
の一方のトランジスタ１０のコレクタと他方のト
ランジスタ１１のベースとの間に接続された帰還
コンデンサ、１４は前記一対のトランジスタ１０
及び１１のベースバイアスを与える抵抗１５及び
１６と電源１７とから成るバイアス回路、１８は
前記一対のトランジスタ１０及び１１のコレクタ
電流を供給するダイオード１９とトランジスタ２
０とから成る電流ミラー回路、２１は前記一方の
トランジスタ１０のコレクタと前記電流ミラー回
路１８を構成するトランジスタ２０のコレクタと
の接続点に接続された水晶振動子やセラミツク振
動子等の振動素子である。
次に動作を説明する。発振回路としての動作は
差動増幅部９を構成する一方のトランジスタ１０
のコレクタに得られる信号を、振動素子２１及び
コンデンサ１３によつて前記差動増幅部９を構成
する他方のトランジスタ１１のベースに選択的に
正帰還させ、差動増幅部９で増幅された後再び一
方のトランジスタ１０のコレクタに発生させると
いう正帰還ループを形成することによつて達成さ
れる。
差動増幅部９を構成する一方のトランジスタ１０
のコレクタに得られる信号を、振動素子２１及び
コンデンサ１３によつて前記差動増幅部９を構成
する他方のトランジスタ１１のベースに選択的に
正帰還させ、差動増幅部９で増幅された後再び一
方のトランジスタ１０のコレクタに発生させると
いう正帰還ループを形成することによつて達成さ
れる。
しかして、帰還される信号の周波数は、振動素
子２１の特性によつて定まり、前記振動素子２１
の並列共振点の周波数であり、出力端子２２に例
えば数十ＫHzから数百ＫHzの安定な正弦波を得る
ことが出来る。特に、本考案においては、差動増
幅部９の一方のトランジスタ１０のコレクタと、
該一方のトランジスタ１０にコレクタ電流を供給
するトランジスタ２０のコレクタとの接続点とい
う非常にインピーダンスの大（トランジスタのコ
レクタから見たインピーダンスは略無限大であ
る）なる点に振動素子２１を接続している為に、
振動素子２１のＱを高く保つことが出来、電源電
圧の変動や温度変化に対して極めて安定で、かつ
スプリアス発生が少いきれいな出力正弦波を得る
ことが出来る。
子２１の特性によつて定まり、前記振動素子２１
の並列共振点の周波数であり、出力端子２２に例
えば数十ＫHzから数百ＫHzの安定な正弦波を得る
ことが出来る。特に、本考案においては、差動増
幅部９の一方のトランジスタ１０のコレクタと、
該一方のトランジスタ１０にコレクタ電流を供給
するトランジスタ２０のコレクタとの接続点とい
う非常にインピーダンスの大（トランジスタのコ
レクタから見たインピーダンスは略無限大であ
る）なる点に振動素子２１を接続している為に、
振動素子２１のＱを高く保つことが出来、電源電
圧の変動や温度変化に対して極めて安定で、かつ
スプリアス発生が少いきれいな出力正弦波を得る
ことが出来る。
更に本考案に依れば、IC化に適した発振回路
を提供出来る。すなわち、帰還コンデンサ１３は
比較的小さな容量を有するもので事足りる為、
MOS（メタルオキサイドセミコンダクタ）容量で
IC内に形成出来、またバイアス回路１４はIC内
に作られる定電圧回路で代用出来るので、電源接
続ピンとアース接続ピンという発振回路以外の回
路と共用出来る接続ピンを除けば、振動素子２１
を接続する為の只１つの接続ピンを備えるだけで
発振回路を構成出来る。ICにとつてピン数の減
少は非常に大きな利点であり、本考案に係る発振
回路は、この点でIC化に適したものであると言
い得る。
を提供出来る。すなわち、帰還コンデンサ１３は
比較的小さな容量を有するもので事足りる為、
MOS（メタルオキサイドセミコンダクタ）容量で
IC内に形成出来、またバイアス回路１４はIC内
に作られる定電圧回路で代用出来るので、電源接
続ピンとアース接続ピンという発振回路以外の回
路と共用出来る接続ピンを除けば、振動素子２１
を接続する為の只１つの接続ピンを備えるだけで
発振回路を構成出来る。ICにとつてピン数の減
少は非常に大きな利点であり、本考案に係る発振
回路は、この点でIC化に適したものであると言
い得る。
以上述べた如く、本考案に係る発振回路は良好
な特性とIC化に適した回路構成を有する実用的
なものである。
な特性とIC化に適した回路構成を有する実用的
なものである。
尚、実施例においては、差動増幅部９を構成す
る一対のトランジスタ１０及び１１のコレクタ電
流をダイオード１９とトランジスタ２０とから成
る電流ミラー回路１８によつて供給しているが、
前記トランジスタ２０のコレクタを差動増幅部９
の一方のトランジスタ１０のコレクタに接続され
ていさえすれば他の部分は様々なアレンジが可能
である。
る一対のトランジスタ１０及び１１のコレクタ電
流をダイオード１９とトランジスタ２０とから成
る電流ミラー回路１８によつて供給しているが、
前記トランジスタ２０のコレクタを差動増幅部９
の一方のトランジスタ１０のコレクタに接続され
ていさえすれば他の部分は様々なアレンジが可能
である。
第１図は従来の発振回路を示す回路図、第２図
は本考案の一実施例を示す回路図である。 主な図番の説明、９……差動増幅部、１３……
コンデンサ、２１……振動素子。
は本考案の一実施例を示す回路図である。 主な図番の説明、９……差動増幅部、１３……
コンデンサ、２１……振動素子。
Claims (1)
- エミツタが共通接続された一対のトランジスタ
と、該一対のトランジスタをそれぞれバイアスす
る為のバイアス回路と、前記一対のトランジスタ
の一方のトランジスタのコレクタに接続された出
力端子と、前記一方のトランジスタのコレクタと
前記一対のトランジスタの他方のトランジスタの
ベースとの間に接続された帰還コンデンサと、前
記一方のトランジスタのコレクタにコレクタが接
続され、前記一方のトランジスタのコレクタ電流
を供給する為の電流供給トランジスタと、前記出
力端子に接続された振動素子とから成る発振回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5409982U JPS58158514U (ja) | 1982-04-13 | 1982-04-13 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5409982U JPS58158514U (ja) | 1982-04-13 | 1982-04-13 | 発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58158514U JPS58158514U (ja) | 1983-10-22 |
| JPS6345048Y2 true JPS6345048Y2 (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=30064731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5409982U Granted JPS58158514U (ja) | 1982-04-13 | 1982-04-13 | 発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58158514U (ja) |
-
1982
- 1982-04-13 JP JP5409982U patent/JPS58158514U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58158514U (ja) | 1983-10-22 |
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