JPS63237236A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気カー効果を利用して読出しすることので
きるキュリー点書込みタイプの光磁気記録媒体、及びそ
れをを使用した、重ね書き可能な光磁気記録方法に関す
る。

〔従来の技術〕

消去可能な光デイスクメモリとして光磁気ディスクが知
られている。光磁気ディスクは、従来の磁気ヘッドを使
った磁気記録媒体と比べて高密度記録、非接触での記録
再生などが可能であるという長所がある反面、記録前に
一度記録部分を消去しなければならない（一方向に着磁
しなければならない）という欠点があフた。この欠点を
補う為に、記録再生用ヘッドと消去用ヘッドを別々に設
ける方式、あるいは、レーザーの連続ビームを照射しな
がら、同時に印加する磁場を変調しながら記録する方式
などが提案されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、これらの方法は、装置が大がかりとなり、コス
ト高になる欠点あるいは高速の変調が出来ないなどの欠
点を有する。

本発明は上述従来例の欠点を除去し、従来の装置構成に
簡易な構造の磁界発生手段を付設するだけで、磁気記録
媒体と同様な重ね書き（オーバーライド）を可能とした
、光磁気記録方法を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的達成可能な本発明は、 キュリー点Ｔ、と保磁力Ｈ，を有する第１磁性層と、キ
ュリー点Ｔ２と保磁力Ｈ２を有する第２磁性層とからな
る交換結合している二層構造の垂直磁化膜を基板上に有
しており、次の条件（Ａ）と（Ｂ）、すなわち、 （Ａ）第２磁性層の飽和磁化をＭｓ２、その膜厚をｈ２
、二磁性層間の磁壁エネルギーをσｗとすると Ｈ、＞　Ｈ２＞　−（室温において） Ｍｓ２ｈ２ （０）第１磁性層の補償温度をＴＩ　ＣＯＭＰ％第２６
ｉｉ性層の補償温度を７２ＣＯＭＰ　　とすると、Ｔ、
ｃｏＭＰく室温＜　Ｔ　２　ＣＯＭＰ＜　Ｔ　ｒ　　≦
Ｔ２を満たす光磁気記録媒体と、これを使用した。後に
代表的態様が示される光磁気記録方法である。

以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図（ａ）　、　（ｂ）は各々本発明の光磁気記録媒
体の一実施例を示す模式断面図である。第１図（ａ）の
光磁気記録媒体は、プリグループが設けられた透光性の
基板１上に、第１の磁性層２と第２の磁性層３が積層さ
れたものである。第１磁性層２はキュリー点Ｔ、と保磁
力Ｈ１を有し、第２磁性層３は、キュリー点Ｔ２と保磁
力Ｈ２を有する。ここで、Ｔ１≦Ｔ２であり、Ｈ＋　＞
　Ｈ２である。（Ｈｌ、Ｈ２は常温での値である。、）
ただし、通常は、第１磁性層２のＴ１は７０〜４００℃
、Ｈｌは、３〜ｌＯにＯｅ　、第２磁性層３のＴ２は１
５０〜４００℃、Ｈ２は０．５〜２にＯｅ程度の範囲内
から選択するとよい。

本発明の光磁気記録媒体においては、第１磁性層２が主
に再生に関与する。即ち、第１Ｍｉ性層２が呈する磁気
光学効果が主に再生に利用され、第２磁性層３は記録に
重要な役割りを果たす。

一方、従来の光磁気記録方法においては、交換結合二層
膜では、逆に、低いキュリー点と高い保磁力Ｈ，とを有
する磁性層は主に記録に関与し、高いキュリー点と低い
保磁力Ｈ２とを有する磁性層が主に再生に関与した。か
かる従来の交換結合二層膜では、後者の磁性層の飽和磁
化Ｍｓと、膜厚りと、二層間の磁壁エネルギーσｗの間
に、次の様な関係があるのが望ましかった。

Ｈ＋　＞　　　　　＞　Ｈ２ Ｍｓｈ しかし、本発明に使用する記録媒体の交換結合二層膜で
は、第２磁性層３の飽和磁化ＭＳ２と膜厚ｈ２と、二層
間の磁壁エネルギーａＷの間に、次の関係が必要である
。

この理由については後に詳述するが、簡単に言えば、記
録によって最終的に完成されるビットの磁化状態（第２
図（ｆ）に示す）を安定にするためである。したがって
、内磁性層２．３は上記の関係式を満たすように各層の
実効的バイアス磁界、膜厚、保磁力、飽和磁化の大きさ
、磁壁エネルギーなどを設定すればよい。

また、本発明の光磁気記録媒体は、第１磁性層の補償温
度ＴＩＣＯＭＰ、第２磁性層の補償温度Ｔ２ｃｏＭＰ　
、Ｔ１、Ｔ２の間に ＴＩＣＯＭＰ＜室温くＴ２　ＣＯＭＰ＜　Ｔ　（≦Ｔ２
の関係がある。この際、７２ＧＯＭＰは通常５０〜ｉａ
ｏ℃程度の範囲内とするとよい。（このような関係に設
定した理由についても後に述べる） なお、内磁性層２．３は記録時の実効的バイアス磁界の
大きさ、あるいは二値の記録ビットの安定性などを考え
ると、交換結合をしていることが望ましい。

各磁性層の材料には、垂直磁気異方性を示し且つ磁気光
学効果を呈するものが利用できるが、ＧｄＣｏ、　　Ｇ
ｄＦｅ、ＴｂＦｅ、　　ＤｙＦｅ、　　ＧｄＴｂＦｅ、
ＴｂＤｙＦｅ。

ＧｄＦｅＣｏ、　ＴｂＦｅ（：ｏ、　ＧｄＴｂＣｏ、　
ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類元素と遷移金属元素との非
晶質磁性合金が好ましい。

第１図（ｂ）において、４．５は内磁性層２．３の耐久
性を向上させるためのあるいは光磁気効果を向上させる
ための保護膜である。

６は、貼り合わせ用基板７を貼り合わすための接着層で
ある。貼り合わせ用基板７にも、２から６までの層を積
層し、これを接着すれば表裏で記録・再生が可能となる
。

以下、第２図〜第４図を用いて記録の過程を示すが、記
録時、内磁性層２と３の磁化の安定な向きは平行（同じ
向き）でも反平行（逆方向）でも良い。第２図では磁化
の安定な向きが平行な場合について説明する。

第３図の３５は、上述したような構成を有する光磁気デ
ィスクである。例えば、この磁性層のある一部の磁化状
態が初め第２図（ａ）のようになっているとする。光磁
気ディスク３５はスピンドルモータにより回転して、磁
界発生部３４を通過する。このとき、磁界発生部３４の
磁界の大きさを内磁性層２と３の保磁力の間の値に設定
すると（磁界の向きは本実施例では上向き）、第２図（
ｂ）に示す様に第２磁性層３は一様な方向に磁化され、
一方、第ｆｉｌ性層２の磁化は初めのままである。次に
光磁気ディスク３５が回転して記録・再生ヘッド３１を
通過するときに、記録信号発生器３２からの信号に従っ
て、２種類（第１種と第２種）のレーザーパワー値を持
つレーザービームうち、どちらかをディスク面に照射す
る。

第１種のレーザーパワーは該ディスクを第２！ｆｉ性層
３の補償温度付近（Ｔ２ｃｏＭｐに近い温度で第１磁性
層２の磁化の向きを均一に第２磁性層の磁化の向きに対
して安定な方向に配列可能な温度）まで昇温するだけの
パワーであり、第２種のレーザーパワーは該ディスクを
第１、第２磁性層のキュリー点のうち高い方の温度付近
（ＴＩまたはＴ２に近い温度で第２磁性ｆｖＪ３の磁化
の向きを均一に反転可能な温度）まで昇温可能なパワー
である。即ち、両磁性層２．３の保磁力と温度との関係
の概略を示した第４図において、第１種のレーザーパワ
ーは７２ＣＯＭＰ付近、第２！４１のレーザーパワーは
Ｔ１、またはＴ２付近までディスクの温度を上昇できる
。

第１種のレーザーパワーにより第１磁性層２は、第２磁
性層の補償温度付近まで昇温するが第２磁性層３はこの
温度でビットが安定に存在する大きな保磁力を有してい
るので記録時のバイアス磁界を適正に設定しておくこと
により、第２図（ｂ）のいづれからも第２図（Ｃ）の様
な記録ビットが形成される（第１種の予備記録）。

バイアス磁界を適正に設定するとは、次のような意味で
ある。即ち、第１種の予備記録では、第２磁性層３の磁
化の向きに対して安定な向きに（ここでは同じ方向に）
第ｆｉｌｌ性層２の磁化が配列する力（交換力）を受け
るので９本来はバイアス磁界は必要でない。しかし、バ
イアス磁界は後述する第２種のレーザーパワーを用いた
予備記録では第２磁性層３の磁化反転を補助する向き（
すなわち、第１種の予備記録を妨げる向き）に設定され
る。そして、このバイアス磁界は、第１種、第２種どち
らのレーザーパワーの予備記録でも、大きさ、方向を同
じ状態に設定しておくことが便宜上好ましい。

かかる観点からバイアス磁界の設定は次記に示す原理に
よる第２種のレーザーパワーの予備記録に必要最小限の
大きさに設定しておくことが好ましく、これを考慮した
設定が前でいう適正な設定である。

このビット（Ｃ）を形成する第１種の予備記録につい、
て、磁性層の最適化には次のことが必要になる。

第１磁性層の飽和磁化の大きさをＭ８９．膜厚をｈｌと
すると（前述したように、第２Ｍｉ性層３の飽和磁化は
ＭＳ２、膜厚はｈ２、二磁性層間の磁壁エネルギーはσ
ｗ）、 第１、第２磁性層に働く交換力の大きさく順にＨ，ｌＩ
、、、　　Ｈ２゜Ｆｆ）はそれぞれＨ＋ａｒｒ＝σｗ／
　２　Ｍ、、ｈ。

Ｈ２ｅｆｆ”σＶ／　／　２　Ｍ　３２　ｈ　２　　　
　と表わせる。

第２図において、第１種の予備記録の前の状態（ｂ）の
うち、第１、第２磁性層の磁化が平行の状態では、それ
ぞれの磁性層の状態が交換力によって安定化され、第１
磁性層の磁化を反転さるためにはＨ＋　’　＋Ｈ＋ｅｆ
ｒ’　　（Ｈ＋　’　とＨ１ｓｆｆ’は、ある温度ｔに
おける第１磁性層の保磁力と第１磁性層に働く交換力を
示す。両者ともに温度ｔの関数になる。）の磁界が必要
であり、第２磁性層の磁化を反転させるためにはＨ２’
　＋Ｈ２，ｅｆＦ′（Ｈ２′とＨ２゜Ｉｆ’は、ある温
度ｔにおける第２磁性層の保磁力と第２磁性層に働く交
換力を示す。両者ともに温度ｔの関数になる。）の磁界
が必要である。このため多少のバイアス磁界が、どちら
の方向にかかっていても安定に予備記録によるビット（
Ｃ）が形成される。

ところが、第２図における状態（ｂ）のうち、第１、第
２磁性層の磁化が反平行の状態では、それぞれの磁性層
は、交換力によってその磁化が反転するようにしむけら
れている。これに起因して次の（イ）、（ロ）のような
ことになる。

（イ）第１種の予備記録時に、磁性層の温度が７２ＣＯ
ＭＰ付近まで上昇したとき、もしもＨ＋　’　　　Ｈｒ
ｅｔｔ’　　＝Ｈ＋　’　　−（７Ｗ／２Ｍｓ＋ｈ＋＜
０となれば、第１磁性層の磁化が反転し、第２磁性層の
磁化に対して安定な向きに配列し、第１種の予備記録が
完了する。ところが、 （ロ）もし第１磁性層の磁化が反転する前にＨ２’　　
−Ｈ２ｅｒｆ’　　＝　Ｈ２’　　　ＯＶ／　７２Ｍｓ
２Ｆ＋２＜　０となれば、第２磁性層の磁化が第ｉＭｉ
性層の磁化に対して安定な向きに配列し、第１磁性層の
磁化を反転させる必要のある第１種の予備記録は不能に
なってしまう。

よって、できるだけＨ２′、ひいてはＨ２が大きいこと
が好ましいが、第２磁性層は磁界発生部３４で一様な方
向に磁化する必要があるので、室温においてせいぜい２
　ＫＯｅ程度までしか大きくできない。

そこで、第２磁性層は室温以上に補償温度Ｔ２ＣＯＭＰ
をもち、この７２ＧＯＭＰの温度付近で第２磁性層の保
磁力Ｈ２′が充分大きくなったときに第１磁性層の磁化
が反転するように、つまりＨＩ　’　　ＨＩｅｆｆ’　
”　Ｈｌ′　−σｗ／２Ｍｓ＋ｆｉ＋が負になるように
Ｈｌ、σｗ、　ＭＳ、、ｈ、の条件を調整すればよい。

なお、Ｈ，ａ、、’　＝σ’ＩＩ　／　２　Ｍ　Ｓ　ｌ
　１１　。

は、第１磁性層のキュリー点Ｔ、以上ではゼロなので、
第１種の記録を行なう温度Ｔ２ＣＯＭＰは第１磁性層の
キュリー点Ｔ、よりも２低いことが望ましい。

一方、第１種の記録の条件はＨ１’　−Ｈｒａｔｅ’く
０であり、Ｈ３′は温度上昇したときにすみやかに減少
した方が良い。そこで、第１磁性層の補償温度ＴＩＣＯ
ＭＰは、室温以下であることが望ましい。

一方、第２種のレーザーパワーにより、第１磁性層２ま
たは第２磁性層３のキュリー点のいずれか高い方の温度
近くまで昇温させる（第２種の予備記録）と、上述のよ
うに設定されたバイアス磁界により第２磁性層３の磁化
の向きが反転する。

続いて、室温まで冷却される過程において第１磁性層２
の磁化も第２磁性層３に対して安定な商きに（ここでは
同じ方向に）配列する。即ち、第２図（ｂ）のいづれか
らも第２図（ｄ）のような記録ビットが形成される。

このように、バイアス磁界と、信号に応じて変わる第１
種及び第２種のレーザーパワーとによって、光磁気ディ
スクの各箇所は第２図（Ｃ）か（ｄ）の状態に予備記録
されることになる。

次に光磁気ディスク３５を回転させ、記録ビット（Ｃ）
　、　（ｄ）が磁界発生部３４を再び通過すると、磁界
発生部３４の磁界の大きさは前述したように磁性層２と
３の磁化反転磁界の間に設定されているので、記録ビッ
ト（Ｃ）は、変化が起こらずに（ｅ）の状態であ８（最
終的な記録状態）。一方、記録ビット（ｄ）は第２磁性
層３が磁化反転を起こして（ｆ）の状態になる（もう一
つの最終的な記録状態）。

（ｆ）の記録ビットの状態が安定に存在する為には、第
２磁性層３の飽和磁化の大きさをＭｓ、膜厚をｈ、磁性
層２．３間の磁壁エネルギーをａｗとすると、前述した
ように次の様な関係があれば良い。

σｗ　／　２Ｍ５２ｈ２は第２磁性層に働く交換力の強
さを示す。つまり、０ｗ　７２Ｍ５２ｈ２の大きさの磁
界で第２ｖＩｉ性層３の磁化の向きを、第１磁性層２の
磁化の向きに対して安定な方向へ（この場合は同じ方向
）向けようとする。そこで第２磁性層３がこの磁界に抗
して磁化が反転しないためには第２ｉｉ性層３の保磁力
をＨ２としてＨ２＞０ｗ　７２Ｍ５２ｈ２であればよい
。

記録ビットの状態（ｅ）と（ｆ）は、記録時のレーザー
のパワーで制御され、記録前の状態には依存しないので
、重ね書き（オーバーライド）が可能である。記録ビッ
ト（ｅ）と（ｆ）は、再生用のレーザービームを照射し
、再生光を記録信号再生器３３で処理することにより、
再生できる。

第２図の説明では第１磁性層２と第２磁性層３の磁化の
向きが同じときに安定な例を示したが、磁化の向きが反
平行のときに安定な磁性層についても同様に考えられる
。第５図に、この場合の記録過程の磁化状態を第２図に
対応させて示しておく。

〔実施例〕

実施例１ ３元のターゲット源を備えたスパッタ装置内に、プリグ
ループ、プリフォーマット信号の刻まれたポリカーボネ
ート製のディスク状基板を、ターゲットとの間の距１１
１１０ｃｍの間隔にセットし、回転させた。

アルゴン中で、第１のターゲットより、スパッタ速度１
００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５ｘ　１０＝　Ｔｏｒｒで
ＺｎＳを保護層として１０００人の厚さに設けた。次に
アルゴン中で、第２のターゲットよりスパッタ速度　１
００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５ｘｌＯ−３ＴｏｒｒでＴ
ｂＦｅ合金をスパッタし、膜厚３００人、Ｔ、＝約１３
０℃、補償温度は室温以下、Ｈ，＝約１０ＫＯｅのＴｂ
１６Ｆｅａ２の第１磁性層を形成した。

次にアルゴン中でスパッタ圧５Ｘ　１０＝　Ｔｏｒｒで
かＴｂＦｅＣｏ合金をスパッタし、膜厚５００人、Ｔ２
＝約２１０℃、Ｈ２＝約Ｉ　ＭＯｅ　、補償温度１００
℃のＴｂ２ｔＦｅ５．Ｃｏ９Ｃｕ＋：＋の第２Ｍｉ性層
を形成した。

次にアルゴン中で第１のターゲットよりスパッタ速度１
００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒで
、ＺｎＳを保護層として３０００人の厚さに設けた。

次に膜形成を終えた上記の基板を、ホットメルト接着剤
を用いて、ポリカーボネートの貼り合わせ用基板と貼り
合わせ光磁気ディスクのサンプルを作成した。

このサンプルを記録再生装置にセットし、２．５にＯｅ
の磁界発生部を、線速度〜８　ｍ／ｓｅｃで通過させつ
つ、約１μに集光した８３０ｍｍの波長のレーザービー
ムを５０％のデユーティで２　ＭＨｚで変調させながら
、４ｍＷと８ｍＷの２値のレーザーパワーで記録を行な
った。バイアス磁界は第２磁性層を反転させる方向に１
０００ｅであった。その後１．５ｍＷのレーザービーム
を照射して再生を行なったところ、２値の信号の再生が
できた。

次に、上記と同社の実験を、全面記録された後のサンプ
ルについて行なった。この結果航に記録された信号成分
は検出されず、オーバーライドが可能であることが確認
された。

実施例２ 第１！ｉ性層の組成をＴｂ１６Ｆｅ７２Ｃ：０＋ｏとし
た以外は、実施例１と同様にして、光磁気ディスクのサ
ンプルを作製した。Ｔｂ、、Ｆｅ、２Ｇｏ、、層はキュ
リー温度が約２２０℃、補償温度が室温以下、保磁力は
約１０にＯｅであった。

比較例１ 第２磁性層の組成をＴＩ）＋　５Ｆｅｙ７［；Ｏａとし
た以外は、実施例１と同様にして、光磁気ディスクのサ
ンプルを作製した。Ｔｂ、　８Ｆｅ、、（：ｏ８層はキ
ュリー温度が約２１０℃、補償温度が室温以下、保磁力
は約Ｉ　ＫＯｅであった。

次に実施例１．２、比較例１の各サンプルを実施例１の
方法に従って、記録のレーザーパワーを変化させながら
、記録再生の実験を行なった。第１種と第２種の記録の
しきい値（Ｃ／Ｎ値が飽和する値）とそのときのＣ／Ｎ
値を表１に示す。

表１の結果から実施例１．２では比較例１に比べて、第
１種の記録感度が高く、Ｃ／Ｎ値も大きい。これは第２
磁性層の補償温度が室温以上にあり、記録中に第２磁性
層の保磁力Ｈ２が増加して、第２磁性層が磁界に対して
安定になり、第１磁性層の磁化の反転が低い温度から安
定に起こることを示している。

また、実施例１と２を比べると、実施例２は第１磁性層
のキュリー温度Ｔ１を高くしたため、記録感度はやや低
下しているが、再生のＣ／Ｎ値が大きくなっていること
がわかる。

表−１ 〔発明の効果〕 以上詳細に説明したように光磁気媒体として、キュリー
点（Ｔ１）と高い保磁力（Ｈｌ　）を有する第１の磁性
層及びキュリー点（Ｔ２）と相対的に低い保磁力（Ｈ２
）と室温よりも高く、キュリー点よりも低い補償温度７
２ＧＯＭＰを有する第２の磁性層からなる二層構造の磁
性層を有するものを用い、記録時に、記録ヘッドと別位
置に磁界発生部を設け、２値レーザーパワーで記録する
ことにより、良好な重ね書き（オーバーライド）特性が
得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　、　（ｂ）は各々本発明で使用する光磁
気媒体の一例構成を示す図、第２図は、本発明の記録法
を実施中の、磁性層２．３の磁化の向きを示す図、第３
図は、記録・再生装置の概念図、第４図は両磁性層２と
３の保磁力と温度との関係を示す概略図である。第５図
は本発明の他の実施例における磁性層の磁化状態を示す
図である。 １ニブリグルーブ付の透光性基板、 ２．３＝磁性層 ４．５：保護層、 ６：接着層、 ７：貼り合わせ用基板、 ３１：記録・再生用ヘッド、 ３２：記録信号発生器、 ３３：記録信号再生器 ３４：＠界発生部 ３５：光磁気ディスク、

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）キュリー点Ｔ＿１と保磁力Ｈ＿１を有する第１磁性
   層と、キュリー点Ｔ＿２と保磁力Ｈ＿２を有する第２磁
   性層とからなる交換結合している二層構造の垂直磁化膜
   を基板上に有しており、次の条件を満たすことを特徴と
   する光磁気記録媒体。 （Ａ）第２磁性層の飽和磁化をＭｓ＿２、その膜厚ｈ＿
   ２、二磁性層間の磁壁エネルギーをσｗとすると Ｈ＿１＞Ｈ＿２＞［σｗ／（２Ｍｓ＿２ｈ＿２）］（室
   温において）（Ｂ）第１磁性層の補償温度をＴ＿１＿Ｃ
   ＿Ｏ＿Ｍ＿Ｐ、第２磁性層の補償温度をＴ＿２＿Ｃ＿Ｏ
   ＿Ｍ＿Ｐとすると、Ｔ＿１＿Ｃ＿Ｏ＿Ｍ＿Ｐ＜室温＜Ｔ
   ＿２＿Ｃ＿Ｏ＿Ｍ＿Ｐ＜Ｔ＿１≦Ｔ＿２２）キュリー点
   Ｔ＿１と保磁力Ｈ＿１を有する第１磁性層と、キュリー
   点Ｔ＿２と保磁力Ｈ＿２を有する第２磁性層とからなる
   交換結合している二層構造の垂直磁化膜を基板上に有し
   ており、次の条件、 （Ａ）第２磁性層の飽和磁化をＭｓ＿２、その膜厚ｈ＿
   ２、二磁性層間の磁壁エネルギーをσｗとすると Ｈ＿１＞Ｈ＿２＞（σｗ／２Ｍｓ＿２ｈ＿２）（室温に
   おいて）（Ｂ）第１磁性層の補償温度をＴ＿１＿Ｃ＿Ｏ
   ＿Ｍ＿Ｐ、第２磁性層の補償温度をＴ＿２＿Ｃ＿Ｏ＿Ｍ
   ＿Ｐとすると、Ｔ＿１＿Ｃ＿Ｏ＿Ｍ＿Ｐ＜室温＜Ｔ＿２
   ＿Ｃ＿Ｏ＿Ｍ＿Ｐ＜Ｔ＿１≦Ｔ＿２を満たす光磁気記録
   媒体を使用して、次の二値の記録を行なうことを特徴と
   する記録方式。 （ａ）該媒体に対して、記録用ヘッドと異なる場所で、
   保磁力Ｈ＿２の第２磁性層を一方向に磁化させるのに充
   分で保磁力Ｈ＿１の第１磁性層の磁化の向きを反転させ
   ることのない大きさの磁界Ｂを加え、 （ｂ）次に、記録ヘッドにより、バイアス磁界を印加す
   ると同時に補償温度Ｔ＿２＿Ｃ＿Ｏ＿Ｍ＿Ｐ付近まで該
   媒体が昇温するだけのレーザーパワーを照射することに
   より、第２磁性層の磁化の向きを変えないまま第１磁性
   層の磁化の向きを第２磁性層に対して安定な向きにそろ
   える第１種の予備記録か、バイアス磁界を印加すると同
   時に第１、第２磁性層のキュリー点Ｔ＿１、Ｔ＿２の高
   い方の温度付近まで該媒体が昇温するだけのレーザーパ
   ワーを照射することにより、第２磁性層の磁化の向きを
   反転させて同時に第１磁性層も第２磁性層に対して安定
   な向きに磁化する第２種の予備記録かを、信号に応じて
   実施し、 （ｃ）次に、該媒体を運動させて、予備記録されたビッ
   トを前記磁界Ｂを通過させることにより、第１種の予備
   記録により形成されたビットについては第１磁性層、第
   ２磁性層とも磁化の向きをそのまま変化させず、 第２種の予備記録により形成されたビットについては、
   第２磁性層の磁化の向きを前記磁界Ｂと同方向に反転さ
   せ、第１磁性層については磁化の向きをそのまま変化さ
   せないとする、二値の記録。