JPS63195844A

JPS63195844A - 光磁気記録媒体及び記録方法

Info

Publication number: JPS63195844A
Application number: JP62027082A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Osato; 陽一大里
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1987-02-10
Filing date: 1987-02-10
Publication date: 1988-08-12

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、磁気カー効果を利用して読出しすることので
きるキュリー点書込みタイプの光磁気記録媒体と、それ
を用いた重ね書き可能な光磁気記録方法に関する。

〔従来の技術〕

消去可能な光デイスクメモリとして光磁気ディスクが知
られている。光磁気ディスクは、従来の磁気ヘッドを使
った磁気記録媒体と比べて高密度記録、非接触での記録
再生などが可能であるという長所がある反面、記録前に
一度記録部分を消去しなければならない（一方向に着磁
しなければならない）という欠点があった。この欠点を
補う為に、記録再生用ヘッドと消去用ヘッドを別々に設
ける方式、あるいは、レーザーの連続ビームを照射しつ
つ、同時に印加する磁場を変調しながら記録する方式な
どが提案されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、これらの方法は、装置が大がかりとなり、コス
ト高になる欠点あるいは高速の変調ができないなどの欠
点を有する。

上述の公知技術の欠点を除去し、従来の装置構成に簡単
な構造の磁界発生手段を付設す、るだけで、磁気記録媒
体と同様な重ね書き（オーバーライド）を可能とした、
光磁気記録方法を本出願人は昭和６１年７月８日に特願
昭６１．−１５８７８７号（該出願は昭和６２年２月２
日の国内優先の基礎出願となる）で提案した。

しかし、この方法は全く新しい記録法であるが故に、こ
の方法に関連して、いまだ多くの研究課題が残っていた
。すなわち、この記録に用いるのによりふされしい光磁
気記録媒体の探究等である。

そこで本発明者は更に研究を進めた結果、いくつかの成
果が得られた。

本発明はこうして完成されたものであり、その目的は重
ね書き可能な記録方法を提供するだけでなく、その重ね
書き可能な記録方法に利用するのによりふされしい光磁
気記録媒体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的達成可能な本発明は、低いキュリー点（ＴＬ　）と室温で高い保磁力（ＨＨ）
を有する第１磁性層、およびこの磁性層に比べて相対的
に高いキュリー点（ＴＨ）と室温で低い保磁力（ＨＬ）
を有する第２磁性層から成る二層構造の交換結合してい
る垂直磁化膜を基板上に有して成る光磁気記録媒体であ
って、第２磁性層の飽和磁化をＭｓ２、膜厚をｈ２、二
つの磁性層間の磁壁エネルギーをσＷとすると、を満たし、しかも、第２磁性層の補償温度をＴＨＣＯＭＰとするとＴ　Ｌ　＜　Ｔ　ＨＣＯＭＰかつ（温度ＴＬでの第２磁
性層の保磁力の値）／（室温での第２磁性層の保磁力の
値：　ＨＬ）＞０．５　・・・・（２）の条件を満たし
ている光磁気記録媒体と、これをを使用して、次の二値
の記録を行なうことを特徴とする記録方式である。

（ａ）該媒体に対して、記録用ヘッドと異なる場所で、
保磁力ＨＬの第２磁性層を一方向に磁化させるのに充分
で保磁力ＨＨの第１磁性層の磁化の向きを反転させるこ
とのない大きさの磁界Ｂを加え、（ｂ）次に、記録ヘッドにより、バイアス磁界を印加す
ると同時に低いキュリー点（ＴＬ　）付近まで該媒体が
昇温するだけのレーザーパワーを照射することにより、
第２磁性層の磁化の向きを変えないまま第１磁性層の磁
化の向きを第２磁性層に対して安定な向きにそろえる第
１種の予備記録か、バイアス磁界を印加すると同時に高
いキュリー点（Ｔ□）付近まで該媒体が昇温するだけの
レーザーパワーな照射することにより、第２磁性層の磁
化の向きを反転させて同時に第１磁性層も第２磁性層に
対して安定な向きに磁化する第２種の予備記録かを、信
号に応じて実施し、（Ｃ）次に、該媒体を運動させて、予備記録されたビッ
トを前記磁界Ｂを通過させることにより、第１種の予備
記録により形成されたビットについては第１磁性層、第
２磁性層とも磁化の向きをそのまま変化させず、第２種の予備記録により形成されたビットについては、
第２磁性層の磁化の向きを前記磁界Ｂと同方向に反転さ
せ、第１磁性層については磁化の向きをそのまま変化さ
せないとする、二値の記録。

以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図（ａ）　、（ｂ）は各々本発明により製造される
光磁気記録媒体の一実施例を示す模式断面図である。第
１図（ａ）の光磁気記録媒体は、プリグループが設けら
れた透光性の基板１上に、第１の磁性層２と第２の磁性
層３が積層されたものである。第１磁性層２は低いキュ
リー点（ＴＬ）と高い保磁力（ＨＨ）を有し、第２磁性
層３は、高いキュリー点（ＴＨ）と低い保磁力（ＨＬ　
）を有する。ここで「高い」、「低い」とは両磁性層を
比較した場合の相対的な関係を表わす（保磁力は室温に
おける比較）。ただし、通常は第１磁性層２のＴＬは７
０〜１８０℃、Ｈ，は、３〜１０ＫＯｅ、第２磁性層３
のＴＨは１５０〜４００℃、ＨＬは０．５〜２ＫＯｅ程
度の範囲内にするとよい。

各磁性層の材料には、垂直磁気異方性を示し且つ磁気光
学効果を呈するものが利用できるが、Ｇｄ（：ｏ、　Ｇ
ｄＦｅ　、　ＴｂＦｅ、　ＤｙＦｅ、　ＧｄＴｂＦｅ、
　ＴｂＤｙＦｅ、　ＴｂＦｅＣｏ、　ＧｄＴｂＣ：ｏ、
　ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類元素と遷移金属元素との
非晶質磁性合金が好ましい。

本発明による光磁気記録記録媒体を用いた記録方法にお
いては、第１磁性層２が主に再生に関与する。即ち、第
１磁性層２が呈する磁気光学効果が主に再生に利用され
、第２磁性層３は記録に重要な役割りを果たす。

一方、従来の光磁気記録方法における、交換結合二層膜
では、逆に、低いキュリー点と高い保磁力とを有する磁
性層は主に記録に関与し、高いキュリー点と低い保磁力
とを有する磁性層が主に再生に関与した。

かかる従来の交換結合二層膜では、主に再生に関与する
磁性層の飽和磁化Ｍｓと、膜厚りと、二層間の磁壁エネ
ルギーσＷの間に、次の様な関係があるのが望ましかっ
た。

ＨＨ＞　−＞　ＨＬＭｓｈしかし、本発明に使用する記録媒体の交換結合二層膜で
は、第２磁性層３の飽和磁化Ｍｓ２と膜厚ｈ２と、二磁
性層間の磁壁エネルギーσＷの間に、次の関係が必要で
ある。

これは、記録によって最終的に完成されるビットの磁化
状態（第２図（ｆ）に示す）が安定に存在出来るように
するためである（詳しい理由は後述する）。

この条件を満たすために、各磁性層の膜厚、保磁力、飽
和磁化の大きさ、磁壁エネルギーなどを適当に設定すれ
ばよい。

上記の要件の他に、本発明の光磁気記録媒体は、前述し
た特別な要件（２）を満たすことによって、重ね書き可
能な記録法にとって、よりふされしいものとなっている
（この理由についても後述する、）。

なお、両磁性層２，３は、記録時の実効的バイアス磁界
の大きさ、あるいは二値の記録ビットの安定性などを考
えると、交換結合をしていることが望ましい。

本発明の他の態様を示す第１図（ｂ）において、４．５
は両磁性層の耐久性を向上させるためのあるいは光磁気
効果を向上させるための保護膜である。

６は、貼り合わせ用基板７を貼り合わすための接着層で
ある。貼り合わせ用基板７にも、２から５までの層を積
層し、これを接着すれば表裏で記録・再生が可能となる
。

以下、第２図〜第４図を用いて記録の過程を示すが、記
録前、両磁性層２と３の磁化の安定な向きは平行（同じ
向き）でも反平行（逆方向）でも良い。第２図では磁化
の安定な向きが平行な場合について説明する。

第３図の３５は、上述したような構成を有する光磁気デ
ィスクである。例えば、この磁性層のある一部の磁化状
態が初め第２図（ａ）のようになっているとする。光磁
気ディスク３５はスピンドルモータにより回転して、磁
界発生部３４を通過する。このとき、磁界発生部３４の
磁界の大きさを両磁性層２と３の保磁力の間の値に設定
すると（磁界の向きは本実施例では上向き）、第２図（
ｂ）に示す様に第２磁性層３は一様な方向に磁化され、
一方、第１磁性層２の磁化は初めのままである。

次に光磁気ディスク３５が回転して記録・再生へラド３
１を通過するときに、記録信号発生器３２からの信号に
従って、２種類（第１種と第２種）のレーザーパワー値
を持つレーザービームをディスク面に照射する。第１種
のレーザーパワーは該ディスクを第１磁性層２のキュリ
ー点付近まで昇温するだけのパワーであり、第２種のレ
ーザーパワーは該ディスクを第２磁性層３のキュリー点
付近まで昇温可能なパワーである。即ち、両磁性層２゜
３の保磁力と温度との関係の概略を示した第４図におい
て、第１種のレーザーパワーはＴＬ付近、第２種のレー
ザーパワーはＴＨ付近までディスクの温度を上昇できる
。

第１種のレーザーパワーにより第１磁性層２は、キュリ
ー点付近まで昇温するが第２磁性層３はこの温度でビッ
トが安定に存在する保磁力を有しているので記録時のバ
イアス磁界を適正に設定しておくことにより、第２図（
ｂ）のいづれからも第２図（Ｃ）のようなビットが形成
される（第１種の予備記録）。

ここでバイアス磁界を適正に設定するとは、次のような
意味である。即ち、第１種の予備記録では、第２磁性層
３の磁化の向きに対して安定な向きに（ここでは同じ方
向に）第１磁性層２の磁化が配列する力（交換力）を受
けるので１本来はバイアス磁界は必要でない。しかし、
バイアス磁界は後述する第２種のレーザーパワーを用い
た予備記録では第２磁性層３の磁化反転を補助する向き
（すなわち、第１種の予備記録を妨げる向き）に設定さ
れる。そして、このバイアス磁界は、第１種、第２種ど
ちらのレーザーパワーの予備記録でも、大きさ、方向を
同じ状態に設定しておくことが便宜上好ましい。

かかる観点からバイアス磁界の設定は次記に示す原理に
よる第２種のレーザーパワーの予備記録に必要最小限の
大きさに設定しておくことが好ましく、これを考慮した
設定が前でいう適正な設定である。

このビット（Ｃ）を形成する第１種の予備記録について
、磁性層の最適化には次のことが必要になる。

第１磁性層の飽和磁化の大きさをＭ　Ｓ、、膜厚をｈｌ
とすると（前述したように、第２磁性層３の飽和磁化は
Ｍｓ２、膜厚はｈ２、二磁性層間の磁壁エネルギーはσ
Ｗ）、第１、第２磁性層に働く交換力の大きさく順にＨＨｅｆ
ｆ、　　ＨＬｅｆｆ）はそれぞれＨＨｅｆｆ−σｗ／２
Ｍｓ、ｈ。

ＨＬｅｆｆ＝σｗ／２Ｍ８２ｈ２　　　と表わせる。

第２図において、第１種の予備記録の前の状態（ｂ）の
うち、第１、第２磁性層の磁化が平行の状態では、それ
ぞれの磁性層の状態が交換力によって安定化され、第１
磁性層の磁化を反転さるためには）ＩＨ’＋Ｈ□ｅｆｆ
’　　（ＨＨ′　とＨＨｅｆｆ’は、ある温度ｔにおけ
る第１磁性層の保磁力と第１磁性層に働く交換力を示す
。両者ともに温度ｔの関数になる。）の磁界が必要であ
り、第２磁性層の磁化を反転させるためにはＨＬ′十Ｈ
Ｌ、、ｆｆ′（ＨＬ　’　とＨＬｅｆｆ’　は、ある温
度ｔにおける第２磁性層の保磁力と第２磁性層に働く交
換力を示す。両者ともに温度ｔの関数になる。）の磁界
が必要である。このため多少のバイアス磁界が、どちら
の方向にかかっていても安定に予備記録によるビット（
Ｃ）が形成される。ところが、第２図における状態（ｂ
）のうち、第１、第２磁性層の磁化が反平行の状態では
それぞれの磁性層は交換力によりその磁化を反転させる
方向に向けられる。これに起因して次の（イ）、（ロ）
のようなことになる。

（イ）第１種の予備記録時に磁性層の温度がＴし付近ま
で上昇したとき、もしも）（Ｈ’　　Ｈｌｌ、、ｒｔ’　＜０゛となれば、第１磁性層の磁化が反転し、第２磁性層の
磁化に対して安定な向きに配列し、第１種の予備記録が
完了する。ところが、（ロ）もし第１磁性層の磁化が反転する前にＨＬ　’　
　Ｈ＋−ｅｆｆ’　＜０となれば、第２磁性層の磁化が第１磁性層の磁化に対し
て安定な向きに配列し、第１磁性層の磁化を反転させる
必要のある第１種の予備記録は不能になってしまう。

よフて、できるだけＨＬ′の値を大きくする、このため
にはＨＬを大きな値にすることが好ましいが、第２磁性
層は磁界発生部３４で一様な方向に磁化する必要がある
ので、せいぜい２　ＫＯｅ程度までにしかできない。そ
こで、ＴＬ付近の温度での第２磁性層の保磁力ができる
限り大きな値にするためには第２磁性層の補償温度Ｔ１
４ＣＯＭＰをＴＬ付近の温度に設定することが重要にな
る。

こうすれば、第２磁性層の飽和磁化Ｍｓが低下しても、
補償温度ＴＨＣＯＭＰでは第２磁性層の保磁力ＨＬ′が
無限大となるので、補償温度ＴＨｃｏＭＰに近ずくよう
に温度が上昇していく過程では、第２磁性層の保磁力Ｈ
Ｌ’の低下を妨げることになる。

また、ＴＨＣＯＭＰとＴＨが近い温度ではＴ）ＩＣＯＭ
ＰからＴ、までの温度域で、第２磁性層の磁化Ｍｓの反
転と保磁力のＨＬ′の急激な減少があるため、第１種の
予備記録を安定に行なうためには、Ｔ　Ｌ＜　Ｔ　ＨＣ
ＯＭＰにしておくことが好ましい。

実施例において立証するように、実際には第２磁性層の
補償組成ＴＨＣＯＭＰとすると、Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　ＨＣ
ＯＭＰ　、かつ（温度ＴＬでの第２磁性層の保磁力の値
）／（室温での第２磁性層の保磁力の値（＝ＨＨ））　
＞０．５となるような第２磁性層を選択することにより安定な第
１種の予備記録が行なわれることが確認された。

なお、要件（２）を満たす材料としては、前述した材料
中で、ＴｂＦｅＣｏ系合金で補償組成よりもＴｂ元素に
富んだ系が適しており、さらにこれらの三元系に他の希
土類元素や遷移金属元素等の不純物元素を適量加えた系
などが利用可能である。

次に第２種の予備記録について説明する。

第２種のレーザーパワーにより、第２磁性層３のキュリ
ー点近くまで昇温させる（第２種の予備記録）と、上述
のように設定されたバイアス磁界により第２磁性層３の
磁化の向きが反転する。続いて第１磁性層２の磁化も第
２磁性層３に対して安定な向きに（ここでは同じ方向に
）配列する。

即ち、第２図（ｂ）のいづれからも第２図（ｄ）のよう
なビットが形成される。

このように、バイアス磁界と、信号に応じて変わる第１
種及び第２種のレーザーパワーとによって、光磁気ディ
スクの各箇所は第２図（Ｃ）か（ｄ）の状態に予備記録
されることになる。

次に光磁気ディスク３５を回転させ、予備記録のビット
（Ｃ）、（ｄ）が磁界発生部３４を再び通過すると、磁
界発生部３４の大きさはは前述したように磁性層２と３
の磁化反転磁界間に設定されているので、記録ビット（
ｃ）は、変化が起こらずに（ｅ）の状態である（最終的
な記録状態）。一方、記録ビット（ｄ）は第２磁性層３
が磁化反転を起こして（ｆ）の状態になる（もう一つの
最終的な記録状態）。

（ｆ）の記録ビットの状態が安定に存在する為には、前
述したように次の様な関係があれば良い。

ここで０ｗ　７２Ｍ５ｚｈ２は第２磁性層に働く交換力
の強さを示す。つまり、０ｗ　７２Ｍ５２ｈ２の大きさ
の磁界で第２磁性層３の磁化の向きを、第１＠性層２の
磁化の向きに対して安定な方向へ（この場合は同じ方向
）向けようとする。そこで第２磁性層３がこの磁界に抗
して磁化が反転しないためには第２磁性層３の保磁力を
Ｈｌ、としてＨ，、＞σＷ／２Ｍ５２ｈ２であればよい
。

記録ビットの状態（ｅ）と（ｆ）は、記録時のレーザー
のパワーで制御され、記録前の状態には依存しないので
、重ね書き（オーバーライド）が可能である。記録ビッ
ト（ｅ）と（ｆ）は、再生用のレーザービームを照射し
、再生光を記録信号再生器３３で処理することにより、
再生できる。

第２図の説明では第１磁性層２と第２Ｗｉ性層３の磁化
の向きが同じときに安定な例を示したが、磁化の向きが
反平行のときに安定な磁性層についても同様に考えられ
る。第５図に、この場合の記録過程の磁化状態を第２図
に対応させて示しておく。

〔実施例〕

実施例１３元のターゲット源を備えたスパッタ装置内に、プリグ
ループ、プリフォーマット信号の刻まれたポリカーボネ
ート族のディスク状基板を、ターゲットとの間の距１１
ｔｌｏｃｍの間隔にセットし、回転させた。

スパッタ装置内をＩ　Ｘ　１Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下に排気
後アルゴン中で、第１のターゲットより、スパッタ速度
１００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５Ｘ　１ｏ−３Ｔｏｒｒ
でＺｎＳを保護層として１０００人の厚さに設けた。次
にアルゴン中で、第２のターゲットよりスパッタ速度１
００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒで
ＴｂＦｅ合金をスパッタし、膜厚３００人、ＴＬ＝約１
３０℃、Ｈ，＝約１０ＫＯｅのＴｂ１ａＦｅａ２の第１
磁性層を形成した。

次にアルゴン中でスパッタ圧５Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒで
かＴｂＦｅＣｏ合金をスパッタし、膜厚５００人、ＴＨ
＝Ｈｌ９０℃、Ｔ　ＨＣＯＭＰ　＝　２１０℃、Ｈｔ＝
約１にＯｅのＴｂ２７Ｆ　ｅ６４ｃｒｏ９の第２磁性層
を形成した。

次にアルゴン中で第１のターゲットよりスパッタ速度１
００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５　Ｘ　Ｉ　０−３Ｔｏｒ
ｒで、ＺｎＳを保護層として３０００人の厚さに設けた
。

次に膜形成を終えた上記の基板を、ホットメルト接着剤
を用いて、ポリカーボネートの貼り合わせ用基板と貼り
合わせ光磁気ディスクを作成した。

ここで、実施例２に示す方法により、第１磁性層のキュ
リー温度１３０℃近くでの、第２磁性層の保磁力を測定
したところ約７０００ｅであった。

この光磁気ディスクを記録再生装置にセットし、２．５
ＫＯｅの磁界発生部を、線速度的８　ｍ／ｓｅｃで通過
させつつ、約１μに集光した８３０ｍｍの波長のレーザ
ービームを５０％のデユーティで２ＭＨｚで変調させな
がら、４ｍＷと８ｍＷの２値のレーザーパワーで記録を
行な゛った。バイアス磁界は第２磁性層の磁化を反転さ
せる方向に１０００ｅであった。その後１　、５ｍＷの
レーザービームを照射して再生を行なったところ、２値
の信号の再生ができた。

次に、上記と同様の実験を、全面記録された後の光磁気
ディスクについて行なった。この結果前に記録された信
号成分は検出されず、良好なオーパーライトが可能であ
ることが確認された。

実施例２と比較例１実施例１と同様な方法でガラス基板上にＺｎＳを１００
０Ａ　％Ｔｂ、８Ｆｅ８２の第１磁性層を３００人、Ｔ
ｂ２７’ｅｓ４Ｃｏｇの第２磁性層を５００人、ＺｎＳ
を１００ＯＡ　、この順に積層した光磁気ディスクのサ
ンプル２−１（実施例２）と、これと同じ構成であるが
、第２磁性層の材料だけをＴｂ１ｇＦｅａ＋ｌｌ：Ｏ＋
に代えたサンプル２−２（比較例１）とを作製した。

次に、サンプル２−１．２−２を徐々に加温しながら磁
気カー効果により磁化の反転する磁界を測定（Ｂ−Ｈル
ープの測定）することにより各磁性層Ｔｂ＋ａＦｅａ２
（（Ａ　）とする）　、Ｔｂ２７Ｆｅｓ４ＣＯ９（（Ｂ
）とする）　、　Ｔｂ＋５Ｆｅａ＋ＧＯ＋　（（Ｃ）と
する）の保磁力の温度変化（第６図）と保磁カー交換力
の温度変化（第７図）を得た。

第６図で（Ａ）の室温での保磁力ＨＨは約１０ＫＯｅ　
、キュリー点ＴＬは約１３０℃であった。

（Ｂ）と（Ｃ）の室温での保磁力Ｈしは共に約ＩＫＯｅ
　、キュリー点ＴＨは約１９０℃であった。

ただし、補償温度は（Ｂ）では約２１０℃であり、（Ｃ
）では約−１３０℃であった。また、（Ｂ）と（Ｃ）の
ＴＬ付近での保磁力の値は、室温でのその値に対してそ
れぞれ約７０％と約３０％であった。

第７図に示される保磁カー交換力の温度変化によるグラ
フで点線はＨＬ　’　　ＨＬｅｖｆ’の値（第２磁性層
（Ｂ）か（Ｃ）の値）を表わし、実線はＨｏ　’　　Ｈ
Ｈｅｆｆ’の値（第１磁性層（Ａ）の示す値）を表わす
。

Ａ／Ｂはサンプル２−１に関し、Ａ／Ｃはサンプル２−
２に関する。

なお、測定可能な保磁カー交換力の値はＨＨ’　　ＨＨ
ｅｆｆ’　とＨＬ　’−ＨＬｅｒｒ’の絶対値のうち小
さい方の値だけである。（大きい方の値は印加磁界を大
きくしていくと反転磁界より小さな値で、小さな値をも
つ磁性層の磁化が反転してしまうので、測定できないた
めである）第７図の示す内容について次に説明する。

測定サンプルの温度を上げて反転磁界の大きさを調べる
と、初めは第２磁性層のＨＬ’−ＨＬｅｆｆ’の大きさ
が正で２００〜３ＱＯＯｅの値を示すが、ＴＬより２０
〜５０℃低い温度で第１磁性層のＨＨ’−）（Ｈｅ、、
’の値が負の値をとり、自発的に第１磁性層の磁化に対
して安定な方向に配列するようになる。ざらにＴＬより
も高温になると第１磁性層の磁化は消失し交換力は無く
なるので、測定されるのは第２磁性層の保磁力の値だけ
になる。

ここでサンプル２−１と２−２の差に着目すると、サン
プル２−１ではＴＬより約５０℃低い温度から第１種の
予備記録が始まり、強い交換力により第１磁性層の磁化
の反転が起こるのに比べて、サンプル２−２ではＴＬよ
り約２０℃低い温度で弱い交換力によって第１種の予備
記録が行なわれる。

この違いは、第２磁性層の保磁力の温度変化、つまり補
償温度の違いによるものでサンプルの温度上昇によって
第１磁性層の保磁カー交換力の値は大きな正の値から負
の値へ変化していくので、このとき、第１種の予備記録
の行なわれる温度域で、第２磁性層の保磁カー交換力の
値が正で且つ比較的大きな値であれば、第１種の予備記
録時に、より低い温度から第１磁性層に、より強い交換
力（保磁カー交換力の値が負で絶対値が大きな）が働い
て第１磁性層の磁化を第２磁性層の磁化に対して安定な
方向へ配列させることが可能になることを示している。

つまり、第１種の予備記録の安定性、感度を決める要素
として、第２磁性層の保磁力の温度変化の様子、そして
第２磁性層の補償温度と第１磁性層のキュリー温度との
大小関係、とが考えられることを示す。

実施例３と比較例実施例１と同様な方法で第２磁性層の材料だけを代えた
他は構成、膜厚なと同条件で光磁気ディスクのサンプル
（サンプル１．２−４．２−５゜２−６は実施例、２−
１．２−２．２−３は比較例）を作製した。実施例１と
同じ条件で記録再生した。結果を次の表１に示す、。

ただし、第２磁性層の保磁力ＨＬはどのサンプルもほぼ
同じＩ　ＫＯｅである。表１において、ｒＴＬでの保磁
力の、室温での値との比」の項は、第１磁性層の温度Ｔ
Ｌ　（この実施例では約１３０℃）での保磁力の値を、
その室温での保磁力の値で割った値を示す。

また、第１種の記録しきい値は、記録が可能になるレー
ザーパワー値を示す。

第１種、第２種の記録の評価はＣ／Ｎ値４０ｄＢ程度の
良好な再生信号を得られたものをＯ１記録信号を確認で
きるものを△、記録されていないものを×で示した。

表１の結果より、第１種の記録が良好に行なえたのは、
Ｔ、での保磁力の室温の値との比が０．５以上の値のサ
ンプルで（実施例１、実施例２−４〜２−６、比較例２
−２〜２−３）これらのサンプルは、第２磁性層の補償
温度が、第１磁性層のキュリー温度ＴＬより高いものか
、あるいは、第２磁性層のキュリー温度ＴＩ（が、他の
サンプルに比して高い（比較例２−２．２−３）もので
ある。

同時に第２種の記録が良好に行なえたのは、第２磁性層
のキュリー温度ＴＨが、　２００℃より低いものであっ
た。（実施例１、実施例２−４．２−５．２−６）これ
らのことより、第１種、第２種の記録を感度良く、良好
に行なうには、第２磁性層の補償温度Ｔ。ｃｏ、、、ｐ
を、第１磁性層のキュリー温度ＴＬより高く設定するこ
とが有効であることが分かる。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように、所定の要件を満たす二層構
造の垂直磁化膜を有する光磁気媒体を用いて、記録時に
、記録ヘッドと別位置に磁界発生部を設け、２値レーザ
ーパワーで記録することにより、良好な重ね書き（オー
バーライド）特性が得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　、　（ｂ）は各々本発明で使用する光磁
気媒体の一例構成を示す図、第２図は、本発明の記録法
を実施中の、磁性層２，３の磁化の向きを示す図、第３
図は、記録・再生装置の概念図、第４図は内磁性層２と
３の保磁力と温度との関係を示す概略図である。第５図
は本発明の他の実施例における磁性層の磁化状態を示す
図である。第６．７図はそれぞれ実施例２と比較例１と
で得られた光磁気ディスクの特性を示す図である。１ニブリグルーブ付の透光性基板、２．３：磁性層４．５：保護層、６：接着層、７：貼り合わせ用基板、３１：記録・再生用ヘッド、３２：記録信号発生器、３３：記録信号再生器３４：磁界発生部３５：光磁気ディスク、

Claims

【特許請求の範囲】１）低いキュリー点（Ｔ＿Ｌ）と室温で高い保磁力（Ｈ
＿Ｈ）を有する第１磁性層、およびこの磁性層に比べて
相対的に高いキュリー点（Ｔ＿Ｈ）と室温で低い保磁力
（Ｈ＿Ｌ）を有する第２磁性層から成る二層構造の交換
結合している垂直磁化膜を基板上に有して成る光磁気記
録媒体であって、第２磁性層の飽和磁化をＭｓ＿２、膜
厚をｈ＿２、二つの磁性層間の磁壁エネルギーをσｗと
すると、Ｈ＿Ｈ＞Ｈ＿Ｌ＞σｗ／（２Ｍｓ＿２ｈ＿２）・・・・
（１）を満たし、しかも、第２磁性層の補償温度をＴ＿Ｈ＿Ｃ＿Ｏ＿Ｍ＿
ＰとするとＴ＿Ｌ＜Ｔ＿Ｈ＿Ｃ＿Ｏ＿Ｍ＿Ｐ、かつ（温度Ｔ＿Ｌで
の第２磁性層の保磁力の値）／（室温での第２磁性層の
保磁力の値：Ｈ＿Ｌ）＞０．５・・・・（２）の条件を
満たしていることを特徴とする光磁気記録媒体２）低いキュリー点（Ｔ＿Ｌ）と室温で高い保磁力（Ｈ
＿Ｈ）を有する第１磁性層、およびこの磁性層に比べて
相対的に高いキュリー点（Ｔ＿Ｈ）と室温で低い保磁力
（Ｈ＿Ｌ）を有する第２磁性層から成る二層構造の交換
結合している垂直磁化膜を基板上に有して成る光磁気記
録媒体であって、第２磁性層の飽和磁化をＭｓ＿２、膜
厚をｈ＿２、二つの磁性層間の磁壁エネルギーをσｗと
すると、Ｈ＿Ｈ＞Ｈ＿Ｌ＞σｗ／（２Ｍｓ＿２ｈ＿２）・・・・
（１）を満たし、しかも、第２磁性層の補償温度をＴ＿Ｈ＿Ｃ＿Ｏ＿Ｍ＿
ＰとするとＴ＿Ｌ＜Ｔ＿Ｈ＿Ｃ＿Ｏ＿Ｍ＿Ｐかつ（温度Ｔ＿Ｌでの
第２磁性層の保磁力の値）／（室温での第２磁性層の保
磁力の値：Ｈ＿Ｌ）＞０．５・・・・（２）の条件を満
たしている光磁気記録媒体を使用して、次の二値の記録
を行なうことを特徴とする記録方式。（ａ）該媒体に対して、記録用ヘッドと異なる場所で、
保磁力Ｈ＿Ｌの第２磁性層を一方向に磁化させるのに充
分で保磁力Ｈ＿Ｈの第１磁性層の磁化の向きを反転させ
ることのない大きさの磁界Ｂを加え、（ｂ）次に、記録ヘッドにより、バイアス磁界を印加す
ると同時に低いキュリー点（Ｔ＿Ｌ）付近まで該媒体が
昇温するだけのレーザーパワーを照射することにより、
第２磁性層の磁化の向きを変えないまま第１磁性層の磁
化の向きを第２磁性層に対して安定な向きにそろえる第
１種の予備記録か、バイアス磁界を印加すると同時に高
いキュリー点（Ｔ＿Ｈ）付近まで該媒体が昇温するだけ
のレーザーパワーを照射することにより、第２磁性層の
磁化の向きを反転させて同時に第１磁性層も第２磁性層
に対して安定な向きに磁化する第２種の予備記録かを、
信号に応じて実施し、（ｃ）次に、該媒体を運動させて、予備記録されたビッ
トを前記磁界Ｂを通過させることにより、第１種の予備
記録により形成されたビットについては第１磁性層、第
２磁性層とも磁化の向きをそのまま変化させず、第２種の予備記録により形成されたビットについては、
第２磁性層の磁化の向きを前記磁界Ｂと同方向に反転さ
せ、第１磁性層については磁化の向きをそのまま変化さ
せないとする、二値の記録。