JPS6260270A - 圧力センサのダイアフラム形成法 - Google Patents
圧力センサのダイアフラム形成法Info
- Publication number
- JPS6260270A JPS6260270A JP20009985A JP20009985A JPS6260270A JP S6260270 A JPS6260270 A JP S6260270A JP 20009985 A JP20009985 A JP 20009985A JP 20009985 A JP20009985 A JP 20009985A JP S6260270 A JPS6260270 A JP S6260270A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- etching
- silicon chip
- edge parts
- pressure sensor
- Prior art date
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- Pending
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、圧力センサ用のシリコンチップにエチング法
により、ダイアフラムを形成する方法に関するものであ
る。
により、ダイアフラムを形成する方法に関するものであ
る。
〈従来の技術〉
従来、シリコンチップにダイアフラムを形成するには、
主に、寸法精度の良いこと等から、一方向にのみエツチ
ングが進行する異方性エツチング法が用いられていた。
主に、寸法精度の良いこと等から、一方向にのみエツチ
ングが進行する異方性エツチング法が用いられていた。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ところが、異方性エツチング法による場合、第２図に示
すようにシリコンチップ１の裏面において、ダイアフラ
ム２とサポート３の境界部分に角のあるエツジ部４が形
成される。
すようにシリコンチップ１の裏面において、ダイアフラ
ム２とサポート３の境界部分に角のあるエツジ部４が形
成される。
このような角のあるエツジ部４が存在すると、ダイアフ
ラム２に圧力が印加された場合、当該エツジ部分に応力
集中が起こり、ダイアフラム２の破壊限度圧力の低下を
招く。
ラム２に圧力が印加された場合、当該エツジ部分に応力
集中が起こり、ダイアフラム２の破壊限度圧力の低下を
招く。
このため、ダイアフラム２の厚さは、あまり薄くできず
、従来は、ある程度の厚さを確保しなければならなかっ
た。
、従来は、ある程度の厚さを確保しなければならなかっ
た。
しかし、ダイアフラム２の機能からすると、なるべく薄
い方がよい。
い方がよい。
というのは、圧力センサの場合、ダイアフラム２の上面
には、後の工程で、拡散法により電橋回路等の歪ゲージ
が形成され、当該歪ゲージに生ずる僅かな歪を電気信号
として取り出して、外圧を測定するものであるため、ダ
イアプラム２部分は薄い程、より微細な外圧に対応する
ことができるからである。
には、後の工程で、拡散法により電橋回路等の歪ゲージ
が形成され、当該歪ゲージに生ずる僅かな歪を電気信号
として取り出して、外圧を測定するものであるため、ダ
イアプラム２部分は薄い程、より微細な外圧に対応する
ことができるからである。
このようにダイアフラム２の強度（破壊限度圧力）の大
きさと圧力感度とは、相反する関係にあり、従来は、そ
の用途、目的等によって、いずれか一方の特性をある程
度犠牲にしていた。
きさと圧力感度とは、相反する関係にあり、従来は、そ
の用途、目的等によって、いずれか一方の特性をある程
度犠牲にしていた。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
ので、その特徴とする点は、特異なエツチング法により
、ダイアフラムのエツジ部に面取りを施したことにある
。
ので、その特徴とする点は、特異なエツチング法により
、ダイアフラムのエツジ部に面取りを施したことにある
。
か＼る本発明のより具体的な構成は、シリコンチップに
異方性エツチングによりダイアフラムを形成した後、等
方性エツチングによりダイアフラムのエツジ部に面取り
を施した点にある。
異方性エツチングによりダイアフラムを形成した後、等
方性エツチングによりダイアフラムのエツジ部に面取り
を施した点にある。
く作用〉
このようにエツジ部に面取りが施され、角が取られると
、ダイアフラムに圧力が印加されても、エツジ部に応力
が集中することはない。
、ダイアフラムに圧力が印加されても、エツジ部に応力
が集中することはない。
〈実施例〉
次に、第１図により、本発明のダイアフラム形成法を説
明する。
明する。
先ず、シリコンチップ１１に水酸化カリウム（Ｋ ＯＨ
）等のエツチング液を用いた異方性エツチングによりダ
イアフラム１２を形成する。この段階では、異方性エツ
チング法により、エツチングの進行がシリコンチップ１
１の規定された結晶方向にのみ進行するため、図中、鎖
線で示すようにダイアフラム１２とサポート１３との境
界部分に角のあるエツジ部１４が形成される。
）等のエツチング液を用いた異方性エツチングによりダ
イアフラム１２を形成する。この段階では、異方性エツ
チング法により、エツチングの進行がシリコンチップ１
１の規定された結晶方向にのみ進行するため、図中、鎖
線で示すようにダイアフラム１２とサポート１３との境
界部分に角のあるエツジ部１４が形成される。
この異方性エツチングの後、引続き、等方性エツチング
を施す。この等方性エツチング法によると、シリコンチ
ップ１１の垂直方向等の規定された方向のみだけではな
く、水平方向等の等方向に等しくエツチングが進行する
ため、結局、上記エツジ部１４０角が取れ、面取り （
アール）の施された丸みのあるエツジ部１４′が形成さ
れる。
を施す。この等方性エツチング法によると、シリコンチ
ップ１１の垂直方向等の規定された方向のみだけではな
く、水平方向等の等方向に等しくエツチングが進行する
ため、結局、上記エツジ部１４０角が取れ、面取り （
アール）の施された丸みのあるエツジ部１４′が形成さ
れる。
この丸みのあるエツジ部１４′の場合、ダイアフラム１
２に圧力が印加されても、応力が集中することがない。
２に圧力が印加されても、応力が集中することがない。
つまり、丸みのあるエツジ部１４′により、ダイアフラ
ム１２の強度が強化される。
ム１２の強度が強化される。
従って、従来にない薄いダイアフラムが得られ、又、従
来と同一強度のダイアフラムを得るのであれば、本発明
の場合、より薄いダイアフラムで対応することができる
。
来と同一強度のダイアフラムを得るのであれば、本発明
の場合、より薄いダイアフラムで対応することができる
。
〈発明の効果〉
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、シリ
コンチップに異方性エツチングによりダイアフラムを形
成した後、等方性エツチングによりダイアフラムのエツ
ジ部に面取りを施す方法であるため、次の効果が期待で
きる。
コンチップに異方性エツチングによりダイアフラムを形
成した後、等方性エツチングによりダイアフラムのエツ
ジ部に面取りを施す方法であるため、次の効果が期待で
きる。
■ダイアフラムにおいては、強度と圧力感度とは相反す
る関係にあるが、従来と同程度の厚さであれば、丸みの
あるエツジ部により、強度（破壊限度圧力）が著しく向
上するため、耐圧性に優れた圧力センサを提供すること
ができる。
る関係にあるが、従来と同程度の厚さであれば、丸みの
あるエツジ部により、強度（破壊限度圧力）が著しく向
上するため、耐圧性に優れた圧力センサを提供すること
ができる。
■又、従来と同程度の強度のダイアフラムでよい場合に
は、本発明では、丸みのあるエツジ部により、もっと薄
くてもよいため、従来より、圧力感度の優れた圧力セン
サを提供することができる。
は、本発明では、丸みのあるエツジ部により、もっと薄
くてもよいため、従来より、圧力感度の優れた圧力セン
サを提供することができる。
■更に、本発明の場合、丸みのあるエツジ部により、従
来法では得られないような非常に薄いダイアフラムの形
成も可能となるため、圧力感度の極めて高い優れた圧力
センサを提供することができる。
来法では得られないような非常に薄いダイアフラムの形
成も可能となるため、圧力感度の極めて高い優れた圧力
センサを提供することができる。
第１図は本発明法により形成されたシリコンチップの一
例を示した縦断面図、第２図は従来法により形成された
シリコンチップを示した縦断面図である。 図中、１１・・・シリコンチップ、 １２・・・ダイアフラム、 １３・・・サポート、 １４・・・角のあるエツジ部、 １４′・・・面取りの施されたエツジ部。
例を示した縦断面図、第２図は従来法により形成された
シリコンチップを示した縦断面図である。 図中、１１・・・シリコンチップ、 １２・・・ダイアフラム、 １３・・・サポート、 １４・・・角のあるエツジ部、 １４′・・・面取りの施されたエツジ部。
Claims (1)
- シリコンチップに異方性エッチングによりダイアフラ
ムを形成した後、等方性エッチングによりダイアフラム
のエッジ部に面取りを施したことを特徴とする圧力セン
サのダイアフラム形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20009985A JPS6260270A (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | 圧力センサのダイアフラム形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20009985A JPS6260270A (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | 圧力センサのダイアフラム形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6260270A true JPS6260270A (ja) | 1987-03-16 |
Family
ID=16418826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20009985A Pending JPS6260270A (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | 圧力センサのダイアフラム形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6260270A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0394664A2 (en) * | 1989-04-27 | 1990-10-31 | Motorola, Inc. | Improved semiconductor pressure sensor means and method |
| US5223086A (en) * | 1991-03-11 | 1993-06-29 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of producing an acceleration sensor of a semiconductor |
| JPH08293617A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-11-05 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5949118A (en) * | 1994-03-14 | 1999-09-07 | Nippondenso Co., Ltd. | Etching method for silicon substrates and semiconductor sensor |
| US6284670B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-09-04 | Denso Corporation | Method of etching silicon wafer and silicon wafer |
| DE102008035017A1 (de) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Halbleiterdrucksensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
-
1985
- 1985-09-10 JP JP20009985A patent/JPS6260270A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0394664A2 (en) * | 1989-04-27 | 1990-10-31 | Motorola, Inc. | Improved semiconductor pressure sensor means and method |
| EP0394664A3 (en) * | 1989-04-27 | 1992-06-03 | Motorola, Inc. | Improved semiconductor pressure sensor means and method |
| US5223086A (en) * | 1991-03-11 | 1993-06-29 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of producing an acceleration sensor of a semiconductor |
| US5949118A (en) * | 1994-03-14 | 1999-09-07 | Nippondenso Co., Ltd. | Etching method for silicon substrates and semiconductor sensor |
| US6194236B1 (en) | 1994-03-14 | 2001-02-27 | Denso Corporation | Electrochemical etching method for silicon substrate having PN junction |
| JPH08293617A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-11-05 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6284670B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-09-04 | Denso Corporation | Method of etching silicon wafer and silicon wafer |
| DE102008035017A1 (de) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Halbleiterdrucksensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
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