JPS62297818A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPS62297818A JPS62297818A JP14009386A JP14009386A JPS62297818A JP S62297818 A JPS62297818 A JP S62297818A JP 14009386 A JP14009386 A JP 14009386A JP 14009386 A JP14009386 A JP 14009386A JP S62297818 A JPS62297818 A JP S62297818A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、２００度から２４０度の範囲内でねじれたら
せん構造を有する液晶の配向＋制御膜に係り、特にスキ
ャツタリングドメインの発生しない好適な液晶素子に関
する。
せん構造を有する液晶の配向＋制御膜に係り、特にスキ
ャツタリングドメインの発生しない好適な液晶素子に関
する。
従来のツィステッドネマチック（ＴＮ）モードの液晶素
子においては、２枚の電極基板間で液晶分子を９０度ね
じって配向膜としてＳｉＯの斜め蒸着及びポリイミド系
の材料が主に用いられている。しかし、このモードでは
時分割特性を飛躍的に向上させることは運しく、今後大
容量のディスプレイを得ることは期待ができない。
子においては、２枚の電極基板間で液晶分子を９０度ね
じって配向膜としてＳｉＯの斜め蒸着及びポリイミド系
の材料が主に用いられている。しかし、このモードでは
時分割特性を飛躍的に向上させることは運しく、今後大
容量のディスプレイを得ることは期待ができない。
一方、近年になり液晶分子を２７０度ねじって配向させ
るスーパーツイスト複屈折効果（ＳＢＥ）を用いた液晶
素子の発表がＳＩＤインターナショナルシンポジウム、
（ｐｐ１２０−１２３．１９８５）で成され、更には日
経エレクトロニツクス（１９８５゜８．２６）でも論じ
られ液晶の新たな応用分野を拓くものとして期待されて
いる。
るスーパーツイスト複屈折効果（ＳＢＥ）を用いた液晶
素子の発表がＳＩＤインターナショナルシンポジウム、
（ｐｐ１２０−１２３．１９８５）で成され、更には日
経エレクトロニツクス（１９８５゜８．２６）でも論じ
られ液晶の新たな応用分野を拓くものとして期待されて
いる。
ところで、ＳＢＥ液晶素子のように液晶のねじれ（ツイ
スト）角を従来の９０度に比べてはるかに大きした、例
えば２７０度近くの素子に対しては、従来のようなチル
ト角の小さいラビングによる配向制御膜ではスキャツタ
リングドメイン（光を散乱するドメイン）が発生し、正
常な動作は不可能である。このスキャツタリングドメイ
ンを防止するには配向制御膜のチルト角を大きくする以
外に今のところ方法はないが、斜方蒸着法ではバッチ式
の方法でもあり量産性に理があり、是非共チルト角を今
までよりも大きくした有機高分子膜のラビング法で可能
な技術を実現することが重要な課題になっている。
スト）角を従来の９０度に比べてはるかに大きした、例
えば２７０度近くの素子に対しては、従来のようなチル
ト角の小さいラビングによる配向制御膜ではスキャツタ
リングドメイン（光を散乱するドメイン）が発生し、正
常な動作は不可能である。このスキャツタリングドメイ
ンを防止するには配向制御膜のチルト角を大きくする以
外に今のところ方法はないが、斜方蒸着法ではバッチ式
の方法でもあり量産性に理があり、是非共チルト角を今
までよりも大きくした有機高分子膜のラビング法で可能
な技術を実現することが重要な課題になっている。
上記従来技術のネマチック液晶については、ＴＮモード
に用いる配向制御膜は配向膜のチルト角が小さくなるに
従い時分割特性が向上する。従って、ＴＮモードでは配
向膜のチルチ角が約３度以下の膜材料を用いて製品化を
行っているのが現状である。しかし、ＳＢＥモードでは
ＴＮモードと相反して配向制御膜のチルト角が大きくな
いとスキャッタリングドメインが発生し正常な動作を示
さないという問題があった。
に用いる配向制御膜は配向膜のチルト角が小さくなるに
従い時分割特性が向上する。従って、ＴＮモードでは配
向膜のチルチ角が約３度以下の膜材料を用いて製品化を
行っているのが現状である。しかし、ＳＢＥモードでは
ＴＮモードと相反して配向制御膜のチルト角が大きくな
いとスキャッタリングドメインが発生し正常な動作を示
さないという問題があった。
本発明の目的はＳＢＥ液晶素子のように液晶のねじれ角
を従来の９０度に比べてはるかに大きくした素子におい
ても、チルト角の大きい有機高分子材料のラビング法で
可能な配向制御膜を用いることにより、スキャツタリン
グドメインが発生しない量産性に適した液晶素子を提供
することにある。
を従来の９０度に比べてはるかに大きくした素子におい
ても、チルト角の大きい有機高分子材料のラビング法で
可能な配向制御膜を用いることにより、スキャツタリン
グドメインが発生しない量産性に適した液晶素子を提供
することにある。
このような目的を達成するために本発明による液晶表示
素子は、液晶分子のらせん構造のねじれ角を２００度か
ら２４０度の範囲とし、有機高分子材料を用いてＴＮモ
ード方式と同様にラビング法で可能なチルト角の大きい
配向制御膜を得る目的で、種々の高分子膜及び無機膜等
鋭意検討を進めた結果、ある特定のポリフェニルシルセ
スキオキサンを用いた場合、量産性に適したスキャツタ
リングドメインの発生しない均一配向性の可能な配向制
御膜を見いだし、本発明に至ったものである。
素子は、液晶分子のらせん構造のねじれ角を２００度か
ら２４０度の範囲とし、有機高分子材料を用いてＴＮモ
ード方式と同様にラビング法で可能なチルト角の大きい
配向制御膜を得る目的で、種々の高分子膜及び無機膜等
鋭意検討を進めた結果、ある特定のポリフェニルシルセ
スキオキサンを用いた場合、量産性に適したスキャツタ
リングドメインの発生しない均一配向性の可能な配向制
御膜を見いだし、本発明に至ったものである。
本発明はＳＢＥ液晶素子に関する発明であって、基板、
電界印加手段、配向制御層及びネマチック液晶層を包含
する液晶素子において、該配向制御層が含長鎖炭化水素
系ポリマーの高分子膜で構成され、表示素子、光変調素
子、その他、用途の如何にかかわらずディスプレイとし
てすべて用いることが可能である。
電界印加手段、配向制御層及びネマチック液晶層を包含
する液晶素子において、該配向制御層が含長鎖炭化水素
系ポリマーの高分子膜で構成され、表示素子、光変調素
子、その他、用途の如何にかかわらずディスプレイとし
てすべて用いることが可能である。
本発明によるチルト角が３度以上のある特定のポリフェ
ニルシルセスキオキサンの配向制御膜は分子短軸方向の
側鎖の割合（Ｃｓ Ｈ６基とＣＨａ基）が２：１以上の
ものから成る。また、シランカップリング剤及び５ｉｆ
ｔ 、ＡｕｚＯａ 、Ｔｉ０ｚ等と併用させても可能で
ある。また、配向制御膜の形成に関しては、ＴＮモード
方式と同様に一般的な浸漬法２回転塗布法、スプレー法
、印刷法などが用いられラビングして配向制御膜を得る
。
ニルシルセスキオキサンの配向制御膜は分子短軸方向の
側鎖の割合（Ｃｓ Ｈ６基とＣＨａ基）が２：１以上の
ものから成る。また、シランカップリング剤及び５ｉｆ
ｔ 、ＡｕｚＯａ 、Ｔｉ０ｚ等と併用させても可能で
ある。また、配向制御膜の形成に関しては、ＴＮモード
方式と同様に一般的な浸漬法２回転塗布法、スプレー法
、印刷法などが用いられラビングして配向制御膜を得る
。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明はこれら実施例に限定されない。
実施例１
表１に示すように側鎖がＣ）１ ｓ基：ＣａＨδ基が１
：２の割合のポリフェニルシルセスキオキサン化合物を
Ｎ−メチル−２−ピロリドン溶液中で溶解後、その溶液
を塗布して、３００℃焼成を行い８００人のポリフェニ
ルシルセスキオキサン膜を作製した。その後、液晶分子
のねじれ角を２００度にするために、上側電極基板、下
側電極基板をそれぞれの角度でラビングを行い、更に基
板間にスペーサーを挾持して８μｍギャップの液晶セル
を組み立て、ビフェニル系液晶、エステルシクロヘキサ
ン（ＥＣＨ）及びフェニルシクロヘキサン（ＰＣＢ）系
液晶を主成分とするネマチック液晶に旋光性物質（メル
ク社の８８１１）を０．５ｗｔ％添加した液晶材料を真
空封入し、素子作製を行った。その後、上側偏光板の吸
収軸方向及び下側偏光板の吸収軸方向を調製しスキャツ
タリングドメイン（光を散乱するドメイン）の有無を調
べた。また、上記の配向膜材料について別途通常の回転
法を用いてＨｅ −Ｎ ｅレーザで配向膜のチルト角を
調べた。その結果についてまとめて表１に示す。
：２の割合のポリフェニルシルセスキオキサン化合物を
Ｎ−メチル−２−ピロリドン溶液中で溶解後、その溶液
を塗布して、３００℃焼成を行い８００人のポリフェニ
ルシルセスキオキサン膜を作製した。その後、液晶分子
のねじれ角を２００度にするために、上側電極基板、下
側電極基板をそれぞれの角度でラビングを行い、更に基
板間にスペーサーを挾持して８μｍギャップの液晶セル
を組み立て、ビフェニル系液晶、エステルシクロヘキサ
ン（ＥＣＨ）及びフェニルシクロヘキサン（ＰＣＢ）系
液晶を主成分とするネマチック液晶に旋光性物質（メル
ク社の８８１１）を０．５ｗｔ％添加した液晶材料を真
空封入し、素子作製を行った。その後、上側偏光板の吸
収軸方向及び下側偏光板の吸収軸方向を調製しスキャツ
タリングドメイン（光を散乱するドメイン）の有無を調
べた。また、上記の配向膜材料について別途通常の回転
法を用いてＨｅ −Ｎ ｅレーザで配向膜のチルト角を
調べた。その結果についてまとめて表１に示す。
実施例２
表１に示すように側鎖がＣＨａ基：ＣａＨｓ基が１：４
の割合のポリフェニルシルセスキオキサン化合物をＮ、
Ｎ’ −ジメチルアセトアミド溶媒中で溶解後、その溶
液を塗布して、３５０℃焼成を行い５００人のポリフェ
ニルシルセスキオキサン腹を作製した。その後、液晶分
子のねじれ角を２２０度になるよう実施例１と同様にラ
ビング、液晶材料及び偏光板の調製を行いスキャツタリ
ングドメインの有無と上記で用いた配向膜のチルト角を
調べた。その結果を表１に示す。
の割合のポリフェニルシルセスキオキサン化合物をＮ、
Ｎ’ −ジメチルアセトアミド溶媒中で溶解後、その溶
液を塗布して、３５０℃焼成を行い５００人のポリフェ
ニルシルセスキオキサン腹を作製した。その後、液晶分
子のねじれ角を２２０度になるよう実施例１と同様にラ
ビング、液晶材料及び偏光板の調製を行いスキャツタリ
ングドメインの有無と上記で用いた配向膜のチルト角を
調べた。その結果を表１に示す。
実施例３
表１に示すように側鎖がＣ ｓ Ｈδ基をもつポリフェ
ニルシルセスキオキサン化合物をＮ−メチル−２−ピロ
リドン溶媒中で溶解後、その溶液を塗布して，２５０℃
焼成を行い６００人のポリフェニルシルセスキオキサン
膜を作製した．その後、液晶分子のねじれ角を２４０度
になるよう実施例１と同様にラビング、液晶材料及び偏
光板の調製を行いスキャツタリングドメインの有無と上
記で用いた配向膜のチルト角を調べた．その結果を表１
に示す。
ニルシルセスキオキサン化合物をＮ−メチル−２−ピロ
リドン溶媒中で溶解後、その溶液を塗布して，２５０℃
焼成を行い６００人のポリフェニルシルセスキオキサン
膜を作製した．その後、液晶分子のねじれ角を２４０度
になるよう実施例１と同様にラビング、液晶材料及び偏
光板の調製を行いスキャツタリングドメインの有無と上
記で用いた配向膜のチルト角を調べた．その結果を表１
に示す。
比較例１
表１に示すように側鎖がＣＨａ基：ＣｓＨδ基が１：１
の割合のポリフェニルシルセスキオキサン化合物をＮ−
メチル−２−ピロリドン溶媒中で溶解後、その溶液を塗
布して、２５０℃焼成を行い８００人のポリフェニルシ
ルセスキオキサン膜を作製した。その後，液晶分子のね
じれ角を２２０度になるよう実施例１と同様にラビング
、液晶材料及び偏光板の調製を行いスキャッタリングド
メインの有無と上記で用いた配向膜のチルト角を調べた
．その結果を表１に示す。
の割合のポリフェニルシルセスキオキサン化合物をＮ−
メチル−２−ピロリドン溶媒中で溶解後、その溶液を塗
布して、２５０℃焼成を行い８００人のポリフェニルシ
ルセスキオキサン膜を作製した。その後，液晶分子のね
じれ角を２２０度になるよう実施例１と同様にラビング
、液晶材料及び偏光板の調製を行いスキャッタリングド
メインの有無と上記で用いた配向膜のチルト角を調べた
．その結果を表１に示す。
比較例２
表１に示すように側鎖がＣ Ｈ ａ基をもつポリフェニ
ルシルセスキオキサン化合物をＮ−メチル−２−ピロリ
ドン溶媒中で溶解後、その溶液を塗布して、２００℃焼
成を行い６００人のポリフェニルシルセスキオキサン膜
を作製した。その後、液晶分子のねじれ角を２００度に
なるよう実施例１と同様にラビング、液晶材料及び偏光
板の調製を行いスキャツタリングドメインの有無と上記
で用いた配向膜のチルト角を調べた．その結果を表１に
示す。
ルシルセスキオキサン化合物をＮ−メチル−２−ピロリ
ドン溶媒中で溶解後、その溶液を塗布して、２００℃焼
成を行い６００人のポリフェニルシルセスキオキサン膜
を作製した。その後、液晶分子のねじれ角を２００度に
なるよう実施例１と同様にラビング、液晶材料及び偏光
板の調製を行いスキャツタリングドメインの有無と上記
で用いた配向膜のチルト角を調べた．その結果を表１に
示す。
以上説明したように本発明によれば、液晶のねじれ角が
２００度から２４０度範囲内でのＳＢＥモードの液晶素
子についても、従来の配向膜よりもチルト角の大きい配
向制御暎を達成することができるので、ＴＮモード方式
と同様にラビング法を適用してもスキャツタリングドメ
インの発生が無く、量産性に適した液晶表示素子が可能
になる効果がある。
、’−”＞、 ／
２００度から２４０度範囲内でのＳＢＥモードの液晶素
子についても、従来の配向膜よりもチルト角の大きい配
向制御暎を達成することができるので、ＴＮモード方式
と同様にラビング法を適用してもスキャツタリングドメ
インの発生が無く、量産性に適した液晶表示素子が可能
になる効果がある。
、’−”＞、 ／
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも一方は透光性の電極を有する基板間に、
正の誘電異方性を示し、旋光性物質を添加されたネマチ
ツク液晶が２００度から２４０度の範囲内でねじれたら
せん構造を有する液晶素子において、上記電極と液晶相
の間に分子短軸方向の側鎖の割合（Ｃ＿６Ｈ＿８基とＣ
Ｈ＿８基）が２：１以上のポリフエニルシルセスキオキ
サン系の配向制御膜を用いることを特徴とする液晶表示
素子。 ２、特許請求の範囲第１項において、該ポリフエニルシ
ルセスキオキサン系は３度以上のチルト角を有する配向
制御膜を用いることを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14009386A JPS62297818A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14009386A JPS62297818A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62297818A true JPS62297818A (ja) | 1987-12-25 |
Family
ID=15260788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14009386A Pending JPS62297818A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62297818A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5377033A (en) * | 1992-07-17 | 1994-12-27 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ferroelectric liquid crystal device with an organosilesquioxane alignment layer and a polyamide or polyester alignment layer |
| JP2006258958A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板接着方法及び基板接着装置 |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP14009386A patent/JPS62297818A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5377033A (en) * | 1992-07-17 | 1994-12-27 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ferroelectric liquid crystal device with an organosilesquioxane alignment layer and a polyamide or polyester alignment layer |
| JP2006258958A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板接着方法及び基板接着装置 |
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