JPS6228759A

JPS6228759A - 感光体

Info

Publication number: JPS6228759A
Application number: JP16875585A
Authority: JP
Inventors: Yoshihide Fujimaki; 藤巻　義英; Eiichi Sakai; 坂井　栄一; Toshiki Yamazaki; 山崎　敏規; Hiroyuki Nomori; 野守　弘之
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1985-07-30
Filing date: 1985-07-30
Publication date: 1987-02-06

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

イ、産業上の利用分野本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。口、従来技術従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ　、
Ｔｅ　、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを
樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定
性、機械的強度の点で問題がある。一方、アモルファスシリコン（ａ−ｓＤをＲｈとして用
いた電子写真感光体が近年になって提案されている。ａ
−３ｉは、５ｉ−３ｉの結合手が切れたいわゆるダング
リングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネル
ギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このため
に、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が小さ
く、また光励起担体が局在準位にトラップされて光伝導
性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子（Ｈ
）で補償してＳｉにＨを結合させることによって、ダン
グリングボンドを埋めることが行われる。このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０８〜１０
９Ω−ｃｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば約
１万分の１も低い。従って、ａ−３ｔ：Ｆ工の単層から
なる感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電
電位が低いという問題点を有している。しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。第８図には、上記のａ−５ｉ：Ｈを母材としたａ−３ｉ
系感光体９を組込んだ電子写真複写機が示されている。この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では、
光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラーユ
ニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動
可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第１ミラ
ーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側からの反
射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持体と
しての感光体ドラム９上へスリット状に入射するように
なっている。ドラム９の周囲には、コロナ帯電器１０、
現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニング部
１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙ロー
ラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラム９の
トナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、トレイ
３５へ排紙される。定着部１９では、ヒーター２２を内
臓した加熱ローラー２３と圧着ローラー２４との間に現
像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：Ｈ
と称する。）について、その製法や存在が“Ｐｈ１ｌ。Ｍａｇ、　Ｖｏｌ、　３５”　（１９７８）等に記載さ
れており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこ
と、ａ−３ｔ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０′２
〜１０′３Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量により光学
的エネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘
って変化すること等が知られている。但、炭素の含有に
よりバンドギャップが拡がるために長波長感度が不良と
なるという欠点がある。こうしたａ＝ｓｉｃ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。これによれば、ａ−３ｉ：Ｈ
層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下にａ
−３ｉＣ：Ｈ層を設け、上層のａ−３ｔ：Ｈにより広い
波長域での光感度を得、かつａＳｉ：Ｈ層とへテロ接合
を形成する下層のａ−３ｉＣ：Ｈにより帯電電位の向上
を図っている。しかしながら、ａＳｉｓＨ層の暗減衰を
゛充分に防止できず、帯電電位はなお不充分であって実
用性のあるものとはならない上に、表面にａ−３ｉ　　
：ＨＩｉＪが存在していることにより化学的安定性や機
械的強度、耐熱性等が不良となる。一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ　　Ｓｉ
：Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−５ｉＣ：Ｈ層を
中間層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第２の
ａ−３ｉＣ：　Ｈ層を形成している。また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２のａ−３ｉＣ：Ｈ層との間に傾斜層
（ａ−５ｉｔ−Ｘ　　ＣＸ　　：Ｈ）を設け、この傾斜
層においてａ−３ｉ：Ｈ側でＸ＝ｏとし、ａ−５ｉＣ：
Ｈ層側でＸ＝０．５とした感光体が知られている。しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、中間層を設けたことによる効果は
特に連続繰返し使用において、それ程発揮されないこと
が判明した。即ち、２０〜３０万回の連続ランニング時
に表面のａ　　ＳｉＣ層が７〜８万回程度で機械的に損
傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠陥とし
て生じるため、耐剛性が充分ではない。しかも、繰返し
使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、電気
的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度、湿度
）による影響を無視できない。また、中間層と電荷発生
層との接着性も更に改善する必要がある。ハ１発明の目的本発明の目的は、中間層と電荷発生層との接着性に優れ
、機械的損傷に強くかつ耐剛性に優れている上に、画像
流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の光疲労
が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境（温度
、湿度）によらずに安定している感光体を提供すること
にある。二８発明の構成及びその作用効果即ち、本発明は、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のう
−・ちの少なくと；アモルファス水素化及び／又はフン
素化シリコンからなる電荷プロ・ノキング層と：炭素原
子を含有するアフッ素化シリコンからなる電荷発生層と
；周期表第ｍａ族又は第Ｖａ族元素がドープされかつ炭
素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくと；アモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる中
間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少な
くとも１種を前記中間層よりも多く含有するアモルファ
ス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる中間層と
が順次積層されてなる感光体に係るものである。本発明によれば、中間層は炭素、窒素及び酸素の少なく
とも１つの原子を含有しているために、機械的損傷に対
して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がなく、
耐剛性が優れたものとなる。また、本発明においては、
中間層と電荷発生層との間に不純物ドープド中間層を設
けているので、中間層と電荷発生層との接着性が向上す
る。また、中間層と中間層とを電荷発生層上に設けてい
るので、上記に加えて、繰返し使用時の耐光疲労に優れ
、また画像流れもな（、残留電位も低下し、電気的・光学的特性が常時安定化し
て使用環境に影響を受けないことが確認されている。ホ、実施例以下、本発明を実施例について詳細に説明する。第１図は、本実施例による正帯電用のａ−３ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。この感光体３９はＡＩ
等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第Ｖａ族
元素（例えばリン）がヘビードープされかつＣ，Ｎ及び
０の少なくとも１つを含有するａ−３ｔ：Ｈ（これをａ
　−Ｓ　１（Ｃ）（Ｎ）（０）：Ｈと表わす。）からな
るＮ゛型電荷ブロッキングＦＪ４４と、周期表第１ｆｆ
ａ族元素（例えばホウ素）がライトドープされて真性化
されかっＣを含有するａ−３ｉ：Ｈ（これをａ−３ｉＣ
：Ｈと表わす。）からなる電荷輸送層４２と、ａ−３ｉ
：Ｈからなる電荷発生Ｎ（不純物ドーピングなし又は真
性化されたもの）４３と、周期表第Ｈａ族又は第Ｖａ族
元゛素がヘビードープされたＰ゛型又はＮ０型であって
、Ｃ，Ｎ、Ｏの少なくとも１つを含有するアモルファス
水素化シリコンからなる中間層４６と、周期表第ｍａ族
又は第Ｖａ族元素がドープされてＰ型又はＮ型或いは真
性化（若しくは不純物ドーピングなしの）されかつＮ、
Ｃ及び０の少なくとも１つを含有するアモルファス水素
化シリコン（これをａ　−Ｓ　１（Ｃ）（Ｎ）（０）：
　Ｈと表わす。）からなる中間層４５とが積層された構
造がらなっている。電荷発生層４３は暗所抵抗率ρ。と光照射時の抵抗率ρ
Ｌとの比が電子写真感光体として充分大きく光感度（特
に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好である。なお、上記の各層の炭素原子含有量は０〜７０％の範囲
では、第２図に示す如くに光学的エネルギーギャップ（
Ｅｇ、ｏｐｔ）とほぼ直線的な関係があるので、炭素原
子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換えて規定
することができる。また、ａ−３ｉＣ：Ｈは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第３図の曲線ａのように比抵抗の上昇、帯電電
位保持能の向上という顕著な作用効果が得られる。即ち
、第３図に曲線ａで示すように、炭素原子含有量が３０
〜９０％のａ−３ｉＣ：Ｈを用いた場合、その比抵抗は
炭素含有量に従って変化し、ＩＱＩＺΩ−ｃｍ以上にな
る。上記の傾向は、炭素に代えてＮ又は０を含むａ−３ｉＮ
　：　Ｈ，ａ−５ｉＯ：　Ｈについても同様である。上記のフ４５は感光体の表面を改質してａ−３ｉ系悪感
光を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−３ｉ：Ｈを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる
。また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如（熱を付与するプロセ
スを適用することができる。上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。即ち、炭素原子を含有する場合、Ｓｉ　＋Ｃ＝１００ａ
ｔｏｍｉｃ％（以下、ａｔｏｍｉｃ％を単に％で表わす
。）としたとき１％≦（Ｃ）５９０％、更には１０％≦
（Ｃ）６７０％であることが望ましい。このＣ含有量に
よって上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エ
ネルギーギャップがほぼ２．５　ｅＶ以上となり、可視
及び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により
照射光はａ−３ｉ：Ｈ層（電荷発生層）４３に到達し易
くなる。しかし、Ｃ含有量が１％以下では、機械的損傷
等の欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く
、がっ一部分の光は表面層４５に吸収され、感光体の光
感度が低下し易くなる。また、Ｃ含有量が９０％を越え
ると層の炭素量が多くなり、半導体特性が失われ易い上
にａ−３ｉＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆
積速度が低下し易いので、Ｃ含有量は９０％以下とする
のがよい、同様に、窒素又は酸素を含有する層４Ｓの場
合、１％≦（Ｎ）５９０％（更にはｌＯ％≦〔Ｎ３５７
０％）がよく、０％く　〔ｏ）６７０％（更には５％≦
〔０３５３０％）がよい。帯電能を向上させる為には、表面改質Ｎ４５を高抵抗化
してもよい。その為には中間層を真性化しても良い。正又は負帯電使用に於いて、中間層がら中間層中への電
子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化する為
には、中間層をＰ又はＮ型としてもよい。各場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）は
次の通りであってよい。真性化：　Ｂｚ）Ｉｓ／５ｉＨｉ　　２〜５０　　容量
ｐｐｍＰ型　：　ＢＪ６／５ｉＨ４５０〜１０００〃Ｎ
型　：　ＰＨｚ　／５ｉＨａ　　１〜１００Ｑ　　　”
また、層４５はａ−３ｉＣ○、ａ−３ｉＮＯｓ　ａ−５
ｉＯ１ａ　　５ｉＯｚ等からなっていてよく、その膜厚
を４００人≦ｔ≦５０００人の範囲内（特に４００人゛
≦ｔ＜２０００人に選択することも重要である。即ち、
その膜厚が５０００人を越える場合には、残留電位ｖＲ
が高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−３ｉ系悪
感光としての良好な特性を失い易い。また、膜厚を４０
０人未満とした場合には、トンネル効果によって電荷が
表面上に帯電されなくなるため、暗減衰の増大や光感度
の低下が生じてしまう。中間Ｎ４６は、感度の向上、残留電位の低下、中間層の
接着性の向上及び画像の安定化の為に設置する。上記特性改善の為には、Ｐ又はＮ型化する必要がある。不純物ドープ量は（ＰＨ：ｌ　〕／　（ＳｉＨａ　）＝
１〜１ｏｏｏ　＜好ましくは１０〜５００）容量ｐｐｍ
、（ＢｚＨ６）／　（ＳｉＨ４）＝１０〜１０００　（
好ましくは５０〜５００）容量ｐｐｍとしてよい。中間層４６のＣ，Ｎ、、Ｃ含有量は、０＜（Ｃ）５１０％、０＜（Ｎ）５１０％、０＜（０）５５％とするのがよい。この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
＜、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。電荷発生層４３については、帯電能を向上する為には、
電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。その為には、電
荷発生層を真性化しても良い。この真性化には、Ｂ、Ｈ
，／５ｔＨ４＝　１〜２０容量ｐｐｍとするのがよい。また、電荷発生層は１〜１０μｍ、好ましくは５〜７μ
Ｉとするのがよい。電荷発生層４３が１μｍ未満である
と光感度が充分でなく、また１０μｍを越えると残留電
位が上昇し、実用上不充分である。電荷輸送層４２については、帯電能、感度を最適化する
為には、必要に応じて真性化してもよい。真性化の為のドープ量は、（ＢｚＨ６）／　（ＳｉＨｉ
　）−２〜２０容量ｐｐｍが最適である。但し、上記値
はＣ濃度に依存する為、必ずしも上記値に限定されるも
のではない。電荷輸送層の膜厚は１０〜３０μｌとする
のがよい。また、電荷輸送層の組成は、１％く　〔Ｃ〕
　５３０％、好ましくは１０％≦　（Ｃ）　５３０％が
よい。また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
ホールの注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のため
には、必要に応じて周期表第Ｖａ族元素（例えばリン）
をグロー放電分解でドープして、真性化、更にはＮ型（
更にはＮ°型）化する。ブロッキング層の組成によって
、次のようにドーピング量を制御する。ａ−３ｉＣ又はａ−３ｉＣＯ：真性化ＢｚＨｂ／５ｉｎ
４２〜２０容１ｐｐｍＮ型（Ｎ　”　）Ｐｌ（＋／５ｉ
ｎ４１〜１０００　　〃ａ−ＳｉＮ又はａ−ＳｉＮＯ：
真性化ＢＪｂ／５ｉＨ４１〜２０００　　”Ｎ型（Ｎ　
”　）Ｐｌｈ／Ｓｉｔ＋４１〜２０００〃ブロッキング
層はＳｉｎ、Ｓｉｎｇ等の化合物でもよい。また、フ゛ロッキング層４４は膜厚５００人〜２μ冒が
よい。５００人未満であるとブロッキング効果が弱く、
また２μ■を越えると電荷輸送能が悪くなり易い。ブロッキング層４４の組成については、次のようにする
のが望ましい。即ち、１％〈〔０３５９０％、好ましく
は１０％≦（Ｃ）　５７０％とし、１％く　〔Ｎ３６９
０％、好ましくは１０％く　〔Ｎ〕　５７０％とし、０
％≦

〔０〕≦７０％、好ましくはＯ％≦

〔０〕≦３０％
とするのがよい。なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが望
ましい。この含有量範囲は中間層４５、ブロッキング層
４４及び電荷輸送層４２も同様である。また、導電型を
制御するための不純物として、Ｐ型化のためにボロン以
外にもＡ１、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔ１等の周期表ｍａ族元素を
使用できる。Ｎ型化のためにはリン以外にも、ＡＳ％ｓ
ｂ等の周期表第Ｖａ族元素を使用できる。次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第４図について説明す
る。この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセントされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源
、６３はＣＨａ等の炭化水素ガスの供給源、６４はＮＺ
等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０２等の酸素化合
物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給源、
６７は不純物ガス（例えばＢｚＨｂ＞供給源、６８は各
流量計である。このグロー放電装置において、まず支持
体である例えばＡｌ基板４１の表面を清浄化した後に真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１Ｏ−６
Ｔ　ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１
を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０
〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度の不活性
ガスをキャリアガスとして、Ｓ　ｉ　Ｈａ又はガス状シ
リコン化合物、ＣＨ４、Ｎ２．０２等を適宜真空槽５２
内に導入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下
で高周波電源５６により高周波電圧（例えば１３．５６
　ＭＨｚ　）を印加する。これによって、上記各反応ガ
スを電極５７と基板４１との間でグロー放電分解し、Ｎ
”型ａ　　ＳｉＣ：Ｈ，、ｉ型ａ−３ｉＣ：　Ｈ，ａ−
３ｉ：　Ｈ％　Ｐ　”又はＮ゛型ａ　５ｉＣＱ：　Ｈ，
ａ−３ｉＣＯ：　Ｈを上記の層４４．４２．４３．４６
．４５として基板上に連続的に（即ち、例えば第１図の
例に対応して）堆積させる。上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｔ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。なお、上記ａ−３ｉ系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素をＳ　ｉ　Ｆ　４
等の形で導入し、ａ　　Ｓｔ　　：　Ｆ　％ａ−３ｔ　
　：Ｈ：Ｆ％　　ａ−３ｉＮ：Ｆ。ａ−３ｉＮ：Ｈ：ＦＳａ−３ｉＣ：Ｆ。ａ−３ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。この場合のフ
ッ素量は０．５〜１０％が望ましい。なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号゛（特願昭５４−１５
２４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が
可能である。以下、本発明を具体的な実施例について説明する。グロー放電分解法により、ドラム状Ａｌ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａｆ基板４１の表面を清浄化した後に、第４図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−”
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を
所定温度、とくに１００〜３５０℃（望ましくは１５０
〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒガ
スをキャリアガスとして導入し、０．５　Ｔｏｒｒの背
圧のもとで周波数１３．５６　ＭＨｚの高周波電力を印
加し、１０分間の予備放電を行った。次いで、Ｓ　ｉ　ＨａとＰＨ３からなる反応ガスを導入
し、流量比１　：　１　：　１　：　　（１，５Ｘｌ０
−３）の（Ａｒ＋ＳｉＨ４＋ＣＨ４又はＮ　ｚ　＋　Ｐ
　Ｈ３）混合ガスをグロー放電分解することにより、電
荷ブロッキング機能を担うＮ“型のａ−３ｉＣ：Ｈ層４
４とａ−３ｉＣ：　Ｈ電荷輸送層４２とを６μｍ／ｈｒ
の堆積速度で順次所定厚さに製膜した。引き続き、ＰＨ
１及びＣＨ４を供給停止し、ＳｉＨ４を放電分解し、厚
さ５μｍのａ−３ｉｒＨ層４３を形成した。引続いて、
不純物ガスの流量比を変化させてグロー放電分解し、膜
厚も変化させた中間層４６を形成し、更にａ−３ｉＣＯ
：　Ｈ又はａ−３ｉＮＯ：Ｈ表面保護層４５を更に設け
、電子写真感光体を完成させた。比較例として、中間層
のない感光体を作成した。こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。（１）１中間層：　ａ−３ｉＮＯ：　Ｈ又はａ−３ｉＣ
Ｏ：　Ｈ（２）、中間層：ドープ量、膜厚変化（第５図参照）（
３）、ａ−３ｉ　　：Ｈ電荷発生層：膜厚＝５μｍ（４
）、ａ　−ＳｉＣ：　Ｈ電荷輸送層：膜厚＝１５μｍＣ
含有量＝１１％（５）、ａ−ＳｉＣ：　Ｈ又はａ−３ｉＮ：Ｈ電荷ブロ
ッキング層：膜厚＝０．５μｍＣ含有量＝１１％（６）、支持体：Ａ２シリンダー（鏡面研磨仕上げ）次
に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のように
行なった。里二左主殉度第６図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３　Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモーター
７１で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機Ｕ
−Ｂｉｘ１６００　　（小西六写真工業社製）改造機に
て画像出しを行ない、何ｇの荷重から画像に白スジが現
われるかで、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする。璽象流並温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　４５００（小西六写真工業
社製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、
ブレードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った
後、画像出しを行ない、以下の基阜で画像流れの程度を
判定した。 ◎：画画像れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。０：５．５ポイントの英字がやや太くなる。 △：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。Ｘ：５，５ポイントの英字判読不能。留−位Ｖｉ　　（Ｖ）Ｕ　　Ｂｉｘ２５００改造機を使った電位測定で、４０
０ｒ＋ｍにピークをもつ除電光３０１　ｕｘ・ｓｅｃを
照射した後も残っている感光体表面電位。十里ｌ望ヱＬユＸとＵ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機（小西六写真工業■製
）を用い、感光体流れ込み電流２００μＡ、露光なしの
条件で３６０ＳＸ型電位計（トレック社製）で測定した
現像直前の表面電位。半減露　　Ｅ２／１（ｌｕｘ−ｓｅｃ）上記の装置を用
い、グイクロイックミラー（元帥光学社製）により像露
光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分をシャープカ
ットし、表面電位を５００■から２５０■に半減するの
に必要な露光量。結果を第７図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基いて感光体を作成すれば、電子写真用として各性能
に優れた感光体が得られることが分かる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第７図は本発明の実施例を示すものであって、第１図はａ−３ｉ系感光体のｆｒｉ面図、第２図はａ−
３ｉＣの光学的エネルギーギャップをしめずグラフ、第３図はａ−３ｉＣＯ比抵抗を示すグラフ、第４図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第５図は各感光体の層構成
を示す表、第６図は引っかき強度試験機の概略図、第７図は各感光
体の特性を示す表、である。第８図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。なお、図面に示された符号において、３９−−−−−−−・−ａ−３ｉ系感光体４　ｔ−−−
−−−−−−−一支持体（基板）４２・−・・−・−・
−電荷輸送層４３・−・−・−電荷発生層４４−・・−・−・−Ｎ　荷７”ロッキング層４５−・
−−−−−−・・中間層４６ −−−−−・・−中間層である。代理人　弁理士　逢　坂　　　宏第２図ａ−９ｉ＋−ｘＣｘ：Ｈｘ第３図第６図第４図

Claims

【特許請求の範囲】

１、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくと
も１種を含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素
化シリコンからなる電荷ブロッキング層と；炭素原子を
含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコ
ンからなる電荷輸送層と；アモルファス水素化及び／又
はフッ素化シリコンからなる電荷発生層と；周期表第I
IIａ族又は第Ｖａ族元素がドープされかつ炭素原子、窒
素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を含有する
アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからな
る中間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの
少なくとも１種を前記中間層よりも多く含有するアモル
ファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる表面
改質層とが順次積層されてなる感光体。