JPS6228751A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ、Ｔ
ｅ、、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹
脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。し
かしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性
、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 ａ−３ｉは、５ｉ−３ｉの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のポツピング伝導が生じて暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光伝
専性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子（
Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させることによって、ダ
ングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−５
ｔ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０’〜１０
９Ω−■であって、アモルファスＳｅと比較すれば約１
万分の１も低い。従って、ａ−３ｉ：Ｈの単層からなる
感光体は表面電位の暗減衰速度が太き（、初期帯電電位
が低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れ′た特性を有している。 第８図には、上記のａ−３ｉ：Ｈを母材としたａ−３ｔ
系悪感光９を組込んだ電子写真複写機が示されている。 この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では、
光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラーユ
ニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動
可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第１ミラ
ーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側からの反
射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持体と
しての感光体ドラム９上ヘスリツト状に入射するように
なっている。ドラム９の周囲には、コロナ帯電器１０、
現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニング部
１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙ロー
ラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラムＳの
トナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、トレイ
３５へ排紙される。定着部１９では、ヒーター２２を内
臓した加熱ローラー２３と圧着ローラー２４との間に現
像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。 しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：Ｈ
と称する。）について、その製法や存在がＰｈ１ｌ。 Ｍａｇ、　Ｖｏｌ、３５”（１９７Ｂ）等に記載されて
おり、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、
ａ　−３ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０′２〜
ＩＱＩＩΩ−ｃｍ）を有すること、炭素量により光学的
エネルギーギャップが１．６〜２，８ｅＶの範囲に亘っ
て変化すること等が知られている。但、炭素の含有によ
りバンドギャップが拡がるために長波長感度が不良とな
るという欠点がある。 こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−８ｉ：ｌとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。これによれば、ａ−３ｉ：Ｈ
層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下にａ
−３ｉＣ：Ｈ層を設け、上層のａ−３ｉ：Ｈにより広い
波長域での光感度を得、かつａ−３ｔ：Ｈ層とへテロ接
合を形成する下層のａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈにより帯電
電位の向上を図っている。しかしながら、ａ−３ｉ：）
１層の暗減衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充
分であって実用性のあるものとはならない上に、表面に
ａ−３ｉ：Ｈ層が存在していることにより化学的安定性
や機械的強度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−３ｉ：
１１からムる電荷発生層上に第１のａ−５ｉＣ：１１層
を表面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に
第２のａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈ層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２のａ−３ｉＣ：Ｈ層との間に傾斜層
（ａ−３ｉ、−ｘＣｘ：　Ｈ）を設け、この傾斜層にお
いてａ−３ｉ：ＩＩ側でＸ＝０とし、ａ−３ｉＣ：ＨＦ
側でＸ＝０．５とした感光体が知られている。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けた、−とによる
効果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されな
いことが判明した。即ち、２０〜３０万回の連続ランニ
ング時に表面のａ−３ｉＣＮが７〜８万回程度で機械的
に損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠陥
として生じるため、耐剛性が充分ではない。しかも、繰
返し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、
電気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度、
湿度）による影響を無視できない。また、表面改質層と
電荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。 ハ８発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と電荷発生層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐刷性に優れている上に、
画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の光
疲労が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境（
温度、湿度）によらずに安定している感光体を提供する
ことにある。 二１発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のう
ちの少なくとも１種を含有するアモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷ブロッキング層と
；炭素原子を含有するアモソ素化シリコンからなる電荷
発生層と；周期表第１ＩＩａ族又はフッ素化シリコンか
らなる電荷輸送層と；アモルファス水素化及び／又はフ
ッ素化シリコンからなる第１中間層と；炭素原子、窒素
原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を含有するア
モルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる
第２中間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうち
の少なくとも１種を前記第２中間層よりも多く含有する
アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからな
る表面改質層とが順次積層されてなる感光体に係るもの
である。 本発明によれば、表面改質層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも１つの原子を含有している上に、この層下に第
２及び第１中間層を設けているために、機械的損傷に対
して強（なり、白スジ発生等による画質の劣化がなく、
耐剛性が優れたものとなる。また、本発明においては、
表面改’Ｎ層と電荷発生層との間に第１及び第２中間層
を設けているので、表面改質層と電荷発生層との接着性
が向上する。また、表面改質層と中間層とを電荷発生層
上に設けているので、上記に加えて、繰返し使用時の耐
光疲労に優れ、また画像流れもなく、残留電位も低下し
、電気的・光学的特性が常時安定化して使用環境に影客
を受けないことが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−３ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。この感光体３９はＡＡ
等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第Ｖａ族
元素（例えばリン）がヘビードープされかつＣ，Ｎ及び
Ｏの少なくとも１つを含有するａ−３ｉ：Ｈ（これをａ
−３ｉ（Ｃ）（Ｎ）（０）：Ｈと表わす。）からなるＮ
゛型重電荷ブロッキング層４４、周期表第■ａ族元素（
例えばホウ素）がライトドープされて真性化されかつＣ
を含有するａ−３ｉ：Ｈ（これをａ−３ｉＣ：Ｈと表わ
す。）からなる電荷輸送層４２と、ａ−３ｉ：Ｈからな
る電荷発生Ｎ（不純物ドーピングなし又は真性化された
もの）４３と、周期表第１ＩＩａ族又は第Ｖａ族元素が
ヘビードープされたＰ。 型又はＮ゛型アモルファス水素化シリコンからなる第１
中間層４７と、周期表第ｍａ族又は第Ｖａ族元素がドー
プされてＰ型又はＮ型或いは真性化（若しくは不純物ド
ーピングなしの）されかつＮ、Ｃ及びＯの少なくとも１
つを含有するアモルファス水素化シリコン（これをａ−
５ｉ　　（Ｃ）（Ｎ）（○）：Ｈと表わす。）からなる
第２中間層４６と、周期表第ｍａ族又は第Ｖａ族元素が
ドープされてＰ型又はＮ型或いは真性化（若しくはドー
ピングなし）されかつａ−５ｉ　　（Ｃ）　　（Ｎ）　
　（０）＝ｌ（からなる表面改質層４５とが積層された
構造からなっている。電荷発生層４３は暗所抵抗率ρ。 と光照射時の抵抗率ρ、との比が電子写真感光体として
充分大きく光感度（特に可視及び赤外領域の光に対する
もの）が良好である。 なお、上記の各層の炭素原子含有量は０〜７０％の範囲
では、第２図に示す如くに光学的エネルギーギャップ（
Ｅｇ、　ｏｐｔ）とほぼ直線的な関係があるので、炭素
原子含有量を光学的エネルギーギヤ・２プに置き換えて
規定することができる。 また、ａ−３ｉＣ：Ｈは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第３図の曲線ａのように比抵抗の上昇、帯電電
位保持能の向上という顕著な作用効果が得られる。即ち
、第３図に曲線ａで示すように、炭素原子含有量が３０
〜９０％のａ−５ｉＣ：Ｈを用いた場合、その比抵抗は
炭素含有量に従って変化し、１０Ｉ２Ω−ｃｍ以上にな
る。 上記の傾向は、炭素に代えてＮ又は０を含むａ−３ｉＮ
：Ｈ，ａ−３ｉＯ：Ｈについても同様である。 上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−３ｉ系悪感
光を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである−従って、帯電、光減衰の繰返
し特性が非常に安定となり、長期間（例えば１力月以上
）放置しておいても良好な電位特性を再現できる。これ
に反し、ａ−５ｉ：Ｈを表面とした感光体の場合には、
湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を受は易く、電位特
性の経時変化が著しくなる。 また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを適用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、Ｓｉ４−Ｃ＝１００ａ
ｔｏｍｉｃ％（以下、ａｔｏｍｉｃ％を単に％で表わす
。）としたとき１％≦（Ｃ）５９０％、更には１０％≦
（Ｃ）５７０％であることが望ましい。このＣ含有量に
よって上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エ
ネルギーギャップがほぼ２，５ＧＶ以上となり、可視及
び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照
射光はａ−Ｓｉ：Ｈ層（電荷発生層）４３に到達し易く
なる。しかし、Ｃ含有量が１％以下では、機械的損傷等
の欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、
かつ一部分の光は表面層４５に吸収され、感光体の光感
度が低下し易くなる。また、Ｃ含有量が９０％を越える
と層の炭素量が多くなり、半導体特性が失われ易い上に
ａ−３ｉＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積
速度が低下し易いので、Ｃ含有量は９０％以下とするの
がよい。同様に、窒素又は酸素を含有する層４５の場合
、１％≦（Ｎ）５９０％（更には１０％≦（Ｎ）５７０
％）がよく、０％〈（０）５７０％（更には５％≦（０
）５３０％）がよい。 帯電能を向上させる為には、表面改質層４５を高抵抗化
してもよい。その為には表面改質層を真性化しても良い
。 正又は負帯電使用に於いて、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正札の注入を容易にし、残留電位を極小化す
る為には、表面改質層をＰ又はＮ型としてもよい。 各場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）は
次の通りであってよい。 真性化：　Ｂ　ｚ　Ｈｂ／　Ｓ　ｉ　Ｈａ　　２〜５０
容ｉ　ｐ　ｐ　ｍＰ型：　Ｂ　ｚ　Ｈｂ／　Ｓ　ｉ　Ｈ
ａ　　５０〜１０００容量ｐｐｍＮ型：　Ｐ　Ｈｚ／　
Ｓ　ｉ　Ｈａ　　　１〜１０００容量ｐｐｍまた、層４
５はａ−８ｉＣＯ１ａ−３ｉＮ、ａＳ　ｉｏｓ　ａ−３
ｔｏ２等からなっていてよく、その膜厚を４００人≦ｔ
≦５０００人の範囲内（特に４００人≦ｔ≦２０００人
に選択することも重要である。即ち、その膜厚が５００
０人を越える場合には、残留電位■、が高くなりすぎか
つ光感度の低下も生じ、ａ−３ｉ系怒光体としての良好
な特性を失い易い。 また、膜厚を４００　人未満とした場合には、トンネル
効果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗
減衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。 第２中間層４６については、残留電位低下の為には、電
荷発生層からの電荷の注入の可能とするのに中間層をＰ
又はＮ型としてもよい。導電型制御の為のドーピング量
は表面改質層と同じでよい。 また、Ｃ，Ｎ、Ｏの含有量は層４５のそれよりも少なく
する。即ち、０く〔０３５１０％、０＜ＣＮ）６１０％
、Ｏ＜（０）≦５％とするのがよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
＜、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。 好ましくは、１００Å以上、１０００Å以下とするのが
良い。 第１中間層４７は感度の向上、残留電位の低下、表面改
質層、中間層４Ｇの接着性の向上及び画像の安定化の為
に設置する。 中間Ｎ４７は、上記特性改善の為には、Ｐ又はＮ型化す
る必要がある。不純物ドープ量は（ＰＨｉ）／　（Ｓ　
ｉ　Ｈ４）　＝　１〜１０００　（好ましくは１０〜５
００）容ｆｔ　ｐ　ｐ　ｍ、ＣＢＺＨ＆）　／　（Ｓ　
ｉ　Ｈ４）　＝ｌＯ〜１０００（好ましくは５０〜５０
０）容ｆｆｉｐｐｍとしてよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
＜、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。 電荷発生層４３については、帯電能を向上する為には、
電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。 その為には、電荷発生層を真性化しても良い。この真性
化には、Ｂ　Ｚ　Ｈ＆／　Ｓ　ｉ　Ｈ４”　１〜２０容
量ｐｐｍとするのがよい。 また、電荷発生層は１〜１０μｍ、好ましくは５〜７μ
ｍとするのがよい。電荷発生層４３が１μｍ未満である
と光感度が充分でなく、また１０μｍを越えると残留電
位が上昇し、実用上不充分である。 電荷輸送ＪＷ４２については、帯電能、感度を最適化す
る為には、真性化してよい。真性化の為のドープ量は、
（ＢｚＨ８）／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）＝２〜２０容量ρｐ
ｍが最適である。但し、上記値はＣ濃度に依存する為、
必ずしも上記値に限定されるものではない。電荷輸送層
の膜厚は１０〜３０μｍとするのがよい。また、電荷輸
送層の組成は、１％〈〔０３５３０％、好ましくは１０
％≦（Ｃ）５３０％がよい。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
ホールの注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のため
には、必要に応じて周期表第Ｖａ族元素（例えばリン）
をグロー放電分解でドープして、真性化、更にはＮ型（
更にはＮ３型）化する。 ブロッキング層の組成によって、次のようにドーピング
量を制御する。 ａ−８ｉＣ又はａ−３ｉＣＯ： 真性化　Ｂ　ｚ　Ｈｂ／　Ｓ　ｉ　Ｈａ　　　　２〜２
０容量ｐｐｍＮ型（Ｎ”）　Ｐ　Ｈ３／　Ｓ　ｉ　Ｈ４
１〜１０００　　〃ａ３ｉｈ又はａ−３ｉＮＯ： 真性化　ＢＺＨ６／Ｓ　ｉ　８．　　　１〜２０００〃
Ｎ型（Ｎ　”）　Ｐ　Ｈ３／　Ｓ　ｉＨ４１〜２０００
〃ブロンキング層は、５ｉＯ１ＳｉＯ□等の化合物でも
よい。 また、フ゛ロッキング層４４は膜ｒｇ５００　人〜２μ
ｍがよい。５００人未満であるとブロッキング効果が弱
く、また２μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易い。 ブロッキング層４４の組成については、次のようにする
のが望ましい。即ち、１％く〔０３６９０％、好ましく
は１０％≦ＣＣ）６７０％とし、１％〈（Ｎ）５９０％
、好ましくは１０％〈〔Ｎ３５７０％とし、Ｏ％≦〔０
〕≦７０％、好ましくはＯ％≦

〔０〕≦３０％とするの
がよい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが望
ましい。この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッキン
グ層４４及び電荷輸送層４２も同様である。また、導電
型を制御するための不純物として、Ｐ型化のためにボロ
ン以外にもＡｆｆ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔ１等の周期表第１１
１ａ族元素を使用できる。Ｎ型化のためにはリン以外に
も、Ａｓ、Ｓｂ等の周期表第Ｖａ族元素を使用できる。 次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第４図について説明す
る。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２は５ｉＨａ又はガス状シリコン化合物の供給源
、６３はＣＨ４等の炭化水素ガスの供給源、６４はＮ２
等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０□等の酸素化合
物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給源、
６７は不純物ガス（例えばＢ　Ｚ　Ｈ６）供給源、６８
は各流量計である。このグロー放電装置において、まず
支持体である例えばＡ７！基板４１の表面を清浄化した
後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１
０−６Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板
４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１
５０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度の不
活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又はガス状シ
リコン化合物、ＣＨ４、ＮＺ　、Ｏ□等を適宜真空槽５
２内に導入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧
下で高周波電源５６により高周波電圧（例えば１３．５
６　ＭＨｚ）を印加する。これによって、上記各反応ガ
スを電極５７と基板４１との間でグロー放電分解し、Ｎ
゛型ａ５　ｉ　Ｃ：　Ｈ１ｉ型ａ−３ｉＣ：Ｈ，ａ−３
ｉ：Ｈ，Ｐ”又はＮ４型ａ−３ｉ　：Ｈ，、ａ−３ｉＣ
○：　Ｈ，ａ−３ｉｃｏ　：　Ｈを上記の層４４．４２
．４３．４７．４６．４５として基板上に連続的に（即
ち、例えば第１図の例に対応して）堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｔ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の改質（特に電気的特性）を良（するこ
とができる。 なお、上記ａ−３ｉ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記した１１
のかわりに、或いはＩ］と併用してフッ素をＳｉＦ４等
の形で導入し、ａ−３ｉ：Ｆ、ａ−３ｉ：Ｈ：Ｆｓ　ａ
−３ｉＮ：Ｆ、ａ−３ｉＮ：Ｈ：ＦＸａ−３ｉＣ：Ｆ、
ａ−３ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。この場合のフ
ッ素量は０．５〜１０％が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｔを丞発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状Ａ６支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａ７！基板４１の表面を清浄化した後に、第４図の
真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０”
　’Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４
１を所定温度、特に１００〜３５０°Ｃ（望ましくは１
５０〜３００°Ｃ）に加熱保持する。次いで、高純度の
Ａｒガスをキャリアガスとして導入し、Ｑ、５　Ｔｏｒ
ｒの背圧のもとて周波数１３．５６　Ｍｌｌｚの高周波
電力を印加し、１０分間の予備放電を行った。次いで、
ＳｉＨ４とＰＨ，からなる反応ガスを導入し、流量比１
　：　１　：　１　：　　（１，５Ｘｌ０−３）の（Ａ
　ｒ　＋　Ｓ　ｉ　Ｈ４＋　ＣＨ４又はＮＺ＋ＰＨ：ｌ
）混合ガスをグロー放電分解することにより、電荷ブロ
ッキング機能を担うＮ゛型のａ−３ｉＣ：ＨＪｆｆ１４
４とａ−３ｉＣ：Ｈ電荷輸送層４２とを０μｍ／ｈｒの
堆積速度で順次所定厚さに製膜した。引き続き、ＰＨ，
及びＣＨ，を供給停止し、５ｉＨａを放電分解し、厚さ
５μｍのａ−３ｉ：８層４３を形成した。引き続いて、
不純物ガスの流量比を変化させてグロー放電分解し、膜
厚も変化させた中間層４７を形成し、更にａ−３ｉＣＯ
：Ｈ又はａ−３ｉＮ○：１１中間層４６、表面保護ＪＷ
４５を更に設け、電子写真感光体を完成させた。比較例
として、中間層４７のない感光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 （１）８表面改質層：ａ−３ｉＮＯ：Ｈ又はａ−３ｉＣ
Ｏ：Ｈ （２）、中間層：ドープ量、膜厚変化（第５図参照）ｆ
３）、　　ａ−３ｉ　：　Ｈ電荷発生層：膜厚−５μｍ
（４１，ａ−３ｉＣ：Ｈ電荷輸送層：膜厚＝１５μｍＣ
含有量−１１％ （５）、ａ−ＳｉＣ：Ｈ又はａ−３ｉＮ：Ｈ電荷ブロッ
キング層：膜厚−０，５μｍ炭素含有量−１１％ （６）、支持体：Ａβシリンダー（鏡面研磨仕上げ）次
に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のように
行なった。 引っかき強度 第６図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３　Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモータ７
１で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写ｍＵ　
−Ｂ　ｉｘ　１６００（小西六写真工業社製）改造機に
て画像出しを行ない、何ｇの荷重から画像に白スジが現
われるかで、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする。 画像流れ 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　４５００（小西六写真工業
社製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、
ブレードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った
後、画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度を
判定した。 ◎：画像流れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。 ○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。 △：５．５ポインＩ・の英字がつぶれて読みづらい。 ×：５．５ポイントの英字判読不能。 ｒ′留電位Ｖ＊　　（■） Ｕ−Ｂｉに２５００改造機を使った電位測定で、４００
ｎｍにピークをもつ除電光３０１　ｕｘ−ｓｅｃを照射
した後も残っている感光体表面電位。 帯電電位Ｖｏ　　（Ｖ） Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機（小西六写真工業側製
）を用い、感光体流れ込み電流２００μＡ、露光なしの
条件で３６０　ＳＸ型電位計（トレック社製）で測定し
た現像直前の表面電位。 半減　　−Ｅ　’Ａ　（ｌ　ｕｘ−ｓｅｃ）上記の装置
を用い、グイクロイックミラー（元帥光学社製）により
像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分をシャー
プカットし、表面電位を５００Ｖから２５０ｖに半減す
るのに必要な露光量。 （露光量は５５０−１型光量計（ＥＧａｎｄＧ社製）に
て測定） 結果を第７図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基づいて感光体を作成すれば、電子写真用として各性
能に優れた感光体が得られることが分る。

【図面の簡単な説明】 第１図〜第７図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｉ系悪感光の！断面図、第２図はａ−３
ｉＣの光学的エネルギーギヤツブを示すグラフ、 第３図はａ−３ｉＣＯ比抵抗を示すグラフ、第４図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第５図は各感光体の層構成
を示す表、 第６図は引っかき強度試験機の概略図、第７図は各感光
体の特性を示す表、 である。 第８図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９−−−−−−−−−・・−ａ−３ｔ系悪感光４１−
−−−−−・・−支持体（基板）４２−・・−−一−−
−−−−−−電荷輸送層４３−−−−−−−一・−電荷
発生層 ４４−−−−一・−・電荷ブロッキング層４５−一−−
−・−一−−−−−−表面改質層４６．４７−−−−−
−−−−−−−−中間層である。 代理人　弁理士　　逢　坂　　宏 第１図 スｑ 第２図 ａ−９１１−ｘＣｘ：）−Ｉ　　　　Ｘ第３図 庚衆含有量（ａｔｏｍｉｃ％） 第６図 第４図 りど　　　ｔ）、５　　　　ｔ）４　　　　ｅ）コ　　
　６６　　６７第７図 第８図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくと
   も１種を含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素
   化シリコンからなる電荷ブロッキング層と；炭素原子を
   含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコ
   ンからなる電荷輸送層と；アモルファス水素化及び／又
   はフッ素化シリコンからなる電荷発生層と；周期表第I
   IIａ族又は第Ｖａ族元素がドープされかつアモルファス
   水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる第１中間層
   と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくと
   も１種を含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素
   化シリコンからなる第２中間層と；炭素原子、窒素原子
   及び酸素原子のうちの少なくとも１種を前記第２中間層
   よりも多く含有するアモルファス水素化及び／又はフッ
   素化シリコンからなる表面改質層とが順次積層されてな
   る感光体。