JPS6228757A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ、Ｔ
ｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹脂
バインダーに分散させた感光体等が知られている。しか
しながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性、
′ａ、械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（ａ−ｓｉ）を１体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 ａ−３ｉは、５ｉ−３ｉの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギヤ・ノブ内に多くの局在準位が存在する。この
ために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が
小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光
伝導性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子
（Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させることによって、
ダングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０Ｉ′〜１
０９Ω−ｃｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば
約１万分の１も低い。従って、ａ−３ｉ：Ｈの単層から
なる感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電
電位が低いという問題点を有しでいる。 しかし、他方では、可視および赤外領域の光を照射する
と抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として
極めて優れた特性を有している。 第８図には、上記のａ−３ｉ：Ｈを母材としたａ−３ｉ
系悪感光９を組込んだ電子写真複写機が示されている。 この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では、
光源５および第１反射用ミラー６を具備した第１ミラー
ユニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移
動可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路
長を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第１ミ
ラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側からの
反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持体
としての感光体ドラム９上へスリット状に入射するよう
になっている。ドラム９の周囲には、コロナ帯電器１０
、現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニング
部１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙ロ
ーラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラム９
のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、トレ
イ３５へ排紙される。定着部１９では、ヒーター２２を
内臓した加熱ローラー２３と圧着ローラー２４との間に
現像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。 しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ　−Ｓ　ｉ　
Ｃ：　Ｈと称する。）について、その製法や存在が“Ｐ
ｈ１１．　　Ｍａｇ、　　Ｖｏｌ、　３５　”　　（１
９７８）等に記載されており、その特性として、耐熱性
や表面硬度が高いこと、ａ−３ｉ：Ｈと比較して高い暗
所抵抗率（１０１２〜１０Ｉ３Ω−ｃｍ）を有すること
、炭素量により光学的エネルギーギャップが１．６〜２
．８ｅＶの範囲に亘って変化すること等が知られている
。 但、炭素の含有によりハンドギャップが拡がるために長
波長感度が不良となるという欠点がある。 こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。これによれば、ａ−Ｓｉ：Ｈ
層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下にａ
　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈ層を設け、上層のａ−３ｉ：Ｈに
より広い波長域での光感度を得、かつａ−３ｉ：）１層
とへテロ接合を形成する下層のａ−３ｉＣ：Ｈにより帯
電電位の向上を図っている。しかしながら、ａ　−Ｓ　
ｉ　：　ｒ−（層の暗減衰を充分に防止できず、帯電電
位はなお不充分であって実用性のあるものとはならない
上に、表面にａ−３ｉ：Ｈ層が存在していることにより
化学的安定性や機械的強度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−３ｉ：
）ｉからなる電荷発生層上に第１のａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：
　Ｈ層を中間層として形成し、裏面上（支持体電極側）
に第２のａ−３ｉＣ：Ｉｆ層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１および第２のａ−５ｉＣ：Ｈ層との間に傾斜
層（ａ−３ｉ＋−ｘ　Ｃ，：　Ｈ）を設け、この傾斜層
においてａ−３ｉ：Ｈ側でＸ−０とし、ａ−３ｉＣ：Ｈ
層側でＸ＝０．５とした感光体が知られている。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、中間層を設けたことによる効果は
特に連続繰返し使用において、それ程発揮されないこと
が判明した。即ち、２０〜３０万回の連続ランニング時
に表面のａ−３ｉＣ層が７〜８万回程度で機械的に損傷
され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠陥として
生じるため、耐剛性が充分ではない。しかも、繰返し使
用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、電気的
・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度、湿度）
による影響を無視できない。また、中間層と電荷発生層
との接着性も更に改善する必要がある。 ハ１発明の目的 本発明の目的は、中間層と電荷発生層との接着性に優れ
、機械的損傷に強くかつ耐剛性に優れている上に、画像
流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の光疲労
が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境（温度
、湿度）によらずに安定している感光体を提供すること
にある。 二９発明の構成およびその作用効 果即ち、本発明は、周期表第１ＩＴａ族元素がヘビード
ープされかつ炭素原子、窒素原子および酸素原子のうち
の少なくと；アモルファス水素化および／又はフッ素化
シリコンからなる電荷ブロッキング層と；炭素原子を含
有するアモルフ化シリコンからなる電荷発生層と；周期
表第１ＩＩａ族又は第Ｖａ族元素がドープされかつ炭素
原子、窒素原子および酸素原子のうちの少なくと；アモ
ルファス水素化および／又はフッ素化シリコンからなる
中間層と；炭素原子、窒素原子および酸素原子のうちの
少なくとも１種を前記中間層よりも多く含有するアモル
ファス水素化および／又はフッ素化シリコンからなる中
間層とが順次積層されてなる感光体に係るものである。 本発明によれば、中間層は炭素、窒素および酸素の少な
くとも１つの原子を含有しているために、機械的損傷に
対して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がなく
、耐剛性が優れたものとなる。また、本発明においては
、中間層と電荷発生層との間に不純物ドープド中間層を
設けているので、中間層と電荷発生層との接着性が向上
する。 また、中間層と中間層とを電荷発生層上に設けているの
で、上記に加えて、繰返し使用時の耐光疲労に優れ、ま
た画像流れもなく、残留電位も低下し、電気的・光学的
特性が常時安定化して使用環境に影響を受けないことが
確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−３ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。この感光体３９はＡＮ
等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第ＩＩＩ
ａ族元素（例えばホウ素）がヘビードープされかつＣ，
ＮおよびＯの少な（とも１つを含有するａ−３ｉ：Ｈ（
これをａ　−Ｓ　ｉ　　（Ｃ）（Ｎ）（０）：Ｈと表わ
す。）からなるＰ＋型電荷ブロッキング層４４と、周期
表第ＩＩＩａ族元素（例えばホウ素）がライトドープさ
れて真性化されかつＣを含有するａ−３ｉ：Ｈ（これを
ａ−３ｉＣ：Ｈと表わす。）からなる電荷輸送層４２と
、ａ−３ｉ：Ｈからなる電荷発生層（不純物ドーピング
なし又は真性化されたもの）４３と、周期表第ＩＩＩａ
族又は第Ｖａ族元素がヘビードープされたＰ＋型又はＮ
＋型であってＣ，Ｎ、Ｏの少なくとも１つを含有するア
モルファス水素化シリコンからなる中間１４６と、周期
表第［ａ族又は第Ｖａ族元素がドープされてＰ型又はＮ
型或いは真性化（若しくは不純物ドーピングなしの）さ
れかつＮ、Ｃおよび０の少なくとも１つを含有するアモ
ルファス水素化シリコン（これをａ−３ｉ　　（Ｃ）（
Ｎ）（０）　　：　Ｈと表わす。）からなる中間層４５
とが積層された構造からなっている。電荷発生１’ｉ４
３は暗所抵抗率ρ。と光照射時の抵抗率ρ、との比が電
子写真感光体として充分大きく光感度（特に可視および
赤外領域の光に対するもの）が良好である。 なお、上記の各層の炭素原子含有量は０〜７０％の範囲
では、第２図に示す如くに光学的エネルギーギャップ（
Ｅ　ｇ、　ｏｐｔ　）とほぼ直線的な関係があるので、
炭素原子含有量を光学的エネルギーギヤツブに置き換え
て規定することができる。 また、ａ−３ｉＣ：Ｈは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第３図の曲線ａのように比抵抗の上昇、帯電電
位保持能の向上という顕著な作用効果が得られる。即ち
、第３図に曲線ａで示すように、炭素原子含有量が３０
〜９０％のａ−５ｉＣ：Ｈを用いた場合、その比抵抗は
炭素含有量に従って変化し、１０１２Ω−ω以上になる
。 上記の傾向は、炭素に代えてＮ又は０を含むａ−３ｉＮ
：Ｈ，、ａ−３ｉＯ：Ｈについても同様である。 上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−３ｉ系悪感
光を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−３ｉ：）ｌを
表面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲
気等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくな
る。 また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを適用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、Ｓｉ＋Ｃ＝１００ａｔ
ｏｍｔｃ％（以下、ａｔｏｍｉｃ％を単に％で表わす。 ）としたとき１％≦（Ｃ）５９０％、更には１０％≦〔
０３６７０％であることが望ましい。このＣ含有量によ
って上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネ
ルギーギャップがほぼ２゜５ｅＶ以上となり、可視およ
び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照
射光はａ−３ｉ：Ｈ層（電荷発生層）４３に到達し易く
なる。しかし、Ｃ含有量が１％以下では、機械的損傷等
の欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、
がっ一部分の光は表面層４５に吸収され、感光体の光感
度が低下し易くなる。また、Ｃ含有量が９０％を越える
と層の炭素量が多くなり、半導体特性が失われ易い上に
ａ−３ｉＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積
速度が低下し易いので、Ｃ含有量は９０％以下とするの
がよい。 同様に、窒素又は酸素を含有する層４５の場合、１　％
≦（Ｎ）　５９０％、（更には１０％≦〔Ｎ３５７０％
）がよく、０％〈

〔０〕≦７０％（更には５％≦（０）
５３０％）がよい。 帯電能を向上させる為には、中間層４５を高抵抗化して
もよい。その為には中間層を真性化しても良い。 正又は負帯電使用に於いて、中間層から中間層中への電
子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化する為
には、中間層をＰ又はＮ型としてもよい。 各場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）は
次の通りであってよい。 真性化：　Ｂｚ　Ｈｂ　／　Ｓ　ｉ　Ｈ４２〜５０容ｆ
ｆｉｐｐｍＰ　型：　Ｂ２　Ｈ６／Ｓ　ｉ　Ｈ４５０〜
１０００　　”Ｎ　型：　Ｐ　Ｈ：ｌ　／　Ｓ　ｉ　Ｈ
ａ　　　　１〜１０００　　〃また、層４５はａ−３ｉ
ＣＯ，ａ−３ｉＮＯｓａ−３ｔｏ、ａ−３ｉｏｚ等から
なっていてよく、その膜厚を４００人≦ｔ≦５０００人
の範囲内（特に４００人≦ｔ＜２０００人に選択するこ
とも重要である。 即ち、その膜厚が５０００人を越える場合には、残留電
位■７が高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−３
ｉ系悪感光としての良好な特性を失い易い。 また、膜厚を４００人未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減
衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。 中間層４６は、感度の向上、残留電位の低下、中間層の
接着性の向上および画像の安定化の為に設置する。 上記特性改善の為には、Ｐ又はＮ型化する必要がある。 不純物ドープ量は（Ｐ　Ｈ：Ｉ　）　／　Ｃ３ｉ　Ｈａ
　）＝１〜１０００　（好ましくは１０〜５００）容量
ｐｐｍ、（Ｂ２　Ｈｂ　）　／　［Ｓ　ｉ　Ｈ４］　＝
１０〜１０００　（好ましくは５０〜５００）容量ｐｐ
ｍとしてよい。 中間層４６のＣ，Ｎ、０含有量は、 ０＜（Ｃ）５１０％、Ｏ＜（Ｎ）５１０％、０＜（０）
５５％とするのがよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
り、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。 電荷発生層４３については、帯電能を向上する為には、
電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。その為には、電
荷発生層を真性化しても良い。この真性化には、ＢＺ　
Ｈ６／Ｓ　ｉ　Ｈ４＝　１〜２０容量ｐｐｍとするのが
よい。 また、電荷発生層は１〜１０μｍ、好ましくは、５〜７
μｍとするのがよい。電荷発生層４３が１μｍ未満であ
ると光感度が充分でなく、また１０μｍを越えると残留
電位が上昇し、実用上不充分である。 電荷輸送層４２については、帯電能、感度を最適化する
為には、真性化してもよい。真性化の為のドープ量は、
（Ｂｚ　Ｈｂ　）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　＝　２〜２
０容量ｐｐｍが最適である。但し、上記値はＣｔＭ度に
依存する為、必ずしも上記値に限定されるものではない
。電荷輸送層の膜厚は１０〜３０μｍとするのがよい。 また、電荷輸送層の組成は、１％く〔０３５３０％、好
ましくは１０％≦〔０３５３０％がよい。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第ｆｆ１ａ族元素（例えばボロン）をグロー
放電分解でドープして、Ｐ型（更にはＰ中型）化する。 プロ・ンキング層の組成によって、次のようにドーピン
グ量を制御する。 ａ−３ｉＣ又はａ−５ｉＣＯ： Ｐ型（”　）　；　Ｂ２　Ｈ６／　Ｓ　ｉ　Ｈ４２０〜
５０００容量ｐｐｍ ａ−３ｉＮ又はａ−３ｉＮＯ： Ｐ型（Ｐす）　　ｉ　Ｂｚ　Ｈｂ　／　Ｓ　ｉ　Ｈａ２
０００〜５０００容量ｐｐｍ ブロッキング層は５ｉＯ１Ｓ　ｉＯｚ等の化合物でもよ
い。 また、ブロッキング層４４は膜厚５００人〜２μｍがよ
い。５００人未満であるとブロッキング効果が弱く、ま
た２μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易い。 ブロッキング層４４の組成については、次のようにする
のが望ましい。即ち、１％く〔０３５９０％、好ましく
は１０％≦〔０３５７０％とし、１％〈　〔Ｎ３６９０
％、好ましくは１０％〈　〔Ｎ３５７０％とし、０％≦
〔０３５７０％、好ましくは０％≦

〔０〕≦３０％とす
るのがよい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光Ｗ電性および電荷保持性を向上させ
るために必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが
望ましい。この含有量範囲は中間層４５、ブロッキング
層４４および電荷輸送層４２も同様である。また、導電
型を制？ｆｆ１ｌするための不純物として、Ｐ型化のた
めにボロン以外にもＡ　Ｉｔ　％　Ｇ　ａ　、Ｉ　ｎ　
％　Ｔ　’等の周期表ＩＩＩａ族元素を使用できる。Ｎ
型化のためにはリン以外にもＡｓ、ｓｂ等の周期表第Ｖ
ａ族元素を使用できる。 次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法お
よびその装置（グロー放電装置）を第４図について説明
する。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２はＳ　ｉ　Ｈａ又はガス状シリコン化合物の供
給源、６３はＣＨａ等の炭化水素ガスの供給源、６４は
Ｎ２等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０２等の酸素
化合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給
源、６７は不純物ガス（例えばＢｚＨｉ、）供給源、６
８は各流量計である。このグロー放電装置において、ま
ず支持体である例えばＡβ基板４１の表面を清浄化した
後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１
Ｏ−６Ｔ　ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基
板４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは
１５０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度の
不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓ　ｉＨ４又はガス
状シリコン化合物、ＣＨ４、Ｎ２．０２等を適宜真空槽
５２内に導入し、例えば０．０１〜１０　Ｔ　ｏｒｒの
反応圧下で高周波電源５６により高周波電圧（例えば１
３．５６　ＭＨｚ）を印加する。これによ、７て、上記
各反応ガスを電極５７と基板４１との間でグロー放電分
解し、Ｐ型ａ−３ｉＣ：Ｈ，ｉ型ａ−３ｉＣ：Ｈｌａ−
３ｉ：Ｈ，Ｐ＋又はＮ＋型ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈｌａ
−５ｉＣＯ：Ｈを上記の層４４．４２．４３．４６．４
５として基板上に連続的に（即ち、例えば第１図の例に
対応して）堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｔ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−３ｉ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素をｓ　ｉＦ４等の
形で導入し、ａ−３ｉ：Ｆ、ａ　　Ｓ　ｉ：　Ｈ：　Ｆ
　％　ａ　　Ｓ　ｔ　Ｎ　：　Ｆ　％ａ　　Ｓ　ｓ　Ｎ
　：　Ｈ：　Ｆ　−、ａ　　Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｆ　％ａ−
３ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。この場合のフッ素
置は０．５〜１０％が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にもスパッタリング法、イオンブレー
ティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化された
水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人に
よる特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２４
５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可能
である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状Ａｌ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａ１％板４１の表面を清浄化した後に、第４図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−　
’　Ｔ　ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板
４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１
５０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡ
ｒガスをキャリアガスとして導入し、Ｑ、５　Ｔ　ｏｒ
ｒの背圧のもとで周波数１３．５６　ＭＨｚの高周波電
力を印加し、１０分間の予備放電を行った。 次いで、Ｓ　ｉ　Ｈ４とＢｚ　Ｈｂからなる反応ガスを
導入し、流量比１　：　１　：　１　：　　（１，５Ｘ
ｌ０−’）の（Ａｒ＋Ｓ　ｉＨ４＋ＣＨ４又はＮｚ　＋
　ＢＺ　Ｈｂ　）混合ガスをグロー放電分解することに
より、電荷ブロッキング機能を担うＰ型のａ−３ｔＣ：
ＨＩＪ４４とａ−３ｉＣ：Ｈ電荷輸送層４２とを６ｐｍ
／ｈｒの堆積速度で順次所定厚さに製膜した。引き続き
ＢｚＨｈおよびＣＨ，を供給停止し、ＳｉＨ，を放電分
解し、厚さ５μｍのａ−３ｉ　：　ＨＪＷ４３を形成し
た。引続いて、不純物ガスの流量比を変化させてグロー
放電分解し、膜厚も変化させた中間層４６を形成し、更
にａ−３ｉＣＯ：Ｈ又 はａ−５ｉＮＯ：Ｈ表面保護層４５を更に設け、電子写
真感光体を完成させた。比較例として、中間層のない感
光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 （１）０中間層： ａ−５ｉＮＯ：Ｈ又はａ−３ｉＣＯ：Ｈ（２）、中間層
： ドープ量、膜厚変化（第５図参照） （３１，ａ−３ｉ　：　Ｈ電荷発生層：膜厚−５μｍ （４１，ａ−３ｉＣ：　Ｈ電荷輸送層：膜厚＝１４μｍ Ｃ含存蚤＝１１％ 正帯電用二Ｂドープ有り （５１，ａ−３ｉｃ　：　Ｈ又は ａ−３ｉＮ：Ｈ電荷ブロッキング層： 膜厚＝１μｍ 炭素含有量＝１１％ （６）、支持体：Ａｌシリンダー（鏡面研磨仕上げ）次
に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のように
行なった。 」こ」ｊ卜腿皮 第６図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモータ７１
で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機Ｕ　−
Ｂ　１ｘ１６００　（小西六写真工業社製）改造機にて
画像出しを行ない、何ｇの荷重から画像に白スジが現わ
れるかで、その感光体の引っかき強度（ｇ）　とする。 ｈ　（＆’を創扛 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ　−Ｂ　１ｘ４５００　（小西六写真工業
社製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、
ブレードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った
後、画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度を
判定した。 ◎二画像流れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。 ０　：　５．５ポイントの英字がやや太（なる。 △：５．５ポイントの英字がつふれて読みづらい。 Ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。 残留電位■Ｒ（■） Ｕ　　Ｂ　１ｘ２５００改造機を使った電位測定で、４
００ｎｍにピークをもつ除電光３０βｕｘ　−ｓｅｃを
照射した後も残っている感光体表面電位。 滞虜ｊげいら一バエ Ｕ　−Ｂ　１ｘ２５００改造機（小西六写真工業０菊製
）を用い、感光体流れ込み電流２００μＡ、露光なしの
条件で３６０ＳＸ型電位計（トレック社裂）で測定した
現像直前の表面電位。 王Ｎｉｍ’　ｔ、−Ｅ＋ｚｚ（ｆｆｕｘ°５ｅｃ）上記
の装置を用い、ダイクロイックミラー（元帥光学社製）
により像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分を
シャープカットし、表面電位を５００Ｖから２５０Ｖに
半減するのに必要な露光量。 （露光量は５５０−１塑光量計（ＥＧａｎｄＧ社製）に
て測定） 結果を第７図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基いて感光体を作成すれば、電子写真用として各性能
に優れた感光体が得られることが分る。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第７図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｉ系感光体の２断面図、第２図はａ−３
ｉＣの光学的エネルギーギャップを示すグラフ、 第３図はａ−３ｉＣＯ比抵抗を示すグラフ、第４図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第５図は各感光体の層構成
を示す表、 第６図は引っかき強度試験機の概略図、第７図は各感光
体の特性を示す表 である。 第８図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・−・・ａ−３ｉ系感光体 ４１・・・・支持体（基板） ４２・・・・電荷輸送層 ４３・・・・電荷発生層 ４４・・・・電荷ブロッキング層 ４５・・・・中間層 ４６・・・・中間層 である。 代理人　弁理士　逢　坂　　　宏 １′Ｖ７°。 第２図 ａ−Ｓｉ＋−ｘｃｘ＋Ｈｘ 第３図 第６図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、周期表第IIIａ族元素がヘビードープされかつ炭素
   原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を
   含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコ
   ンからなる電荷ブロッキング層と；炭素原子を含有する
   アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからな
   る電荷輸送層と；アモルファス水素化及び／又はフッ素
   化シリコンからなる電荷発生層と；周期表第IIIａ族又
   は第Ｖａ族元素がドープされかつ炭素原子、窒素原子お
   よび酸素原子のうちの少なくとも１種を含有するアモル
   ファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる中間
   層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なく
   とも１種を前記中間層よりも多く含有するアモルファス
   水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる表面改質層
   とが順次積層されてなる感光体。