JPS62259439A - Lithography in charged particle beam lithography equipment - Google Patents
Lithography in charged particle beam lithography equipmentInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はイオンビーム等の荷電粒子ビームによる描画の
最適化を図った荷電粒子ビーム描画装置の描画方法に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a lithography method using a charged particle beam lithography apparatus that optimizes lithography using a charged particle beam such as an ion beam.
(従来の技術)
ウェハ上に形成されたチップにビーム描画を行う装置と
して、電子ビーム露光装置及び集束イオンビーム描画装
置がある。電子ビーム露光装置は、電子銃から出射され
た電子ビームを電子レンズで集束せしめた後、偏向器で
ウェハ上を2次元走査し、チップ上に所定のパターンを
露光形成せしめる。これに対して、集束イオンビーム描
画装置もイオン源から出射されたイオンを加速し、電子
レンズで集束せしめた後、偏向器でウェハ上を2次元走
査し、チップ上に所定のパターンを形成する。(Prior Art) As devices for performing beam writing on chips formed on a wafer, there are an electron beam exposure device and a focused ion beam writing device. An electron beam exposure apparatus focuses an electron beam emitted from an electron gun using an electron lens, and then scans the wafer two-dimensionally using a deflector, thereby exposing and forming a predetermined pattern on the chip. On the other hand, a focused ion beam lithography system also accelerates ions emitted from an ion source, focuses them with an electron lens, and then scans the wafer two-dimensionally with a deflector to form a predetermined pattern on the chip. .
集束イオンビーム描画装置の場合、電子ビーム露光装置
の場合に比較して用いるイオン種を種々のものに交換す
ることができること、及びエツチングによるパターン形
成の他にイオン打込み(イオン注入)が可能な点で相異
する。In the case of a focused ion beam lithography system, compared to the case of an electron beam exposure system, the ion species used can be exchanged with various types, and in addition to pattern formation by etching, ion implantation can be performed. There are differences.
ところで、この種のビーム描画装置においては、描画時
間を短縮する等の最適化を図るために種々の方法が採用
されている。例えば、電子ビーム露光装置の場合、チッ
プ露光順序の最適化は個々のチップのY座標の大小比較
及びX座標の大小比較により行っている。By the way, in this type of beam lithography apparatus, various methods are employed in order to achieve optimization such as shortening the lithography time. For example, in the case of an electron beam exposure apparatus, the chip exposure order is optimized by comparing the Y coordinates and the X coordinates of individual chips.
(発明が解決しようとする問題点)
前述した従来方法によるチップ露光順序の最適化法では
チップが散在している場合や、チップ中心点のY方向の
距離の差が僅少な場合に、ステージの移動距離が多くな
る傾向があった。第9図は従来の露光順序の最適化法の
説明図である。(イ)、(ロ)2つの場合を示す。ここ
に示すイオンビーム描画の方法は、チップ開缶の大きな
移動はステージを移動させることにより行い、チップ内
のフィールド単位の描画はイオンビーム偏向により行う
。間のX印はチップの中心点を示す。(Problems to be Solved by the Invention) In the conventional chip exposure order optimization method described above, when the chips are scattered or when the difference in the distance between the chip center points in the Y direction is small, the stage There was a tendency for the distance traveled to increase. FIG. 9 is an explanatory diagram of a conventional exposure order optimization method. (a) and (b) Two cases are shown. In the ion beam lithography method shown here, large movements of the chip opening are performed by moving the stage, and field-by-field lithography within the chip is performed by deflecting the ion beam. The X mark in between indicates the center point of the chip.
(イ)の場合を例にとって説明する。チップ中心点の座
標間の距離の差Δyが図に示すように僅少であっても、
A部とB部とでビームの描画方向を異ならしめている。Case (a) will be explained as an example. Even if the difference in distance Δy between the coordinates of the chip center point is small as shown in the figure,
The drawing direction of the beam is made different between the A section and the B section.
即ち、A部を左→右にスキャンし、ビーム描画領域の右
端までスキャンした後リターンしてB部を右→左にスキ
ャンするという工程をとっている。全領域において、こ
のようなスキャン方法を採っているため、全体としての
ステージの移動距離が長くなってしまい、ビーム描画時
間も結果として長くなってしまっていた。That is, the process involves scanning part A from left to right, scanning to the right end of the beam drawing area, returning, and scanning part B from right to left. Since such a scanning method is adopted for the entire area, the moving distance of the stage as a whole becomes long, and as a result, the beam drawing time also becomes long.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであって、
その目的は、ステージの移動距離を短くして、ビーム描
画時間の短縮を図ることができる荷電粒子ビーム描画装
置の描画方法を実現することにある。The present invention has been made in view of these points, and
The purpose is to realize a lithography method for a charged particle beam lithography apparatus that can shorten the moving distance of the stage and shorten the beam lithography time.
(問題点を解決するための手段)
前記した問題点を解決する本発明は、被描画材斜上のチ
ップ毎に各チップのチップ番号1位置座標、サイズ等を
記録した検索データを作成し、これら検索データを基に
各チップのサイズを比較してブロック幅を決定し、決定
されたブロック幅によって被描画材料を複数のブロック
に分け、どのブロックに帰属するかによって各チップを
分類し、各ブロックに応じて帰属するチップ間の描画順
序を決定し、ブロック順に且つ該描画順序に従ってビー
ム描画を行うようにしたことを特徴とするものである。(Means for Solving the Problems) The present invention solves the above problems by creating search data that records the chip number 1 position coordinates, size, etc. of each chip for each chip diagonally above the drawing material, Based on these search data, the size of each chip is compared to determine the block width, the drawing material is divided into multiple blocks according to the determined block width, each chip is classified according to which block it belongs to, and each The present invention is characterized in that the writing order between the chips belonging to each block is determined according to the block, and beam writing is performed in the order of the blocks and in accordance with the writing order.
(作用)
本発明は、各チップ毎の情報を書込んだ検索データを作
成し、これら検索データを基に被描画材料上の領域を複
数のブロックに分け、各チップがどのブロックに帰属す
るかにより分類し、各ブロックに応じて帰属するチップ
間の描画順序を決定する。(Operation) The present invention creates search data in which information for each chip is written, divides the area on the drawing material into a plurality of blocks based on the search data, and determines which block each chip belongs to. The drawing order between chips belonging to each block is determined according to each block.
(実施例〉
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例を示すフローチャートである
。以下、このフローチャートに沿って、本発明を説明す
る。FIG. 1 is a flowchart showing one embodiment of the present invention. The present invention will be explained below along with this flowchart.
■ウェハ上のチップ毎に各チップのチップ番号。■Chip number for each chip on the wafer.
位置座標、サイズ、ピッチ等を記録した検索データを作
成する。Create search data that records position coordinates, size, pitch, etc.
第2図は各チップの情報を記録した検索データの一例を
示す図である。このような検索データは通常別途予め用
意されているスケジュールファイルの内容を基に作成さ
れる。図において、チップ番号とは、チップの種類を認
識するための番りであり、従って、同一形状のチップに
は共通番号が付される。rowとcolumnはそれぞ
れチップのrow(列)方向とcolumn (行)方
向に関する座標を示す。次の(Xi、Yl)は、各チッ
プの中心点の座標を示し、X2.Y2はそれぞれ各チッ
プのX方向及びY方向の大きさを示す(第2図(ロ)参
照)。FIG. 2 is a diagram showing an example of search data in which information about each chip is recorded. Such search data is usually created based on the contents of a schedule file that is separately prepared in advance. In the figure, the chip number is a number for recognizing the type of chip, and therefore chips of the same shape are given a common number. Row and column indicate coordinates in the row and column directions of the chip, respectively. The next (Xi, Yl) indicates the coordinates of the center point of each chip, and X2. Y2 indicates the size of each chip in the X direction and the Y direction (see FIG. 2(b)).
消去情報は、当該チップの描画を行うかどうかの情報を
示している。ウェハは通常丸い形状をしているので、こ
れを格子状に分割すると、第2図(ハ)の斜線で示すよ
うな1個の格子分に満たない部分が生じる(尚、図中の
円形状物はウェハを示している)。この不完全領域にビ
ームを照射しても無意味なので、このような部分はスキ
ップするのである。例えば消去情報に゛1パを書込んで
いたら通常の描画を、○″を書込んでいたらスキップさ
せるようにする。或いは、この逆でもよい。The erasing information indicates information as to whether drawing is to be performed on the chip. A wafer usually has a round shape, so if you divide it into a grid, there will be parts that are less than one grid, as shown by the diagonal lines in Figure 2 (C). (The object shows a wafer). It is pointless to irradiate this incomplete region with a beam, so such a region is skipped. For example, if "1pa" is written in the erasure information, normal drawing is caused to be performed, and if "○" is written in the erasure information, it is caused to be skipped.Alternatively, the reverse may be used.
■前工程■で作成した検索データを基に各チップのサイ
ズ及びピッチを比較し、成るチップ配列の間に他のチッ
プが配置されているか否かをチェックする。(2) The size and pitch of each chip are compared based on the search data created in the previous step (2), and it is checked whether any other chip is placed between the chip arrays.
各チップの比較はY方向のブロック化を行うためのパラ
メータを選択するためのものである。第3図に各グーツ
ブの比較状態を示す。第3図はC1なる大きさのチップ
の間に、C2なる大きさのチップが配置されている場合
を示している。各チップのY方向の大きさがチップサイ
ズ、同一種類のチップ間の距離がチップピッチとなる。The comparison of each chip is for selecting parameters for performing blocking in the Y direction. Fig. 3 shows the comparative state of each gootsub. FIG. 3 shows a case where a chip of size C2 is placed between chips of size C1. The size of each chip in the Y direction is the chip size, and the distance between chips of the same type is the chip pitch.
第3図に示すチップ配列の場合はC1のチップ配列の間
に他のチップC2が入っている。In the case of the chip array shown in FIG. 3, another chip C2 is placed between the chip arrays of C1.
■成るチップ配列の間に他のチップ配列が入っているか
否かで異なったアルゴリズムに従ってY方向のブロック
幅を求める。(2) The block width in the Y direction is determined according to a different algorithm depending on whether another chip array is included between the chip arrays.
成るチップ配列の間に他のチップ配列が入っている場合
にはブロック幅は複数のチップサイズに基づく算出値と
し、入っていない場合にはブロック幅はチップピッチそ
のものとする。前者の場合の算出は以下のようにして行
う。即ち、チップサイズが4制以上ある場合にはそのう
ちの最大、R小を除いた上で平均値を求め、その池の場
合は平均値とする。If there is another chip array between the two chip arrays, the block width is a calculated value based on a plurality of chip sizes, and if not, the block width is the chip pitch itself. Calculation in the former case is performed as follows. That is, if there are four or more chip sizes, the average value is determined after excluding the maximum and small R chips, and in the case of that pond, the average value is used.
■前工程■で決定されたブロック幅によってウェハ上の
描画fri域をY方向に複数のブロックに分け、各チッ
プをどのブロックに帰属するかにより分類する。(2) The drawing fri area on the wafer is divided into a plurality of blocks in the Y direction according to the block width determined in the previous step (2), and each chip is classified according to which block it belongs to.
ここでは、決定されたブロック幅を基にウェハ上のチッ
プの描画部分を仮想的にY方向に分割し。Here, the drawing portion of the chip on the wafer is virtually divided in the Y direction based on the determined block width.
各ブロック毎にそれに帰属するチップの集合を作成する
ものである(第4図参照)。第4図の場合は、ウェハ上
に形成されたチップを所定のブロック幅で#1〜#5と
ブロック毎に分割した例を示している。この分類は、各
チップの中心座標が位置するブロックを判定することに
より行う。A set of chips belonging to each block is created for each block (see FIG. 4). In the case of FIG. 4, an example is shown in which chips formed on a wafer are divided into blocks #1 to #5 with a predetermined block width. This classification is performed by determining the block in which the center coordinates of each chip are located.
■ブロックNO0が偶数か奇数かでイオンビームの描画
方向を異ならしめてイオンビーム描画を行う。(2) Ion beam writing is performed by changing the writing direction of the ion beam depending on whether block NO0 is an even number or an odd number.
前工程■までで、Y方向の順位づけは行われたことにな
る。次にX方向に対する最適化を行う。Up to the previous step (2), the ranking in the Y direction has been completed. Next, optimization is performed in the X direction.
最適化の方法は、例えば第4図の#1ブロック内の各チ
ップをX座標が小→大になる方向(右方向)にスキャン
の順序付けをしたら、次の#2ブロックは逆にX座標が
大→小になる方向(左方向)にスキャンの順序付けを行
う。The optimization method is, for example, if each chip in the #1 block in Figure 4 is scanned in the direction in which the X coordinate increases from small to large (rightward), then the next #2 block is scanned in the opposite direction. Scans are ordered in the direction from large to small (to the left).
■ブロックを連結してイオンビーム描画を行う。■Connect blocks to perform ion beam lithography.
以上の操作で各ブロック内の各チップの描画順序付けは
終了し、この各ブロックをブロックナンバ類に連結すれ
ば描画の最適化の行われたデータの作成が終了する。第
5図は最適化後のイオンビーム描画順序を示す図である
。With the above operations, the drawing order of each chip in each block is completed, and by linking each block to block numbers, the creation of data in which drawing has been optimized is completed. FIG. 5 is a diagram showing the ion beam writing order after optimization.
以上、Y方向にブロック化する場合を例にとって説明し
たが、本発明はこれに限るものではなく、X方向にブロ
ック化することも可能である。Although the case where blocks are formed in the Y direction has been described above, the present invention is not limited to this, and it is also possible to form blocks in the X direction.
第6図は本発明方法を実施するためのシステムの構成例
を示す図である。ハード系10は、集束イオンビーム描
画装置本体11.描画ドライバ12及び該描画ドライバ
12と集束イオンビーム描画装置本体11間を接続する
ハードウェアインターフェイス13より構成されている
。ソフト系20は、スケジュールソフト21.関連ソフ
ト22゜これらスケジュールソフト21及び関連ソフト
を取込んで構成される描画ソフト23及び該描画ソフト
23と接続されるインターフェイスソフト24より構成
されている。そして、インターフェイスソフト24と描
画ドライバ12とが接続されて、ソフト系20とハード
系10が相互接続される。FIG. 6 is a diagram showing an example of the configuration of a system for implementing the method of the present invention. The hardware system 10 includes a focused ion beam drawing apparatus main body 11. It is composed of a drawing driver 12 and a hardware interface 13 that connects the drawing driver 12 and the focused ion beam drawing apparatus main body 11. The software system 20 is schedule software 21. The related software 22 is composed of a drawing software 23 that incorporates the schedule software 21 and related software, and an interface software 24 that is connected to the drawing software 23. Then, the interface software 24 and the drawing driver 12 are connected, and the software system 20 and the hardware system 10 are interconnected.
描画ソフト23は第7図に示すように構成されている。The drawing software 23 is configured as shown in FIG.
描画ソフト用ユーザインターフェイス31は、高圧制御
、パターンリード(読込み)、キャリブレーション、ス
テージシーケンス等のルーチンで必要なファイル及びパ
ラメータを入力させ、実行を行うためのCRT上のパラ
メータ入力ルーチンである。高圧制御ルーチン32は装
置の加速電圧の切換えを行うルーチン、パターンリード
ルーチン33は描画用パターンデータの読込みルーチン
、キャリブレーションルーチン34は装置の調整を行う
ルーチンである。ステージシーケンスルーチン35は、
描画実行に必要なファイルの作成及びチップの描画最適
化のための前記ブロック化と各ブロックにおける各チッ
プの描画順序付t−Jのルーチン、描画実行ルーチン3
6はパターンリ−ド、ステージシーケンスの描画用台デ
ータを基に実際に描画を行うルーチンである。インター
フェイスソフト24には、高圧制御ルーチン32゜キャ
リブレーションルーチン34及び描画実行ルーチン36
が接続され、インターフェイスソフト24を介してハー
ド系(装置側)に送られる。The drawing software user interface 31 is a parameter input routine on the CRT for inputting and executing necessary files and parameters for routines such as high voltage control, pattern reading, calibration, and stage sequence. The high voltage control routine 32 is a routine for switching the accelerating voltage of the apparatus, the pattern read routine 33 is a routine for reading pattern data for drawing, and the calibration routine 34 is a routine for adjusting the apparatus. The stage sequence routine 35 is
Creation of files necessary for drawing execution and t-J routine with drawing order for each chip in each block and drawing execution routine 3 for chip drawing optimization
Reference numeral 6 is a routine for actually performing drawing based on pattern read and stage sequence drawing table data. The interface software 24 includes a high pressure control routine 32, a calibration routine 34, and a drawing execution routine 36.
is connected and sent to the hardware system (device side) via the interface software 24.
第8図(イ)、(ロ)は本発明方法による描画順序を、
2つのチップパターンについて示す図である。比較のた
めに第9図(イ)、(ロ)に同一のチップパターンに関
する従来の描画順序を示した。図より明らかなように、
本発明方法による場合の方が、明らかにステージ移動量
が少なくなり、従って描画時間も短縮できる。Figures 8(a) and 8(b) show the drawing order according to the method of the present invention,
It is a figure shown about two chip patterns. For comparison, FIGS. 9A and 9B show the conventional drawing order for the same chip pattern. As is clear from the figure,
In the case of the method of the present invention, the amount of stage movement is obviously smaller, and therefore the drawing time can also be shortened.
尚、本発明は電子ビーム描画装置を用いた描画方法にも
同様に適用でき、又、被描画材料としてはウェハに限ら
ず、マスク等を対象としてもよい。Note that the present invention can be similarly applied to a drawing method using an electron beam drawing apparatus, and the material to be drawn is not limited to a wafer, but may also be a mask or the like.
(発明の効果)
以上詳細に説明したように、本発明によれば、各チップ
毎の情報を書込んだ検索データを作成し、これら検索デ
ータを基に最適なブロック幅を有するブロックに被描画
材料上の領域を分け、各ブロック毎にブロックに応じて
ブロック内の各チップの描画順序を決定し、ブロック順
に且つこの描画順序に従ってビーム描画を行うことによ
り、ステージ移vJ旦が少なくてすみ、従って、描画時
間が短縮できる荷電粒子ビーム描画装置の描画方法を実
現することができる。(Effects of the Invention) As described in detail above, according to the present invention, search data in which information for each chip is written is created, and based on this search data, a block having an optimal block width is drawn. By dividing the area on the material, determining the writing order of each chip in each block according to each block, and performing beam writing in the order of the blocks and according to this writing order, stage movement can be reduced. Therefore, it is possible to realize a drawing method using a charged particle beam drawing apparatus that can shorten drawing time.
第1図は本発明の一実施例を示すフローチト一ト、第2
図は検索データの説明図、第3図はチップ配列の状態を
示す図、第4図はブロック毎の分割状態を示す図、第5
図は本発明による描画順序を示す図、第6図は本発明を
実施するためのシステムの構成例を示す図、第7図は描
画ソフトの構成例を示す図、第8図は本発明による効果
の説明図、第9図は従来の描画順序を示す図である。
11・・・集束イオンビーム描画装置
12・・・描画ドライバ
13・・・ハードウェアインターフェイス第1 図
第4図
第5図FIG. 1 is a flowchart showing one embodiment of the present invention;
The figure is an explanatory diagram of the search data, Figure 3 is a diagram showing the state of chip arrangement, Figure 4 is a diagram showing the state of division into blocks, and Figure 5 is a diagram showing the state of division into blocks.
6 is a diagram showing a drawing order according to the present invention, FIG. 6 is a diagram showing a configuration example of a system for implementing the present invention, FIG. 7 is a diagram showing a configuration example of drawing software, and FIG. 8 is a diagram showing a configuration example of a drawing software according to the present invention. FIG. 9, which is an explanatory diagram of the effect, is a diagram showing the conventional drawing order. 11... Focused ion beam drawing device 12... Drawing driver 13... Hardware interface 1 Fig. 4 Fig. 5
Claims (1)
座標、サイズ等を記録した検索データを作成し、これら
検索データを基に各チップのサイズを比較してブロック
幅を決定し、決定されたブロック幅によって被描画材料
を複数のブロックに分け、どのブロックに帰属するかに
よって各チップを分類し、各ブロックに応じて帰属する
チップ間の描画順序を決定し、ブロック順に且つ該描画
順序に従ってビーム描画を行うようにしたことを特徴と
する荷電粒子ビーム描画装置の描画方法。Search data is created that records the chip number, position coordinates, size, etc. of each chip for each chip on the drawing material, and based on this search data, the size of each chip is compared to determine the block width. Divide the material to be drawn into multiple blocks according to the block width, classify each chip according to which block it belongs to, decide the drawing order among the chips to which it belongs according to each block, and draw the drawing material in the block order and according to the drawing order. A lithography method using a charged particle beam lithography apparatus, characterized in that beam lithography is performed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7226786A JPH06101421B2 (en) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | Drawing method of charged particle beam drawing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP7226786A JPH06101421B2 (en) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | Drawing method of charged particle beam drawing apparatus |
Publications (2)
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JPS62259439A true JPS62259439A (en) | 1987-11-11 |
JPH06101421B2 JPH06101421B2 (en) | 1994-12-12 |
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Family Applications (1)
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JP7226786A Expired - Fee Related JPH06101421B2 (en) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | Drawing method of charged particle beam drawing apparatus |
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-
1986
- 1986-03-28 JP JP7226786A patent/JPH06101421B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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JPH06101421B2 (en) | 1994-12-12 |
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