JP3967546B2 - Charged particle beam writing method - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する分野】
本発明は、被描画材料に照射される電子ビーム等の荷電粒子を偏向して所望のパターンの描画を行うようにした荷電粒子ビーム描画方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子ビーム描画装置では、電子ビームを精度良く偏向できる領域には限りがあり、大きな偏向角となると偏向の歪みが無視できなくなり、描画精度が悪化する。ベクタースキャン方式の描画装置では、偏向歪みが無視できる領域をフィールドと呼んでいる。
【0003】
一般に、チップサイズは、フィールドサイズよりも大きいため、描画するパターンデータは、描画前に、ある決められた大きさのフィールドで分割し、フィールドごとにデータをまとめておく。描画時には、フィールドごとにステージを移動させ、フィールドの中心と電子ビーム光軸とを一致させて、フィールド内のパターンの描画を行うようにしている。
【0004】
上記のフィールドサイズは、描画前にデータを準備する段階で決めておかなければならない。このフィールドサイズの大きさは、描画目的によって決められ、通常次のようなケースがある。
【0005】
第1のケースは、描画時間よりも描画精度が重要な場合で、小さなフィールドで偏向歪みの影響を極力少なくしたい場合で、描画データは、描画装置の最大フィールドより小さなフィールドに分割される。
【0006】
第2のケースは、描画精度の許容度が大きく、その代わり、描画速度を早くしたい場合であり、ステージの移動回数を少なくするために、描画データは、描画装置の最大フィールドで分割される。
【0007】
このように、フィールドの大きさは、描画目的に応じて決められ、同じ描画データでも、特定のケースを念頭にフィールド分割を行っても、他のケースで描画を行う場合には、その都度、最初の生の描画データをそのケースに応じてフィールド分割しなければならず、甚だ面倒である。
【0008】
このため、先願の特許第2744833号では、描画データを描画フィールドに分割して描画するときに、一辺の長さが描画装置の最大フィールドの長さの整数分の1とした区画を作っておき、パターン描画時に描画目的に応じて、前記区画データを一単位としたフィールドの描画をするか、あるいは、複数の区画データを組み合わせて一単位としたフィールドの描画をするようにしている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上記先願の荷電粒子ビーム描画装置では、複数の区画データを組み合わせるときに無駄時間が発生し、描画のスループットの低下を招いていた。すなわち、パターンデータは、描画前に磁気ディスクから描画用データ転送回路内のデータメモリに格納してから行われる。磁気ディスク上のパターンデータは、ある大きさの区画に分割されており、各区画の左上の位置座標および区画左上を原点とした図形位置として表現されている。
【0010】
この区画を複数まとめたものがフィールドとして描画されるが、このとき、従来はデータメモリへ磁気ディスクと同じ形で、すなわち、区画単位に格納され、描画時にフィールド内の位置をオフセットとして与えて描画を行っていた。制御CPUは、区画の描画フィールド内でのオフセットをセットして区画描画を行い、これを1フィールド分終了した時点でステージ移動を行っていた。
【0011】
このように従来では、描画時にソフト演算を行って各区画の位置を求めていたために、トータルの描画に要する時間が長くなる欠点を有していた。
本発明は、上述した点に鑑みてなされたもので、その目的は、複雑なソフト演算を行うことなくフィールドの描画を行うことができる荷電粒子ビーム描画方法を実現するにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明に基づく荷電粒子ビーム描画方法は、描画データを描画フィールドに分割して描画するときに、一辺の長さが描画装置の最大フィールドの長さの整数分の1とした区画を作っておき、パターン描画時に描画目的に応じて、前記区画データを一単位としたフィールドの描画をするか、あるいは、複数の区画データを組み合わせて一単位としたフィールドの描画をするようにした荷電粒子ビーム描画方法において、複数の区画データを組み合わせて一単位としたフィールドの描画を行う際、各区画データをデータメモリに転送する過程で、加算器により各区画データの位置と各区画のフィールド内の位置とを加算し、加算したデータをデータメモリに記憶させるようにし、データメモリに記憶されたフィールドのデータに基づいて所望の描画を行うようにしたことを特徴としている。
【0013】
本発明では、複数の区画データを組み合わせて一単位としたフィールドの描画を行う際、各区画データをデータメモリに転送する過程で、加算器により各区画データの位置と各区画のフィールド内の位置とを加算し、加算したデータをデータメモリに記憶させるようにした。そのため、複雑なソフトウェアによって区画データの結合を行うことがなくなり、描画のスループットを向上させることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図1は本発明を実施するための可変面積型電子ビーム描画装置の一例を示している。1は電子ビームEBを発生する電子銃であり、該電子銃1から発生した電子ビームEBは、照射レンズ2を介して第1成形アパーチャ3上に照射される。
【0015】
第1成形アパーチャの開口像は、成形レンズ4により、第2成形アパーチャ5上に結像されるが、その結像の位置は、成形偏向器6により変えることができる。第2成形アパーチャ5により成形された像は、縮小レンズ7、対物レンズ8を経て描画材料9上に照射される。描画材料9への照射位置は、位置決め偏向器10により変えることができる。
【0016】
11は制御CPUであり、制御CPU11は磁気ディスクのごときパターンデータメモリー12からのパターンデータをデータ転送回路13に転送する。データ転送回路13からのパターンデータは、成形偏向器6を制御する制御回路14、位置決め偏向器10を制御する制御回路15、対物レンズ8の励磁を制御する制御回路16、電子銃1から発生した電子ビームのブランキングを行うブランカー(ブランキング電極)17を制御するブランキングコントロール回路18に供給される。
【0017】
更に、制御CPU11は、材料9のフィールド毎の移動のために、材料9が載せられたステージ20の駆動回路21を制御する。このような構成の動作を次に説明する。
【0018】
まず、基本的な描画動作について説明する。パターンデータメモリ12に格納されたパターンデータは、逐次読み出され、データ転送回路13に供給される。このデータ転送回路13からのデータに基づき、偏向制御回路14は成形偏向器6を制御し、また、制御回路15は位置決め偏向器10を制御する。
【0019】
この結果、各パターンデータに基づき、成形偏向器6により電子ビームの断面が単位パターン形状に成形され、その単位パターンが順々に材料9上にショットされ、所望の形状のパターン描画が行われる。なお、この時、ブランキングコントロール回路18からブランカー17へのブランキング信号により、材料9への電子ビームのショットに同期して電子ビームのブランキングが実行される。
【0020】
更に、材料9上の異なった領域への描画の際には、制御CPU11からステージ駆動回路21への指令により、ステージ20は所定の距離移動させられる。なお、ステージ20の移動距離は、図示していないが、レーザー測長器により監視されており、測長器からの測長結果に基づき、ステージの位置は正確に制御される。
【0021】
さて、図1に示したデータ転送回路13は、具体的には図2に示すような構成を有している。すなわち、制御CPU11からのパターンデータが供給される加算回路23,各区画のフィールドからの位置座標が格納されているレジスタ24,加算回路23の加算結果が格納されるデータメモリ25を有している。
【0022】
次に、図3に示すような複数の区画(f1〜f4)をまとめて1フィールドFとして描画を行う場合について説明する。レジスタ24には、図4に示すような各区画の基準座標位置(区画の左上の座標位置)が格納されている。制御CPU11から区画f1のデータが転送されると加算回路21はデータの位置座標に基準座標位置を加算する。区画f1基準座標位置(X0,Y0)はフィールドfの原点と同じであるので、データの加算結果に変化はない。
【0023】
次に、区画f2のデータが転送されると、加算回路23はデータの座標位置に図4に示す区画f2の座標位置(X0,Y1)が加算される。この加算された区画f2のデータは、データメモリ25に送られて記憶される。同様にして、区画f3,f4のデータも加算回路23においてそれぞれの座標位置と加算され、データメモリ25に送られて記憶される。このようにして、データメモリ25内には、4つの区画が結合されたデータが記憶されることになる。データメモリ25内に記憶されたフィールドFのデータは読み出されて、偏向制御器14,位置決め偏向器10を制御する。
【0024】
以上本発明の一実施形態を説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されない。例えば、4つの区画からなるフィールドを例に説明したが、区画の数は任意に選択することができる。更に、可変面積型電子ビーム描画装置を例に説明したが、本発明は被描画材料に細く絞った電子ビームを照射するようにした電子ビーム描画装置にも適用することができるし、電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いる描画装置にも適用できる。
【0025】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、複数の区画データを組み合わせて一単位としたフィールドの描画を行う際、各区画データをデータメモリに転送する過程で、加算器により各区画データの位置と各区画のフィールド内の位置とを加算し、加算したデータをデータメモリに記憶させるようにした。そのため、複雑なソフトウェアによって区画データの結合を行うことがなくなり、描画のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を実施するための電子ビーム描画装置の一例を示す図である。
【図2】データ転送回路の具体例を示す図である。
【図3】フィールドFと区画f1〜f4を示す図である。
【図4】レジスタの内容を示す図である。
【符号の説明】
1 電子銃
2 照射レンズ
3 第1アパーチャ
4 成形レンズ
5 第2アパーチャ
6 成形偏向器
7 縮小レンズ
8 対物レンズ
9 被描画材料
10 位置決め偏向器
11 制御CPU
12 パターンデータメモリー
13 データ転送回路
14 成形偏向器制御回路
15 位置決め偏向器制御回路
16 対物レンズ制御回路
17 ブランカー
18 ブランキングコントロール回路
19 ショット時間補正メモリ
20 ステージ
21 ステージ駆動回路
23 加算回路
24 レジスタ
25 データメモリ[0001]
[Field of the Invention]
The present invention relates to a charged particle beam writing method for drawing a desired pattern by deflecting charged particles such as an electron beam irradiated on a drawing material.
[0002]
[Prior art]
In the electron beam drawing apparatus, there is a limit to the region where the electron beam can be deflected with high accuracy, and when the deflection angle becomes large, the deflection distortion cannot be ignored, and the drawing accuracy deteriorates. In a vector scanning type drawing apparatus, an area where deflection distortion can be ignored is called a field.
[0003]
In general, since the chip size is larger than the field size, pattern data to be drawn is divided into fields of a predetermined size before drawing, and the data is collected for each field. At the time of drawing, the stage is moved for each field, and the pattern in the field is drawn by matching the center of the field with the electron beam optical axis.
[0004]
The above field size must be determined at the stage of preparing data before drawing. The size of this field size is determined by the purpose of drawing, and there are usually the following cases.
[0005]
The first case is when the drawing accuracy is more important than the drawing time, and when it is desired to minimize the influence of deflection distortion in a small field, the drawing data is divided into fields smaller than the maximum field of the drawing apparatus.
[0006]
The second case is a case where the tolerance of the drawing accuracy is large and instead it is desired to increase the drawing speed. In order to reduce the number of stage movements, the drawing data is divided by the maximum field of the drawing apparatus.
[0007]
In this way, the size of the field is determined according to the purpose of drawing, and even if the same drawing data is divided into fields with a specific case in mind, when drawing in other cases, each time, The first raw drawing data must be divided into fields according to the case, which is troublesome.
[0008]
For this reason, in Japanese Patent No. 2744833 of the prior application, when drawing data is divided into drawing fields and drawn, a section in which the length of one side is an integral number of the length of the maximum field of the drawing device is created. In addition, according to the drawing purpose at the time of pattern drawing, the field is drawn with the partition data as a unit, or the field is drawn as a unit by combining a plurality of partition data.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
In the charged particle beam drawing apparatus of the prior application, a dead time occurs when combining a plurality of section data, resulting in a reduction in drawing throughput. That is, the pattern data is stored after being stored in the data memory in the drawing data transfer circuit from the magnetic disk before drawing. The pattern data on the magnetic disk is divided into sections of a certain size, and is expressed as position coordinates at the upper left of each section and a graphic position with the upper left of the section as the origin.
[0010]
A group of these partitions is drawn as a field. At this time, the data is conventionally stored in the data memory in the same form as the magnetic disk, that is, stored in units of partitions and given the position in the field as an offset when drawing. Had gone. The control CPU sets the offset in the drawing field of the section, performs section drawing, and moves the stage when this is completed for one field.
[0011]
In this way, conventionally, since the position of each section is obtained by performing a software operation at the time of drawing, there is a disadvantage that the time required for total drawing becomes long.
The present invention has been made in view of the above-described points, and an object thereof is to realize a charged particle beam writing method capable of drawing a field without performing complicated software calculation.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In the charged particle beam drawing method according to the present invention, when drawing data is divided into drawing fields and drawing is performed, a section in which the length of one side is an integer of the length of the maximum field of the drawing apparatus is created. Depending on the drawing purpose at the time of pattern drawing, a charged particle beam drawing that draws a field with the section data as one unit or combines a plurality of section data into a unit In the method, when drawing a field as a unit by combining a plurality of partition data, in the process of transferring each partition data to the data memory, the position of each partition data and the position in the field of each partition by the adder The added data is stored in the data memory, and the desired drawing is made based on the field data stored in the data memory. It is characterized in that to perform the.
[0013]
In the present invention, when drawing a field as a unit by combining a plurality of partition data, in the process of transferring each partition data to the data memory, the position of each partition data and the position in the field of each partition by the adder And the added data is stored in the data memory. Therefore, it is not necessary to combine partition data by complicated software, and the drawing throughput can be improved.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an example of a variable area electron beam lithography apparatus for carrying out the present invention. Reference numeral 1 denotes an electron gun that generates an electron beam EB. The electron beam EB generated from the electron gun 1 is irradiated onto the first shaping aperture 3 through the irradiation lens 2.
[0015]
The aperture image of the first shaping aperture is formed on the second shaping aperture 5 by the shaping lens 4, and the position of the image formation can be changed by the shaping deflector 6. The image formed by the second shaping aperture 5 is irradiated onto the drawing material 9 through the reduction lens 7 and the objective lens 8. The irradiation position on the drawing material 9 can be changed by the positioning deflector 10.
[0016]
[0017]
Further, the
[0018]
First, a basic drawing operation will be described. The pattern data stored in the
[0019]
As a result, the cross section of the electron beam is formed into a unit pattern shape by the shaping deflector 6 based on each pattern data, and the unit pattern is sequentially shot on the material 9 to perform pattern drawing of a desired shape. At this time, blanking of the electron beam is executed in synchronization with a shot of the electron beam on the material 9 by a blanking signal from the blanking
[0020]
Further, when drawing on different regions on the material 9, the stage 20 is moved by a predetermined distance according to a command from the
[0021]
The
[0022]
Next, a description will be given of a case where a plurality of sections (f1 to f4) as shown in FIG. The
[0023]
Next, when the data of the section f2 is transferred, the adding
[0024]
Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to this embodiment. For example, although a field composed of four sections has been described as an example, the number of sections can be arbitrarily selected. Further, although the variable area type electron beam drawing apparatus has been described as an example, the present invention can also be applied to an electron beam drawing apparatus that irradiates a thin electron beam on a drawing material. The present invention can also be applied to a drawing apparatus that uses a charged particle beam.
[0025]
【The invention's effect】
As described above, in the present invention, when drawing a field as a unit by combining a plurality of partition data, in the process of transferring each partition data to the data memory, the position of each partition data and each The position in the field of the division is added and the added data is stored in the data memory. Therefore, it is not necessary to combine partition data by complicated software, and the drawing throughput can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing an example of an electron beam drawing apparatus for carrying out the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a specific example of a data transfer circuit.
FIG. 3 is a diagram showing a field F and sections f1 to f4.
FIG. 4 is a diagram illustrating the contents of a register.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electron gun 2 Irradiation lens 3 1st aperture 4 Molding lens 5 2nd aperture 6 Molding deflector 7 Reduction lens 8 Objective lens 9 Drawing material 10
12
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