JPS62259439A - 荷電粒子ビ−ム描画装置の描画方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はイオンビーム等の荷電粒子ビームによる描画の
最適化を図った荷電粒子ビーム描画装置の描画方法に関
する。

（従来の技術） ウェハ上に形成されたチップにビーム描画を行う装置と
して、電子ビーム露光装置及び集束イオンビーム描画装
置がある。電子ビーム露光装置は、電子銃から出射され
た電子ビームを電子レンズで集束せしめた後、偏向器で
ウェハ上を２次元走査し、チップ上に所定のパターンを
露光形成せしめる。これに対して、集束イオンビーム描
画装置もイオン源から出射されたイオンを加速し、電子
レンズで集束せしめた後、偏向器でウェハ上を２次元走
査し、チップ上に所定のパターンを形成する。

集束イオンビーム描画装置の場合、電子ビーム露光装置
の場合に比較して用いるイオン種を種々のものに交換す
ることができること、及びエツチングによるパターン形
成の他にイオン打込み（イオン注入）が可能な点で相異
する。

ところで、この種のビーム描画装置においては、描画時
間を短縮する等の最適化を図るために種々の方法が採用
されている。例えば、電子ビーム露光装置の場合、チッ
プ露光順序の最適化は個々のチップのＹ座標の大小比較
及びＸ座標の大小比較により行っている。

（発明が解決しようとする問題点） 前述した従来方法によるチップ露光順序の最適化法では
チップが散在している場合や、チップ中心点のＹ方向の
距離の差が僅少な場合に、ステージの移動距離が多くな
る傾向があった。第９図は従来の露光順序の最適化法の
説明図である。（イ）、（ロ）２つの場合を示す。ここ
に示すイオンビーム描画の方法は、チップ開缶の大きな
移動はステージを移動させることにより行い、チップ内
のフィールド単位の描画はイオンビーム偏向により行う
。間のＸ印はチップの中心点を示す。

（イ）の場合を例にとって説明する。チップ中心点の座
標間の距離の差Δｙが図に示すように僅少であっても、
Ａ部とＢ部とでビームの描画方向を異ならしめている。

即ち、Ａ部を左→右にスキャンし、ビーム描画領域の右
端までスキャンした後リターンしてＢ部を右→左にスキ
ャンするという工程をとっている。全領域において、こ
のようなスキャン方法を採っているため、全体としての
ステージの移動距離が長くなってしまい、ビーム描画時
間も結果として長くなってしまっていた。

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであって、
その目的は、ステージの移動距離を短くして、ビーム描
画時間の短縮を図ることができる荷電粒子ビーム描画装
置の描画方法を実現することにある。

（問題点を解決するための手段） 前記した問題点を解決する本発明は、被描画材斜上のチ
ップ毎に各チップのチップ番号１位置座標、サイズ等を
記録した検索データを作成し、これら検索データを基に
各チップのサイズを比較してブロック幅を決定し、決定
されたブロック幅によって被描画材料を複数のブロック
に分け、どのブロックに帰属するかによって各チップを
分類し、各ブロックに応じて帰属するチップ間の描画順
序を決定し、ブロック順に且つ該描画順序に従ってビー
ム描画を行うようにしたことを特徴とするものである。

（作用） 本発明は、各チップ毎の情報を書込んだ検索データを作
成し、これら検索データを基に被描画材料上の領域を複
数のブロックに分け、各チップがどのブロックに帰属す
るかにより分類し、各ブロックに応じて帰属するチップ
間の描画順序を決定する。

（実施例〉 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。

第１図は本発明の一実施例を示すフローチャートである
。以下、このフローチャートに沿って、本発明を説明す
る。

■ウェハ上のチップ毎に各チップのチップ番号。

位置座標、サイズ、ピッチ等を記録した検索データを作
成する。

第２図は各チップの情報を記録した検索データの一例を
示す図である。このような検索データは通常別途予め用
意されているスケジュールファイルの内容を基に作成さ
れる。図において、チップ番号とは、チップの種類を認
識するための番りであり、従って、同一形状のチップに
は共通番号が付される。ｒｏｗとｃｏｌｕｍｎはそれぞ
れチップのｒｏｗ（列）方向とｃｏｌｕｍｎ　（行）方
向に関する座標を示す。次の（Ｘｉ、Ｙｌ）は、各チッ
プの中心点の座標を示し、Ｘ２．Ｙ２はそれぞれ各チッ
プのＸ方向及びＹ方向の大きさを示す（第２図（ロ）参
照）。

消去情報は、当該チップの描画を行うかどうかの情報を
示している。ウェハは通常丸い形状をしているので、こ
れを格子状に分割すると、第２図（ハ）の斜線で示すよ
うな１個の格子分に満たない部分が生じる（尚、図中の
円形状物はウェハを示している）。この不完全領域にビ
ームを照射しても無意味なので、このような部分はスキ
ップするのである。例えば消去情報に゛１パを書込んで
いたら通常の描画を、○″を書込んでいたらスキップさ
せるようにする。或いは、この逆でもよい。

■前工程■で作成した検索データを基に各チップのサイ
ズ及びピッチを比較し、成るチップ配列の間に他のチッ
プが配置されているか否かをチェックする。

各チップの比較はＹ方向のブロック化を行うためのパラ
メータを選択するためのものである。第３図に各グーツ
ブの比較状態を示す。第３図はＣ１なる大きさのチップ
の間に、Ｃ２なる大きさのチップが配置されている場合
を示している。各チップのＹ方向の大きさがチップサイ
ズ、同一種類のチップ間の距離がチップピッチとなる。

第３図に示すチップ配列の場合はＣ１のチップ配列の間
に他のチップＣ２が入っている。

■成るチップ配列の間に他のチップ配列が入っているか
否かで異なったアルゴリズムに従ってＹ方向のブロック
幅を求める。

成るチップ配列の間に他のチップ配列が入っている場合
にはブロック幅は複数のチップサイズに基づく算出値と
し、入っていない場合にはブロック幅はチップピッチそ
のものとする。前者の場合の算出は以下のようにして行
う。即ち、チップサイズが４制以上ある場合にはそのう
ちの最大、Ｒ小を除いた上で平均値を求め、その池の場
合は平均値とする。

■前工程■で決定されたブロック幅によってウェハ上の
描画ｆｒｉ域をＹ方向に複数のブロックに分け、各チッ
プをどのブロックに帰属するかにより分類する。

ここでは、決定されたブロック幅を基にウェハ上のチッ
プの描画部分を仮想的にＹ方向に分割し。

各ブロック毎にそれに帰属するチップの集合を作成する
ものである（第４図参照）。第４図の場合は、ウェハ上
に形成されたチップを所定のブロック幅で＃１〜＃５と
ブロック毎に分割した例を示している。この分類は、各
チップの中心座標が位置するブロックを判定することに
より行う。

■ブロックＮＯ０が偶数か奇数かでイオンビームの描画
方向を異ならしめてイオンビーム描画を行う。

前工程■までで、Ｙ方向の順位づけは行われたことにな
る。次にＸ方向に対する最適化を行う。

最適化の方法は、例えば第４図の＃１ブロック内の各チ
ップをＸ座標が小→大になる方向（右方向）にスキャン
の順序付けをしたら、次の＃２ブロックは逆にＸ座標が
大→小になる方向（左方向）にスキャンの順序付けを行
う。

■ブロックを連結してイオンビーム描画を行う。

以上の操作で各ブロック内の各チップの描画順序付けは
終了し、この各ブロックをブロックナンバ類に連結すれ
ば描画の最適化の行われたデータの作成が終了する。第
５図は最適化後のイオンビーム描画順序を示す図である
。

以上、Ｙ方向にブロック化する場合を例にとって説明し
たが、本発明はこれに限るものではなく、Ｘ方向にブロ
ック化することも可能である。

第６図は本発明方法を実施するためのシステムの構成例
を示す図である。ハード系１０は、集束イオンビーム描
画装置本体１１．描画ドライバ１２及び該描画ドライバ
１２と集束イオンビーム描画装置本体１１間を接続する
ハードウェアインターフェイス１３より構成されている
。ソフト系２０は、スケジュールソフト２１．関連ソフ
ト２２゜これらスケジュールソフト２１及び関連ソフト
を取込んで構成される描画ソフト２３及び該描画ソフト
２３と接続されるインターフェイスソフト２４より構成
されている。そして、インターフェイスソフト２４と描
画ドライバ１２とが接続されて、ソフト系２０とハード
系１０が相互接続される。

描画ソフト２３は第７図に示すように構成されている。

描画ソフト用ユーザインターフェイス３１は、高圧制御
、パターンリード（読込み）、キャリブレーション、ス
テージシーケンス等のルーチンで必要なファイル及びパ
ラメータを入力させ、実行を行うためのＣＲＴ上のパラ
メータ入力ルーチンである。高圧制御ルーチン３２は装
置の加速電圧の切換えを行うルーチン、パターンリード
ルーチン３３は描画用パターンデータの読込みルーチン
、キャリブレーションルーチン３４は装置の調整を行う
ルーチンである。ステージシーケンスルーチン３５は、
描画実行に必要なファイルの作成及びチップの描画最適
化のための前記ブロック化と各ブロックにおける各チッ
プの描画順序付ｔ−Ｊのルーチン、描画実行ルーチン３
６はパターンリ−ド、ステージシーケンスの描画用台デ
ータを基に実際に描画を行うルーチンである。インター
フェイスソフト２４には、高圧制御ルーチン３２゜キャ
リブレーションルーチン３４及び描画実行ルーチン３６
が接続され、インターフェイスソフト２４を介してハー
ド系（装置側）に送られる。

第８図（イ）、（ロ）は本発明方法による描画順序を、
２つのチップパターンについて示す図である。比較のた
めに第９図（イ）、（ロ）に同一のチップパターンに関
する従来の描画順序を示した。図より明らかなように、
本発明方法による場合の方が、明らかにステージ移動量
が少なくなり、従って描画時間も短縮できる。

尚、本発明は電子ビーム描画装置を用いた描画方法にも
同様に適用でき、又、被描画材料としてはウェハに限ら
ず、マスク等を対象としてもよい。

（発明の効果） 以上詳細に説明したように、本発明によれば、各チップ
毎の情報を書込んだ検索データを作成し、これら検索デ
ータを基に最適なブロック幅を有するブロックに被描画
材料上の領域を分け、各ブロック毎にブロックに応じて
ブロック内の各チップの描画順序を決定し、ブロック順
に且つこの描画順序に従ってビーム描画を行うことによ
り、ステージ移ｖＪ旦が少なくてすみ、従って、描画時
間が短縮できる荷電粒子ビーム描画装置の描画方法を実
現することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すフローチト一ト、第２
図は検索データの説明図、第３図はチップ配列の状態を
示す図、第４図はブロック毎の分割状態を示す図、第５
図は本発明による描画順序を示す図、第６図は本発明を
実施するためのシステムの構成例を示す図、第７図は描
画ソフトの構成例を示す図、第８図は本発明による効果
の説明図、第９図は従来の描画順序を示す図である。 １１・・・集束イオンビーム描画装置 １２・・・描画ドライバ １３・・・ハードウェアインターフェイス第１　図 第４図 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 被描画材料上のチップ毎に各チップのチップ番号、位置
   座標、サイズ等を記録した検索データを作成し、これら
   検索データを基に各チップのサイズを比較してブロック
   幅を決定し、決定されたブロック幅によって被描画材料
   を複数のブロックに分け、どのブロックに帰属するかに
   よって各チップを分類し、各ブロックに応じて帰属する
   チップ間の描画順序を決定し、ブロック順に且つ該描画
   順序に従ってビーム描画を行うようにしたことを特徴と
   する荷電粒子ビーム描画装置の描画方法。