JPH06101421B2 - Drawing method of charged particle beam drawing apparatus - Google Patents
Drawing method of charged particle beam drawing apparatusInfo
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- JPH06101421B2 JPH06101421B2 JP7226786A JP7226786A JPH06101421B2 JP H06101421 B2 JPH06101421 B2 JP H06101421B2 JP 7226786 A JP7226786 A JP 7226786A JP 7226786 A JP7226786 A JP 7226786A JP H06101421 B2 JPH06101421 B2 JP H06101421B2
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はイオンビーム等の荷電粒子ビームによる描画の
最適化を図った荷電粒子ビーム描画装置の描画方法に関
する。The present invention relates to a drawing method of a charged particle beam drawing apparatus for optimizing drawing by a charged particle beam such as an ion beam.
(従来の技術) ウェハ上に形成されたチップにビーム描画を行う装置と
して、電子ビーム露光装置及び集束イオンビーム描画装
置がある。電子ビーム露光装置は、電子銃から出射され
た電子ビームを電子レンズで集束せしめた後、偏向器で
ウェハ上を2次元走査し、チップ上に所定のパターンを
露光形成せしめる。これに対して、集束イオンビーム描
画装置もイオン源から出射されたイオンを加速し、電子
レンズで集束せしめた後、偏向器でウェハ上を2次元走
査し、チップ上に所定のパターンを形成する。集束イオ
ンビーム描画装置の場合、電子ビーム露光装置の場合に
比較して用いるイオン種を種々のものに交換することが
できること、及びエッチングによるパターン形成の他に
イオン打込み(イオン注入)が可能な点で相異する。(Prior Art) As an apparatus for performing beam drawing on a chip formed on a wafer, there are an electron beam exposure apparatus and a focused ion beam drawing apparatus. The electron beam exposure apparatus focuses an electron beam emitted from an electron gun by an electron lens and then two-dimensionally scans a wafer by a deflector to form a predetermined pattern on a chip by exposure. On the other hand, the focused ion beam drawing apparatus also accelerates the ions emitted from the ion source and focuses them with an electron lens, and then two-dimensionally scans the wafer with a deflector to form a predetermined pattern on the chip. . In the case of a focused ion beam drawing apparatus, compared to the case of an electron beam exposure apparatus, the ion species used can be exchanged for various types, and ion implantation (ion implantation) is possible in addition to pattern formation by etching. Different.
ところで、この種のビーム描画装置においては、描画時
間を短縮する等の最適化を図るために種々の方法が採用
されている。例えば、電子ビーム露光装置の場合、チッ
プ露光順序の最適化は個々のチップのY座標の大小比較
及びX座標の大小比較により行っている。By the way, in this type of beam drawing apparatus, various methods are adopted in order to optimize such as shortening the drawing time. For example, in the case of an electron beam exposure apparatus, optimization of the chip exposure order is performed by comparing the size of the Y coordinate and the size of the X coordinate of each chip.
(発明が解決しようとする問題点) 前述した従来方法によるチップ露光順序の最適化法では
チップが散在している場合や、チップ中心点のY方向の
距離の差が僅少な場合に、ステージの移動距離が多くな
る傾向があった。第9図は従来の露光順序の最適化法の
説明図である。(イ),(ロ)2つの場合を示す。ここ
に示すイオンビーム描画の方法は、チップ間毎の大きな
移動はステージを移動させることにより行い、チップ内
のフィールド単位の描画はイオンビーム偏向により行
う。図の×印はチップの中心点を示す。(Problems to be Solved by the Invention) In the above-described conventional method for optimizing the chip exposure order, when the chips are scattered or the difference in the Y-direction distance between the chip center points is small, the stage It tended to increase the distance traveled. FIG. 9 is an explanatory diagram of a conventional exposure sequence optimization method. Two cases of (a) and (b) are shown. In the ion beam drawing method shown here, a large movement between chips is performed by moving the stage, and drawing in field units within the chip is performed by ion beam deflection. The X mark in the figure indicates the center point of the chip.
(イ)の場合を例にとって説明する。チップ中心点の座
標間の距離の差Δyが図に示すように僅少であっても、
A部とB部とでビームの描画方向を異ならしめている。
即ち、A部を左→右にスキャンし、ビーム描画領域の右
端までスキャンした後リターンしてB部を右→左にスキ
ャンするという工程をとっている。全領域において、こ
のようなスキャン方法を採っているため、全体としての
ステージの移動距離が長くなってしまい、ビーム描画時
間も結果として長くなってしまっていた。The case (a) will be described as an example. Even if the distance difference Δy between the coordinates of the chip center point is small as shown in the figure,
The beam drawing directions are made different between the A part and the B part.
That is, the process of scanning the part A from left to right, scanning to the right end of the beam drawing area, and returning to scan the part B from right to left is performed. Since such a scanning method is adopted in the entire area, the movement distance of the stage as a whole becomes long, and the beam drawing time also becomes long as a result.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであって、
その目的は、ステージの移動距離を短くして、ビーム描
画時間の短縮を図ることができる荷電粒子ビーム描画装
置の描画方法を実現することにある。The present invention has been made in view of such points,
The purpose thereof is to realize a drawing method of a charged particle beam drawing apparatus which can shorten the moving distance of the stage and shorten the beam drawing time.
(問題点を解決するための手段) 前記した問題点を解決する本発明は、被描画材料上のチ
ップ毎に各チップのチップ番号,位置座標,サイズ等を
記録した検索データを作成し、これら検索データを基に
各チップのサイズを比較してブロック幅を決定し、決定
されたブロック幅によって被描画材料を複数のブロック
に分け、どのブロックに帰属するかによって各チップを
分類し、各ブロックに応じて帰属するチップ間の描画順
序を決定し、ブロック順に且つ該描画順序に従ってビー
ム描画を行うようにしたことを特徴とするものである。(Means for Solving Problems) The present invention for solving the problems described above creates search data in which chip numbers, position coordinates, sizes, etc. of the respective chips are recorded for each chip on a drawing material, and The size of each chip is compared based on the search data to determine the block width, the drawing material is divided into multiple blocks according to the determined block width, and each chip is classified according to which block it belongs to. The drawing order between the chips belonging thereto is determined according to the above, and the beam drawing is performed according to the block order and the drawing order.
(作用) 本発明は、各チップ毎の情報を書込んだ検索データを作
成し、これら検索データを基に被描画材料上の領域を複
数のブロックに分け、各チップがどのブロックに帰属す
るかにより分類し、各ブロックに応じて帰属するチップ
間の描画順序を決定する。(Operation) The present invention creates search data in which information for each chip is written, divides the region on the drawing material into a plurality of blocks based on these search data, and determines which block each chip belongs to. Then, the drawing order among the chips belonging to each block is determined.
(実施例) 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例を示すフローチャートであ
る。以下、このフローチャートに沿って、本発明を説明
する。FIG. 1 is a flow chart showing an embodiment of the present invention. The present invention will be described below with reference to this flowchart.
ウェハ上のチップ毎に各チップのチップ番号,位置座
標,サイズ,ピッチ等を記録した検索データを作成す
る。For each chip on the wafer, search data is created that records the chip number, position coordinate, size, pitch, etc. of each chip.
第2図は各チップの情報を記録した検索データの一例を
示す図である。このような検索データは通常別途予め用
意されているスケジュールファイルの内容を基に作成さ
れる。図において、チップ番号とは、チップの種類を認
識するための番号であり、従って、同一形状のチップに
は共通番号が付される。rowとcolumnはそれぞれチップ
のrow(列)方向とcolumn(行)方向に関する座標を示
す。次の(X1,Y1)は、各チップの中心点の座標を示
し、X2,Y2はそれぞれ各チップのX方向及びY方向の大
きさを示す(第2図(ロ)参照)。FIG. 2 is a diagram showing an example of search data in which information of each chip is recorded. Such search data is usually created based on the contents of a separately prepared schedule file. In the figure, the chip number is a number for recognizing the type of chip, and therefore, chips of the same shape are given common numbers. The row and column indicate the coordinates in the row direction and the column direction of the chip, respectively. The next (X1, Y1) indicates the coordinates of the center point of each chip, and X2, Y2 indicate the size of each chip in the X and Y directions (see FIG. 2B).
消去情報は、当該チップの描画を行うかどうかの情報を
示している。ウェハは通常丸い形状をしているので、こ
れを格子状に分割すると、第2図(ハ)の斜線で示すよ
うな1個の格子分に満たない部分が生じる(尚、図中の
円形状物はウェハを示している)。この不完全領域にビ
ームを照射しても無意味なので、このような部分はスキ
ップするのである。例えば消去情報に“1"を書込んでい
たら通常の描画を、“0"を書込んでいたらスキップさせ
るようにする。或いは、この逆でもよい。The erase information indicates information as to whether or not the chip is to be drawn. Since the wafer is usually in the shape of a circle, if this is divided into a grid, there will be a portion less than one grid as shown by the diagonal lines in Fig. 2C. The object shows a wafer). Irradiating the beam to this incomplete region is meaningless, and thus such a part is skipped. For example, if "1" is written in the erase information, normal drawing is performed, and if "0" is written, it is skipped. Alternatively, the reverse is also possible.
前工程で作成した検索データを基に各チップのサイ
ズ及びピッチを比較し、或るチップ配列の間に他のチッ
プが配置されているか否かをチェックする。The size and pitch of each chip are compared based on the search data created in the previous step, and it is checked whether or not another chip is arranged in a certain chip arrangement.
各チップの比較はY方向のブロック化を行うためのパラ
メータを選択するためのものである。第3図に各チップ
の比較状態を示す。第3図はC1なる大きさのチップの間
に、C2なる大きさのチップが配置されている場合を示し
ている。各チップのY方向の大きさがチップサイズ、同
一種類のチップ間の距離がチップピッチとなる。第3図
に示すチップ配列の場合はC1のチップ配列の間に他のチ
ップC2が入っている。The comparison of each chip is for selecting a parameter for performing blocking in the Y direction. FIG. 3 shows a comparison state of each chip. FIG. 3 shows a case where a chip of size C 2 is arranged between chips of size C 1 . The size of each chip in the Y direction is the chip size, and the distance between chips of the same type is the chip pitch. In the case of the chip arrangement shown in FIG. 3, another chip C 2 is inserted between the chip arrangements of C 1 .
或るチップ配列の間に他のチップ配列が入っているか
否かで異なったアルゴリズムに従ってY方向のブロック
幅を求める。The block width in the Y direction is obtained according to a different algorithm depending on whether another chip arrangement is included between certain chip arrangements.
或るチップ配列の間に他のチップ配列が入っている場合
にはブロック幅は複数のチップサイズに基づく算出値と
し、入っていない場合にはブロック幅はチップピッチそ
のものとする。前者の場合の算出は以下のようにして行
う。即ち、チップサイズが4個以上ある場合にはそのう
ちの最大,最小を除いた上で平均値を求め、その他の場
合は平均値とする。When another chip arrangement is included between certain chip arrangements, the block width is a calculated value based on a plurality of chip sizes, and when not included, the block width is the chip pitch itself. The calculation in the former case is performed as follows. That is, when there are four or more chip sizes, the average value is calculated after removing the maximum and minimum values, and the average value is used in other cases.
前工程で決定されたブロック幅によってウェハ上の
描画領域をY方向に複数のブロックに分け、各チップを
どのブロックに帰属するかにより分類する。The drawing area on the wafer is divided into a plurality of blocks in the Y direction according to the block width determined in the previous step, and each chip is classified according to which block it belongs to.
ここでは、決定されたブロック幅を基にウェハ上のチッ
プの描画部分を仮想的にY方向に分割し、各ブロック毎
にそれに帰属するチップの集合を作成するものである
(第4図参照)。第4図の場合は、ウェハ上に形成され
たチップを所定のブロック幅で#1〜#5とブロック毎
に分割した例を示している。この分類は、各チップの中
心座標が位置するブロックを判定することにより行う。Here, the drawing portion of the chip on the wafer is virtually divided in the Y direction based on the determined block width, and a set of chips belonging to it is created for each block (see FIG. 4). . FIG. 4 shows an example in which the chips formed on the wafer are divided into blocks of # 1 to # 5 with a predetermined block width. This classification is performed by determining the block in which the center coordinate of each chip is located.
ブロックNo.が偶数か奇数かでイオンビームの描画方
向を異ならしめてイオンビーム描画を行う。Ion beam drawing is performed by making the ion beam drawing direction different depending on whether the block number is even or odd.
前工程までで、Y方向の順位づけは行われたことにな
る。次にX方向に対する最適化を行う。最適化の方法
は、例えば第4図の#1ブロック内の各チップをX座標
が小→大になる方向(右方向)にスキャンの順序付けを
したら、次の#2ブロックは逆にX座標が大→小になる
方向(左方向)にスキャンの順序付けを行う。Up to the previous process, the ranking in the Y direction has been performed. Next, optimization in the X direction is performed. The optimization method is, for example, if the chips in the # 1 block in FIG. 4 are ordered in the scan direction from the small X-coordinate to the large X-coordinate (to the right), the X-coordinate of the next # 2 block is reversed. The scans are ordered in the direction from large to small (to the left).
ブロックを連結してイオンビーム描画を行う。Ion beam drawing is performed by connecting blocks.
以上の操作で各ブロック内の各チップの描画順序付けは
終了し、この各ブロックをブロックナンバ順に連結すれ
ば描画の最適化の行われたデータの作成が終了する。第
5図は最適化後のイオンビーム描画順序を示す図であ
る。By the above operation, the drawing ordering of the chips in each block is completed, and if the blocks are connected in the order of block numbers, the creation of the drawing optimized data is completed. FIG. 5 is a diagram showing the order of ion beam writing after optimization.
以上、Y方向にブロック化する場合を例にとって説明し
たが、本発明はこれに限るものではなく、X方向にブロ
ック化することも可能である。Although the case of blocking in the Y direction has been described above as an example, the present invention is not limited to this, and blocking in the X direction is also possible.
第6図は本発明方法を実施するためのシステムの構成例
を示す図である。ハード系10は、集束イオンビーム描画
装置本体11,描画ドライバ12及び該描画ドライバ12と集
束イオンビーム描画装置本体11間を接続するハードウェ
アインターフェイス13より構成されている。ソフト系20
は、スケジュールソフト21,関連ソフト22,これらスケジ
ュールソフト21及び関連ソフトを取込んで構成される描
画ソフト23及び該描画ソフト23と接続されるインターフ
ェイスソフト24より構成されている。そして、インター
フェイスソフト24と描画ドライバ12とが接続されて、ソ
フト系50とハード系10が相互接続される。FIG. 6 is a diagram showing an example of the configuration of a system for carrying out the method of the present invention. The hardware system 10 is composed of a focused ion beam drawing apparatus main body 11, a drawing driver 12, and a hardware interface 13 connecting the drawing driver 12 and the focused ion beam drawing apparatus main body 11. Soft system 20
Is composed of schedule software 21, related software 22, drawing software 23 including the schedule software 21 and related software, and interface software 24 connected to the drawing software 23. Then, the interface software 24 and the drawing driver 12 are connected, and the software system 50 and the hardware system 10 are interconnected.
描画ソフト23は第7図に示すように構成されている。描
画ソフト用ユーザインターフェイス31は、高圧制御,パ
ターンリード(読込み),キャリブレーション,ステー
ジシーケンス等のルーチンで必要なファイル及びパラメ
ータを入力させ、実行を行うためのCRT上のパラメータ
入力ルーチンである。高圧制御ルーチン32は装置の加速
電圧の切換えを行うルーチン、パターンリードルーチン
33は描画用パターンデータの読込みルーチン、キャリブ
レーションルーチン34は装置の調整を行うルーチンであ
る。ステージシーケンスルーチン35は、描画実行に必要
なファイルの作成及びチップの描画最適化のための前記
ブロック化と各ブロックにおける各チップの描画順序付
けのルーチン、描画実行ルーチン36はパターンリード,
ステージシーケンスの描画用各データを基に実際に描画
を行うルーチンである。インターフェイスソフト24に
は、高圧制御ルーチン32,キャリブレーションルーチン3
4及び描画実行ルーチン36が接続され、インターフェイ
スソフト24を介してハード系(装置側)に送られる。The drawing software 23 is configured as shown in FIG. The drawing software user interface 31 is a parameter input routine on the CRT for inputting and executing files and parameters required for routines such as high-voltage control, pattern reading (reading), calibration, and stage sequence. The high voltage control routine 32 is a routine for switching the acceleration voltage of the device, a pattern read routine
Reference numeral 33 is a drawing pattern data reading routine, and calibration routine 34 is a routine for adjusting the apparatus. The stage sequence routine 35 is a routine for creating the files necessary for drawing execution and the above-mentioned block formation for chip drawing optimization and drawing ordering of each chip in each block, and the drawing execution routine 36 is pattern read,
This is a routine for actually drawing based on each drawing data of the stage sequence. Interface software 24 includes high-voltage control routine 32 and calibration routine 3
4 and the drawing execution routine 36 are connected and sent to the hardware system (device side) via the interface software 24.
第8図(イ),(ロ)は本発明方法による描画順序を、
2つのチップパターンについて示す図である。比較のた
めに第9図(イ),(ロ)に同一のチップパターンに関
する従来の描画順序を示した。図より明らかなように、
本発明方法による場合の方が、明らかにステージ移動量
が少なくなり、従って描画時間も短縮できる。8A and 8B show the drawing order by the method of the present invention,
It is a figure shown about two chip patterns. For comparison, FIGS. 9A and 9B show the conventional drawing order for the same chip pattern. As is clear from the figure,
According to the method of the present invention, the amount of stage movement is obviously smaller, and therefore the drawing time can be shortened.
尚、本発明は電子ビーム描画装置を用いた描画方法にも
同様に適用でき、又、被描画材料としてはウェハに限ら
ず、マスク等を対象としてもよい。The present invention can be similarly applied to a drawing method using an electron beam drawing apparatus, and the material to be drawn is not limited to a wafer and may be a mask or the like.
(発明の効果) 以上詳細に説明したように、本発明によれば、各チップ
毎の情報を書込んだ検索データを作成し、これら検索デ
ータを基に最適なブロック幅を有するブロックに被描画
材料上の領域を分け、各ブロック毎にブロックに応じて
ブロック内の各チップの描画順序を決定し、ブロック順
に且つこの描画順序に従ってビーム描画を行うことによ
り、ステージ移動量が少なくてすみ、従って、描画時間
が短縮できる荷電粒子ビーム描画装置の描画方法を実現
することができる。(Effects of the Invention) As described in detail above, according to the present invention, search data in which information for each chip is written is created, and drawing is performed on a block having an optimum block width based on these search data. By dividing the area on the material, determining the drawing order of each chip in the block according to each block, and performing beam drawing in the block order and according to this drawing order, the stage movement amount can be small, and therefore Thus, it is possible to realize the drawing method of the charged particle beam drawing apparatus that can reduce the drawing time.
第1図は本発明の一実施例を示すフローチャート、第2
図は検索データの説明図、第3図はチップ配列の状態を
示す図、第4図はブロック毎の分割状態を示す図、第5
図は本発明による描画順序を示す図、第6図は本発明を
実施するためのシステムの構成例を示す図、第7図は描
画ソフトの構成例を示す図、第8図は本発明による効果
の説明図、第9図は従来の描画順序を示す図である。 11……集束イオンビーム描画装置 12……描画ドライバ 13……ハードウェアインターフェイスFIG. 1 is a flow chart showing an embodiment of the present invention,
FIG. 4 is an explanatory diagram of search data, FIG. 3 is a diagram showing a state of chip arrangement, FIG. 4 is a diagram showing a division state of each block, and FIG.
FIG. 6 is a diagram showing a drawing sequence according to the present invention, FIG. 6 is a diagram showing a configuration example of a system for carrying out the present invention, FIG. 7 is a diagram showing a configuration example of drawing software, and FIG. 8 is a diagram showing the present invention. FIG. 9 is a diagram showing the effect, and FIG. 9 is a diagram showing a conventional drawing order. 11 …… Focused ion beam drawing device 12 …… Drawing driver 13 …… Hardware interface
Claims (1)
プ番号,位置座標,サイズ等を記録した検索データを作
成し、これら検索データを基に各チップのサイズを比較
してブロック幅を決定し、決定されたブロック幅によっ
て被描画材料を複数のブロックに分け、どのブロックに
帰属するかによって各チップを分類し、各ブロックに応
じて帰属するチップ間の描画順序を決定し、ブロック順
に且つ該描画順序に従ってビーム描画を行うようにした
ことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の描画方法。1. A search data in which a chip number, a position coordinate, a size, etc. of each chip are recorded for each chip on a drawing material, and the size of each chip is compared based on these search data to determine a block width. Determined, divide the drawing material into multiple blocks according to the determined block width, classify each chip according to which block it belongs to, determine the drawing order between the belonging chips according to each block, block order Further, the drawing method of the charged particle beam drawing apparatus is characterized in that the beam drawing is performed according to the drawing order.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7226786A JPH06101421B2 (en) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | Drawing method of charged particle beam drawing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7226786A JPH06101421B2 (en) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | Drawing method of charged particle beam drawing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62259439A JPS62259439A (en) | 1987-11-11 |
JPH06101421B2 true JPH06101421B2 (en) | 1994-12-12 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP7226786A Expired - Fee Related JPH06101421B2 (en) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | Drawing method of charged particle beam drawing apparatus |
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JP (1) | JPH06101421B2 (en) |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP7226786A patent/JPH06101421B2/en not_active Expired - Fee Related
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JPS62259439A (en) | 1987-11-11 |
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