JPS62199795A - 電子・電気機器用部品 - Google Patents
電子・電気機器用部品Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(目 的)
本発明は、金属板上にAu、Ag等の貴金属めっきを施
したリードフレームあるいは端子コネクター等の電子・
電気機器用部品に関するものである。
したリードフレームあるいは端子コネクター等の電子・
電気機器用部品に関するものである。
(従来技術)
Au、Ag等の貴金属は化学的及び物理的性質に優れて
いるので、各種の電子・電気部品に広く利用されている
が、非常に高価であるためできるだけめっき層を薄くす
ることが望まれている。一方、電子・電気部品としての
貴金属めっき材は数百度の熱を受ける場合があるが、こ
のような高温環境下における下地金属の酸化あるいは貴
金属表面層への下地金属の拡散等により半田付性、ボン
ディング性等が著しく劣化したり変色してしまうという
欠点があった。
いるので、各種の電子・電気部品に広く利用されている
が、非常に高価であるためできるだけめっき層を薄くす
ることが望まれている。一方、電子・電気部品としての
貴金属めっき材は数百度の熱を受ける場合があるが、こ
のような高温環境下における下地金属の酸化あるいは貴
金属表面層への下地金属の拡散等により半田付性、ボン
ディング性等が著しく劣化したり変色してしまうという
欠点があった。
このため上記のような高温環境下における品質の低下を
防ぐ目的のために、貴金属めっきを施す前の下地めっき
として、5n−Ni、5n−Go、Pd−Ni及びNi
等を施すことが試みられているが、これらの下地めっき
を施したものでも450℃の大気中に3分間保持すると
、貴金属めっき層が例えば、Au0.1μあるいはAg
0.5μ程度の薄いめっき厚では十分な半田付性及びボ
ンディング性を示す材料は得られておらず、上記特性を
満たすためには貴金属めっき層を数μ程度の厚いめっき
を施さなければならないという欠点があった。このよう
に従来の下地めっきをしたものでは貴金属を大量に消費
し、著しい経済的損失を受けていた。
防ぐ目的のために、貴金属めっきを施す前の下地めっき
として、5n−Ni、5n−Go、Pd−Ni及びNi
等を施すことが試みられているが、これらの下地めっき
を施したものでも450℃の大気中に3分間保持すると
、貴金属めっき層が例えば、Au0.1μあるいはAg
0.5μ程度の薄いめっき厚では十分な半田付性及びボ
ンディング性を示す材料は得られておらず、上記特性を
満たすためには貴金属めっき層を数μ程度の厚いめっき
を施さなければならないという欠点があった。このよう
に従来の下地めっきをしたものでは貴金属を大量に消費
し、著しい経済的損失を受けていた。
(構 成)
本発明はかかる現状に鑑み鋭意研究を行った結果酸され
たものであり、貴金属めっき層がA u O。
たものであり、貴金属めっき層がA u O。
1μあるいはAg0.5μ程度の薄いめっき厚において
、450℃の大気中に3分間保持した後でも十分な半田
付性及びボンディング性を示す貴金属めっき材を提供す
るものである。すなわち本発明は金属板上に、貴金属め
っきの下地としてコバルト−ニッケル合金ストライクめ
っき層と、さらにその上に貴金属めっき層を備えた電子
・電気機器用部品並びに金属板上に、貴金属めっきの下
地としてコバルト60wt%を超え、残部がニッケルか
らなるコバルト−ニッケル合金めっき層と、さらにその
上に金又は金合金めっき層を備えた前記電子・電気機器
用部品及び金属板上に、貴金属めっきの下地としてコバ
ルト2wt%以上、残部がニッケルからなるコバルl−
−ニッケル合金めっき層と、さらにその上に銀又は銀合
金めっき層を備えた前記電子・電気機器用部品に関する
ものである。
、450℃の大気中に3分間保持した後でも十分な半田
付性及びボンディング性を示す貴金属めっき材を提供す
るものである。すなわち本発明は金属板上に、貴金属め
っきの下地としてコバルト−ニッケル合金ストライクめ
っき層と、さらにその上に貴金属めっき層を備えた電子
・電気機器用部品並びに金属板上に、貴金属めっきの下
地としてコバルト60wt%を超え、残部がニッケルか
らなるコバルト−ニッケル合金めっき層と、さらにその
上に金又は金合金めっき層を備えた前記電子・電気機器
用部品及び金属板上に、貴金属めっきの下地としてコバ
ルト2wt%以上、残部がニッケルからなるコバルl−
−ニッケル合金めっき層と、さらにその上に銀又は銀合
金めっき層を備えた前記電子・電気機器用部品に関する
ものである。
(発明の詳細な説明)
本発明中のコバルト−ニッケル合金ストライクめっき液
には塩化ニッケル10 g / Q〜300g/Q、塩
化コバルト5g/Q〜300 g / Q及び塩酸30
g / Q 〜300 g / n、好ましくは50
g / Q〜200 g / Qの液組成のものを用い
る。
には塩化ニッケル10 g / Q〜300g/Q、塩
化コバルト5g/Q〜300 g / Q及び塩酸30
g / Q 〜300 g / n、好ましくは50
g / Q〜200 g / Qの液組成のものを用い
る。
以上のように塩化ニッケル及び塩化コバルトの濃度を5
g/f1以上としたのは、5g/Q未満では金属イオン
の濃度が低く緻密なめっき皮膜を得ることができないか
らであり、又、300 g / Q以下としたのは、3
00 g / Qを超えると析出物が粒状となる傾向が
認められると共に、液の粘性が増し、汲出し量が多くな
り不経済であるからである。塩酸の濃度を300 g
/ 11以上としたのは、300 g / Q未満では
活性化の効果が十分ではないからであり、又、300
g / Q以下としのは、300 g / Qを超えて
も性能の向上が認められないからである。更に必要に応
じて界面活性剤が添加されるが、陰イオン性の界面活性
剤としてはポリオキシエチレンアルコールエーテル、ポ
リオキシエチレンアルキルフェノールエーテル等が適当
であり、非イオン性の界面活性剤としてはポリエチレン
グリコールアルコールエーテル、ポリエチレングリコー
ルアルキルフェノール、ポリエチレングリコール脂肪酸
等が適当である。これらの界面活性剤は1種又は2種以
上組合せて使用することができるが、使用濃度は30
g / Q以下、好ましくは10 g / Q以下とす
る。又、めっき条件については浴温を5〜50°C1好
ましくは10〜40°C1電流密度を0.1〜2OA/
drr?、好ましくは1〜15A/drrfとし、攪拌
を行ってもよく又静止状態でも実施できる。陽極として
は好ましくはニッケル、コバルト及びコバルト−ニッケ
ル合金を用いるが、ステンレス等の不溶性の金属を使用
することができる。コバルト−ニッケル合金ストライク
めっき層の厚みは0.1μ未満が望ましく、好ましくは
500Å以下である。このように規定したのはコバルト
−ニッケル合金ストライクめっき層の厚みが0.1μ以
上では貴金属層の耐熱性(加熱後の半田付性及びボンデ
ィング性)が著しく劣化するからである。
g/f1以上としたのは、5g/Q未満では金属イオン
の濃度が低く緻密なめっき皮膜を得ることができないか
らであり、又、300 g / Q以下としたのは、3
00 g / Qを超えると析出物が粒状となる傾向が
認められると共に、液の粘性が増し、汲出し量が多くな
り不経済であるからである。塩酸の濃度を300 g
/ 11以上としたのは、300 g / Q未満では
活性化の効果が十分ではないからであり、又、300
g / Q以下としのは、300 g / Qを超えて
も性能の向上が認められないからである。更に必要に応
じて界面活性剤が添加されるが、陰イオン性の界面活性
剤としてはポリオキシエチレンアルコールエーテル、ポ
リオキシエチレンアルキルフェノールエーテル等が適当
であり、非イオン性の界面活性剤としてはポリエチレン
グリコールアルコールエーテル、ポリエチレングリコー
ルアルキルフェノール、ポリエチレングリコール脂肪酸
等が適当である。これらの界面活性剤は1種又は2種以
上組合せて使用することができるが、使用濃度は30
g / Q以下、好ましくは10 g / Q以下とす
る。又、めっき条件については浴温を5〜50°C1好
ましくは10〜40°C1電流密度を0.1〜2OA/
drr?、好ましくは1〜15A/drrfとし、攪拌
を行ってもよく又静止状態でも実施できる。陽極として
は好ましくはニッケル、コバルト及びコバルト−ニッケ
ル合金を用いるが、ステンレス等の不溶性の金属を使用
することができる。コバルト−ニッケル合金ストライク
めっき層の厚みは0.1μ未満が望ましく、好ましくは
500Å以下である。このように規定したのはコバルト
−ニッケル合金ストライクめっき層の厚みが0.1μ以
上では貴金属層の耐熱性(加熱後の半田付性及びボンデ
ィング性)が著しく劣化するからである。
母材の金属としてはFe、Fe合金、Cu、CU金合金
びセラミックのメタライズ材等が使用される。なお本発
明においては、本発明の下地めっきの前にさらに他の下
地めっきを施すことはもちろん可能であって、本発明は
これらを当然包含するものである。
びセラミックのメタライズ材等が使用される。なお本発
明においては、本発明の下地めっきの前にさらに他の下
地めっきを施すことはもちろん可能であって、本発明は
これらを当然包含するものである。
以下、本発明を実施例に基づき説明する。
(実施例)
ステンレス(SUS430.0.11+nmt)及びり
ん青銅(0,20nwnt)を公知の方法で脱脂、酸洗
処理を施した後、以下の工程に基づいて貴金属めっきを
施した。めっきした後、450℃の大気中で加熱処理(
0,60,180秒)を施し、半田付性及びボンディン
グ性を評価した。
ん青銅(0,20nwnt)を公知の方法で脱脂、酸洗
処理を施した後、以下の工程に基づいて貴金属めっきを
施した。めっきした後、450℃の大気中で加熱処理(
0,60,180秒)を施し、半田付性及びボンディン
グ性を評価した。
(本発明例)
(1) ニッケルーコバルト合金ストライクめっき■
0.02μ(母材 ステンレス) →金めっき0.1μ →銀めっき0.5μ (2)ニッケルーコバルト合金ストライクめっき■0.
02μ(母材 りん青銅) →金めつき0.1μ →銀めっき0.5μ (比較例) (3)ニッケルストライクめっき0.02μ→ニツケル
ーコ(母材 ステンレス) バルト合金めっき0.1μ、0.5μ →金めっき0.
1μ→銀めっき0.5μ (4)ニッケルーすず合金めっき0.1μ、0.5μ(
母材 りん青銅) →金めっき0.1μ →銀めっき0.5μ (5)ニッケルストライクめっき0.02μ→パラジウ
ムニ(母材 ステンレス) ッケル合金めっき0.1μ、0.5μ →金めっき0.
1μ→銀めっき0.5μ →金めつき0.1μ →銀めっき0.5μ (7)ニッケルーコバルト合金ストライクめっき■0.
2μ(母材 ステンレス) →金めっき0.1μ →銀めっき0.5μ 評価結果を第1表に示す。又、めっき条件及び評価方法
については以下に示す。
0.02μ(母材 ステンレス) →金めっき0.1μ →銀めっき0.5μ (2)ニッケルーコバルト合金ストライクめっき■0.
02μ(母材 りん青銅) →金めつき0.1μ →銀めっき0.5μ (比較例) (3)ニッケルストライクめっき0.02μ→ニツケル
ーコ(母材 ステンレス) バルト合金めっき0.1μ、0.5μ →金めっき0.
1μ→銀めっき0.5μ (4)ニッケルーすず合金めっき0.1μ、0.5μ(
母材 りん青銅) →金めっき0.1μ →銀めっき0.5μ (5)ニッケルストライクめっき0.02μ→パラジウ
ムニ(母材 ステンレス) ッケル合金めっき0.1μ、0.5μ →金めっき0.
1μ→銀めっき0.5μ →金めつき0.1μ →銀めっき0.5μ (7)ニッケルーコバルト合金ストライクめっき■0.
2μ(母材 ステンレス) →金めっき0.1μ →銀めっき0.5μ 評価結果を第1表に示す。又、めっき条件及び評価方法
については以下に示す。
浴組成 塩化コバルト 100g/12塩化ニッ
ケル 150g/i2 塩 fI!100g、l! 温 度 20℃ 電流密度 5A/dm2 浴組成 塩化コバルト 50 g / Q塩化ニ
ッケル 200 g / Q塩 酸
150 g / Qポリオキシエチレンラウリル アルコールエーテル 2gIQ 温 度 20℃ 電流密度 LA/dm” 浴組成 硫酸ニッケル 13g/Q硫酸コバルト
115 、 / Aは う 酸
25 g / Q塩化カリ 15g/Q 温 度 40℃ 電流密度 LA/dm” ・ニッケルストライクめっき 浴組成 塩化ニッケル 250 g / Q塩
酸 100 g / Q温 度
20℃ 電流密度 5A/dm” ・ニッケルーすず合金下地めっき Ni33wt%、Sn67wt% 浴組成 塩化第1すず 50g/Q 塩化ニッケル 300 g / Q フッ化ナトリウム 28 g/ Q酸性フッ化アン
モニウム 35 g / Q 温 度 65°C 電流密度 0.5A/dm” 日進化成■製 PNP−80EL (商品名)温
度 30℃ 電流密度 1 、 OA/dm2 ・金めつき 国中貴金属製 テンペレックス701(商品名)温
度 50℃ ・銀めっき 国中貴金属製 5ILVLEX JS−1(商品名)温
度 20℃ サンプルを25%口ジンメタノール5秒浸漬後240±
5℃に保持された60/40 (Sn/Pb)半田浴中
に5秒浸漬し、ヌレ曲線を得た。得られたヌレ曲線より
T2(浮力が0になるまでの時間:短い程濡れ性良好)
をもとめ半田付性を評価した。又、外観状況もwi察し
た。(n = 5)・ボンディング性試験方法 サンプル上に25μφの金線をlnwnの間隔でボール
−ウェッジボンドを施し、その引っ張り強度によりボン
ディング性を評価した。(n = 20)以下余白 第1表に示すように本発明例では比較例に比べ半田付性
及びボンディング性に優れている。
ケル 150g/i2 塩 fI!100g、l! 温 度 20℃ 電流密度 5A/dm2 浴組成 塩化コバルト 50 g / Q塩化ニ
ッケル 200 g / Q塩 酸
150 g / Qポリオキシエチレンラウリル アルコールエーテル 2gIQ 温 度 20℃ 電流密度 LA/dm” 浴組成 硫酸ニッケル 13g/Q硫酸コバルト
115 、 / Aは う 酸
25 g / Q塩化カリ 15g/Q 温 度 40℃ 電流密度 LA/dm” ・ニッケルストライクめっき 浴組成 塩化ニッケル 250 g / Q塩
酸 100 g / Q温 度
20℃ 電流密度 5A/dm” ・ニッケルーすず合金下地めっき Ni33wt%、Sn67wt% 浴組成 塩化第1すず 50g/Q 塩化ニッケル 300 g / Q フッ化ナトリウム 28 g/ Q酸性フッ化アン
モニウム 35 g / Q 温 度 65°C 電流密度 0.5A/dm” 日進化成■製 PNP−80EL (商品名)温
度 30℃ 電流密度 1 、 OA/dm2 ・金めつき 国中貴金属製 テンペレックス701(商品名)温
度 50℃ ・銀めっき 国中貴金属製 5ILVLEX JS−1(商品名)温
度 20℃ サンプルを25%口ジンメタノール5秒浸漬後240±
5℃に保持された60/40 (Sn/Pb)半田浴中
に5秒浸漬し、ヌレ曲線を得た。得られたヌレ曲線より
T2(浮力が0になるまでの時間:短い程濡れ性良好)
をもとめ半田付性を評価した。又、外観状況もwi察し
た。(n = 5)・ボンディング性試験方法 サンプル上に25μφの金線をlnwnの間隔でボール
−ウェッジボンドを施し、その引っ張り強度によりボン
ディング性を評価した。(n = 20)以下余白 第1表に示すように本発明例では比較例に比べ半田付性
及びボンディング性に優れている。
特に半田付性においては180秒の加熱処理をした後で
も、比較例の加熱処理をしないものと同程度の性質を示
し、加熱処理後においても半田付性に著しく優れている
ことが分かる。
も、比較例の加熱処理をしないものと同程度の性質を示
し、加熱処理後においても半田付性に著しく優れている
ことが分かる。
(効 果)
このように本発明の電子・電気機器用部品及びその製造
方法は熱による劣化が少なく(耐熱性がすぐれ)又、貴
金属めっきの薄肉化が可能でありかつ製造コストが安い
工業上価れた効果を奏するものである。
方法は熱による劣化が少なく(耐熱性がすぐれ)又、貴
金属めっきの薄肉化が可能でありかつ製造コストが安い
工業上価れた効果を奏するものである。
Claims (3)
- (1)金属板上に、貴金属めっきの下地としてコバルト
−ニッケル合金ストライクめっき層と、さらにその上に
貴金属めっき層を備えた電子・電気機器用部品。 - (2)金属板上に、貴金属めっきの下地としてコバルト
60wt%を超え、残部がニッケルからなるコバルト−
ニッケル合金めっき層と、さらにその上に金又は金合金
めっき層を備えた特許請求範囲の第1項に記載された電
子・電気機器用部品。 - (3)金属板上に、貴金属めっきの下地としてコバルト
2wt%以上、残部がニッケルからなるコバルト−ニッ
ケル合金めっき層と、さらにその上に銀又は銀合金めっ
き層を備えた特許請求範囲の第1項に記載された電子・
電気機器用部品。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4029986A JPS62199795A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 電子・電気機器用部品 |
US07/016,942 US4767508A (en) | 1986-02-27 | 1987-02-20 | Strike plating solution useful in applying primer plating to electronic parts |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4029986A JPS62199795A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 電子・電気機器用部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62199795A true JPS62199795A (ja) | 1987-09-03 |
Family
ID=12576732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4029986A Pending JPS62199795A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 電子・電気機器用部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62199795A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04115558A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
US7632112B2 (en) | 2004-12-03 | 2009-12-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrical contact component, coaxial connector, and electrical circuit device including the same |
JP2014051685A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-20 | Nistec:Kk | 金属部品 |
WO2014196291A1 (ja) * | 2013-06-07 | 2014-12-11 | 株式会社Jcu | 貴金属被覆部材およびその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5739189A (en) * | 1980-08-19 | 1982-03-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Stainless steel plated with noble metal |
JPS6013078A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-23 | Nippon Steel Corp | 2層クロメ−ト処理鋼板 |
-
1986
- 1986-02-27 JP JP4029986A patent/JPS62199795A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS6013078A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-23 | Nippon Steel Corp | 2層クロメ−ト処理鋼板 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2014196291A1 (ja) * | 2013-06-07 | 2014-12-11 | 株式会社Jcu | 貴金属被覆部材およびその製造方法 |
JPWO2014196291A1 (ja) * | 2013-06-07 | 2017-02-23 | 株式会社Jcu | 貴金属被覆部材およびその製造方法 |
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