JPS6173785A - エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子Info
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Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電気化学的発消色現象すなわちエレクトロクロ
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に関す
るもので、特に導電体膜より成る第1電極と、酸化発色
層であるエレクトロクロミック層と、誘電体膜からなる
絶縁層と、導電体膜よりなる第2電極を順次積層し、或
いは上記の絶縁層と第2電極の間にさらに還元発色層で
・ある第2のエレクトロクロミック層を積層してなる全
固体薄膜積層型エレクトロクロミック素子に関するもの
である。
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に関す
るもので、特に導電体膜より成る第1電極と、酸化発色
層であるエレクトロクロミック層と、誘電体膜からなる
絶縁層と、導電体膜よりなる第2電極を順次積層し、或
いは上記の絶縁層と第2電極の間にさらに還元発色層で
・ある第2のエレクトロクロミック層を積層してなる全
固体薄膜積層型エレクトロクロミック素子に関するもの
である。
このようなエレクトロクロミック現象を利用する電気化
学的発消色素子すなわちエレクトロクロミック素子は、
例えば、数字表示素子、x−yマトリクスy’4スゾレ
イ、光学シャッタ、絞シ機構等に応用できるもので、そ
の材料で分類すると液体型と固体型に分けられるが、本
発明は特に全肯体型のエレクトロクロミック素子に関す
るものである。
学的発消色素子すなわちエレクトロクロミック素子は、
例えば、数字表示素子、x−yマトリクスy’4スゾレ
イ、光学シャッタ、絞シ機構等に応用できるもので、そ
の材料で分類すると液体型と固体型に分けられるが、本
発明は特に全肯体型のエレクトロクロミック素子に関す
るものである。
エレクトロクロミック現象を利用した全固体薄膜積層型
エレクトロクロミック素子の2つの構造例を第2図およ
び第3図に示す。これらの図は全固体型エレクトロクロ
ミック素子の一般的な構造を示すものである。
エレクトロクロミック素子の2つの構造例を第2図およ
び第3図に示す。これらの図は全固体型エレクトロクロ
ミック素子の一般的な構造を示すものである。
第2図に示すエレクトロクロミック素子は、透明な基板
1の上に、透明導電体膜よりなる第1電極2、酸化発色
層であるエレクトロクロミック層3、誘電体膜からなる
絶縁層4、導電体膜より成る第2篭極5を順次積層して
なるものである。また、第3図に示すエレクトロクロミ
ック素子は、第2図に示す構造における絶縁層4と第2
電極5との間に1さらに、還元発色層である第2のエレ
クトロクロミック/1m 6を積層したものである。
1の上に、透明導電体膜よりなる第1電極2、酸化発色
層であるエレクトロクロミック層3、誘電体膜からなる
絶縁層4、導電体膜より成る第2篭極5を順次積層して
なるものである。また、第3図に示すエレクトロクロミ
ック素子は、第2図に示す構造における絶縁層4と第2
電極5との間に1さらに、還元発色層である第2のエレ
クトロクロミック/1m 6を積層したものである。
上記の構造において、基板1は一般的にガラス板によっ
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の無色透明な板ならばよく、ま
た、その位置に関しても、第1電極2の下ではなく、第
2を極5の上にあってもよいし、目的に応じて(例えば
、保護カバーとするなどの目的で)両側に設けてもよい
。ただし、これらの場合に応じて、第2電極5を透明導
電膜にしたり、両側の電極とも透明導電膜にする必要が
ある。両方の電極を透明電極とすれば、透明型の素子が
できる。絶縁層4は誘電体のみではなく、固体電解質等
のようなものでもよい。透明導電膜としては、一般に、
ITO膜(酸化インジウムIn2O,中に酸化錫S n
o 2をドープしたもの)やネサ膜等が用いられる。酸
化発色層であるエレクトロクロミック層3は、従来、三
酸化クロム(Cr20.)、水酸化イリジウム(Ir(
OH)2) 、水酸化ニッケル(Ns (OH)2)等
によって形成されている。誘電体からなる絶縁層4は、
二酸化ジルコン(ZrO□)、五酸化タンタル(Ta2
05)、酸化ケイ素(Sin、8102)等に代表され
る酸化物、あるいはフッ化リチウム(LiF) 、フッ
化マグネシウム(MgF2)等に代表されるフッ化物を
用いて形成する。また、還元発色層であるエレクトロク
ロミック層6は、酸化タングステン(WO2,WO6)
、酸化モリブデン(MoO□1Mo Os )、五酸化
バナジウム(v205)等を用いて形成する。
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の無色透明な板ならばよく、ま
た、その位置に関しても、第1電極2の下ではなく、第
2を極5の上にあってもよいし、目的に応じて(例えば
、保護カバーとするなどの目的で)両側に設けてもよい
。ただし、これらの場合に応じて、第2電極5を透明導
電膜にしたり、両側の電極とも透明導電膜にする必要が
ある。両方の電極を透明電極とすれば、透明型の素子が
できる。絶縁層4は誘電体のみではなく、固体電解質等
のようなものでもよい。透明導電膜としては、一般に、
ITO膜(酸化インジウムIn2O,中に酸化錫S n
o 2をドープしたもの)やネサ膜等が用いられる。酸
化発色層であるエレクトロクロミック層3は、従来、三
酸化クロム(Cr20.)、水酸化イリジウム(Ir(
OH)2) 、水酸化ニッケル(Ns (OH)2)等
によって形成されている。誘電体からなる絶縁層4は、
二酸化ジルコン(ZrO□)、五酸化タンタル(Ta2
05)、酸化ケイ素(Sin、8102)等に代表され
る酸化物、あるいはフッ化リチウム(LiF) 、フッ
化マグネシウム(MgF2)等に代表されるフッ化物を
用いて形成する。また、還元発色層であるエレクトロク
ロミック層6は、酸化タングステン(WO2,WO6)
、酸化モリブデン(MoO□1Mo Os )、五酸化
バナジウム(v205)等を用いて形成する。
このような構造をもつ全固体薄膜積層型エレクトロクロ
ミック素子は、第1電極2と第2電極50間に電圧を印
加することにより電気化学的反応が起き、着色、消色を
する。この着色機構は、例えば、エレクトロクロミック
層6へのカチオンと電子のダブルインノエクションによ
るブロンズ形成にあると一般的に言われている。例えば
、エレクトロクロミック物質として、WO3を用いる場
合には、次の(1)式で表わされる酸化還元反応が起き
着色する。
ミック素子は、第1電極2と第2電極50間に電圧を印
加することにより電気化学的反応が起き、着色、消色を
する。この着色機構は、例えば、エレクトロクロミック
層6へのカチオンと電子のダブルインノエクションによ
るブロンズ形成にあると一般的に言われている。例えば
、エレクトロクロミック物質として、WO3を用いる場
合には、次の(1)式で表わされる酸化還元反応が起き
着色する。
WO+xH” + x@−dHxWo (1)(
1)式に従って、タングステンブロンズHxW03が形
成され着色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消色状
態となる。(1)式のこの様な反応は、全固体型エレク
)pクロミック素子においては、素子内部の絶縁層によ
ってプロトンH+が供給され着色する。
1)式に従って、タングステンブロンズHxW03が形
成され着色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消色状
態となる。(1)式のこの様な反応は、全固体型エレク
)pクロミック素子においては、素子内部の絶縁層によ
ってプロトンH+が供給され着色する。
上述のエレクトロクロミック素子においては、従来、酸
化発色層であるエレクトロクロミック層3は、水酸化イ
リジウム(I r (0H)2 )等の水酸化物を反応
性スパッタ或いは陽極酸化膜法によって形成している。
化発色層であるエレクトロクロミック層3は、水酸化イ
リジウム(I r (0H)2 )等の水酸化物を反応
性スパッタ或いは陽極酸化膜法によって形成している。
上述のように、このような全固体薄膜積層型のエレクト
ロクロミック素子においては、第1および第2の電極と
も透明電極とする場合には、いずれもITO膜(In2
0595 w−t %と5n025wt%よシ成るもの
)またはネサ膜(8no 2 )といった、電子を主電
荷輸送担体とする電極が用いられていた。しかし、この
ような電極を用いると、酸化発色層側への正孔の注入が
充分に行われず、電荷注入の効率が低下する。
ロクロミック素子においては、第1および第2の電極と
も透明電極とする場合には、いずれもITO膜(In2
0595 w−t %と5n025wt%よシ成るもの
)またはネサ膜(8no 2 )といった、電子を主電
荷輸送担体とする電極が用いられていた。しかし、この
ような電極を用いると、酸化発色層側への正孔の注入が
充分に行われず、電荷注入の効率が低下する。
本発明の目的は、上記酸化発色層側電極を主たる電荷輸
送担体が正孔である電極とすることにより、メモリー、
表示品位、応答速度、寿命等EC特性を改善し、さらに
消費電力を低減せしめることのできるエレクトロクロミ
ック素子を提供することである。
送担体が正孔である電極とすることにより、メモリー、
表示品位、応答速度、寿命等EC特性を改善し、さらに
消費電力を低減せしめることのできるエレクトロクロミ
ック素子を提供することである。
本発明によるエレクトロクロミック素子は、導電体膜よ
構成る第1電極と、酸化発色層であるエレクトロクロミ
ック層と、誘電体膜からなる絶縁層と、導電体膜よりな
る第2電極をII重積層し、或いは上記の絶縁層と第2
vt極の間にさらに還元発色層である第2のエレクトロ
クロミック層を積層してなる全固体薄膜積層型エレクト
ロクロミック素子において、酸化発色層側の第1電極を
、正孔を主たる電荷輸送担体とする透明電極としたこと
を特徴とするものである。
構成る第1電極と、酸化発色層であるエレクトロクロミ
ック層と、誘電体膜からなる絶縁層と、導電体膜よりな
る第2電極をII重積層し、或いは上記の絶縁層と第2
vt極の間にさらに還元発色層である第2のエレクトロ
クロミック層を積層してなる全固体薄膜積層型エレクト
ロクロミック素子において、酸化発色層側の第1電極を
、正孔を主たる電荷輸送担体とする透明電極としたこと
を特徴とするものである。
上記の正孔を王たる電荷輸送担体とする電極は、例えば
酸化イリジウム薄膜によって構成される。
酸化イリジウム薄膜によって構成される。
第1図は本発明によるエレクトロクロミック素子の構成
の一例を示す図である。図中、11は基板、12は第1
の透明電極、13は酸化発色層であるエレクトロクロミ
ック層、14は中間層、15は還元発色層でおるエレク
トロクロミ、り層、16は第2の透明電極である。この
エレクトロクロミック素子においては、酸化発色層側の
第1の透明電極11は、正孔を主たる電荷輸送担体とす
るもので、また、還元発色層側の第2の透明電極16は
電子を主たる電荷輸送担体とするものである。
の一例を示す図である。図中、11は基板、12は第1
の透明電極、13は酸化発色層であるエレクトロクロミ
ック層、14は中間層、15は還元発色層でおるエレク
トロクロミ、り層、16は第2の透明電極である。この
エレクトロクロミック素子においては、酸化発色層側の
第1の透明電極11は、正孔を主たる電荷輸送担体とす
るもので、また、還元発色層側の第2の透明電極16は
電子を主たる電荷輸送担体とするものである。
(実施例1)
第1の透明電極12をIrO2、エレクトロクロミック
層13をI r (0H)2、中間層14をTa205
、エレクトロクロミック層15をWO3、第2の透明電
極16をITOとして全固体薄膜積層型エレクトロクロ
ミック素子を作製した。このエレクトロクロミック素子
においては、Δ0D=0.3になる時間が150m5e
c(従来は800m5IICであった)、注入1[M量
が2 m C/cd (従来は8mC/−であった〕で
あった。
層13をI r (0H)2、中間層14をTa205
、エレクトロクロミック層15をWO3、第2の透明電
極16をITOとして全固体薄膜積層型エレクトロクロ
ミック素子を作製した。このエレクトロクロミック素子
においては、Δ0D=0.3になる時間が150m5e
c(従来は800m5IICであった)、注入1[M量
が2 m C/cd (従来は8mC/−であった〕で
あった。
(実施例2)
第1の透明電極12をIr(OH)s 、エレクトロク
ロミ、り層13をN1(OH)2、中間層をZrO2、
エレクトロクロミック層15をWO6、第2の透明電極
16をITOとして、全固体薄膜積層型エレクトロクロ
ミ、り素子を作製したところ実施例(1)同様、応答速
度の向上が認められた。
ロミ、り層13をN1(OH)2、中間層をZrO2、
エレクトロクロミック層15をWO6、第2の透明電極
16をITOとして、全固体薄膜積層型エレクトロクロ
ミ、り素子を作製したところ実施例(1)同様、応答速
度の向上が認められた。
〔発明の効果〕′
以上説明したように、本発明は、酸化発色層側の電極に
主たる電荷輸送担体が正孔である透明電極を用いること
によって、応答速度を改善し、さらに消費電力を低減す
ることができた。
主たる電荷輸送担体が正孔である透明電極を用いること
によって、応答速度を改善し、さらに消費電力を低減す
ることができた。
第1図は本発明によるエレクトロクロミック素子の一実
施例を示す断面図、第2図および83図は従来の全固体
薄膜積層型エレクトロクロミック素子の構成の2例を示
す断面図である。 1・・・基板、 2・・・第1電極、3・・
・エレクトロクロミック層、 4・・・絶縁層、 5・・・第2電極、6・
・・エレクトロクロミック層、 11・・・基板、 12・・・第1の透明電
極、13・・・エレクトロクロミック層(酸化発色層)
、14・・・中間層、 15・・・エレクトロクロミック層(M元発色層)、1
6・・・第2電極。 第1図 第2図 第3図
施例を示す断面図、第2図および83図は従来の全固体
薄膜積層型エレクトロクロミック素子の構成の2例を示
す断面図である。 1・・・基板、 2・・・第1電極、3・・
・エレクトロクロミック層、 4・・・絶縁層、 5・・・第2電極、6・
・・エレクトロクロミック層、 11・・・基板、 12・・・第1の透明電
極、13・・・エレクトロクロミック層(酸化発色層)
、14・・・中間層、 15・・・エレクトロクロミック層(M元発色層)、1
6・・・第2電極。 第1図 第2図 第3図
Claims (3)
- (1)導電体膜より成る第1電極と、酸化発色層である
エレクトロクロミック層と、誘電体膜からなる絶縁層と
、導電体膜よりなる第2電極を順次積層し、或いは上記
の絶縁層と第2電極の間にさらに還元発色層である第2
のエレクトロクロミック層を積層してなる全固体薄膜積
層型エレクトロクロミック素子において、酸化発色層側
の第1電極を、正孔を主たる電荷輸送担体とする透明電
極としたことを特徴とするエレクトロクロミック素子。 - (2)上記の正孔を主たる電荷輸送担体とする電極が酸
化イリジウム薄膜であることを特徴とする特許請求の範
囲第(1)項記載のエレクトロクロミック素子。 - (3)還元発色層側の第2電極を、電子を主たる電荷輸
送担体とする透明電極とした特許請求の範囲第(1)項
記載のエレクトロクロミック素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59196432A JPS6173785A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | エレクトロクロミツク素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59196432A JPS6173785A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | エレクトロクロミツク素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6173785A true JPS6173785A (ja) | 1986-04-15 |
Family
ID=16357732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59196432A Pending JPS6173785A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6173785A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4940689A (en) * | 1987-06-06 | 1990-07-10 | Sony Corporation | Display material |
CN110764331A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-02-07 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种超快响应、防过充电致变色器件及其制备方法 |
-
1984
- 1984-09-19 JP JP59196432A patent/JPS6173785A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4940689A (en) * | 1987-06-06 | 1990-07-10 | Sony Corporation | Display material |
CN110764331A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-02-07 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种超快响应、防过充电致变色器件及其制备方法 |
CN110764331B (zh) * | 2019-10-16 | 2021-02-12 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种超快响应、防过充电致变色器件及其制备方法 |
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