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JPS6158474B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6158474B2
JPS6158474B2 JP1323284A JP1323284A JPS6158474B2 JP S6158474 B2 JPS6158474 B2 JP S6158474B2 JP 1323284 A JP1323284 A JP 1323284A JP 1323284 A JP1323284 A JP 1323284A JP S6158474 B2 JPS6158474 B2 JP S6158474B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formula
weight
liquid crystal
pyridine
cyanophenyl
Prior art date
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Expired
Application number
JP1323284A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60163864A (ja
Inventor
Ioshifuofuna Paburyuchenko Ashia
Nowanofuna Sumirunowa Nataria
Iwanoitsuchi Kofushefu Efugenii
Washirieuitsuchi Teitofu Bikutoru
Fuiyoodoroitsuchi Gurebenkin Mihairu
Washirieuitsuchi Iwas Arekusandoru
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
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Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to JP1323284A priority Critical patent/JPS60163864A/ja
Publication of JPS60163864A publication Critical patent/JPS60163864A/ja
Publication of JPS6158474B2 publication Critical patent/JPS6158474B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Pyridine Compounds (AREA)
  • Liquid Crystal Substances (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、複素環式化合物、より詳細には2・
5−二置換ピリジン、その製造方法、情報表示お
よび処理のシステム用の液晶材料
(mesomorphic material)ならびに電気光学装置
に関する。 2・5−二置換ピリジンは、有機合成中間体、
液晶、医薬組成物および他の多くの利用分野で有
用である。 液晶の最も重要な応用は、情報表示および処理
のための電気光学装置における作用体としての利
用である。この目的に使用される液晶物質には一
連のすべての必要条件が課せられ、その必要条件
の中で最も重要なものは動作温度範囲と誘電率で
ある。これらの性質は液晶材料成分の選択に際し
てまず最初に考慮されるべきである。 最もよく知られている液晶の電気光学装置はツ
イスト表示装置であり、それには正の誘電異方性
(Δε<0)をもつネマテイツク液晶材料が用い
られている。この性質は、分子の長軸方向に向い
た永久双極子モーメントをもつニトリル基含有成
分を液晶材料中に導入することによつて達成され
る。そのような化合物の例としては、次式()
のシアノビフエニル(英国特許第1452826号Cl、
C4X、1976年発行)および次式()のシアノフ
エニルシクロヘキサン(ソビエト特許第738516
号、Int.Cl3.C09K3134、1978年発行参照)を挙げ
ることができる。 式中、RはCo2o+1を、nは3〜8の整数を
表す。 最近知られた液晶化合物には、 一般式 (式中、R1およびR2はCo2o+1を、nは1〜6
を、表す) で示される4・4−ジアルキル−2・5−ジフエ
ニルピリジンがある(D.Demusら著、FElu¨ssige
Kristale in Tabellen、1974、“VEB Deutscher
Verlag fu¨r Grundstoffindustrie”出版社、ライ
プチヒ、p254参照)。 これらの化合物を、正の誘電異方性をもつ液晶
材料用に用いることは、これらの化合物の融点が
非常に高いこと(100℃から213℃)および誘電率
が小さいことから制限されている。 また、ニトリル基を含む多くの液晶性2・5−
二置換ピリジンも知られている(〜)。 (式中、R=Co2o+1、n=6〜9) (式中、R=Co2o+1、n=4〜8) (式中、R=Co2o+1、n=4〜8) (式中、R=Co2o+1、n=1〜9) 式()〜()の化合物の相転移温度は、液
晶材料の成分に課せられる必要条件を充分に満足
させるものではない。かくして式()(n=
6)の化合物は、低い透明点(26℃)で融点が比
較的高い(52℃)(A.I.Pavljuchenko、E.I.
Kovshev、V.V.Titov著、“Khimija
geterocyklicheskikh soedineny”(「複素環化合
物の化学」ロシア雑誌」Zinatne出版社、リガ
1981、No.1、pp.85〜88参照)。式()および
()の化合物もまた融点が高く(58℃から97
℃)、式()の化合物のなかでは互変性液晶は
全く見い出されておらず、一方化合物()の透
明点は80〜90℃の範囲内である(A.I.
Pavljuchenko、V.V.Titov、N.I.Smirnova、V.T.
Grachev著、「複素環化合物の化学」雑誌、
“Zinatne”出版社、リガ、1980、No.7、pp.888−
891参照)。 式()〜()の化合物の誘電率は、あまり
高くはない。 式()の化合物は単に液晶性と述べられてい
るが、その性質またはその製造方法についてはこ
れまで文献に開示されていない(V.T.Grachev
B.E.Zaitsev、E.M.Itskovich、A.I.
Pavljuchenko、V.V.Titov、K.M.Djumaev著、
「Molecular Crystals and Liquid Crystals」、
1981、vol.65、No.1/2、pp.133〜142参照)。 式()のシアノビフエニル誘導体および式
()のシアノフエニルシクロヘキサン誘導体は
ネマテイツク液晶材料用に使用されるものであ
る。例えば、50モル%の4−ペンチル−4′−シア
ノビフエニル、25モル%の4−ヘプチル−4′−シ
アノビフエニル、16モル%の4−オクチルオキシ
−4′−シアノビフエニル、および9モル%の4−
ペンチル−4′−シアノテレフエニルよりなる液晶
材料が知られており、これは次の性質を有する。
Δε=14、液晶温度範囲(range of existence
of mesophase)−9〜+60℃、ツイスト効果のス
レシホールド電圧(Uthr.)=1.5V、飽和電圧
(Usat.)=1.96V。この混合物は表示装置の製造に
非常に有用であることが見い出され、商品名E7
(英国のBDH Co.より入手可能)として知られて
いる。式()のシアノフエニルシクロヘキサン
を主体とする混合物は、またΔε値が小さく、し
たがつてスレシホールド電圧および制御電圧が比
較的高い。 本発明の目的は、正の誘電異方性を有し、液晶
材料の成分としての効果的な使用に適した2・5
−二置換ピリジンを提供することである。 本発明の別の目的は、簡単でかつ高い材料費を
必要とせず、しかも容易に商業的規模で実施し得
る2・5−二置換ピリジンの製造方法を提供する
ことである。 本発明のもう一つの目的は、広い動作温度範囲
を有し、スレシホールド電圧および制御電圧が小
さな正の誘電異方性をもつ液晶材料を提供するこ
とである。 本発明のさらに別の目的は、静的制御条件下で
もマルチプレツクス制御条件下でも有効に使用し
得る、白黒またはカラー情報表示のための電気光
学装置を提供することである。 これらの目的は、本発明による次の一般式 (式中、RはCo2o+1、Co2o+1O、nは4〜8
の整数を表す) をもつ新規な2・5−二置換ピリジンを提供する
ことによつて達成される。 通常の条件下のこれらの式()の化合物は、
保存の際および電気光学装置における作動状態下
で、安定な無色の結晶からなつている。これらの
化合物の融点および透明点、ならびにそれらの誘
電率は、その化合物を液晶材料の成分として使用
するのに非常に好都合である。 本発明によれば、式()の2・5−二置換ピ
リジンは、式()のピリリウム塩を有機媒体中
で次の式に従つて酢酸アンモニウムと反応させる
ことによつて製造される。 式中、RはCo2o+1またはCo2o+1Oを、n
は4〜8を表す。 ピリリウム塩()は、次の式に従つて置換フ
エニル酢酸および4−シアノアセトフエノンから
製造できる。 式中、RはCo2o+1またはCo2o+1Oを、n
は4〜8を表す。 上記の式からわかるように、式()の化合物
は、比較的安価で容易に入手できる原料に基づい
て製造され、またその方法は複雑な処理設備を必
要としないわずかな工程よりなり、容易に商業的
規模で実施することができる。 また本発明は、少なくとも一般式() (式中、R=Co2o+1、Co2o+1O、n=4〜8
を表す) で示される2・5−二置換ピリジンを含む液晶材
料に関する。 本発明によれば、この材料は、有機誘電体をさ
らに含めることができ、また情報のカラー表示の
目的で二色性色素を加えることもできる。 液晶材料にはすでに文献で知られている式
()の2・5−二置換ピリジンが含まれる(V.
T.Grachev、B.E.Zaitsev、E.M.Itskovich A.I.
Pavljuchenko、V.V.Titov、K.M.Djumaev著、
「Malecular Crystals and Liquid Crystals」
1981、vol.65、No.1/2、pp.133〜142参照)。しか
しながら、かかる化合物の性質も、製造方法も今
まで開示されてはいない。これらの化合物は、次
の式に従つて、対応するピリリウム塩から製造す
ることができる。 式中、RはCo2o+1を、nは1〜9を表す。 両方の場合において、合成の主要な段階はピリ
リウム塩から2・5−二置換ピリジン誘導体への
変換である。式()のブロム誘導体は、通常の
方法、即ちシアン化銅と処理することによつて所
望の式()の生成物に変換される。 化合物()の相転移点および誘電率は、この
化合物を液晶材料の成分として使用するのにかな
り好都合である。 本発明は、広い動作温度範囲と大きな値の正の
誘電異方性とを有し、静的制御条件下でも動的制
御条件下でも有効に作動する電気光学装置を製造
することのできる液晶材料の生産を可能にするも
のである。 また本発明は、内側に透明電極を備えた2個の
非電誘性の光学的透明板の間に介置された、一般
式()および(または)一般式()の2・5
−二置換ピリジンの少なくとも一種よりなる液晶
作用体を含む電気光学装置に関する。透明板の外
側には偏光板を設けることができる。 本発明におけるこの電気光学装置を、その原理
図を表した添付図面によつて説明する。装置は、
互いに対向して位置している2個のガラス板また
は他の非電導透明板2の間に介置された作用体
(液晶材料層)からなる。板2の内面には透明電
極3が固定され、この透明電極3には電源(図示
せず)接続用の導線4が設けられている。 二色性染料を含む液晶材料を用いる場合には、
装置は偏光板なしで使用でき、あるいは一方の板
2の外側に、一個の偏光板5を設けて使用するこ
とができる。ツイスト表示装置の条件下で作動さ
せる場合には、装置は、両方の板2の外面に2個
の偏光板5を設けるべきである。 本発明による装置において、最初の状態(電界
の印加前)での液晶材料分子を透明板と平行に配
向させる。その結果、ツイスト結果装置の一方の
板での配向方向は他の板での配向方向に対して90
゜の角度をなす。 電界を印加すると、液晶分子は再び配向して、
その長軸が板と直角になる。これは視覚的にはセ
ルの色変化(二色性染料を含む液晶材料を用いた
場合)または黒変(ツイスト状態下)として現わ
れる。 本発明は次の例1〜43でさらに説明するが、こ
こで例1〜9は式()の化合物の製造方法およ
びその性質を示し、例10〜16は式()の化合物
の製造方法とその性質を示し、また例17〜43は、
ツイスト表示装置用の液晶材料の製造方法および
その性質(例17〜40)および二色性染料を含む液
晶材料の製造方法およびその性質(例41〜43)を
示す。 例 1 この例および以下の例2〜9は式()の化合
物の製造を説明する。 5−(4−ブチルフエニル)−2−(4−シアノ
フエニル)−ピリジンの製造 無水ジメチルホルムアミド0.5モルに、オキシ
塩化燐0.3モルを0℃で滴下し、次いで4−ブチ
ルフエニル酢酸0.1モルを−10℃の温度で少しず
つ加える。混合物を20℃で1時間、60℃で2時間
および80℃で5時間撹拌する。ジメチルホルムア
ミドを真空で留去して残留物を冷却し、飽和水溶
液の形の水20mlおよび過塩素酸マグネシウム0.1
モルとこの残留物を−10℃の温度で混合する。沈
殿する塩を別し、エーテルで洗浄して、融点が
102℃の塩21.5gを得る。 このようにして製造した塩6.5gの無水ピリジ
ン10ml溶液に4−シアノアセトフエノン0.0182モ
ルを加え、次いでナトリウムメチレートの2.5M
溶液を20℃の温度でゆつくりと滴下して加える。
20℃で24時間撹拌を続け、ピリジンを留去して、
残留物を水で処理してベンゼンで抽出する。ベン
ゼンで留去し、残留物をメタノールから再結晶
し、メタノール30mlに溶かす。得られた溶液を
2N塩酸5mlに加え、30分間撹拌し、残留物をろ
別してメタノールで洗い、酢酸10mlに溶解させた
後、70%の過塩素酸5mlをゆつくりと滴下して加
える。混合物をジエチルエーテルで希釈し、残留
物をろ別後、酢酸30mlおよび酢酸アンモニウム8
gの混合物中に溶解する。混合物を2時間撹拌
し、冷却後、水中に注ぎ込み、残留物をろ別して
メタノールから再結晶し、融点が95℃、透明点が
233℃の5−(4−ブチルフエニル)−2−(4−シ
アノフエニル)−ピリジンを得る。誘電率(95℃
で測定):ε‖=23.6、ε⊥=6.3、Δε=+17.3 表1では、式()に相当する化合物であつて
上記の例1で述べたと同様の方法で得られた化合
物の性質を示す例2〜9を挙げる。
【表】 例 10 この例では式()の化合物の製造を説明す
る。 5−ブチル−2−(4−シアノフエニル)−ピリ
ジンの製造 N−(ヘキセニル−1)−ピペリジン10.2gとト
リエチルアミン8.34mlのジエチルエーテル溶液10
mlに、p−プロモフエニル−β−クロロビニルケ
トン14.7gのジエチルエーテル溶液20mlを撹拌し
ながら滴下し、12時間室温で放置する。反応混合
物を水で希釈し、エーテルを留去して残留物をろ
別し、水で2回洗浄後、水20mlと54%の過塩素酸
25mlの溶液と混合する。混合物を15分間還流下で
加熱する。形成される沈殿物を冷却後にろ別し、
エーテルで洗浄して酢酸150mlと酢酸アンモニウ
ム40gの溶液と混合する。混合物を4時間還流さ
せ、水300ml中に注ぎ込み、ベンゼンで抽出す
る。ベンゼン抽出液を水で洗浄し、硫酸ナトリウ
ムで乾燥後、ベンゼンを留去する。残留物をベン
ゼンから再結晶させて、融点が76℃の5−ブチル
−2−(4−ブロモフエニル)−ピリジンを得る。 5−ブチル−2−(4−ブロモフエニル)−ピリ
ジン6g、シアン化銅5.5gおよびN−メチルピ
リンドン20mlの混合物を2時間還流させ、冷却し
て25%のアンモニア水25mlと水100mlの混合物中
に注ぎ込み、ベンゼンで抽出液を水で洗浄して中
和反応させ、硫酸ナトリウムで乾燥後、活性度
のアルミナ床に通し、溶難はベンゼンで行う。ベ
ンゼンを留去し、残留物をヘキサンから再結晶し
て融点が31℃と、透明点が27.5℃の5−ブチル−
2−(4−シアノフエニル)−ピリジンを得る。 ε‖=29、ε⊥=15.5、Δε=+13.5。 例 11〜16 同様の方法で他の一般式()の化合物を得
る。それらの性質を以下の表2に示す。
【表】 例 17 液晶材料の製造 5−ブチル−2−(4−シアノフエニル)ピリ
ジン39.0モル%、5−ヘキシル−2−(4−シア
ノフエニル)−ピリジン40.5モル%および5−(4
−アミルフエニル)−2−(4−シアノフエニル)
ピリジン20.5モル%をガラスビーカーに装入し、
撹拌しながら90℃に加熱後、室温まで冷却する。
このようにして、次の性質を有し、すぐに使用で
きる液晶材料が得られる。液晶温度範囲−7〜+
78℃、Δε=+18.5、Uthr.=1.1V、Usat.=
1.5V、粘度=27cPs(25℃)。 例 18〜28 前記例17に前述したのと同様の方法で、式
()および式()の化合物を混ぜることによ
り、他の液晶材料が得られる。得られる液晶材料
は以下の表3に示す組成および性質を有する。
【表】
【表】
【表】 例 29〜35 これらの例は、有機誘電体を含む液晶材料の製
造と性質を説明する。 例18で記述したのと同様の方法で、()や
()の化合物に、有機誘導体一式()のシア
ノビフエニル誘導体および式()のシアノフエ
ニルシクロヘキサン誘導体を混合することによつ
て、表4に示す組成および性質を有する他の液晶
材料を製造する。
【表】
【表】 例 36 前記例18で記述したのと同様の方法で、4−ブ
チル安息香酸4−シアノフエニルエステル9.0重
量%、4−ヘキシル安息香酸4−シアノフエニル
エステル21.6重量%、4−ヘプチル安息香酸4−
シアノフエニルエステル16.5重量%、5−メチル
−2−(4−シアノフエニル)ピリジン5.0重量
%、5−エチル−2−(4−シアノフエニル)ピ
リジン7.2重量%、5−プロピル−2−(4−シア
ノフエニル)−ピリジン8.4重量%、5−ヘプチル
−2−(4−シアノフエニル)−ピリジン13.6重量
%、5−オクチル−2−(4−シアノフエニル)−
ピリジン、5−ノニル−2−(4−シアノフエニ
ル)−ピリジン3.8重量%および5−(4−ヘキシ
ルフエニル)−2−(4−シアノフエニル)−ピリ
ジン8.8重量%よりなる液晶材料が得られる。m.
p.=−12℃、透明点=+72℃、Uthr.=1.0V、
Usat.=1.5V。 例 37 例18の手順に従つて、5−プロピル−2−(4
−シアノフエニル)−ピリジン25.0重量%、5−
アミル−2−(4−シアノフエニル)−ピリジン
35.0重量%、4−トランス−ブチルシクロヘキサ
ンカルボン酸4−エチルオキシフエニルエステル
18.0重量%、4−トランス−ヘキシルシクロヘキ
サンカルボン酸4−エチルオキシフエニルエステ
ル12.0重量%、4−(4−トランスブチルシクロ
ヘキサンカルボニルオキシ)−4−シアノジフエ
ニル11.0重量%よりなる液晶材料が得られる。得
られる材料は次の性質を持つ。m.p.=−80℃、
透明点=+68℃、Uthr.=1.34V、Usat.=1.81V。 例 38 例18と同様の方法で、マルチプレツクス制御条
件下での使用に特に適する液晶材料が製造され
る。その材料は、トランス−4−n−ブチルシク
ロヘキサンカルボン酸30.0重量%、トランス−4
−n−ヘキシルシクロヘキサンカルボン酸30重量
%、2−クロロ−4−(4−n−ヘプチルベンゾ
イルオキシ)安息香酸4−シアノフエニルエステ
ル10重量%、5−プロピル−2−(4−シアノフ
エニル)−ピリジン10重量%および5−ヘキシル
−2−(4−シアノフエニル)−ピリジン10重量%
よりなる。このようにして製造された材料は、
m.p.=−9℃、透明点=+64℃、Uthr.=1.6V、
マルチプレツクス比1:6である。 例 39 例18と同様の方法で、マルチプレツクス制御条
件下での使用に特に適する液晶材料が得られる。
その材料は、トランス−4−ブチルシクロヘキサ
ンカルボン酸25.0重量%、トランス−4−ヘキシ
ルシクロヘキサンカルボン酸25.0重量%、4′−オ
クチル−4−シアノビフエニル15.8重量%、5−
エチル−2−(4−シアノフエニル)−ピリジン
9.7重量%、5−プロピル−2−(4−シアノフエ
ニル)−ピリジン15.0重量%、5−ヘキシル−2
−(4−シアノフエニル)−ピリジン9.5重量%よ
りなる。このようにして製造された材料は融点−
5℃、透明点+70℃、Uthr.=1.7V、マルチプレ
ツクス比1:5である。 例 40 前記例18に記述したのと同様の方法で、5−ブ
チル−2−(4−シアノフエニル)−ピリジン24.7
重量%、5−アミル−2−(4−シアノフエニ
ル)−ピリジン17.1重量%、5−ヘキシル−2−
(4−シアノフエニル)−ピリジン28.6重量%、5
−(4−ブチルフエニル)−2−(4−シアノフエ
ニル)−ピリジン17.4重量%、4−アミル−4′−
シアノビフエニル10重量%および正の二色性比10
を有する赤色二色性染料2.2重量%よりなる液晶
材料が得られる。このようにして製造された材料
はm.p.=−17℃、透明点=+72.5℃、Uthr.=
1.1V、Usat.=1.5Vである。これによつて、ツイ
スト表示装置で赤地に対する無色のシンボルを形
成することができる。 例 41 例18に記述したようにして、5−ブチル−2−
(4−シアノフエニル)−ピリジン25.0重量%、5
−アミル−2−(4−シアノフエニル)−ピリジン
17.3重量%、5−ヘキシル−2−(4−シアノフ
エニル)−ピリジン29.1重量%、5−(4−ブチル
フエニル)−2−(4−シアノフエニル)−ピリジ
ン17.4重量%、4−アミル−4′−シアノビフエニ
ル10.2重量%および黄金色染料1.0重量%よりな
る液晶材料が得られる。得られた材料はm.p.−
18℃、透明点72℃、Uthr.=1.1V、Usat.=1.5Vで
あり、ツイスト表示装置で、黄金色地に対する黒
色のシンボルを形成することができる。 例 42 例18に記述したのと同様の方法で、トランス−
4−プロピル−(4−シアノフエニル)−シクロヘ
キサン26.8重量%、トランス−4−アミル−(4
−シアノフエニル)シクロヘキサン18.0重量%、
5−アミル−2−(4−シアノフエニル)−ピリジ
ン12.7重量%、5−ヘキシル−2−(4−シアノ
フエニル)−ピリジン19.1重量%、5−(4−ヘプ
チルフエニル)−2−(4−シアノフエニル)−ピ
リジン11.4重量%および負の二色性を有する赤色
染料12.0重量%よりなる液晶材料が得られる。こ
のようにして製造された材料はm.p.−18℃、透
明点+63℃、Uthr.=1.5V、Usat.=2.0Vであり、
無色地に対するピンクのシンボルを形成すること
ができる。 例 43 例18に記述したのと同様の方法で、トランス−
4−プロピル−(4−シアノフエニル)−シクロヘ
キサン30.0重量%、4−アミル−(4−シアノフ
エニル)−シクロヘキサン20.2重量%、5−アミ
ル−2−(4−シアノフエニル)−ピリジン14.2重
量%、5−ヘキシル−2−(4−シアノフエニ
ル)−ピリジン21.4重量%、5−(4−オクチルフ
エニル)−2−(4−シアノフエニル)−ピリジン
12.7重量%、および430nmの吸収帯で正の二色性
を有し、540nmの吸収帯で負の二色性を有する
染料1.5重量%よりなる液晶材料が得られる。こ
のようにして製造された材料はm.p.−20℃、透
明点+66.5℃、Uthr.=1.4V、Usat.=1.9Vであ
り、黄色地に対するスミレ色のシンボルを形成す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
図面は電気光学装置の原理を説明するための断
面図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中のRはCo2o+1またはCo2o+1Oを、nは
    4〜8を表す) で示される2・5−二置換ピリジン。 2 一般式 (式中のRはCo2o+1またはCo2o+1Oを、nは
    4〜8を表す) で示されるピリリウム塩を、有機媒体中で酢酸ア
    ンモニウムと反応させることを特徴とする、 一般式 (式中のRはCo2o+1またはCo2o+1Oを、nは
    4〜8を表す) で示される2・5−二置換ピリジンの製造法。 3 少なくとも一般式 (式中のRはCo2o+1またはCo2o+1Oを、nは
    4〜8を表す) で示される2・5−二置換ピリジンを一種を含む
    液晶材料。 4 有機誘電体が99重量%まで存在する、特許請
    求の範囲第3項記載の液晶材料。 5 二色性染料を1.0〜12.0重量%含む、特許請
    求の範囲第3項または第4項記載の液晶材料。 6 光学的透明板2に介存する少なくとも一般式 (式中のRはCo2o+1またはCo2o+1Oを、nは
    4〜8を表す) で示される2・5−二置換ピリジンの液晶材料よ
    りなる液晶作用体1と、透明板2の内側に位置し
    かつ電源接続用導線4を有する透明電極3とから
    なることを特徴とする電気光学装置。
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