JPS6153784A - 光起電力素子の製造方法 - Google Patents
光起電力素子の製造方法Info
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- JPS6153784A JPS6153784A JP59175455A JP17545584A JPS6153784A JP S6153784 A JPS6153784 A JP S6153784A JP 59175455 A JP59175455 A JP 59175455A JP 17545584 A JP17545584 A JP 17545584A JP S6153784 A JPS6153784 A JP S6153784A
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- Japan
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- reaction chamber
- substrate
- amorphous
- layer
- thin film
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
- H10F71/107—Continuous treatment of the devices, e.g. roll-to roll processes or multi-chamber deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、岱板上に５′？なる性質の非晶質薄膜をそれ
ぞれ異なるプラズマ反応室内で成長さゼて積層する光起
電力ｍ子の製造方法に関する。
ぞれ異なるプラズマ反応室内で成長さゼて積層する光起
電力ｍ子の製造方法に関する。
ＪＬ晶ｒＪ’ｒ ｉ４Ｔ １１９を用いた発起電力素子
としては、非晶質ノリコンを用いた太陽電池がよく知ら
れている。第２図はそのような太陽電池の！？（造を示
し、ガラス仮Ｉの上に、例えばＩＴＯからなる適切ぶ電
膜２、非晶質シリコン府３、金届電へ４が順次積層され
ている。非晶質シリコン層３はｐ −−ｉ −ｎ接合を
有し、１明導電膜２に接して、ｉｍ常モノシランとジボ
ランの混合ガスのグロー放電分解により形成されるｐ暦
３１．金属１瓶４に接して通常モノシランとフォスフイ
ンの混合ガスのグロー放電分解により形成されるｎ１３
３およびこれらの間に無添加のモノシランのグロー放電
分解により形成される１層３２からなる。 このような′ｒｉ種専種型電型非晶π２９３７層同一プ
ラズマ反応室内で形成した場合には、前工程で形成され
る反応生成物が反応室壁等に付着したり、反応室内に前
工程の反応ガスが残留したりして反応室内雰囲気内に不
要の不純物の混入が起こり、でき上がった太陽電池の特
性を劣化させていた。そこで、異なる性質の非晶質シリ
コン層を形成するためにそれぞれ異なるプラズマ反応室
内を設け、一種類の非晶質シリコン層を形成した基板を
別のプラズマ反応室に移して妥なる種類の井晶質シリコ
ン磨を形成する方法が、例えば特開昭５６−１１４３８
７号公報により公知である。しかしこのような装置を用
いて実際に太陽電池の試作を重ねた結果、不要の不純物
の混入はある程度防止できるものの、まだ完全ではなく
、所期の特性を得ることができなかった。
としては、非晶質ノリコンを用いた太陽電池がよく知ら
れている。第２図はそのような太陽電池の！？（造を示
し、ガラス仮Ｉの上に、例えばＩＴＯからなる適切ぶ電
膜２、非晶質シリコン府３、金届電へ４が順次積層され
ている。非晶質シリコン層３はｐ −−ｉ −ｎ接合を
有し、１明導電膜２に接して、ｉｍ常モノシランとジボ
ランの混合ガスのグロー放電分解により形成されるｐ暦
３１．金属１瓶４に接して通常モノシランとフォスフイ
ンの混合ガスのグロー放電分解により形成されるｎ１３
３およびこれらの間に無添加のモノシランのグロー放電
分解により形成される１層３２からなる。 このような′ｒｉ種専種型電型非晶π２９３７層同一プ
ラズマ反応室内で形成した場合には、前工程で形成され
る反応生成物が反応室壁等に付着したり、反応室内に前
工程の反応ガスが残留したりして反応室内雰囲気内に不
要の不純物の混入が起こり、でき上がった太陽電池の特
性を劣化させていた。そこで、異なる性質の非晶質シリ
コン層を形成するためにそれぞれ異なるプラズマ反応室
内を設け、一種類の非晶質シリコン層を形成した基板を
別のプラズマ反応室に移して妥なる種類の井晶質シリコ
ン磨を形成する方法が、例えば特開昭５６−１１４３８
７号公報により公知である。しかしこのような装置を用
いて実際に太陽電池の試作を重ねた結果、不要の不純物
の混入はある程度防止できるものの、まだ完全ではなく
、所期の特性を得ることができなかった。
本発明は、このような欠点に鑑みて異なるプラズマ反応
室を用いて異なる性質の非晶質薄膜を形成する場合に前
工程で用いられた反応ガス中の不純物の次の工程で形成
される非晶ＴｔｍＷ’）に及ぼす影響をさらに少なくし
て、でき上がった発起電力素子の特性をより向上させる
ことのできる製造方法を提供することを目的とする。
室を用いて異なる性質の非晶質薄膜を形成する場合に前
工程で用いられた反応ガス中の不純物の次の工程で形成
される非晶ＴｔｍＷ’）に及ぼす影響をさらに少なくし
て、でき上がった発起電力素子の特性をより向上させる
ことのできる製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、従来の装置では異なる反応室内の基板の多動
をサセプタ上に基（反を支持して行うかあるいは異なる
反応室を通る共通のベルトコンベアを用いて行っていた
ため、不要不純物がサセプタあるいはベルトコンベアか
ら混入するとの認識に基づき、一つの反応室内で非晶質
薄膜が形成された基板をその反応室内に存在する移送手
段を用いて隣接反応室内に送り出し、隣接反応室内に存
在する移送手段により送り込まれた基板を所定の位置に
移動させて基板の前反応室で形成された非晶’Ｒ薄膜の
上に異なる性質の非晶質薄膜を形成することによりと記
の目的を達成するものである。
をサセプタ上に基（反を支持して行うかあるいは異なる
反応室を通る共通のベルトコンベアを用いて行っていた
ため、不要不純物がサセプタあるいはベルトコンベアか
ら混入するとの認識に基づき、一つの反応室内で非晶質
薄膜が形成された基板をその反応室内に存在する移送手
段を用いて隣接反応室内に送り出し、隣接反応室内に存
在する移送手段により送り込まれた基板を所定の位置に
移動させて基板の前反応室で形成された非晶’Ｒ薄膜の
上に異なる性質の非晶質薄膜を形成することによりと記
の目的を達成するものである。
【発明の実施例］
以下第１図を引用して本発明の実施例について説明する
。第１図はｐｍ反応室目およびｉｐ反応室１２のみを示
し、画室は仕切壁１３によって隔Ａｌｌ並設されている
。この仕切壁１３には基板の移送のための開口部１４が
設けられており、通常は図には示されていない仕切バル
ブにより閉しられている。 ｐＨ反応室１１，１層反応室１２には、図には示されて
いない上部電極と対向して下部型ｉ １５．１６がそれ
ぞれ配置されている。これらの上部、下部Ｔｉ、１５間
に高周波電界を印加することにより７５４Ｉｉ上に非晶
質シリコン膜を形成する。
ｊｐｌｉ反応室１１内で、モノンランとジボラン
のγ昆合ガスのグロー放電分解により、基板１０上にｐ
ｌＭを形成した後、十分に真空排気し、開口部１４を開
く、基板１０は、下部電極１５に設けられたローラおよ
び仕切ｒｉ１３に近接して設けられたローラコンヘア１
７をモータ等により回転駆動することにより開口部１４
を通して反応室２内に送り出される。同時に反応室２の
仕切壁１３に近接して設けられたローラコンベア１８お
よび下部１翫１６に設けられたローラを回転駆動して送
り込まれた基板１を下部電櫓１６の上に置き、開口部１
４を閉じる。ｉＷ４反応室１２内ではモノシランガスの
グロー放電分解により基板１０のｐ層の上にｉ乃が形成
される。 この様にｐＪ５７層反応室１１層反応室１２とは完全に
隔＾Ｕされ、しかもｐ府膜の付いた基板以外の物は移動
がない訳であるから、１１形成中にｐ形不純物（Ｂ原子
）で汚染されることはない。 以上述べた実施例では、非晶質シリコンのｐ−１接合に
係る工程を説明したが、本発明の主旨は、非晶ｒＩ薄膜
の複数の逗電型を順次形成する発起電力素子の製造工程
において、各反応室間で基板のみを移送することである
。これはまた同種専電型でも濃度の異なる複数の非晶′
！に薄膜の作成にも適用することが出来ろ。 【発明の効果】 本発明によれば、複数のプラズマ反応室内の基板の移動
を、各反応室内に存在する移送手段を用いて基板のみを
動かすことによって行うもので、サセプタあるいはベル
トコンベアが反応室間に移動することによって生ずるよ
うな不要不純物のγ凡人がほぼ完全に防止でき、太陽電
池その他の発起電力素子の特性の向上に対して穫めて有
効である。
。第１図はｐｍ反応室目およびｉｐ反応室１２のみを示
し、画室は仕切壁１３によって隔Ａｌｌ並設されている
。この仕切壁１３には基板の移送のための開口部１４が
設けられており、通常は図には示されていない仕切バル
ブにより閉しられている。 ｐＨ反応室１１，１層反応室１２には、図には示されて
いない上部電極と対向して下部型ｉ １５．１６がそれ
ぞれ配置されている。これらの上部、下部Ｔｉ、１５間
に高周波電界を印加することにより７５４Ｉｉ上に非晶
質シリコン膜を形成する。
ｊｐｌｉ反応室１１内で、モノンランとジボラン
のγ昆合ガスのグロー放電分解により、基板１０上にｐ
ｌＭを形成した後、十分に真空排気し、開口部１４を開
く、基板１０は、下部電極１５に設けられたローラおよ
び仕切ｒｉ１３に近接して設けられたローラコンヘア１
７をモータ等により回転駆動することにより開口部１４
を通して反応室２内に送り出される。同時に反応室２の
仕切壁１３に近接して設けられたローラコンベア１８お
よび下部１翫１６に設けられたローラを回転駆動して送
り込まれた基板１を下部電櫓１６の上に置き、開口部１
４を閉じる。ｉＷ４反応室１２内ではモノシランガスの
グロー放電分解により基板１０のｐ層の上にｉ乃が形成
される。 この様にｐＪ５７層反応室１１層反応室１２とは完全に
隔＾Ｕされ、しかもｐ府膜の付いた基板以外の物は移動
がない訳であるから、１１形成中にｐ形不純物（Ｂ原子
）で汚染されることはない。 以上述べた実施例では、非晶質シリコンのｐ−１接合に
係る工程を説明したが、本発明の主旨は、非晶ｒＩ薄膜
の複数の逗電型を順次形成する発起電力素子の製造工程
において、各反応室間で基板のみを移送することである
。これはまた同種専電型でも濃度の異なる複数の非晶′
！に薄膜の作成にも適用することが出来ろ。 【発明の効果】 本発明によれば、複数のプラズマ反応室内の基板の移動
を、各反応室内に存在する移送手段を用いて基板のみを
動かすことによって行うもので、サセプタあるいはベル
トコンベアが反応室間に移動することによって生ずるよ
うな不要不純物のγ凡人がほぼ完全に防止でき、太陽電
池その他の発起電力素子の特性の向上に対して穫めて有
効である。
第１図は本発明による発起電力素子の製ａ装置の一実施
例の斜視図、第２図は典型的な太陽Ｔｇ、池の断面図で
ある。 １０：基板、１１：ｐ層反応室、１２：１層反応室、１
３ｉ仕切壁、＋５，１６ ｊ下部型Ｊ５．１７．１８
：ローラコンベア。
例の斜視図、第２図は典型的な太陽Ｔｇ、池の断面図で
ある。 １０：基板、１１：ｐ層反応室、１２：１層反応室、１
３ｉ仕切壁、＋５，１６ ｊ下部型Ｊ５．１７．１８
：ローラコンベア。
Claims (1)
- １）基板上に異なる性質の非品質薄膜をそれぞれ異なる
プラズマ反応室内で成長させて積層する方法において、
一つの反応室内で非晶質薄膜が形成された基板を該反応
室内に存在する移送手段によって隣接反応室内に送り出
し、該隣接反応室内に存在する移送手段によって送り込
まれた前記基板を非晶質薄膜形成のための所定の位置に
移動させることを特徴とする発起電力素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59175455A JPS6153784A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 光起電力素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59175455A JPS6153784A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 光起電力素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6153784A true JPS6153784A (ja) | 1986-03-17 |
Family
ID=15996367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59175455A Pending JPS6153784A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 光起電力素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6153784A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0942473A2 (en) * | 1998-03-03 | 1999-09-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming a microcrystalline silicon series thin film and apparatus suitable for practicing said process |
-
1984
- 1984-08-23 JP JP59175455A patent/JPS6153784A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0942473A2 (en) * | 1998-03-03 | 1999-09-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming a microcrystalline silicon series thin film and apparatus suitable for practicing said process |
| EP0942473A3 (en) * | 1998-03-03 | 2000-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming a microcrystalline silicon series thin film and apparatus suitable for practicing said process |
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