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JPS5850735A - 量産型薄膜生成装置 - Google Patents

量産型薄膜生成装置

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Publication number
JPS5850735A
JPS5850735A JP56149047A JP14904781A JPS5850735A JP S5850735 A JPS5850735 A JP S5850735A JP 56149047 A JP56149047 A JP 56149047A JP 14904781 A JP14904781 A JP 14904781A JP S5850735 A JPS5850735 A JP S5850735A
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JP
Japan
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substrate
reaction
reaction room
thin film
film
Prior art date
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Granted
Application number
JP56149047A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0340500B2 (ja
Inventor
Shinji Nishiura
西浦　真治
Ryoichi Tozono
東園　良一
Yukio Takeda
幸雄 武田
Katsumi Yamada
克己 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd, Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd, Fuji Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP56149047A priority Critical patent/JPS5850735A/ja
Publication of JPS5850735A publication Critical patent/JPS5850735A/ja
Publication of JPH0340500B2 publication Critical patent/JPH0340500B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は１例えば太陽電池などの製造のために、反応室
内に対向する電極間に電圧を印加し、発生するグー−放
電により反応ガスを分解して反応室内を移動する多数の
基板上’＆Ｃｊ［次薄膜を生成する量産型薄膜生成装置
に関する＠ 多数の基板上に薄膜を生成する装置としては、一つの反
応室内に多数の基板を平面的に並べてそわらの上に薄膜
を生成することが考えらねる。しかし多数の基板に均一
に薄膜を生成することは、発生放電、あるいは反応室ふ
んい気を広い両横において一杯にしなげねばならず、そ
の実現が困難である。この困−の克服のために第１図に
示すように、細長い反応室１内を矢印方向に移動する）
／ベヤ２の上に縦列に基板３を並べる。反応室１は真空
排気されたのち、例えばシラン（８１Ｂ４）からなる反
応ガスを流して所定の圧力に保持さゎている。
接地された、コンベヤ２とそれに対向する電極４との間
に高周波電源５によって電圧を印加し、電極４とコンベ
ヤ２の間の空間６にグロー放電を発、生させＳｔ　Ｈ，
の分解、析出反応を引き起こす。基板３はこの反応空間
６を通る際にアモルファスシリコン（ａ−８１）薄膜に
よって被着される。この反応空間６の長さとコンベヤ２
の空間６を通過する時間を調整することによって基板３
の上に所期の厚さのａ−８ｌ薄膜を被着することができ
る。この場合は並んだ基−板３に同一の條件で順次薄膜
を生成することができるので各基板上の薄膜は均一であ
る。しかしこのような生成装置を用いて連続して多数の
基板を処理すると、長時間の間に対向電極４あるいは反
応室１の壁にａ−８ｔあるいは反応副生成物が堆積し、
さらにそれが剥離して基板３の上に落下し、生成薄膜の
ピンホールなどの欠陥の発生原因となる。
本発明はこｆｌに対して移動する基板に落下物が付着す
るおそれのない量産屋薄膜生成装置を提供することを目
的とする。
この目的は、所定の反応ガスを含む真空ふん囲気の反応
室内に電極を対向して配置し、その電極間に電圧を印加
してグロー放電を発生させることにより形成３る反応ガ
スの分解析出反応空間を、反応生成物が堆積１べき複数
の基板が順次はぼ鉛直面内にあって通過することによっ
て達成される。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。第
２図は本発明による生成装置の反応室を基板の進行方向
から見た断面図で、対向する電極４および７は鉛直面内
に配置され、基板３も適応した図示しない移動支持一体
１ｍｌよって両電極４，７に平行な鉛直に支持さね、電
極７の近傍を通過する。この際必要により基板３は電極
７に内蔵されたヒータあるいは支持体に備見られたヒー
タにより加熱される。両電極間に第１図の場合と同様な
反応空間６が生じ、導入さゎた反応ガスの分解によっ呪
基板３の上に薄膜が生成される。
第３図は異なる実施例を示し、この場合は対向電極４，
７は上下に配置さゎている。基板３は両電極への電圧印
加により形成される反応空間６０両側を鉛直に支持され
て移動する。こねにより第２図の場合の倍の数の基板を
処理することができる。
第４図は本発明によるａ−８ｉ膜生成装置の一実施例の
全体を示１゜この装置においては円筒の周囲に沿って仕
込み側気圧調整室１１．９層成長反応室１２．１層成長
反応室１３、ｎ層成長反応室１４、取出し側気圧調整室
１５が配置されている。仕込み側気圧調整室１１と反応
′室１２の間を真空気密扉１６でし中断した後、調整室
１１を明けて基板３を一括してそう入する。次いで・調
整室１１を気密に閉鎖したのち真空排気し、反応室１２
と同じ真空度にしてから扉１６を開いて移動支持体に鉛
直に支持された基板３を順次反応室１２内に送り出１゜
反応＊１２内には、ＳｉＨ，に適量のＢ、　Ｈ，を添加
したガスが所定の真空度において存在し、第２図と同様
に鉛直配置された対向電極４および７によってグロー放
電が発生さ４て基板３の上にｐ形のａ−８ｔ膜が生成さ
れる。ｐ層の被着した基板３は次の反応＊　１３に入る
。反応ｉｉ１１３内の反応ガスは５ｉＨ４のみよりなり
生成ａ−Ｓｔ膜は１層である。長い反応室１３内を通過
することによりｐ層の上に厚い１層が被着した基板３は
反応＊　１４に入り、ＰＨ３を添加したＳｉＨ４からな
る真空ふん囲気内でｎ形のａ−８ｔ膜が生成される。こ
のようにして所望のｐ−１−ｎ層を備えたでき上りの基
板３は取出し側気圧調整富１５に入る。竜後・に反応ｌ
！１４と調整室１５０間を扉１７によりて気密にしゃ断
した後、ｖ４整室１５の真空を破ってでき上り基板を一
括して取り出１゜このような各室の円周配置により仕込
み室と取出し皇が近ｗｋするので１作業が容易になる。
第４図の装置において、基板３を連続的に移動させず、
一定の枚数ごとに各反応室内に停止させて各層を生成し
てもよい。この方法は基板の反応室間の移動の際に起る
各室のふん囲気の混合を阻止するのに有効である。
電′Ｊｈ４と電極７は必ずしも第２図に示すように鉛直
面内に配置する必要はな〜・。互に平行でさえあわば逼
尚に傾けてもよ（、その方が電極７を基板の支持に役立
たせるのが容易になる。
これらの実施例のように本発明により基板を鉛直面内に
立てることによって、反応室の上部あるいは電極からの
落下物が基板上に落ちることがない。従って基板上の生
成薄膜に欠陥の生ずるおそれがなくなる。こわにより健
全な薄膜を一層においであるいは積層して流ゎ生産方式
で生成することが可能になり、太陽電池用ａ−８１腹の
量産などに極めて有効に適用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の量産型薄ｊｌ［失成装置の一例の縦断面
図、第２図は本発明の一実施例の横断面図、第３図は別
の実施例の横断面図、第４図は本発明の一実施例の装置
全体の平面断面図である。 ３・・・基板、４．７・・・電極、６・・・反応空間、
１２゜１３．１４・・・反応室。 イ℃理人弁理士山　口 牙　１　図 赤２図　　　　　肯３凹

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １）所定の反応ガスを含んだ真空ふん囲気の反応室内に
    対向して電極を対向して配置し、諌電極間に電圧を印加
    してグー−放電を発生させることにより形成する反応ガ
    スの分解析出反応空間を、反応生成物が堆積すべき複数
    の基板が順次はぼ鉛直面内にあって通過することを特徴
    とする量産型薄膜生成装置。
JP56149047A 1981-09-21 1981-09-21 量産型薄膜生成装置 Granted JPS5850735A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56149047A JPS5850735A (ja) 1981-09-21 1981-09-21 量産型薄膜生成装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56149047A JPS5850735A (ja) 1981-09-21 1981-09-21 量産型薄膜生成装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5850735A true JPS5850735A (ja) 1983-03-25
JPH0340500B2 JPH0340500B2 (ja) 1991-06-19

Family

ID=15466480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56149047A Granted JPS5850735A (ja) 1981-09-21 1981-09-21 量産型薄膜生成装置

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JP (1) JPS5850735A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61271822A (ja) * 1985-05-27 1986-12-02 Fujitsu Ltd 連続式気相成長装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5492534A (en) * 1977-12-28 1979-07-21 Fujitsu Ltd Plasma treating device

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JPH0691017B2 (ja) * 1985-05-27 1994-11-14 富士通株式会社 連続式気相成長装置

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Publication number Publication date
JPH0340500B2 (ja) 1991-06-19

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