JPS613489A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS613489A JPS613489A JP59123754A JP12375484A JPS613489A JP S613489 A JPS613489 A JP S613489A JP 59123754 A JP59123754 A JP 59123754A JP 12375484 A JP12375484 A JP 12375484A JP S613489 A JPS613489 A JP S613489A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- corrugation
- mask
- photoresist film
- thick
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 ゛
本発明は、工程中に厚いフォト・レジスト膜にコルゲー
ションを形成することが必要とされる半導体装置の製造
方法に関する。
ションを形成することが必要とされる半導体装置の製造
方法に関する。
成る種の半導体レーザに於いては、基板に周期が、例え
ば、３０００乃至４０００ （人〕程度のコルゲーショ
ンを形成することが必要とされる。
ば、３０００乃至４０００ （人〕程度のコルゲーショ
ンを形成することが必要とされる。
このコルゲーションを形成するには、基板上に一フォト
・レジストからなるマスクを形成し、そのマスクを利用
して基板をエツチングするようにしている。
・レジストからなるマスクを形成し、そのマスクを利用
して基板をエツチングするようにしている。
ところで、前記フォト・レジストからなるマスクを形成
するには、コルゲーションの周期が微細である為、レー
ザ光を用いた干渉露光法を適用することが行われている
。
するには、コルゲーションの周期が微細である為、レー
ザ光を用いた干渉露光法を適用することが行われている
。
（発明が解決しようとする問題点〕
前記干渉露光法を適用してフォト・レジスト膜の露光を
行うには、光源からの光が弱い為、フ゛オト・レジスト
膜の厚さを２０００ （人〕程度、厚くても、３００
０ 〔人〕程度以下に制限しなければならない。
行うには、光源からの光が弱い為、フ゛オト・レジスト
膜の厚さを２０００ （人〕程度、厚くても、３００
０ 〔人〕程度以下に制限しなければならない。
従って、このように薄いフォト・レジスト膜では、基板
表面に凹凸が存在する場合、マスクとして実用になるも
のを得ることは困難である。
表面に凹凸が存在する場合、マスクとして実用になるも
のを得ることは困難である。
本発明は、極めて簡単な技法で、厚いフォト・レジスト
膜にコルゲーションを形成することを可能とする。
膜にコルゲーションを形成することを可能とする。
、 〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置の製造方法では、基板上に厚いフォ
ト・レジスト膜を形成し、次いで、その上にドライ・エ
ッチングした場合にエッチング・レートがフォト・レジ
ストより著しく小さい金属膜を形成し、次いで、その上
に薄いフォト・レジスト膜を形成し、次いで、干渉露光
法を適用して露光を行い且つ現像することに依り前記薄
いフォト・レジスト膜にコルゲーションを形成し、次い
で、金属をエツチングするのに好適なエンチャントを用
いたドライ・エッチング法を適用し前記薄いフォト・レ
ジスト膜をマスクとして前記金属膜にコルゲーションを
形成し、次いで、フォト・レジストをエツチングするの
に好適なエッチャントを用いたドライ・エッチング法を
適用し前記金属膜をマスクとして前記厚いフォト・レジ
スト膜にコルゲーションを形成する工程が含まれてなる
構成を採っている。
ト・レジスト膜を形成し、次いで、その上にドライ・エ
ッチングした場合にエッチング・レートがフォト・レジ
ストより著しく小さい金属膜を形成し、次いで、その上
に薄いフォト・レジスト膜を形成し、次いで、干渉露光
法を適用して露光を行い且つ現像することに依り前記薄
いフォト・レジスト膜にコルゲーションを形成し、次い
で、金属をエツチングするのに好適なエンチャントを用
いたドライ・エッチング法を適用し前記薄いフォト・レ
ジスト膜をマスクとして前記金属膜にコルゲーションを
形成し、次いで、フォト・レジストをエツチングするの
に好適なエッチャントを用いたドライ・エッチング法を
適用し前記金属膜をマスクとして前記厚いフォト・レジ
スト膜にコルゲーションを形成する工程が含まれてなる
構成を採っている。
前記構成に依ると、最初、干渉露光法等を用いてエツチ
ングされるのは薄いフォト・レジスト膜であるから、干
渉露光法を実施する光源の光が弱くても充分にコルゲー
ションのパターンを形成することができ、そのように加
工された薄いフォト・レジスト膜をマスクとして前記金
属膜をコルゲーションのパターンにエツチングし、そし
て、そのパターニングされた金属膜をマスクとして前記
厚いフォト・レジスト膜をコルゲーションのパターンに
エツチングすることは甚だ容易である。
ングされるのは薄いフォト・レジスト膜であるから、干
渉露光法を実施する光源の光が弱くても充分にコルゲー
ションのパターンを形成することができ、そのように加
工された薄いフォト・レジスト膜をマスクとして前記金
属膜をコルゲーションのパターンにエツチングし、そし
て、そのパターニングされた金属膜をマスクとして前記
厚いフォト・レジスト膜をコルゲーションのパターンに
エツチングすることは甚だ容易である。
第１図乃至第５図は本発明一実施例を解説する為の工程
要所に於ける半導体装置の要部切断側面図であり、以下
、これ等の図を参照しつつ説明する。
要所に於ける半導体装置の要部切断側面図であり、以下
、これ等の図を参照しつつ説明する。
第１図参照
＋ａ＋ スピン・コート法を適用することに依り、Ｉ
ｎ“Ｐ基板１上に厚さ〜１ 〔μｍ〕程度のフォト・レ
ジスト膜２を形成する。
ｎ“Ｐ基板１上に厚さ〜１ 〔μｍ〕程度のフォト・レ
ジスト膜２を形成する。
（ｂ） 蒸着法を適用することに依り、フォト・レジ
スト膜２上に厚さ１５０ 〔人〕程度のＣｒ膜３を形成
する。
スト膜２上に厚さ１５０ 〔人〕程度のＣｒ膜３を形成
する。
尚、Ｃｒ膜３は他の金属、例えば、Ｔｉ等で代替するこ
とができる。
とができる。
ｆｃｌ スピン・コート法を適用することに依り、Ｃ
ｒ膜膜上上厚さ〜８００ 〔人〕程度のフォト・レジス
ト膜４を形成する。
ｒ膜膜上上厚さ〜８００ 〔人〕程度のフォト・レジス
ト膜４を形成する。
第２図参照
ｆｄｌ レーザ光を用いた干渉露光法を適用し且つ現
像することに依り、薄いフォト・レジスト膜４にコルゲ
ーションのパターンを形成スる。
像することに依り、薄いフォト・レジスト膜４にコルゲ
ーションのパターンを形成スる。
第３図参照
（ｅ） 薄いフォト・レジスト膜４をマスクとし、エ
ッチャントとしてＣＦ、を用いるプラズマ・エツチング
法を適用することに依り、Ｃｒ膜３のエツチングを行っ
てコルゲーションを形成する。
ッチャントとしてＣＦ、を用いるプラズマ・エツチング
法を適用することに依り、Ｃｒ膜３のエツチングを行っ
てコルゲーションを形成する。
第４図参照。
（ｆｌｃｒ膜３をマスクとし、エッチャントとしてｏ２
を用いるプラズマ・エツチング法を適用することに依り
、厚いフォト・レジスト膜２のエツチングを行ってコル
ゲーションを形成する。
を用いるプラズマ・エツチング法を適用することに依り
、厚いフォト・レジスト膜２のエツチングを行ってコル
ゲーションを形成する。
第５図参照
（ｇｌ 厚いフォト・レジスト膜２をマスクとし１．
エンチャントとしてＣＣ／！２Ｆ２を用いるプラズマ・
エツチング法を通用することに依り、ＩｎＰ基板１に充
分に深いコルゲーションＩＡを形成する。
エンチャントとしてＣＣ／！２Ｆ２を用いるプラズマ・
エツチング法を通用することに依り、ＩｎＰ基板１に充
分に深いコルゲーションＩＡを形成する。
このようにして製造されたＩｎＰ基板１は、グレーティ
ング方式の半導体レーザに於ける基板として用いること
ができる。
ング方式の半導体レーザに於ける基板として用いること
ができる。
前記実施例では、ｊｎＰ基′Ｆｊ、１にコルゲーション
を形成・する場合について説明したが、厚いフオト・レ
ジスト膜２にコルゲーションが形成できさえすれば、Ｓ
ｉ Ｏ２膜或いはＳ ｉ ３ Ｎ ４膜等にも容易に
深いコルゲーションを形成することができることは云う
までもない。
を形成・する場合について説明したが、厚いフオト・レ
ジスト膜２にコルゲーションが形成できさえすれば、Ｓ
ｉ Ｏ２膜或いはＳ ｉ ３ Ｎ ４膜等にも容易に
深いコルゲーションを形成することができることは云う
までもない。
本発明の半導体装置の製造方法では、基板上に厚いフォ
ト・レジスト膜、金属膜、薄いフォト・レジスト膜を順
に積層し、最初、薄いフォト・レジスト膜に干渉露光法
でコルゲーションのパターンを形成し、その薄いフォト
・レジスト膜をマスクとしてドライ・エッチングするこ
反に依り金属膜にコルゲーションを形成し、その金属膜
をマスクとしてドライ・エッチングすることに依り厚い
フォト・レジスト膜にコルゲーションを形成するように
している。
ト・レジスト膜、金属膜、薄いフォト・レジスト膜を順
に積層し、最初、薄いフォト・レジスト膜に干渉露光法
でコルゲーションのパターンを形成し、その薄いフォト
・レジスト膜をマスクとしてドライ・エッチングするこ
反に依り金属膜にコルゲーションを形成し、その金属膜
をマスクとしてドライ・エッチングすることに依り厚い
フォト・レジスト膜にコルゲーションを形成するように
している。
従って、干渉露光法を実施する為の光源からの光が弱く
ても、結果的に、厚いフォト・レジスト膜にコルゲーシ
ョンを形成することができ、しかも、そのコルゲーショ
ンは、ドライ・エッチング法を適用して形成する為、薄
いフォト・レジスト膜に干渉露光法を適用した場合と同
様に精密なパターンとすることが可能であり、そして、
厚いフ゛オド・レジスト膜のコルゲーションを形成する
ことができることから、その厚いフォト・レジスト膜を
マスクとして用いてコルゲーションを形成すべき基板表
面に凹凸が存在していても、精密且つ充分な深さのコル
ゲーションを形成することができる。
ても、結果的に、厚いフォト・レジスト膜にコルゲーシ
ョンを形成することができ、しかも、そのコルゲーショ
ンは、ドライ・エッチング法を適用して形成する為、薄
いフォト・レジスト膜に干渉露光法を適用した場合と同
様に精密なパターンとすることが可能であり、そして、
厚いフ゛オド・レジスト膜のコルゲーションを形成する
ことができることから、その厚いフォト・レジスト膜を
マスクとして用いてコルゲーションを形成すべき基板表
面に凹凸が存在していても、精密且つ充分な深さのコル
ゲーションを形成することができる。
第１図乃至第５図は本発明一実施例を説明する為の工程
要所に於ける半導体装置の要部切断側面図を表している
。 図に於いて、１はＩｎＰ基板、ＩＡはＩｎＰ基板１に形
成されたコルゲーション、２は厚いフォト・レジスト膜
、３はＣｒ膜、４は薄いフォト・レジスト膜をそれぞれ
示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 第３図
要所に於ける半導体装置の要部切断側面図を表している
。 図に於いて、１はＩｎＰ基板、ＩＡはＩｎＰ基板１に形
成されたコルゲーション、２は厚いフォト・レジスト膜
、３はＣｒ膜、４は薄いフォト・レジスト膜をそれぞれ
示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 第３図
Claims (1)
- 基板上に厚いフォト・レジスト膜を形成し、次いで、そ
の上にドライ・エッチングした場合にエッチング・レー
トがフォト・レジストより著しく小さい金属膜を形成し
、次いで、その上に薄いフォト・レジスト膜を形成し、
次いで、干渉露光法を適用して露光を行い且つ現像する
ことに依り前記薄いフォト・レジスト膜にコルゲーショ
ンを形成し、次いで、金属をエッチングするのに好適な
エッチャントを用いたドライ・エッチング法を適用し前
記薄いフォト・レジスト膜をマスクとして前記金属膜に
コルゲーションを形成し、次いで、フォト・レジストを
エッチングするのに好適なエッチャントを用いたドライ
・エッチング法を適用し前記金属膜をマスクとして前記
厚いフォト・レジスト膜にコルゲーションを形成する工
程が含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123754A JPS613489A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123754A JPS613489A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS613489A true JPS613489A (ja) | 1986-01-09 |
Family
ID=14868476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59123754A Pending JPS613489A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS613489A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5227322A (en) * | 1991-08-23 | 1993-07-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a highly integrated semiconductor device having a capacitor of large capacitance |
| US5254503A (en) * | 1992-06-02 | 1993-10-19 | International Business Machines Corporation | Process of making and using micro mask |
| US5766968A (en) * | 1993-12-16 | 1998-06-16 | International Business Machines Corporation | Micro mask comprising agglomerated material |
| JP2009164406A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Pulstec Industrial Co Ltd | 基板のピット形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5492061A (en) * | 1977-12-29 | 1979-07-20 | Fujitsu Ltd | Micropattern forming method |
| JPS5643729A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation of fine pattern |
-
1984
- 1984-06-18 JP JP59123754A patent/JPS613489A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5492061A (en) * | 1977-12-29 | 1979-07-20 | Fujitsu Ltd | Micropattern forming method |
| JPS5643729A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation of fine pattern |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5227322A (en) * | 1991-08-23 | 1993-07-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a highly integrated semiconductor device having a capacitor of large capacitance |
| US5254503A (en) * | 1992-06-02 | 1993-10-19 | International Business Machines Corporation | Process of making and using micro mask |
| US5766968A (en) * | 1993-12-16 | 1998-06-16 | International Business Machines Corporation | Micro mask comprising agglomerated material |
| JP2009164406A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Pulstec Industrial Co Ltd | 基板のピット形成方法 |
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