JPH01105538A - フォトレジストパターン形成方法 - Google Patents
フォトレジストパターン形成方法Info
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- JPH01105538A JPH01105538A JP26302587A JP26302587A JPH01105538A JP H01105538 A JPH01105538 A JP H01105538A JP 26302587 A JP26302587 A JP 26302587A JP 26302587 A JP26302587 A JP 26302587A JP H01105538 A JPH01105538 A JP H01105538A
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Links
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ピ） 産業上の利用分野
本発明は５ＡＷ（弾性表面波）デバイスやＩＣ（集積回
路）素子等の製造工程に於いて、電極や配線導体を作成
するために、基板上にフォトレジストパターンを形成す
る方法に関する。
路）素子等の製造工程に於いて、電極や配線導体を作成
するために、基板上にフォトレジストパターンを形成す
る方法に関する。
（ロ）従来の技術
最近のＳＡＷデバイスやＩＣ素子等では、パターン幅が
１μｍ以下の電極や配線パターンが要求されるようにな
って来た。このような微細なパターンを形成する際には
、アルミニウム等の電極材料を蒸着した基板表面にフォ
トレジストを塗布し、このレジスト層を電極パターンを
予め形成したフォトマスクを介して紫外線で露光させた
のち現象することによって、上記基板上に上記電極パタ
ーンに対応する所望のレジストパターンを形成させる所
謂フォトリソグラフィー法が使用されている。
１μｍ以下の電極や配線パターンが要求されるようにな
って来た。このような微細なパターンを形成する際には
、アルミニウム等の電極材料を蒸着した基板表面にフォ
トレジストを塗布し、このレジスト層を電極パターンを
予め形成したフォトマスクを介して紫外線で露光させた
のち現象することによって、上記基板上に上記電極パタ
ーンに対応する所望のレジストパターンを形成させる所
謂フォトリソグラフィー法が使用されている。
しかしながら、パターン幅が１μｍ以ドにもなると、露
光時の紫外線の電極材料（アルミニウム）層の下面から
の反射や回折現象によって、フォトレジスト層の側面等
の余計な部分までが露光されてしまうので、フォトレジ
ストパターンの現象時にレジストパターン幅が細くなる
。従って、このようなレジストパターンが形成された基
板上の金属層をエツチング処理した場合には、レジスト
部に対応する電極や配線パターンが当然細くなってしま
うと云う問題がある。即ち、第２図のような電極パ、タ
ーンを持つＳＡＷデバイスでは、図中のＡ部のように一
方の電極指（Ｔ１）の先端に隣接している他方の電極指
（Ｔ２）の腹部が第３図のように細くなるのである。こ
れはそのような個所では前述した紫外線の反射や回折が
大きくなると考えられるからである。
光時の紫外線の電極材料（アルミニウム）層の下面から
の反射や回折現象によって、フォトレジスト層の側面等
の余計な部分までが露光されてしまうので、フォトレジ
ストパターンの現象時にレジストパターン幅が細くなる
。従って、このようなレジストパターンが形成された基
板上の金属層をエツチング処理した場合には、レジスト
部に対応する電極や配線パターンが当然細くなってしま
うと云う問題がある。即ち、第２図のような電極パ、タ
ーンを持つＳＡＷデバイスでは、図中のＡ部のように一
方の電極指（Ｔ１）の先端に隣接している他方の電極指
（Ｔ２）の腹部が第３図のように細くなるのである。こ
れはそのような個所では前述した紫外線の反射や回折が
大きくなると考えられるからである。
このような問題を解消するには、前述のフォトレジスト
バ２−ンの現象に、現象液を使用する所謂ディッピング
現象法の代りに、例、えば雑誌「電子材料、１９８１年
３月号」のＰ５７〜Ｐ６１に記載されているような、異
方性をもつプラズマドライ現像法を採用することが考え
られる。しかし、この方法に依ると、現象時に非露光部
のフォトレジストも大きくエツチングされるので、レジ
スト層が非常に薄くなってしまう。このため、この現象
後の電極材料層のエツチングをプラズマエツチングによ
って行なうと、上記電極材料層が所定の薄さにエツチン
グされる前にレジストが先にエツチングされて除去され
てしまうため、上記電極材料層のエツチングを正確に行
なうことができないと云う問題があった。
バ２−ンの現象に、現象液を使用する所謂ディッピング
現象法の代りに、例、えば雑誌「電子材料、１９８１年
３月号」のＰ５７〜Ｐ６１に記載されているような、異
方性をもつプラズマドライ現像法を採用することが考え
られる。しかし、この方法に依ると、現象時に非露光部
のフォトレジストも大きくエツチングされるので、レジ
スト層が非常に薄くなってしまう。このため、この現象
後の電極材料層のエツチングをプラズマエツチングによ
って行なうと、上記電極材料層が所定の薄さにエツチン
グされる前にレジストが先にエツチングされて除去され
てしまうため、上記電極材料層のエツチングを正確に行
なうことができないと云う問題があった。
四 発明が解決しようとする問題点
本発明は、上記の点を考慮してなされたものであり、Ｓ
ＡＷデバイスやＩＣ素子等の製造工程に於いて、基板表
面にフォトレジストパターンを形成する際に、それが微
細なパターンであっても、パターン幅が細くなったり、
レジストの厚みが薄くなったりすることなく、所望通り
の幅及び厚さで正確に形成できるようにすることを目的
とする。
ＡＷデバイスやＩＣ素子等の製造工程に於いて、基板表
面にフォトレジストパターンを形成する際に、それが微
細なパターンであっても、パターン幅が細くなったり、
レジストの厚みが薄くなったりすることなく、所望通り
の幅及び厚さで正確に形成できるようにすることを目的
とする。
四 問題点を解決するための手段
本発明では、基板上に塗布された第１のフォトレジスト
層上に更に金属層と第２のフォトレジスト層を順次この
順に形成し、上記第２のフォトレジスト層を所望のパタ
ーンに露光現象させて作成したフォトレジストパターン
をエツチングマスクとして前記金属層をプラズマエツチ
ングしてマスクパターンを形成し、次いでこのマスクパ
ターンをエツチングマスクとして前記第１のフォトレジ
スト層をプラズマエツチングし、これによって前記基板
上の第１のフォトレジスト層が所望のパターンになるよ
うにした。
層上に更に金属層と第２のフォトレジスト層を順次この
順に形成し、上記第２のフォトレジスト層を所望のパタ
ーンに露光現象させて作成したフォトレジストパターン
をエツチングマスクとして前記金属層をプラズマエツチ
ングしてマスクパターンを形成し、次いでこのマスクパ
ターンをエツチングマスクとして前記第１のフォトレジ
スト層をプラズマエツチングし、これによって前記基板
上の第１のフォトレジスト層が所望のパターンになるよ
うにした。
（ホ）作用
上記方法に依れば、フォトレジストが二重構造になって
いるので、このフォトレジストのエツチングをプラズマ
エツチングによって行なっても、基板上に充分な厚さの
フォトレジストパターンを形成でき、しかも、第１のフ
ォトレジスト層は金属層のパターンをエツチングマスク
としてプラズマエツチングされるから、除去されるべき
部分のみが正確にエツチングされる。
いるので、このフォトレジストのエツチングをプラズマ
エツチングによって行なっても、基板上に充分な厚さの
フォトレジストパターンを形成でき、しかも、第１のフ
ォトレジスト層は金属層のパターンをエツチングマスク
としてプラズマエツチングされるから、除去されるべき
部分のみが正確にエツチングされる。
（へ）実施例
以下、本発明の一実施例としてＳＡＷデバイスの電極パ
ターンを基板表面に形成する場合についで、第１図を参
照しながら説明する。
ターンを基板表面に形成する場合についで、第１図を参
照しながら説明する。
本実施例では、第１図１１）に示すように、先ず、第１
図泊）のように、水晶基板（１）の表面に第１のアルミ
ニウム層（２）を１０分の数μｍの膿珠に蒸着し、その
上に第１のフォトレジスト層（３）を１．０〜１．５μ
ｍ程度に塗布し、更にその上に第２のアルミニウム層（
４）を１００分の数μｍ程度の厚みに蒸着し、最後にそ
の上に第２のフォトレジスト層（５）をその１０〜２０
分の１程度の厚さで塗布したウェハを用意する。
図泊）のように、水晶基板（１）の表面に第１のアルミ
ニウム層（２）を１０分の数μｍの膿珠に蒸着し、その
上に第１のフォトレジスト層（３）を１．０〜１．５μ
ｍ程度に塗布し、更にその上に第２のアルミニウム層（
４）を１００分の数μｍ程度の厚みに蒸着し、最後にそ
の上に第２のフォトレジスト層（５）をその１０〜２０
分の１程度の厚さで塗布したウェハを用意する。
次に、第１図ら）の如くこのウェハの第２のフォトレジ
スト層（５）上に所望の電極パターンを形成したフォト
マスク（６）を被せ紫外線（７）によって露光する。そ
の後、このウェハを図示しない現象液に浸して上記フォ
トレジスト層（５］の現象を行なうと。
スト層（５）上に所望の電極パターンを形成したフォト
マスク（６）を被せ紫外線（７）によって露光する。そ
の後、このウェハを図示しない現象液に浸して上記フォ
トレジスト層（５］の現象を行なうと。
第２図（Ｃ）の如く第２のアルミニウム層（４）上にフ
ォトレジストパターンが形成された状態になる。その際
、このにシストパターンの角部（Ｒ）が欠けているのは
、ディッピングエツチングでは、前述の反射光や回折光
による露光部分がエツチング液によって溶解されるから
である。
ォトレジストパターンが形成された状態になる。その際
、このにシストパターンの角部（Ｒ）が欠けているのは
、ディッピングエツチングでは、前述の反射光や回折光
による露光部分がエツチング液によって溶解されるから
である。
次に、このディッピング現象後の基板を図示しないプラ
ズマエツチング装置内に入れ、前述のレジストパターン
〔フォトレジスト層（５３） ヲエッチングマスクとし
て、ＣＣｌ！４ （四塩化炭素） 、 ＢＣ１！３（炭
化はう素）ガス等のプラズマイオン粒子（８）によって
、第１のアルミニウム層（２）に対し垂直方向にエツチ
ングを行なう。その際、上記のＣＣｌ４、ＢＣ１！３等
は第２のフォトレジスト層（５）に対しても若干のエツ
チング作用を持つが、このレジスト層（５）をアルミニ
ウム層（４）に対して前述の如く充分厚く塗布している
ので、露光部（Ｅ）のアルミニウム層（４）が第１図１
ｄ）の如く完全に除去された状態でも、上 非露光部（Ｎ）八には充分の厚さの第２フォトレジスト
層（５）が残ることになる。従って、その下部のアルミ
ニウム層（４）がサイドエツチングされて、その１パタ
一ン幅が細くなることはない。
ズマエツチング装置内に入れ、前述のレジストパターン
〔フォトレジスト層（５３） ヲエッチングマスクとし
て、ＣＣｌ！４ （四塩化炭素） 、 ＢＣ１！３（炭
化はう素）ガス等のプラズマイオン粒子（８）によって
、第１のアルミニウム層（２）に対し垂直方向にエツチ
ングを行なう。その際、上記のＣＣｌ４、ＢＣ１！３等
は第２のフォトレジスト層（５）に対しても若干のエツ
チング作用を持つが、このレジスト層（５）をアルミニ
ウム層（４）に対して前述の如く充分厚く塗布している
ので、露光部（Ｅ）のアルミニウム層（４）が第１図１
ｄ）の如く完全に除去された状態でも、上 非露光部（Ｎ）八には充分の厚さの第２フォトレジスト
層（５）が残ることになる。従って、その下部のアルミ
ニウム層（４）がサイドエツチングされて、その１パタ
一ン幅が細くなることはない。
次いで、第１図ｄの状態に於いて、今度は０２（酸素）
又はＣＦ４（７）化炭素）ガスを前記プラズマエツチン
グ装置内に注入し、前述の工程（第１図（Ｃ））により
第１のフォトレジスト層（３）上に形成されたアルミニ
ウム層（４）のパターンをエツチングマスクとして、゛
上記レジスト層（３）を上記ガスのイオン粒子（９）に
よってプラズマエツチングする。
又はＣＦ４（７）化炭素）ガスを前記プラズマエツチン
グ装置内に注入し、前述の工程（第１図（Ｃ））により
第１のフォトレジスト層（３）上に形成されたアルミニ
ウム層（４）のパターンをエツチングマスクとして、゛
上記レジスト層（３）を上記ガスのイオン粒子（９）に
よってプラズマエツチングする。
すると、露光部（Ｅ）上の第１のフォトレジスト層（３
）及び非露光部（Ｎ）上の第２のフォトレジスト層（５
１がともにエツチングされて行く。その際、第２のフォ
トレジスト層（５）の１１１４の方が、第１のフォトレ
ジスト層（３）のそれよりも前述の如く小さくしへ てあり、また、上記の０２、ＣＦ４等はアルミニウムに
対しては殆んどエツチング′作用がないので、このエツ
チング工程が完了した状態では、第１図（ｅ）のように
なって、第１のアルミニウム層（２）上に所望のフォト
レジストパターン（ただし、その上面にアルミニウムが
被着されている）が得られる。
）及び非露光部（Ｎ）上の第２のフォトレジスト層（５
１がともにエツチングされて行く。その際、第２のフォ
トレジスト層（５）の１１１４の方が、第１のフォトレ
ジスト層（３）のそれよりも前述の如く小さくしへ てあり、また、上記の０２、ＣＦ４等はアルミニウムに
対しては殆んどエツチング′作用がないので、このエツ
チング工程が完了した状態では、第１図（ｅ）のように
なって、第１のアルミニウム層（２）上に所望のフォト
レジストパターン（ただし、その上面にアルミニウムが
被着されている）が得られる。
したがって、以後は上記第１のフォトレジスト層（３）
のパターンをエツチングマスクとして、第１図（Ｃ）の
工程と同様にＣＣｅ４．ＢＣｌ３等によって第１のアル
ミニウム層（２）をプラズマエツチングすれば、第１図
げ】の状態になる。その際、非露光部■のアルミニウム
層（２）上には第１のフォトレジスト層（３）が元のま
−の充分な厚さで残っているので、その下部のアルミニ
ウム層（２）がサイドエツチングされない。それゆえ、
上記のアルミニウム層（２１上に残ったフォトレジスト
層（３）を従来と同様にレジスト剥離液（図示せず）に
浸して除去すれば、基板（１）上に規定通りのパターン
幅をもつ所望の電極パターンが形成されるメ、である。
のパターンをエツチングマスクとして、第１図（Ｃ）の
工程と同様にＣＣｅ４．ＢＣｌ３等によって第１のアル
ミニウム層（２）をプラズマエツチングすれば、第１図
げ】の状態になる。その際、非露光部■のアルミニウム
層（２）上には第１のフォトレジスト層（３）が元のま
−の充分な厚さで残っているので、その下部のアルミニ
ウム層（２）がサイドエツチングされない。それゆえ、
上記のアルミニウム層（２１上に残ったフォトレジスト
層（３）を従来と同様にレジスト剥離液（図示せず）に
浸して除去すれば、基板（１）上に規定通りのパターン
幅をもつ所望の電極パターンが形成されるメ、である。
なお、上記実施例とは異なり、第２のフォトレジスト層
（５）の厚みを第１のフォトレジスト層（３）よりも厚
くした場合には、第１図（ｄ）の工程終了後は第１図ｔ
ｅｌに示す非露光部（Ｎ）の第２のアルミニウム層（４
）上に第２のフォトレジスト層が残ることになるが、こ
のようにしても何等問題はない。また、第１のフォトレ
ジスト層（３）のエツチングマスクの役割をなす第２の
アルミニウム層（４）は、銅、クロム等のその他の金属
層であってもよい。
（５）の厚みを第１のフォトレジスト層（３）よりも厚
くした場合には、第１図（ｄ）の工程終了後は第１図ｔ
ｅｌに示す非露光部（Ｎ）の第２のアルミニウム層（４
）上に第２のフォトレジスト層が残ることになるが、こ
のようにしても何等問題はない。また、第１のフォトレ
ジスト層（３）のエツチングマスクの役割をなす第２の
アルミニウム層（４）は、銅、クロム等のその他の金属
層であってもよい。
Ｃト）発明の効果
以上の如く本発明に依れば、基板上に微細なフォトレジ
ストパターンを形成する際に、パターン幅が所望値より
も細くなったり、レジストの膜厚が薄くなったすせず正
確に形成できる。また、特別の装置等を必要とせず、従
来のプラズマエツチング装置やディッピングエツチング
装置をそのま＼使用でき、従って、大幅なコストアップ
を伴なわない。
ストパターンを形成する際に、パターン幅が所望値より
も細くなったり、レジストの膜厚が薄くなったすせず正
確に形成できる。また、特別の装置等を必要とせず、従
来のプラズマエツチング装置やディッピングエツチング
装置をそのま＼使用でき、従って、大幅なコストアップ
を伴なわない。
第１図は本発明による電極パターン形成時の工程を示す
図、第２図は本発明によって製作されるＳＡＷデバイス
の電極パターンを示す平面図、第３図はその要部の拡大
図である。 （１）・・・基板、（２）・・・第１のアルミニウム層
、（３）・・・第１のフォトレジスト層、（４）・・・
第２のアルミニウム層、（５）・・・第２のフォトレジ
スト層。
図、第２図は本発明によって製作されるＳＡＷデバイス
の電極パターンを示す平面図、第３図はその要部の拡大
図である。 （１）・・・基板、（２）・・・第１のアルミニウム層
、（３）・・・第１のフォトレジスト層、（４）・・・
第２のアルミニウム層、（５）・・・第２のフォトレジ
スト層。
Claims (1)
- （１）基板表面に第１のフォトレジスト層、その上に該
レジスト層のエッチング用のマスクとして作用する金属
層、該金属層の上に第２のフォトレジスト層をそれぞれ
順次形成する工程と、 前記第２のフォトレジスト層に対して所望のパターンが
形成されたフォトマスクを介して露光したのち現象処理
してフォトレジストパターンを形成する工程と、 前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして
前記金属層をプラズマエッチングしてマスクパターンを
形成する工程と、 前記マスクパターンをエッチングマスクとして第１のフ
ォトレジスト層をプラズマエッチングして所望のフォト
レジストパターンを得る工程とからなるフォトレジスト
パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26302587A JPH01105538A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | フォトレジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26302587A JPH01105538A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | フォトレジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01105538A true JPH01105538A (ja) | 1989-04-24 |
Family
ID=17383837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26302587A Pending JPH01105538A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | フォトレジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01105538A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004133384A (ja) * | 2002-08-14 | 2004-04-30 | Sony Corp | レジスト用剥離剤組成物及び半導体装置の製造方法 |
| JP2006501523A (ja) * | 2002-10-03 | 2006-01-12 | ルーメラ・コーポレーション | ポリマー微細構造及びポリマー導波路の製造方法 |
| JP2009031791A (ja) * | 2002-08-14 | 2009-02-12 | Sony Corp | レジスト用剥離剤組成物及び半導体装置の製造方法 |
| CN104733569A (zh) * | 2013-12-19 | 2015-06-24 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 纳米尺寸图形化衬底的制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621230A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-07 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP26302587A patent/JPH01105538A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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