JPS611078A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS611078A JPS611078A JP59119837A JP11983784A JPS611078A JP S611078 A JPS611078 A JP S611078A JP 59119837 A JP59119837 A JP 59119837A JP 11983784 A JP11983784 A JP 11983784A JP S611078 A JPS611078 A JP S611078A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor laser
- linear polarization
- laser
- polarization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S5/0064—Anti-reflection components, e.g. optical isolators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光通信や光情報処理装置の光源として近年実用
化の段階に達した半導体レーザ装置に関するものである
。
化の段階に達した半導体レーザ装置に関するものである
。
（従来例の構成とその問題点）
半導体レーザは発振スペクトル幅が狭く、コヒーレント
長が長いが、レーザ光の干渉性が良いために半導体レー
ザ内に戻り光があると発振状態が不安定となり雑音が発
生する。
長が長いが、レーザ光の干渉性が良いために半導体レー
ザ内に戻り光があると発振状態が不安定となり雑音が発
生する。
オーディオディスクやビデオディスクの読出しに半導体
レーザを用いる場合、ディスクと半導体レーザ間に四分
の一波長板と偏光ビームスプリッタからなる光アイソレ
ータを挿入し、戻り光をできるだけ少なくする方法がと
られる。また光ピツクアップを小型で安価なものとする
ためにビームスプリッタのみを用いる方法もある。この
場合は半導体レーザ内への戻り光を逆に多く（１％以上
）することにより、スペクトル幅を広げ、レーザ光の干
渉性を悪くして雑音レベルを低くしている。
レーザを用いる場合、ディスクと半導体レーザ間に四分
の一波長板と偏光ビームスプリッタからなる光アイソレ
ータを挿入し、戻り光をできるだけ少なくする方法がと
られる。また光ピツクアップを小型で安価なものとする
ためにビームスプリッタのみを用いる方法もある。この
場合は半導体レーザ内への戻り光を逆に多く（１％以上
）することにより、スペクトル幅を広げ、レーザ光の干
渉性を悪くして雑音レベルを低くしている。
上記２種類の光ピツクアップの光学系を第１図（ａ）、
（ｂ）に示す。同図（ａ）において、半導体レーザ光は
直線偏光のため、四分の一波長板４を通過すると円偏光
に変換される。そしてフォーカスレンズ５を通り、ディ
スク６により反射されたレーザ光は再び四分の一波長板
４を通る。この時円偏光が直線偏光にもどるが、その偏
光方向は半導体レーザ１から出射した時より９０°回転
している。第１図（ａ）の光ピツクアップでは偏光方向
により透過率が異なるビームスプリッタ３を用い、ディ
スり６からの反射光は偏光ビームスプリッタ３により反
射させ、ディテクタレンズ７を介して光検出素子８に導
く様にしている。この光学系によれば四分の一波長板４
と偏光ビームスプリッタ３の精度により戻り光をいくら
でも少なくできるがコストが高くなり光ピツクアップの
小型化にも不利である。
（ｂ）に示す。同図（ａ）において、半導体レーザ光は
直線偏光のため、四分の一波長板４を通過すると円偏光
に変換される。そしてフォーカスレンズ５を通り、ディ
スク６により反射されたレーザ光は再び四分の一波長板
４を通る。この時円偏光が直線偏光にもどるが、その偏
光方向は半導体レーザ１から出射した時より９０°回転
している。第１図（ａ）の光ピツクアップでは偏光方向
により透過率が異なるビームスプリッタ３を用い、ディ
スり６からの反射光は偏光ビームスプリッタ３により反
射させ、ディテクタレンズ７を介して光検出素子８に導
く様にしている。この光学系によれば四分の一波長板４
と偏光ビームスプリッタ３の精度により戻り光をいくら
でも少なくできるがコストが高くなり光ピツクアップの
小型化にも不利である。
第１図（ｂ）の光ピツクアップではビームスプリッタ（
ハーフミラ−）９のみでディスク６からの反射光を分割
しているので半導体レーザ１内にかなりの戻り光が入る
。半導体レーザは一般に戻り光がない状態では単−縦モ
ード発振であるが、戻り光が多いと縦モードがマルチ化
し、戻り光誘起雑音は低くなる。しかし素子毎にばらつ
きがあるので、第１図（ｂ）の光学系では雑音レベルが
システムの許容値を越える恐れがある。
ハーフミラ−）９のみでディスク６からの反射光を分割
しているので半導体レーザ１内にかなりの戻り光が入る
。半導体レーザは一般に戻り光がない状態では単−縦モ
ード発振であるが、戻り光が多いと縦モードがマルチ化
し、戻り光誘起雑音は低くなる。しかし素子毎にばらつ
きがあるので、第１図（ｂ）の光学系では雑音レベルが
システムの許容値を越える恐れがある。
（発明の目的）
本発明は光アイソレータなどの高価な部品を使わない光
ピツクアップで戻り光誘起雑音をより低く抑えることの
できる半導体レーザ装置を提供するものである。
ピツクアップで戻り光誘起雑音をより低く抑えることの
できる半導体レーザ装置を提供するものである。
（発明の構成）
この目的を達成するために、本発明の半導体レーザ装置
は、二分の一波長板を内蔵し、パッケージからの出射レ
ーザ光を９０°回転させた直線偏光にし、再びパッケー
ジにレーザ光が戻って来て半導体レーザ素子に入る時に
最初と１８０°偏光方向が異なった直線偏光にし、干渉
効果を小さくして、戻り光誘起雑音を低くするという構
成になっている。
は、二分の一波長板を内蔵し、パッケージからの出射レ
ーザ光を９０°回転させた直線偏光にし、再びパッケー
ジにレーザ光が戻って来て半導体レーザ素子に入る時に
最初と１８０°偏光方向が異なった直線偏光にし、干渉
効果を小さくして、戻り光誘起雑音を低くするという構
成になっている。
（実施例の説明）
第２図は、本発明の第１の実施例における半導体レーザ
装置の構造の断面図で、１０はステム本体、１１はキャ
ップ、１２は透明な出射窓、１３は二分の一波長板、１
４は半導体レーザ素子、１５はヒートシンク（サブマウ
ント）、１６はリード線である。
装置の構造の断面図で、１０はステム本体、１１はキャ
ップ、１２は透明な出射窓、１３は二分の一波長板、１
４は半導体レーザ素子、１５はヒートシンク（サブマウ
ント）、１６はリード線である。
同図において、二分の一波長板１３が、半導体レーザ素
子１４と出射窓１２との間に設けられ、直線偏光を９０
°回転させた直線偏光にして出射窓１２よりレーザ光を
出射している。外部よりレーザ光が戻って来た時は、再
び二分の一波長板１３を通過するので、出射時とは１８
０°偏光方向が回転した直線偏光となってレーザ素子１
４内に入る。
子１４と出射窓１２との間に設けられ、直線偏光を９０
°回転させた直線偏光にして出射窓１２よりレーザ光を
出射している。外部よりレーザ光が戻って来た時は、再
び二分の一波長板１３を通過するので、出射時とは１８
０°偏光方向が回転した直線偏光となってレーザ素子１
４内に入る。
第３図は、二分の一波長板の戻り光誘起雑音低減効果を
示す図で実線は二分の一波長板がない場合、破線は二分
の一波長板のある場合を表わしている。同図から、偏光
方向を１８０°回転させることにより約１０ｄＢ雑音レ
ベルを下げることができる。
示す図で実線は二分の一波長板がない場合、破線は二分
の一波長板のある場合を表わしている。同図から、偏光
方向を１８０°回転させることにより約１０ｄＢ雑音レ
ベルを下げることができる。
第４図は本発明による第２の実施例で、二分の一波長板
１７を出射窓と兼用させたものである。
１７を出射窓と兼用させたものである。
（発明の効果）
以上のように本発明の二分の一波長板を内蔵した半導体
レーザ装置によれば、光アイソレータを用いない光ピツ
クアップにおいて戻り光誘起雑音を減少させることがで
き、また光ピツクアップにとどまらず、戻り光が存在す
る場合において、半導体レーザのＳＮ比を改善できる。
レーザ装置によれば、光アイソレータを用いない光ピツ
クアップにおいて戻り光誘起雑音を減少させることがで
き、また光ピツクアップにとどまらず、戻り光が存在す
る場合において、半導体レーザのＳＮ比を改善できる。
第１図（ａ）、（ｂ）は光ピツクアップの光学系を示す
図、第２図は本発明の半導体レーザの断面図、第３図は
本発明の半導体レーザの雑音低減効果を示す図、第４図
は、本発明の第２の実施例による半導体レーザの断面図
を示す図である。 １ ・・・半導体レーザ、 ２・・・コリメートレンズ
、 ３ ・・・偏光ビームスペリツタ、 ４ ・・・四
分の一波長板、 ５ ・・・フォーカスレンズ、６ ・
・・ディスク、 ７ ・・・ディテクタレンズ、８ ・
・・光検出素子、 ９ ・・・ ビームスプリッタ（ハ
ーフミラ−）、 １０・・・ステム本体、 １１・・・
キャップ、１２・・・透明な出射窓、１３．１７・・・
二分の一波長板、１４・・・半導体レーザ素子、 １５
・・・ヒートシンク（サブマウント）、 １６・・・
リード線。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 （ａ） （ｂ） 第３図 戻り危敏 （％）
図、第２図は本発明の半導体レーザの断面図、第３図は
本発明の半導体レーザの雑音低減効果を示す図、第４図
は、本発明の第２の実施例による半導体レーザの断面図
を示す図である。 １ ・・・半導体レーザ、 ２・・・コリメートレンズ
、 ３ ・・・偏光ビームスペリツタ、 ４ ・・・四
分の一波長板、 ５ ・・・フォーカスレンズ、６ ・
・・ディスク、 ７ ・・・ディテクタレンズ、８ ・
・・光検出素子、 ９ ・・・ ビームスプリッタ（ハ
ーフミラ−）、 １０・・・ステム本体、 １１・・・
キャップ、１２・・・透明な出射窓、１３．１７・・・
二分の一波長板、１４・・・半導体レーザ素子、 １５
・・・ヒートシンク（サブマウント）、 １６・・・
リード線。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 （ａ） （ｂ） 第３図 戻り危敏 （％）
Claims (1)
- 二分の一波長板を、半導体レーザ装置パッケージ内また
は出射窓部に設け、前記パッケージ内からの半導体レー
ザ出射ビームの偏光方向を、９０°回転させた直線偏光
に変換することを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119837A JPS611078A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119837A JPS611078A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS611078A true JPS611078A (ja) | 1986-01-07 |
Family
ID=14771482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59119837A Pending JPS611078A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS611078A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4835761A (en) * | 1985-11-20 | 1989-05-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Signal to noise ratio of optical head apparatus employing semiconductor laser beam source |
| US5268922A (en) * | 1991-10-31 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | Laser diode assembly |
| JP2004088129A (ja) * | 2003-12-08 | 2004-03-18 | Sony Corp | レーザ光発生装置 |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP59119837A patent/JPS611078A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4835761A (en) * | 1985-11-20 | 1989-05-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Signal to noise ratio of optical head apparatus employing semiconductor laser beam source |
| US5268922A (en) * | 1991-10-31 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | Laser diode assembly |
| JP2004088129A (ja) * | 2003-12-08 | 2004-03-18 | Sony Corp | レーザ光発生装置 |
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