JPS5912037B2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS5912037B2 JPS5912037B2 JP5862578A JP5862578A JPS5912037B2 JP S5912037 B2 JPS5912037 B2 JP S5912037B2 JP 5862578 A JP5862578 A JP 5862578A JP 5862578 A JP5862578 A JP 5862578A JP S5912037 B2 JPS5912037 B2 JP S5912037B2
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- laser
- light
- semiconductor laser
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はじよう乱を起すことなく外部光回路に出力を
結合させることのできる半導体レーザ装置の改良に関す
る。
結合させることのできる半導体レーザ装置の改良に関す
る。
半導体レーザは光通信やビデオディスク再生などに用い
られ、通常光ファイバや組合せレンズ等の外部光回路に
出力を結合させて使用される。
られ、通常光ファイバや組合せレンズ等の外部光回路に
出力を結合させて使用される。
従来の半導体レーザ装置ではこの場合以下に述べるよう
な問題があつた。第１図はこの問題点を説明するための
模式図であり、例として光ファイバに結合する場合を示
してある。
な問題があつた。第１図はこの問題点を説明するための
模式図であり、例として光ファイバに結合する場合を示
してある。
従来のレーザ装置本体１０１は、レーザチップ１、スタ
ッド２、スペーサ３、フランジ４、ガラス窓５、リード
線８より成つている。上記２５３、４、５がいわゆるパ
ツケーミを構成しており、レーザチップ１はこの内にあ
り外気より遮断されている。レーザ出力はガラス窓５よ
り取り出されファイバ１０２に結合される。結合効率を
高めるため、レーザチップ１の一方の端面からファイバ
１０１０２端面までの距離Ｘは小さいことが望ましく、
通常１□以下に設定される。なおファイバ１Ｏ２は、中
央部の屈折率の高いコアＴとそれをとりまく屈折率の低
いクラッド６で構成され、光はコア内を伝搬する。断面
は円形である。１５さてこのように配置されると、レー
ザ出力光の大部分はファイバ１０２のコア□内に入るが
、一部の光はファイバ１０２端面で反射されレーザチッ
プ４に戻つてくる。
ッド２、スペーサ３、フランジ４、ガラス窓５、リード
線８より成つている。上記２５３、４、５がいわゆるパ
ツケーミを構成しており、レーザチップ１はこの内にあ
り外気より遮断されている。レーザ出力はガラス窓５よ
り取り出されファイバ１０２に結合される。結合効率を
高めるため、レーザチップ１の一方の端面からファイバ
１０１０２端面までの距離Ｘは小さいことが望ましく、
通常１□以下に設定される。なおファイバ１Ｏ２は、中
央部の屈折率の高いコアＴとそれをとりまく屈折率の低
いクラッド６で構成され、光はコア内を伝搬する。断面
は円形である。１５さてこのように配置されると、レー
ザ出力光の大部分はファイバ１０２のコア□内に入るが
、一部の光はファイバ１０２端面で反射されレーザチッ
プ４に戻つてくる。
戻つた光の一部はレーザ発振モードに結合し、反射光の
ない場合と比べ、例２０えばしきい値が下つたり、発振
モードが変化したり、出力が増大したりする。戻る光の
量および位相が一定であれば、例えば非常に高速のパル
ス駆動を行う場合等をのぞき、通常の動作ではあまり問
題にならないが、実際には一定に保つことは困２５難で
ある。なぜならばファイバ１０２とレーザ装置１０１相
互間の固定は通常機械的に行なわれるが、μｍオーダの
相対位置の保存は振動などのためにきわめて困難である
。しかも、距離Ｘが０２５μｍ変化すると、例えば波長
が１μｍのレーザの３０場合には反射光の位相が１８０
０回転する。またわずかな角度ズレ等によつて戻る光の
量も時々刻々変化する。このためレーザは時間的に変動
するじよう乱をうけることになり、ノイズの発生、発振
モードの変化等光源として望ましくない特性を３５示す
ことになる。この発明は従来装置の上記欠点を除去し、
外部回路に接続した場合にも安定な発振を行ラレーザ装
置を提供するものである。
ない場合と比べ、例２０えばしきい値が下つたり、発振
モードが変化したり、出力が増大したりする。戻る光の
量および位相が一定であれば、例えば非常に高速のパル
ス駆動を行う場合等をのぞき、通常の動作ではあまり問
題にならないが、実際には一定に保つことは困２５難で
ある。なぜならばファイバ１０２とレーザ装置１０１相
互間の固定は通常機械的に行なわれるが、μｍオーダの
相対位置の保存は振動などのためにきわめて困難である
。しかも、距離Ｘが０２５μｍ変化すると、例えば波長
が１μｍのレーザの３０場合には反射光の位相が１８０
０回転する。またわずかな角度ズレ等によつて戻る光の
量も時々刻々変化する。このためレーザは時間的に変動
するじよう乱をうけることになり、ノイズの発生、発振
モードの変化等光源として望ましくない特性を３５示す
ことになる。この発明は従来装置の上記欠点を除去し、
外部回路に接続した場合にも安定な発振を行ラレーザ装
置を提供するものである。
以下図面に従つて本発明を詳述する。第２図はこの発明
による一実施例の断面を示す図である。
による一実施例の断面を示す図である。
第１図中のレーザ装置と外形的に類似しているが、ガラ
ス窓５の代りに１／４波長板（以下λ／４板と呼ぶ）１
１が設けられていることが特徴である。レーザ光はこの
λ／４板１１を通して外部へとり出される。レーザチツ
プ１が外気より遮断されていることは従来装置と同様で
ある。次にこのような装置にすることによつてなせじよ
う乱がおさえられるかを第３図を用いて説明する。
ス窓５の代りに１／４波長板（以下λ／４板と呼ぶ）１
１が設けられていることが特徴である。レーザ光はこの
λ／４板１１を通して外部へとり出される。レーザチツ
プ１が外気より遮断されていることは従来装置と同様で
ある。次にこのような装置にすることによつてなせじよ
う乱がおさえられるかを第３図を用いて説明する。
半導体レーザの出力は通常一方向に強く偏光している。
これはよく知られたダプルヘテロ接合構造に基づくもの
であつて、レーザチツプ１に対して水平方向（第２図に
おいては紙面に垂直方向）に偏光面をもつている。偏光
比は通常２０〜５０程度である。さて、よく知られてい
るように、λ／４板１１は特定の方向、例えばＸ方向と
する、に偏光面を有する光と、それに垂直な方向＊Ｙ方
向》に偏光面をもつ光とに対し、異る伝搬速度を与える
材料によつて作られ、その厚みが、特定の波長に対して
、前記２者の光がこれを通過したときに丁度π／４だけ
位相が異るように設定されているものである。
であつて、レーザチツプ１に対して水平方向（第２図に
おいては紙面に垂直方向）に偏光面をもつている。偏光
比は通常２０〜５０程度である。さて、よく知られてい
るように、λ／４板１１は特定の方向、例えばＸ方向と
する、に偏光面を有する光と、それに垂直な方向＊Ｙ方
向》に偏光面をもつ光とに対し、異る伝搬速度を与える
材料によつて作られ、その厚みが、特定の波長に対して
、前記２者の光がこれを通過したときに丁度π／４だけ
位相が異るように設定されているものである。
このようなλ／４板１１に対し、第３図ｂに示した方向
、すなわち、Ｘ方向、Ｙ方向にそれぞれ４５方をなす方
向に偏光面を合致させて入射光Ａを入射させ、鏡１２で
反射させ再びλ／４板１１を通り反射光Ｂとなるパスを
考える。
、すなわち、Ｘ方向、Ｙ方向にそれぞれ４５方をなす方
向に偏光面を合致させて入射光Ａを入射させ、鏡１２で
反射させ再びλ／４板１１を通り反射光Ｂとなるパスを
考える。
入射光の電界ベクトルＡはＸ，Ｙ方向の成分Ａｘ，Ａｙ
の合成であり、いまＹ成分を規準に考えるとＸ成分は１
度λ／４板１１を通過して位相がπ／４、２回通過して
π／２だけ相対的に変化する。従つて反射光Ｂは第３図
ｂに示すごとく入射光の電界ベクトルと直交する電界ベ
クトルをもつことになる。従つて、第２図のようなこの
発明によるレーザ装置を第１図のようにフアイバ等に結
合させた場合、フアイバ端面で反射された光はレーザチ
ツプ１に戻つても偏光面が異り発振モードと異なるモー
ドとなつている。異るモード間の結合はきわめて小さい
ので、この反射光がレーザ動作に与える影響はきわめて
小さく、従来装置のような不安定な動作をすることがな
い。以上のように、この発明によれば、外部回路に結合
した場合においても安定な発振をする半導体レーザが得
られる。
の合成であり、いまＹ成分を規準に考えるとＸ成分は１
度λ／４板１１を通過して位相がπ／４、２回通過して
π／２だけ相対的に変化する。従つて反射光Ｂは第３図
ｂに示すごとく入射光の電界ベクトルと直交する電界ベ
クトルをもつことになる。従つて、第２図のようなこの
発明によるレーザ装置を第１図のようにフアイバ等に結
合させた場合、フアイバ端面で反射された光はレーザチ
ツプ１に戻つても偏光面が異り発振モードと異なるモー
ドとなつている。異るモード間の結合はきわめて小さい
ので、この反射光がレーザ動作に与える影響はきわめて
小さく、従来装置のような不安定な動作をすることがな
い。以上のように、この発明によれば、外部回路に結合
した場合においても安定な発振をする半導体レーザが得
られる。
説明の都合上一種類のバツケージを例示したが、その形
にこの発明が限定されないことは以上の説明から明らか
である。
にこの発明が限定されないことは以上の説明から明らか
である。
第１図は従来装置を用いた光結合時の問題点を説明する
ための模式図、第２図はこの発明による一実施例を示す
断面図、第３図はこの発明の動作原理を示す模式図であ
る。 図において、１はレーザチツプ、２はスタツド、３はス
ペーサ、４はフランジ、１１はλ／４板である。
ための模式図、第２図はこの発明による一実施例を示す
断面図、第３図はこの発明の動作原理を示す模式図であ
る。 図において、１はレーザチツプ、２はスタツド、３はス
ペーサ、４はフランジ、１１はλ／４板である。
Claims (1)
- １ レーザ出力窓を有するパッケージ内にレーザチップ
を収納し、上記レーザ出力窓を外部光回路の入力端面に
微小距離で対向させた半導体レーザ装置において、上記
レーザ出力窓を１／４波長板で形成したことを特徴とす
る半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5862578A JPS5912037B2 (ja) | 1978-05-16 | 1978-05-16 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5862578A JPS5912037B2 (ja) | 1978-05-16 | 1978-05-16 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54149487A JPS54149487A (en) | 1979-11-22 |
| JPS5912037B2 true JPS5912037B2 (ja) | 1984-03-19 |
Family
ID=13089751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5862578A Expired JPS5912037B2 (ja) | 1978-05-16 | 1978-05-16 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5912037B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5783080A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser module device |
-
1978
- 1978-05-16 JP JP5862578A patent/JPS5912037B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54149487A (en) | 1979-11-22 |
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