JP2518027B2 - 半導体レ―ザモジュ―ル - Google Patents
半導体レ―ザモジュ―ルInfo
- Publication number
- JP2518027B2 JP2518027B2 JP63300654A JP30065488A JP2518027B2 JP 2518027 B2 JP2518027 B2 JP 2518027B2 JP 63300654 A JP63300654 A JP 63300654A JP 30065488 A JP30065488 A JP 30065488A JP 2518027 B2 JP2518027 B2 JP 2518027B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- optical isolator
- optical
- light
- laser module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光通信用の半導体レーザモジュールに係わ
り、特にDFB−LD（Distributedfeedback laser diode）
レーザ等を用いる高速伝送用として好適な半導体レーザ
モジュールに関する。
り、特にDFB−LD（Distributedfeedback laser diode）
レーザ等を用いる高速伝送用として好適な半導体レーザ
モジュールに関する。
従来、この種の半導体レーザモジュールとして、例え
ば、第２図に示すように、半導体レーザ１と、この半導
体レーザ１からの出射光２を入射する光ファイバ３との
間に光アイソレータ４を介在させた構成のものが知られ
ている。なお、半導体レーザ１と光アイソレータ４との
間には、出射光２を平行ビームに変換するためのレンズ
５が介在され、また光アイソレータ４と光ファイバ３と
の間には集光用レンズ６が介在されている。
ば、第２図に示すように、半導体レーザ１と、この半導
体レーザ１からの出射光２を入射する光ファイバ３との
間に光アイソレータ４を介在させた構成のものが知られ
ている。なお、半導体レーザ１と光アイソレータ４との
間には、出射光２を平行ビームに変換するためのレンズ
５が介在され、また光アイソレータ４と光ファイバ３と
の間には集光用レンズ６が介在されている。
半導体レーザ１からの出射光２はレンズ５によって平
行ビームに変換されて光アイソレータ４に入射され、更
に光アイソレータ４の出射光はレンズ６により集光され
て光ファイバ３に結合される。
行ビームに変換されて光アイソレータ４に入射され、更
に光アイソレータ４の出射光はレンズ６により集光され
て光ファイバ３に結合される。
光アイソレータ４は光学的非可逆素子であり、光ファ
イバ３からの戻り光が半導体レーザ１に再入射すること
を防止する機能を持ち、レーザ発振の安定化を図る目的
で高速用伝送用の半導体レーザモジュールには多用され
ている。
イバ３からの戻り光が半導体レーザ１に再入射すること
を防止する機能を持ち、レーザ発振の安定化を図る目的
で高速用伝送用の半導体レーザモジュールには多用され
ている。
上述した従来の半導体レーザモジュールは、光アイソ
レータ４が内蔵されていることから小型化が図れ、取り
扱いが容易である反面、一体的に組み立てた後には、半
導体レーザ１と光アイソレータ４との間で光信号を取り
出すことができず、光パワーの測定が行えなかった。こ
のため、光アイソレータ４の基本特性であるアイソレー
ション（順方向と逆方向との挿入損失の比）が、半導体
レーザモジュール組み立て後は測定できないという不都
合があった。
レータ４が内蔵されていることから小型化が図れ、取り
扱いが容易である反面、一体的に組み立てた後には、半
導体レーザ１と光アイソレータ４との間で光信号を取り
出すことができず、光パワーの測定が行えなかった。こ
のため、光アイソレータ４の基本特性であるアイソレー
ション（順方向と逆方向との挿入損失の比）が、半導体
レーザモジュール組み立て後は測定できないという不都
合があった。
コヒーレント伝送等の高度な光伝送に用いる半導体レ
ーザモジュールとしては、40dB程度の高いアイソレーシ
ョンが必要であり、アイソレーションの実力値の判定は
欠くことができない。従来では、半導体レーザモジュー
ルの製造後、装置に組み込んで伝送特性を測定しなけれ
ばアイソレーションの実力値が判定出来ないため、多数
の半導体レーザモジュールの中から必要な特性に合致す
るものを選択するのに多大な時間を費やしている。
ーザモジュールとしては、40dB程度の高いアイソレーシ
ョンが必要であり、アイソレーションの実力値の判定は
欠くことができない。従来では、半導体レーザモジュー
ルの製造後、装置に組み込んで伝送特性を測定しなけれ
ばアイソレーションの実力値が判定出来ないため、多数
の半導体レーザモジュールの中から必要な特性に合致す
るものを選択するのに多大な時間を費やしている。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、光
アイソレータの特性確認がモジュール組み立て後でも行
え、装置組み込みによる伝送特性の測定を不要とし、選
別に要する時間の短縮が図れる半導体レーザモジュール
を提供することを目的とする。
アイソレータの特性確認がモジュール組み立て後でも行
え、装置組み込みによる伝送特性の測定を不要とし、選
別に要する時間の短縮が図れる半導体レーザモジュール
を提供することを目的とする。
本発明に係わる半導体レーザモジュールは、半導体レ
ーザと光アイソレータとの間に、半導体レーザからの光
の一部を外部に取り出すとともに、光アイソレータから
の光の一部を外部に取り出す半透明鏡からなる光取り出
し機構を設け、もってモジュール組み立て後において
も、半導体レーザと光アイソレータとの間から取り出し
た光信号に基づいて、アイソレーション判定が行えるよ
うにして前記の目的を達成するものである。
ーザと光アイソレータとの間に、半導体レーザからの光
の一部を外部に取り出すとともに、光アイソレータから
の光の一部を外部に取り出す半透明鏡からなる光取り出
し機構を設け、もってモジュール組み立て後において
も、半導体レーザと光アイソレータとの間から取り出し
た光信号に基づいて、アイソレーション判定が行えるよ
うにして前記の目的を達成するものである。
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明す
る。
る。
第１図に示すように、半導体レーザ11と、この半導体
レーザ11からの出射光12を入射する光ファイバ13との間
に、光アイソレータ14が介在されている。半導体レーザ
11と光アイソレータ14との間には出射光12を平行ビーム
に変換するためのレンズ15が介在され、また光アイソレ
ータ14と光ファイバ13との間には、集光用レンズ16が介
在されている。
レーザ11からの出射光12を入射する光ファイバ13との間
に、光アイソレータ14が介在されている。半導体レーザ
11と光アイソレータ14との間には出射光12を平行ビーム
に変換するためのレンズ15が介在され、また光アイソレ
ータ14と光ファイバ13との間には、集光用レンズ16が介
在されている。
このものにおいて、光アイソレータ14と、この光アイ
ソレータ14の半導体レンズ11側のレンズ15との間にレー
ザ光の光路に対して一定角度傾斜する配置で半透明鏡17
からなる光取り出し機構が設けられている。
ソレータ14の半導体レンズ11側のレンズ15との間にレー
ザ光の光路に対して一定角度傾斜する配置で半透明鏡17
からなる光取り出し機構が設けられている。
しかして、半導体レーザ11からの出射光12は平行ビー
ムに変換された後、半透明鏡17を透過して光アイソレー
タ14に入射される。この後、光アイソレータ14からの出
射光となってレンズ16により集光されて光ファイバ13に
結合される。この場合、半導体レーザ11からの出射光12
の一部は半透明鏡17の表面で反射され、この反射光18は
外部に取り出される。
ムに変換された後、半透明鏡17を透過して光アイソレー
タ14に入射される。この後、光アイソレータ14からの出
射光となってレンズ16により集光されて光ファイバ13に
結合される。この場合、半導体レーザ11からの出射光12
の一部は半透明鏡17の表面で反射され、この反射光18は
外部に取り出される。
従って、光アイソレータ14のアイソレーションを測定
する場合には、まず半透明鏡17による反射光18の光パワ
ーP1を測定し、この光パワーP1と光ファイバ13の先端面
13aからの出射光19の光パワーP2とを比較して、順方向
の挿入損失L1を求める。次に、光ファイバ13の先端面13
a側に、前記と逆方向に向けて図示しない他の半導体レ
ーザからの光ビーム20を入射させる。この光ビーム20の
光パワーP3と、この光ビーム20の光アイソレータ14通過
後の半透明鏡17表面での反射光21の光パワーP4とを測
定、比較して、逆方向の挿入損失L2を求める。このよう
にして得られた挿入損失L1、L2の比から、光アイソレー
タ14のアイソレーションを求めればよい。
する場合には、まず半透明鏡17による反射光18の光パワ
ーP1を測定し、この光パワーP1と光ファイバ13の先端面
13aからの出射光19の光パワーP2とを比較して、順方向
の挿入損失L1を求める。次に、光ファイバ13の先端面13
a側に、前記と逆方向に向けて図示しない他の半導体レ
ーザからの光ビーム20を入射させる。この光ビーム20の
光パワーP3と、この光ビーム20の光アイソレータ14通過
後の半透明鏡17表面での反射光21の光パワーP4とを測
定、比較して、逆方向の挿入損失L2を求める。このよう
にして得られた挿入損失L1、L2の比から、光アイソレー
タ14のアイソレーションを求めればよい。
以上の実施例の構成によると、半導体レーザモジュー
ル組み立て後においても、光アイソレータ14の特性確認
が行えるので、適用すべきシステムに必要とされるアイ
ソレーションを有する半導体レーザモジュールの選定が
装置への組み込み前でも可能となる。従って、装置への
組み込み後の伝送特性測定に依存せざるを得ない従来の
半導体レーザモジュールと異なり、モジュール単位での
特性判定により選定が容易かつ短時間で行えるようにな
る。
ル組み立て後においても、光アイソレータ14の特性確認
が行えるので、適用すべきシステムに必要とされるアイ
ソレーションを有する半導体レーザモジュールの選定が
装置への組み込み前でも可能となる。従って、装置への
組み込み後の伝送特性測定に依存せざるを得ない従来の
半導体レーザモジュールと異なり、モジュール単位での
特性判定により選定が容易かつ短時間で行えるようにな
る。
以上のように、本発明に係わる半導体レーザモジュー
ルによれば、モジュール組み立て状態で装置への組み込
み前に光アイソレータの特性判定が行え、それだけ選別
に要する時間が短縮できるという優れた効果が奏され
る。
ルによれば、モジュール組み立て状態で装置への組み込
み前に光アイソレータの特性判定が行え、それだけ選別
に要する時間が短縮できるという優れた効果が奏され
る。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は従来
例を示す構成図である。 11……半導体レーザ、12……出射光、 13……光ファイバ、14……光アイソレータ、 17……半透明鏡。
例を示す構成図である。 11……半導体レーザ、12……出射光、 13……光ファイバ、14……光アイソレータ、 17……半透明鏡。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザと、この半導体レーザからの
射出光を入射する光ファイバとの間に、光アイソレータ
を介在させた半導体レーザモジュールであって、前記半
導体レーザと光アイソレータとの間に、半導体レーザか
らの光の一部を外部に取り出すとともに、光アイソレー
タからの光の一部を外部に取り出す半透明鏡からなる光
取り出し機構を設けたことを特徴とする半導体レーザモ
ジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63300654A JP2518027B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 半導体レ―ザモジュ―ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63300654A JP2518027B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 半導体レ―ザモジュ―ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02148006A JPH02148006A (ja) | 1990-06-06 |
| JP2518027B2 true JP2518027B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=17887462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63300654A Expired - Lifetime JP2518027B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 半導体レ―ザモジュ―ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2518027B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60120305A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-27 | Hitachi Cable Ltd | 固有偏光モ−ド励振装置 |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP63300654A patent/JP2518027B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02148006A (ja) | 1990-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2507644B2 (ja) | 光 源 | |
| US20010026574A1 (en) | External resonator type laser light source | |
| US5101461A (en) | Optical fiber amplifier apparatus | |
| JP2518027B2 (ja) | 半導体レ―ザモジュ―ル | |
| EP1324442A2 (en) | Optical semiconductor module | |
| US6865197B2 (en) | Laser diode module | |
| JPH11126943A (ja) | 外部共振器型光源 | |
| JPS611077A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS55126208A (en) | Light emitting semiconductor device | |
| SE9001903D0 (sv) | Laser | |
| JP2684568B2 (ja) | 光集積回路 | |
| JPS62217226A (ja) | 光制御装置 | |
| JPH0242782A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JPH01260882A (ja) | 発光素子モジュール | |
| JPH07202311A (ja) | 光半導体レーザ装置の波長安定化方式 | |
| US6920168B1 (en) | Optical assembly | |
| JPS60257190A (ja) | 光情報装置 | |
| JPH05297233A (ja) | 光導波路モジュールのモニタ構造 | |
| JP3508396B2 (ja) | バーコード読み取り用複合光学装置の製造方法 | |
| WO2023037510A1 (ja) | 波長ロッカー、モニタフォトダイオード、ビームスプリッタおよび波長ロッカーの調芯方法 | |
| JPH10242504A (ja) | 入射光規制部材及びこれを用いた光モジュール | |
| JPH04155627A (ja) | 光ピックアップ | |
| JP3594217B2 (ja) | 光モジュール及びその製造法 | |
| AU620581B2 (en) | Light sources | |
| JPS62196620A (ja) | レ−ザモジユ−ル |