JPS6066825A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔発明の技術分子］：〕 本発明は半、に体装匹の製゛造方伝に関し、特に半ｊｊ
Ｊ体基板上に直接もしくは誘電体層を介して設けられた
不純物を高波度に含む半４４体層ｒ選択的に除去する半
ｊ！１体装置ｔｔの蛛゛二造方法に係わる。 〔発明の技術的背景〕 周知の如く、半導体装ｉｉ？の製造に際し、Ｓｉ基板な
どの半智体基板上に直接もしくは誘″屯体１；・′１を
介して設けられた不純物をｊ’ｔ；Ｊ濃度に含む半ピ！
Ｉ体ハ゛）ｔ、他の半イ；Ｉ体層との濃１．８：左を利
Ｊ［１シてエツチング液で選択的に除去する技術が知ら
れている。かかる技術は、例えは特公昭４９−３６７９
２号公報等にエリ数多く　’＋４ｊｉ告されている。 〔凸′昆づ父ＩＩ１．Ｊの）昌］ｊ勇、φ、〕し〃・し
／

【がら、従来技術によれば、−６子が人危冒し’ｊ−
ｊ！、ｒ′、１．：４１１１化し７こＪ私金、エツチン
グの均一１生が１氏ドするとともに、サイドエツチング
量が多いという欠点ｔ・１−１゛する。特に、エツチン
グ液の温度が次第に上昇するため、エツチング液砧によ
ってエツチング速度が大変Ｆなり、ローディング効果が
大きい。このことは、エツチングむらを招く。また、エ
ツチング液（プ１万１イトろ：イ〕−，・−るため、エ
ツチングｔＩらを考慮してかなりオーバーエツチングし
なげれば、エツチング残清か残る。 〔発明の目的〕 本発明は上記中漬に兆ガみてなされたもので。 ローディング効果を小さくしてエツチングむらを抑制す
るとともに、微細なパターンを形成し役る半導体装置の
製造方法？ｌｃ提供すること光１］的とするものである
。 〔発明の概要〕 本発明は、半シ）体裁板上に１ｒ弓妾あるいは読市、体
層を介して設けられプｃ不純物を高ｄＪｌ：Ｕに含む半
導体層を、該半導体層の少なくとも一部だけをエツチン
グする選択エツチング液を超音波振動させながら用いて
エツチング除去する工程全具備し、前記刺択Ｔツチング
液はす１３化水素（）−１Ｆ　ン　−一硝自Ｑ　（ＨＮ
Ｑ　３　）　−酢〆俊　（ＣＨ，Ｃ０（ＪＨ）　系の−
に、ソチングｌ夜を水でうすめたものであり、とｆｑ−
にＩ：リエッチング制御性が同上することを図つ／こ【
−１のである。 〔ジＬＨす１のう５施例〕 す、下、不発明をＩ２Ｌ、Ｎ−ｃｈＭすＳハソトランジ
スタの製造に適用し１こ例について第１図（ａ）〜（ｑ
Ｊ及び乃至第７図（す〜（ｅ）を参Ｊ：ｌＪして説明す
る。 実施）を１１１ 〔１〕土す、例えばＰ−型のＳｉ基板１表ｉｊｊ＋にア
ンチモノを選択拡散してＮ　型埋込み層２をノ［ゑ成し
、更に深さ約１５μｍの１〜４りのエピタキシー・ル１
．ｉ３’７：形成した後、　Ｉ”）ｒ定頭域にフィール
ドｐ、ｌン化膜４全形成した。つづいて、基板ｌの素子
１１″１城に、漬１（を化処理を施して厚さ５００ｆｔ
−の酸化Ｌ”・Ｊ　’Ｊ：形１ｊ！　サセ７コ＊’ｉ、
ＩりＩＩえばボｏン’ｔイ＞ｒｙＱ：入し、アニーリン
グしてＰ−型ベーヌｊ曽６忙形成した（−１′、１図（
ａ１図ボ〕、、仄いで、エミッタ拡；人層形１又予定ｆ
Ｘｌｉに対ｌ、１．；する１山記酸化ｊ摸５を途択１１
月で１孝フ、しプこ後、全面に不純物を旨ｍ１度に含む
半導体層となる厚さ２５００Ａのアンドープ多結晶シリ
コン層２を形成した。しかる後、このシリコン層２に砒
素金・イ１−ン注入し、全面にアンドープＣＶＤ膜ａ　
１　、ｔｌｉイ・Ｌ７てから、アニーリングしてシリコ
ン層２中（ｔこて砒糸イオンを均一に分布するよう拡散
させた（第１図（ｂ）１ス示）。 更に％図示しないレジヌトパターン蛍マスクとして前記
アンドープＣＶ　Ｄ　膜８　ｆ　」５３．沢的に除去し
て誘電体膜パターンとしてのＣＶ　ｌ）　膜パターン８
′ヲ形成した後、レジストパターンを剥ｈ「し１ヒ（第
１図（Ｃ）１示）、ｌ 〔１１〕仄に、ＣＶＤｊｌζバ５・−ン８′業マスクと
して前記アンドープ多結晶シリコン！ｌ”＋　７　’ｚ
　、　ＦＩＦ：　ＨＮ　０３　：　ＣＨ３（：Ｑ（、Ｊ
ｔｌ（ＨＡｃ）　：　Ｅｌ、　０＝　１：２０：２０：
５０のＪ窯１尺７ニツチング液により共振周波数４５　
Ｋ　１１７ご・（召片波振１ｉｉＪさぜながら選択的に
除去し、アンドーグ多Ｉｉｌ！ｉ品シリコン層パターン
２′を形成した（）８１図（ｄ）凶ボ）。ｌ」６゜この
際、Ｓｉ基板ｌ及び酸化膜５はほとんどエツチングされ
なかった。また、ＦＪｌｊａ己パターン／は、エミッタ
拡散Δ、中、ゲート電極、フィールド酸イヒ月・１−」
この自己糸足として用いられる。つづいて。 νて、出しプζベース眉６を熱６タ化して酸化膜９ｆ：
形ｈｓ”、　した後　ＣＶ　Ｄ膜パターン８′をマスク
としてＲ’Ｊ　邑エピタキシャル層３及びベース層６に
１夕１えはボロンを目己祭合［］’ｌにイオン注入し、
アニーリングしてＰ　型のベース層１０＞形成したＣ第
１１ス（ｃ）図示）。更に、前記ＣＶ　Ｄ　ｊｔ、Ｉパ
ターン８′及び酸化膜９を除去した後、熱酸化して全面
に再１隻アンドープＣＶ　Ｄ　ＩＱ　Ｉ　Ｉを推Ａ青し
、バラｉ／　ヘ−ｉ／　Ｅン：ｊ’Ａトシテａｉ、Ｎ４
！ｔ＞”’、　（２ｆ堆積し１こ。なお、前記アンドー
プ多結晶シリ３２層パターン２′下（、・、　ｉｊ夕化
１．′”ｊ５はゲート維嫌膜１３となった。しかる後、
１０００℃でエミッタ拡散をｌｊない、７曵いＮ　型σ
フコ−ミッタ１１ン、ｆ：＆　ｉ司ｔ４ｖ：形成し〕（
−０ひきつづき、１ｉｉＪ記ベ一ヌ層１０（１）一部に
文−Ｊ　Ｌ；するＳ　ｉ３　Ｎ４　町：、　ｌ　２−７
：ｙ　ドーグＵ　Ｖ　Ｄｌ：”’′、Ｚ１ｋａ択的にエ
ツチング除去してコンタクトボールＺ５．１５を形成し
た後−Ａｔ配線１に、Ｚ６ｆ形成してＩ　”　Ｌ　（ｉ
ｎｔｅｇｒａｔｅｄＩｎｊｅｃｔｉｏｎ　Ｌｏｇｉｃ）
　”７形成した（４１図（ｇ３１￥Ｉ　ｚｉす。 しかして１本発明によれば、第１図（Ｃ）に示す工程で
ＣＶＤ膜パターン（誘電体膜パターシン８′ヲマスクと
して砒素イオンを高（、僧度に含んたアンドープ多結晶
シリコン層７を、ｎ　ｒ　：ＨＮＯ，：ＣＨ，ｃｏｏＨ
：■−＋、０＝１：２ｏ：２ｏ：５゜の選択エツチング
液により例えば共振周波いｒ４５ＫＨ２で超音波振Ｌ−
θさぜながら」を択的ＵＬ’　］’ｘ’Ｈ：去するため
、第１０Ｃ山に示す如く不純物が低７ｈ”：度のベース
層６やエビタギシャル層３を佼さすに前記多結晶シリコ
ン層２のみを選択的にエツチング除去して自己整合的に
アンドープ多結晶シリコンパターン２′を形成できる。 従って、従来と比べ、サイドエッチ務が少なくエツチン
グむらが少ないとともに１寸法バラツキを抑えることが
できる。小実、第２図に示す如く、エツチングマスクと
してＳ　Ｉ　ａ　Ｎ’、　Ｉｆｆ′Ｌ；ｌ　ｌ　ｆ用い
てδｉ基板２２上の厚さ２５００λのｒｑ″−型の多結
晶シリコン層（不純物濃〜５　Ｘ　１０　”　’　、／
ｃ１７１）２３をエツチングした場合、各オーバエッヅ
ーング貢に対する多結晶シリコン７５　、？　３のサイ
ドエツチング用、は第３図に示す）ＩＩＩりであった。 なお、エツチングに踪しては実施例゛Ｉの場合と同条件
にした。Ｃｒ、’　３図により、斗イドエツチングでは
。 １００係オーバーエツヅーングでΔＸＩ＝２０００ハ、
２００％オーバーエツチングで△ＸＸ−３２００にと（
・１ｈめて少ない。しかも、力・板２２は多結晶シリコ
ンＩ？１２３と比較して１／１００以下のエツチング速
度であり、基板２２上の図示しない酸化１１ε（は１／
２０　以下のエツチング速度しかないことが判明し１こ
、な′オ、多結晶シリコン／ｉ”ｉの不純物γ・１：；
ど２は〜５　Ｘ　１０　”　’　／ｃＷＩとしたか。 通常のｉｆ　Ｆ　−ｉ：１ｆＮ　０３−ｒＩＡｃ系のエ
ツチング液とｉｉｌ、ｌ　４；、に不エッチングノテ法
は、０度が高くなればエツチング液ル゛、、は速くなり
、逆ｉｌ′ｃ（１食匣が１．！＜　＜　７．ｉ：れ１：
ｉエツチング速度＆ｉ　遅（ｙ、Ｌす、１０　”　’　
、／ｃｒｌ以下ｉ’Ｃ７（、るとほとんどエツチングさ
ｔ＋７７：い、また。 ナヤージごとの寸法バラツキを、、ｉ、ｉｆ仮し１こ結
果。 εｆｆ４１ｒ；ｌに示す分布回が得られ／ζ、’ＬＪ６
、ここでは１チヤ一ジ２０枚■ウェハ（半募体基板〕で
４回エツチングを実施しており、Ｎ法測定１・１１番目
のウニ八（フロントの位Ｕ６　）　、中央のウェハ、バ
ック位置の傷ウェハの３枚の寸法を測定したＤ第４図よ
り１本エツチング技術が、バラツキの少ない制御性のよ
いものであることが＋１１１ｉ認できるλ また、既述した如くアンドープ多結晶シリコンパターン
２′を自己整合的に形成できることにより、第１図（ｅ
）に示ず如くベースＩ？′１１ｏを制ゲ■１性よく形成
できる。更に、液によるエツチング法であるため、例え
ば反応性イオンエツチング等のドライエツチングを用Ｉ
／）／ｃ方法と異なり。 基板への損傷や電金属等の汚染を回避できる。 なお、上記実施例では、　Ｈ１”　＝　ＨＮＯ，：　Ｃ
１−１゜Ｃ０ＯＨ：　ＩＪ２０＝１　：　２０　：　２
０　：　５０ノ」１”、択エツチング液を用いた場合に
ついて述べ／こが、これらｌｃヨｆｙ素を加えた液と通
’７ｉｒ　（ｏ　ＨＦ’　−Ｔ−Ｉ　Ｎ　Ｏ。 −ＨＡｃ系エツチング液により、不純物を高が二度に含
む多結晶シリコン層をエツチングし／こＪ！７“１合の
半潟体装１６の平面−を比１制したところ、原５１力、
！６よひ３ＦＣ６１グに示すｌ廿Ｊ徴鏡写真が得られた
。 ここで、２π５図はイ疋来のコニツチングＩ！佼による
顕（；Ｉ′！、栄句、麹］であり、しτ６１角（・プ本
発明に用いられるＪ゛ゝＩＲエツチング液ＬＬ−３つ素
を加えた液によるそれて必る。これらの顕１１次タ睡、
貞Ｖこよ才りば、従来のｒ７：’ｉ合（（’：＋　５Ｌ
力に示−１ｌ−如く多結晶シリコン層のエツチングの残
ｒｆ物２４が−ｉ１（段差量分やパターン変換差ゞに残
存していることがＭｕ３でさ、かつ本ヅｉｊ　Ｉ］に係
る選択エツチング液の場合第６図に示ず々［１＜上記残
面物２４を完全に除去でき、しかもオーバーエツチング
をする必要もなくパターン変換差も少ないことが判明し
プこ。なお、ヨウ素１０エツチング液１ｔに対してＯ−
２ｇ　添加しているが、ｉ翁刀Ｄ　、ｊ−ｊ−はか１に
りの範１川にわ７こってイ）゛・〉ツノ・ｊ生ａｆ保１
−）することが判す１している。以」二より。 ／トリ゛と明がわＪ−末技？ｉ；Ｊと比ベイ身れている
ごとが確認できる。 ′２；２施例２ 〔１〕コーす、゛ルｆ法により、Ｐ−型のミ・ｌ乱掘ｌ
の圧定のジーン而にフィールド酸化ｊｉ−１３１１該酸
化膜３１下にＰ型のチャイルＢ１止６Ｃ＋　ｉ哉３２を
形成した。つづいて、このチャイル１ｕｌｌ　止餉域３
２で囲まれ／こ基板Ｉの島餉域」−にに′３くがっ？１
□ｊｒ’ｆ’な酸化膜３３を形成した後、しきい値覗圧
（Ｖ’ＴＩυの判御のｌこめにボロンをイオン注入し、
イオン注入層３４を形成した６欠いで、全曲に厚さ、３
５００λの不純７１句を高ｉＤｔ庇に含む多結晶シリコ
ン層リコン 膜３６をｊ矩柾した（家、７ＩスＣ田１・に１示〕。更
に、１狗ｄ己アノドープＣＶＤχ９３６をバターニング
してＨＱ　体にパターンとしてのアンドープ°ＣＶ　Ｉ
）脱パターン３６′を形成した、しかる後、このＣＶｌ
）膜パターン３６′をマスクとして１）４記多結晶シリ
コンｊ口３５を実施例１と同条件で選択的にコーツチン
グ除去し、多結晶シリコンパターン（ゲート電極）３５
′を形成した。ひきつづき、蕗出し１こ酸化膜３１を弗
化アンモニウム液（ＨＦ＋ＨＮ、　Ｆ混合液）で選択的
に除去し、ゲート絶祿膜３２を形Ｊ双Ｌ　７ｅ　（’ｒ
ｊＺ　７　ｂ’ｉ　（ｂ）　［ｙｉ　示）。 〔１１Ｊ次に、ＣＶＤ膜パターン３６′をコニツブーン
ク１：？−去した後ゲート′ｉｉ・１極３５′をマスク
として総出する基板１表面に（）ｌＩえば砒シ′：にイ
オン注入しノζ。つづいて、Ω出した基板ｌを熱酸化し
、更に全曲に町１−”−アンドープＣＶＤ１ｉ気３８を
堆積し。 Ｊ’Ｏｃｌ、ゲッタリング処理を施しｔｃ後にホウ累−
リンケイト所カラス（８？　Ｓ　Ｇ　）　ＩＩ１１．　
、？　９を堆不貞し／こ。θ（いで、　ｈ；＋：切れ防
止の品にＢｋ’ξ）Ｇｌｌ與３９をメルトさせ平担化さ
せるとともに、基板ｌにイメン／Ｉ：、入した砒素イオ
ンを活性化して１Ｎ　型のソース、ドレインｉｉＪ’ｊ
城４０，４１を形成した（　３’：’：、　７１凶（ｃ
１図示）、、更に、−ソース、ドレインＩＪ１」・χ４
θ、ｄｌの一部に対応するＢＰδＧ　Ｉｉら工３９゜ア
ンドープＣＶ　Ｄ　Ｊｐ’ｊ　３８　ｆ　族択的ｖ７１
除去シテコンタクトホールｔ２．ａ２ケ形成し／（後、
ＡＡｌ”′Ｌ！’１！”−７＋　４　、イを形１戊して
Ｎ　−ｃ　ｉ＋　Ｉ’ｄ（Ｊ　Ｓｑ　ト’ｊン７ンスク
塗〕［り、■４した（ｄ↓７　ｋ’；＋　（ｄＣｌ囚う
（＜）、し〃・して、」−化”；ｒ４　Ｊ市１り１　＆
こまれは冥雁１夕ｇ　Ｚと同ｉ、’ｋ　；ｉｉ：　Ｊｌ
：！　山から、寸法バラツキの少ない制御す１１件のよ
いゲート′’ｊ　にｊ１．３５定形成できるとともに、
ソース、トレイン１ｌｉｊ域４０．４１を一己１；ご合
（」」に形成できる。 なお、上記実施例では高ヒｊ２□；−４−に含む多結晶
シリコン層をエツチングする場合につＱｌて述ベブこが
、これに限らず、例えば【〉ｉ基板表面に形成された不
純物を高（Ｑ度に含む拡散１７ｚｊをエツチングする場
合等Ｖこも同様に：瓜用できる。 上記実施例では超音波の共振周波数−４＊　４５　ＫＫ
Ｈ，ｚ　としたが、こ、ｌＬにｊ（ｐ、らず、　４５　
Ｋ、　Ｈｙ、　Ｊシ、上であればよい。ｆｒ実５発例者
等は２８Ｋ　！４７゜の場合についても調査をしたが、
　４５　Ｋ１４　ｙ、（Ｆｌ化べてサイドエッチング−
：ｊζが倍Ｊ２１、上あり、逆に４５　Ｋ１−３　ｚＰ
Ｊ、上の」１Ｇ振周波数ｉ＜＝おいてｉ、；ｊサイドエ
ツチング凰が少７Ｘ、ｌ／）ことか判明しブこ。 上６己災施例で１才、コニツチング１１七ユの糸１＋刀
ＣをＩＩ　Ｊ”：Ｉ（Ｎｏ、：　ｌ−ｌＡｃ　：　ＩＩ
２０”１　：　２０　：　２０　：５０どし）７Ｃ場合
について】小ベブ、−が−これに；ｄ２↓Ｅ〕ない。即
ち、　Ｉ−Ｉ　Ｐ　：　Ｉ−Ｈ）（＋、：　ＩＩ　Ａ　
ｃがｃ　１．　：　１．。 ：１０）−ｃｌ：４ｏ：ａｏ）、（１：］、０：４０）
−（１：４０：１０Ｊで囲まれる範囲であり、かつこれ
ら混合液を水で１５１２．から５　（ｉ：ｌ。 の範囲で巧゛１）釈したものならば全てよい。詳述すれ
ば、　ＨＮＱｓ　あるいはＩ−Ｉ　Ａ　ｃのｉ“ン圭度
を高めると。 エツチングのバラツキ及び（不純物を低濃度に含む半導
体Ｊｉ、・ｊと比較した）選択１ケが低下し、逆にＨＮ
（Ｊ、ある。）はＴ−Ｉ　Ａ　ｃのｔ丑ｔを四くすると
不純物を高（仁、、Ｉｉ度に含む半導ｊｌ二Ｉｊ々もＺ
よとんどエツチングしなくなる。また、水による希釈の
程度を下げると、エツチングのバラッキ力稍３大して寸
法制御が困ガ１．どなる、 良洗、上１；１）旨施則で＆’Ａ’、　、　Ｉ　２　Ｌ
　、　Ｎ−ｃ　ｂＭｃｌ　Ｓ並１ランジスタに；ｌ’５
１用しブ（場合ＶＣついて述べたか、と２冒も１巽しス
、バイポーラトランジスタ、′甲、界′／ＪＪ果トラ；
・ｔ）スタ＝％：　ｖこも広くｊ産月できる。 〔発１ｙＪのλ）Ｊ果」 以」二計ｉ二ｕ　（／た卯く不発り］によコ′１．ば、
；Ｉ（純１１邸を１’ｊｒ　ｉ艮Ｉ覧にごなむ半ユ、“
体１１々葡、コーツヅ′ング゛ｊ１１−ら企生じたり、
イ田の半導体層を侵５ことゲく自己！上台的に撤；ｐｔ
：Ｉにバターニングできる半′ｌ’１−１Ｋ　”ｅ％　
１ｉｆｉの型式じｊ、去をｊ］昌刈できるｂの１でに、
る。

【図面の簡単な説明】

第１１（ｎ〜（ｇ）は本発明の一実施例に係る工２Ｌの
製造方法を工程順に示すＩ折’ｕ′ｉＪ図ｓＭｃ２図は
本発明による多結晶シリコン層のサイドエツチング量を
説明するための半導体装置の断面（２）。 第３図は第２図図示の手心体装置に係る多結晶シリコン
層のサイドエツチング量を・示す粘°性図。 第４図は本発明によるジ結（ＩＪ、シリコンｊ）りの寸
法バラツキを説明する分布あ、躯５図は従来のエツチン
グ液による半導体装置の！・項微６ε写貝、　；Ｙｒ；
６図は本発明に係る選択エツチング液による半導体装置
の顕微（凍写真、第７図（ａ）〜（ｄ、）は本発明の他
の実施例に係るＮ　−ｃ　ｈＩＶｔＯ８型トランジスタ
の口造方法を工程順に示す断面上１である、（ｈ　２２
　＋ｈ　ｊ基板、２・・・Ｎ　型埋込みｊｌ５゜３・・
・Ｎ型のエビタギシャルムｊ、４・・・フィールド酸化
膜、６・・・ベーヌノ弱、２・・・アンドープ多結晶電
体膜パターン）、１２．２１・・・Ｆ）　１３　Ｎ　４
膜１５．４２・・・コンタクトホール　ＺＧ、４３・・
・ｈｔＨ訛〈フ、２３．３５・・・多結晶シリコン層。 ２４・・・残渣物、３１・・・フィールド酸化膜。 ３２・・・チャイル明止韻域、３４・・・イオン注入ハ
？・　、　３　９　・・・　Ｂ　Ｉ）　Ｓ　Ｇ　舅すｌ
　１　グ　Ｏ・・・　〜　Ｖ　Ｑノ　ソ　〜ス９「′１
域、４１・・・ｆＮ＋型のドレインｉ百域ｅ出１頓人代
叩人　弁理土鈴　江　武　彦第１図 第１図 第２図 第３図 ］　（’１０ 第４図 １旧１　２１ｉＮ且　３后目　４砺ｇ 旧歇 第　５　図−図面の浄書（内容に変更なし）１４ 第６図 ゲ １１、イ１、へβ、ｊ　１ｙｉ　８　Ｌ！１１゛許庁艮
′Ｌ　尤　杉　利　大　殿１、事件の表示 勅’　１ＧＩｕ昭５８−１７５３６７号２、発明の名彷
・ 半四１体装置の製造方法 ；３　補ｊ）ピをする渚　。 ・１１−件との関係　リ！Ｊ許出ル偵人（３（Ｊ７）東
京芝７１１１′市気株式会社１１代理人 （ｉ　ｉ’１１ｉｔｌ三の７打衰 明ぬ：ｄノー図　面 ７、補正の内容 （１）明細＝書記６頁１〜２行目、同頁１３行目、第８
頁５行目及び第１６頁１６〜１７行目において、「アン
ドープ多結晶シリコン層」とあるを１多結晶シリコン層
」と削正−ノーる。 （２）　明細書記６頁１７〜１８行目にお・いて、「ア
ンドープ多結晶７９３７層パターン」とあるを「多結晶
シリコンパターン」とｉｔＴ　＋ｌゾ４る０ （３）　明細書沃８頁１２〜１３行目及び第Ｊ□Ｌ′ｊ
７〜８行目において、［アンド〜）０多１１’ｉ晶／リ
コンパターン」とあるを［゛多結晶シリコンパターン」
と訂正する。 （４）明細１−第７頁１行目の１ケ゛　ｌ”ｌｌｊ：　
ｉ’ｏ＜、」を削除する。 （５）　明細塾第７頁１２行目の１なお、」以下同頁１
３〜１４行目の「となったＯａｔでの文章を削除する。 （６）　第１図（０、（ｇ）を別紙の如く訂正する。 第１図 特許庁長官　若　杉　相　夫　殿 １、事件り表示 特願昭５８−１７５３６７４ ２、発明の名称 半導体装置の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　勃許出１ｊ１１人 （３０７）　東京芝、′ＩＩ］１れ気株式会社４、代理
人 昭和５９年１月３１日 ６、補正の対象 明細書、図面 ７抽正の内容 （１）　明細書第１６頁９行目及び同頁１１行目におい
て、「顕微鏡写真」とあるな［顕微鏡写真の模式図」と
訂正する。 （２）第５図及び第６図を別紙の如く訂正する（内容に
変更なし）。 特許庁長官　若　杉　和　夫　殿 １、事件の表示 特願昭５８−１７５３６７号 ２、発明の名称 半導体装置の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許用１ｆｉＨｊ１人 （３０７）　東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 ６、補正のヌ・ｊ象 明細書 ７、抽圧の内容 （１１明細占第１０頁２０行目〜第１１　工１ｓ行目に
Ｊ６いて、「半Ｒ″１．体装置の平面図を比中父したと
ころ、・・・・・・これらの顕微鏡写真によれは」とあ
るを、「半導体装置に係る多結晶シリコンパターンの平
面図を比較したところ、第５図および第６図に示す顕微
鏡写真の模式図が貧ｌられπ。ここで、第５図は従来の
エツチング液による便徴鏡写真の模式図であり、弔６図
は本発明に用いられる選択エツチング液にヨク素を加え
た液によるそれである。これらの顕融鏡写真の］莫式図
（二よ几ば」と訂正−１−る。 （２）　明λ（ＩＩ−ｇ第１６０１０行目において、「
選択エツチング液」とあるな、「選択エンチングメｆン
ｌニヨウ素を加えた液」と訂＋］Ｅ　Ｔる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　平ら、体裁板上にｌｆ１接あるいは誘電１本ｊ
   内ｒ介して設けられた不純物を高奴思に含む半ヒｊ、一
   体層を、該半尋体層の／νなくとも一部たげｒエツチン
   グする選択エツチング液葡、脇旨彼振動させながら用い
   てエツチング除去する工程を具備し。 １）１■記」さ、択エツチング液は弗化水素−硝ｅ−酢
   酸系のエツチング液を水てうすめたものであること全特
   徴とづ−る半！！１体装置の製漬方法、（２）　半ノｈ
   Ｃ体基板上に：］１ｊ大あるいは、１：ｊ電体層を介し
   て設けられた不純物を晶７・二゛、度に含む半４λ体層
   足、１．＞（半１ｊＩ１１本層の少なくとも一部たけを
   エツチング１−る帆ＪＲエッチンク、゛１りτ超音波振
   動させンコ：から用いてエツチング１４去する工程を具
   ｆ＋！ｆｊＬ　−１）１■記茂沢：Ｉ−ツチング１１り
   は弗化水系−硝峻一酢酸゛１′このエツチング１１ンを
   水てう１−め、さらにこの敢にＪ　ウ−７，”＋：　ｒ
   ；１ＲＩｌｌ］　ｌ−７ＣＴ）Ｏでｉ−ｚ　Ａ　Ｃ？　
   ’ｖ　！＋ｉ？　ｊ２１　Ｐ　＋る特許請求の範囲第１
   項記載の半導体装置のＱ遣方法。 （３）不純物を高イ１貴度に含む半尋体ｊＬ；τ、不純
   物を低濃朋に含む半導体膜パターンあるいは誘電体膜パ
   ターンをマスクとして選択的にニップ“ング陥去するこ
   とを特徴とりるｉ″＋ｆ’ｌ−＋ｊ！’Ｊ末の１比ｕｉ
   、ｌ第１項乃至氾２項記戦の３？尋体装置市の製造方法
   。 （４）弗化水素−硝酸一酢酸系の組成１１砲囲トｊ、弗
   化水素：硝＆、＞　：　ｕｌ−酸が（１：　１０　：　
   １　ｏ　）。 （１：４０：４０Ｊ、　（１：１０：４０　〕　。 （１：４０：４０）で囲まれる範囲であり、〃・つ選択
   エツチング液はこの混合液を水てＬ　５　（ｉｊから５
   倍の範囲で希釈したものであること′−ｄ：！ｌ）徴と
   する特許請求の範囲第１項乃至第２項ｉｊＬ；　ｉｊ！
   、ｇの半ミ、゛体装置の製造方法。 （５）　不純物ｔｈ論紅に含む半導体バー１の不純物９
   　Ｕが１０”　、／　ｃｔＡ以上ごあり、かつ不純’Ｆ
   Ａ　′？ｉ：１代鱗腹に含む半導体膜パターンの不純！
   ＋Ａ碩１１文か１０　”　８．Ａｒ１１以下ヱあること
   を特％’ｉとターる９“ｉ’　；’Ｆ　ｌ、請求の範囲
   第３項舶戦の半導体装置の製造方法、