JPS6045698B2 - 半導体機器用リ−ド材 - Google Patents
半導体機器用リ−ド材Info
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- JPS6045698B2 JPS6045698B2 JP57006063A JP606382A JPS6045698B2 JP S6045698 B2 JPS6045698 B2 JP S6045698B2 JP 57006063 A JP57006063 A JP 57006063A JP 606382 A JP606382 A JP 606382A JP S6045698 B2 JPS6045698 B2 JP S6045698B2
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、トランジスタや集積回路（ＩＣ）などの半導
体機器のリード材に適する銅合金に関するものである。
体機器のリード材に適する銅合金に関するものである。
従来、半導体機器のリード材としては、熱膨張係数が低
く、素子およびセラミックスとの接着および封着性の良
好なコバール合金、４２合金などの高ニッケル合金が好
んで使われてきた。しかし、近年、半導体回路の集積度
の向上に伴ない、消費電力の高いＩＣが多くなつてきた
ため、使用されるリード線も放熱性、熱伝導性が良好な
銅基合金が使われるようになつてきた。
く、素子およびセラミックスとの接着および封着性の良
好なコバール合金、４２合金などの高ニッケル合金が好
んで使われてきた。しかし、近年、半導体回路の集積度
の向上に伴ない、消費電力の高いＩＣが多くなつてきた
ため、使用されるリード線も放熱性、熱伝導性が良好な
銅基合金が使われるようになつてきた。
しかし、リード線としては、熱伝導性が良い、耐熱性が
良い、半田付け性、めつき密着性が良い、強度が高い、
耐食性がある、廉価である等の広範な諸条件を全て満足
する必要がある。そこで本出願人は、先に安価で諸特性
が優れた銅合金を開発した（特願昭５５−１８３９６７
→特開昭５７一１０９３５７、特願昭５６−１６３０→
特開昭５７−１１６７３８）が、本発明は、この合金を
半導体機器のリード材として用いるには、析出粒子の大
きさを厳密に調整する必要があり、特に、半田付け性、
めつき密．着性を良好にするには、析出粒子を５μｍ以
下にする必要があることを見出した。
良い、半田付け性、めつき密着性が良い、強度が高い、
耐食性がある、廉価である等の広範な諸条件を全て満足
する必要がある。そこで本出願人は、先に安価で諸特性
が優れた銅合金を開発した（特願昭５５−１８３９６７
→特開昭５７一１０９３５７、特願昭５６−１６３０→
特開昭５７−１１６７３８）が、本発明は、この合金を
半導体機器のリード材として用いるには、析出粒子の大
きさを厳密に調整する必要があり、特に、半田付け性、
めつき密．着性を良好にするには、析出粒子を５μｍ以
下にする必要があることを見出した。
そして本発明は、ニッケル０．４〜４．睡量％、けい素
０．１〜１．呼量％、銅及び不可避不純物からなるリー
ド材用銅合金の析出粒子が５μｍ以下であ．る半導体機
器用リード材および前記合金に酸素含有量１０ｐｐｍ以
下で析出粒子が５μｍ以下である半導体機器用リード材
および前記合金に副成分として、り ん：；０．００１
〜０．１重量％， ひ 素；０．００１〜０．１重量％， アンチモン；０．００１〜０．１重量％，鉄 ；０．０
１〜１．鍾量％， コバルト；０．０１〜１．呼量％， クロム；０．０１〜１．鍾量％， 錫 ；０．０１〜１．鍾量％， アルミニウムニ０．０１〜１．鍾量％， チタニウム；０．０１〜１．鍾量％， ジルコニウム；０．０１〜１．呼量％， マグネシウム；０．０１〜１．呼量％， ベリリウム；０．０１〜１．呼量％， 亜鉛：０．０１〜１．鍾量％， マンガン；０．０１〜１．鍾量％， ノからなる群より選択された１種以上を総量で０．００
１〜２．０重量％添加したリード材用銅合金の析出粒子
が５μｍ以下である半導体機器用リード材および前記合
金に副成分を添加したものに酸素含有量１０ｐｐｍ以下
で析出粒子が５μｍ以下である・半導体機器リード材用
銅合金である。
０．１〜１．呼量％、銅及び不可避不純物からなるリー
ド材用銅合金の析出粒子が５μｍ以下であ．る半導体機
器用リード材および前記合金に酸素含有量１０ｐｐｍ以
下で析出粒子が５μｍ以下である半導体機器用リード材
および前記合金に副成分として、り ん：；０．００１
〜０．１重量％， ひ 素；０．００１〜０．１重量％， アンチモン；０．００１〜０．１重量％，鉄 ；０．０
１〜１．鍾量％， コバルト；０．０１〜１．呼量％， クロム；０．０１〜１．鍾量％， 錫 ；０．０１〜１．鍾量％， アルミニウムニ０．０１〜１．鍾量％， チタニウム；０．０１〜１．鍾量％， ジルコニウム；０．０１〜１．呼量％， マグネシウム；０．０１〜１．呼量％， ベリリウム；０．０１〜１．呼量％， 亜鉛：０．０１〜１．鍾量％， マンガン；０．０１〜１．鍾量％， ノからなる群より選択された１種以上を総量で０．００
１〜２．０重量％添加したリード材用銅合金の析出粒子
が５μｍ以下である半導体機器用リード材および前記合
金に副成分を添加したものに酸素含有量１０ｐｐｍ以下
で析出粒子が５μｍ以下である・半導体機器リード材用
銅合金である。
本発明に係る合金は、リード材に要求される放熱性、耐
熱性、強度、半田付け性、めつき密着性等のすべてが良
好なるものである。
熱性、強度、半田付け性、めつき密着性等のすべてが良
好なるものである。
次に、合金成分の限定理由を説明する。
ニツケ・ルの含有量を０．４〜４．０の重量％とする理
由はニッケルの含有量が０．４重量％未満では、けい素
を０．１重量％以上添加しても高強度でかつ高導電性を
示す合金が得られず、逆にニッケル含有量が４．０重量
％を超えると加工性が低下し、半田付け性も低下する為
てある。けい素含有量を０．１〜１Ｊ重量％とした理由
は、けい素含有量が０．１重量％未満ではニッケルを０
．４重量％以上添加しても高強度でかつ高導電性を示す
合金が得られず、けい素含有量が１．０重量％を超える
と加工性、導電性の低下が著しくなり、また半田付け性
も低下する為である。
由はニッケルの含有量が０．４重量％未満では、けい素
を０．１重量％以上添加しても高強度でかつ高導電性を
示す合金が得られず、逆にニッケル含有量が４．０重量
％を超えると加工性が低下し、半田付け性も低下する為
てある。けい素含有量を０．１〜１Ｊ重量％とした理由
は、けい素含有量が０．１重量％未満ではニッケルを０
．４重量％以上添加しても高強度でかつ高導電性を示す
合金が得られず、けい素含有量が１．０重量％を超える
と加工性、導電性の低下が著しくなり、また半田付け性
も低下する為である。
副成分として、りん、ひ素、アンチモン、鉄、コバルト
、クロム、錫、アルミニウム、チタニウム、ジルコニウ
ム、マグネシウム、ベリリウム、亜鉛、マンガンからな
る群より選択された１種以上の総量が０．００１重量％
では高強度でかつ耐食性のある合金が得られず、また２
．呼量％を超えると導電性の低下及び半田付け性の低下
が著しくなる為である。
、クロム、錫、アルミニウム、チタニウム、ジルコニウ
ム、マグネシウム、ベリリウム、亜鉛、マンガンからな
る群より選択された１種以上の総量が０．００１重量％
では高強度でかつ耐食性のある合金が得られず、また２
．呼量％を超えると導電性の低下及び半田付け性の低下
が著しくなる為である。
また酸素含有量を１０ｐｐｍ以下とした理由は、１０ｐ
ｐｍを超えるとめつき密着性が低下するためである。
ｐｍを超えるとめつき密着性が低下するためである。
析出粒子を５μｍ以下にした理由は、５μｍを超えると
半田付け性、めつき密着性が低下するためである。実施
例 第１表に示した組成の合金を溶解し、厚さ１０（朗の鋳
塊を得た。
半田付け性、めつき密着性が低下するためである。実施
例 第１表に示した組成の合金を溶解し、厚さ１０（朗の鋳
塊を得た。
次に鋳塊を約８００℃で熱間圧延し、厚さ７．５Ｔ！：
Ｉｎにした後、表面を面削する。そして冷間圧延で厚さ
１．５ｍ１ｎにした後８００℃で５分焼斜し、最終冷間
圧延で０．８ＷＬにし、４２０℃で６時間？処理する。
この試料を５重量％の硫酸で約１０秒間酸洗し、引張強
さ、伸び、硬さを測定した。
Ｉｎにした後、表面を面削する。そして冷間圧延で厚さ
１．５ｍ１ｎにした後８００℃で５分焼斜し、最終冷間
圧延で０．８ＷＬにし、４２０℃で６時間？処理する。
この試料を５重量％の硫酸で約１０秒間酸洗し、引張強
さ、伸び、硬さを測定した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ニッケル；０．４〜４．０重量％、 けい素；０．１〜１．０重量％、 銅及び不可避不純物；残からなるリード材用銅合金の析
出粒子が５μｍ以下である半導体機器用リード材。 ２ ニッケル；０．４〜４．０重量％、 けい素；０．１〜１．０重量％、 銅及び不可避不純物；残からなるリード材用銅合金の酸
素含有量が１０ｐｐｍ以下で析出粒子が５μｍ以下であ
る半導体機器用リード材。 ３ ニッケル；０．４〜４．０重量％、 けい素；０．１〜１．０重量％、 銅及び不可避不純物；残からなる合金に副成分として、
りん；０．００１〜０．１重量％、ひ素；０．００１〜
０．１重量％、 アンチモン；０．００１〜０．１重量％、鉄；０．０１
〜１．０重量％、 コバルト；０．０１〜１．０重量％、 クロム；０．０１〜１．０重量％、 錫；０．０１〜１．０重量％、 アルミニウム；０．０１〜１．０重量％、チタニウム；
０．０１〜１．０重量％、 ジルコニウム；０．０１〜１．０重量％、マグネシウム
；０．０１〜１．０重量％、ベリリウム；０．０１〜１
．０重量％、 亜鉛；０．０１〜１．０重量％、 マンガン；０．０１〜１．０重量％、 からなる群より選択された１種以上を総量で０．００１
〜２．０重量％添加したリード材用銅合金の析出粒子が
５μｍ以下である半導体機器用リード材。 ４ ニッケル；０．４〜４．０重量％、 けい素；０．１〜１．０重量％、 銅及び不可避不純物；残からなる合金に副成分として、
りん；０．００１〜０．１重量％、ひ素；０．００１〜
０．１重量％、 アンチモン；０．００１〜０．１重量％、鉄；０．０１
〜１．０重量％、 コバルト；０．０１〜１．０重量％、 クロム；０．０１〜１．０重量％、 錫；０．０１〜１．０重量％、 アルミニウム；０．０１〜１．０重量％、チタニウム；
０．０１〜１．０重量％、 ジルコニウム；０．０１〜１．０重量％、マグネシウム
；０．０１〜１．０重量％、ベリリウム；０．０１〜１
．０重量％、 亜鉛；０．０１〜１．０重量％、 マンガン；０．０１〜１．０重量％、 からなる群より選択された１種以上を総量で０．００１
〜２．０重量％添加したリード材用銅合金の酸素含有量
を１０ｐｐｍ以下、析出粒子が５μｍ以下である半導体
機器用リード材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57006063A JPS6045698B2 (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 半導体機器用リ−ド材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57006063A JPS6045698B2 (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 半導体機器用リ−ド材 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25070589A Division JPH0310036A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 半導体機器用リード材 |
| JP25070689A Division JPH0310037A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 半導体機器用リード材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123846A JPS58123846A (ja) | 1983-07-23 |
| JPS6045698B2 true JPS6045698B2 (ja) | 1985-10-11 |
Family
ID=11628123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57006063A Expired JPS6045698B2 (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 半導体機器用リ−ド材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045698B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS599144A (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
| JPS59228746A (ja) * | 1983-06-09 | 1984-12-22 | Kobe Steel Ltd | セラミツクパツケ−ジｉｃ用リ−ド線 |
| JPS6043448A (ja) * | 1983-08-16 | 1985-03-08 | Kobe Steel Ltd | 端子・コネクター用銅合金の製造方法 |
| JPS60128234A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | リ−ドフレ−ム用銅合金 |
| US4799973A (en) * | 1984-04-02 | 1989-01-24 | Olin Corporation | Process for treating copper-nickel alloys for use in brazed assemblies and product |
| JPS60258945A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-20 | Kobe Steel Ltd | セラミツクパツケ−ジｉｃ用リ−ド線 |
| JPS61242052A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Mitsubishi Shindo Kk | 半導体装置用銅合金リ−ド材 |
| JPS6250428A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子機器用銅合金 |
| JPS6250425A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子機器用銅合金 |
| JPS62199742A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-03 | Ngk Insulators Ltd | 高強度銅基合金及びその製造方法 |
| JP2542370B2 (ja) * | 1986-09-30 | 1996-10-09 | 古河電気工業株式会社 | 半導体リ−ド用銅合金 |
| JPH0830233B2 (ja) * | 1987-06-23 | 1996-03-27 | 古河電気工業株式会社 | 高力高導電性銅合金 |
| JPH0830234B2 (ja) * | 1987-07-24 | 1996-03-27 | 古河電気工業株式会社 | 高力高導電性銅合金 |
| JP2501303B2 (ja) * | 1994-04-11 | 1996-05-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| KR0157257B1 (ko) * | 1995-12-08 | 1998-11-16 | 정훈보 | 석출물 성장 억제형 고강도, 고전도성 동합금 및 그 제조방법 |
| US6251199B1 (en) * | 1999-05-04 | 2001-06-26 | Olin Corporation | Copper alloy having improved resistance to cracking due to localized stress |
| JP4937815B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-05-23 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系銅合金及びその製造方法 |
| CN101541987B (zh) | 2007-09-28 | 2011-01-26 | Jx日矿日石金属株式会社 | 电子材料用Cu-Ni-Si-Co系铜合金及其制造方法 |
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| JPS5895850A (ja) * | 1981-12-02 | 1983-06-07 | Kobe Steel Ltd | 集積回路のリ−ドフレ−ム用銅合金 |
-
1982
- 1982-01-20 JP JP57006063A patent/JPS6045698B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54402A (en) * | 1977-06-02 | 1979-01-05 | Kokusai Kikou Kk | Work of protecting normal plane suitable for planting and its method of construction |
| JPS5895850A (ja) * | 1981-12-02 | 1983-06-07 | Kobe Steel Ltd | 集積回路のリ−ドフレ−ム用銅合金 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58123846A (ja) | 1983-07-23 |
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