JPS60138090A - 部分銀めつき方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体渠漬回路（以下ＩＣと称す）用リード
フレームに部分銀めっきを行なう際、ストライクめっき
（下地めっき）？！−剥す工程にて同時に部分銀めっき
面を光沢面に出来る陽極電解処理を施す事な特徴とする
部分銀めっき方法に関する。

ＩＣリードフレームは４２合金（Ｎｉ４２重量％、Ｆｅ
　残）、コバール（Ｎｉ　２９重量％、Ｃｏ　１７　重
酸％、Ｆｅ残）に代表される鉄系合金、リン青銅。

スズ入り銅などの銅系合金のようにシリコンＩＣチップ
と熱膨張率が近くしかも、高強度、高熱伝導性を有する
金属材料なプレス打抜きあるいはエーノチングにて所定
のパターンな形成させた後、アイランド部（ＩＣチップ
な搭載する部分）とインナーリード先端部（ワイヤーボ
ンディングする箇所）にＩＣチップ及びワイヤーとの接
着性向上、放熱性及び電気伝導性の向上、防食性の附与
、拡散防止などの目的で金、銀、パラジウム合金などの
貴金属を部分的にめっきしているのが一般的である。

貴金属めっきのうち、銀はコストが低いので一番多く使
用されている。

Ｉ　ＣＩＪ−ドフルームへ部分的に銀めっきを施す場合
の従来法（金属素材として４２合金な例にとる）は以下
のとおりである。前処理としてトリクレン脱指、アルカ
リ脱脂、中和処理を行なった後ストライクめっき（下地
めっき）な施す。ストライクめっきは微細な粒子を金属
材料に析出させ部分銀めっきの密着な助けるものである
が、材質として銅、あるいは銀が用いられている。通常
、０．０１〜０．５μの厚みでリードフレーム素材の全
面に施される。この後、前記したエリアにジェット流噴
射方式により部分銀めっきを行なう。この部分銀めっき
は、リードフレームとＩＣチップの接着に導電性のペー
ストラ用いる場合には、ペーストの流れな良くするため
に光沢面が望まれており、また、ろう材ンはさんだり、
じかに接着させる場合には、無光沢面が望まれていた。

従来この要求に応えるべく無光沢面を得るにはシアン化
銀浴、あるいはシアン化銀カリウム浴を用いておＦ）。

純度の高い銀皮ｉｔ得ていたが、光沢面の場合は。

前記のめっき浴にセレンなどの異種金属の化合物な添加
し結晶な微細化する事が行なっていた。この場合、リー
ドフレームの貴金属皮膜としてはＩＣチップへ悪影響な
及ぼさない純度の高い１摸が必要であるため、セレンな
どの異種金ｇな含有しているのは好ましくなく、しかも
無光沢面、光沢面の両者な一つのめっき装置より得たい
場合は、その都度、めっき液を入れかえなければならな
いという不都合な生じていた。さらにめっき液の入れか
え頻度を犬にすると、セレンなどの異種金属イオンがめ
つき槽の塩ビなどのプラスチック容器に留まり、無光沢
めっきを望む場合にも、半光沢面あるいは光沢面ばかり
得てしまう結果となっていた。

なお従来法で、必要箇所以外のストライクめっき皮膜な
剥すには通常化学剥離が用いられている。

本発明の目的はこうした事情に鑑みて、一つの部分銀め
っき液で後処理工程の剥離条件なかえる事で無光沢面と
光沢面が得られる部分銀めっき方法な提供する事にある
。具体的にいえば、本発明の特徴は無光沢銀めっき液？
使用し、無光沢面な呈した銀？析出し、しかるのち陽極
電解処理にてストライクめっきの剥離な行なうと同時に
部分銀めっき面な光沢のある面にしてしまう事である。

以下、ベース素材として４２合金材な例にとって説明す
る。トリクレン脱脂、アルカリ脱脂を終えた４２合金材
に下地めっきとして、銅あるいは銀のストライクめっき
を全面に厚み０．０１〜０５μ程度施す。この後、無光
沢銀めっき液としてシアン化銀浴、シアン化銀カリウム
浴あるいは市販のめっき液（たとえば、（樽日本エンゲ
ルノ・ルドのＳ−９００）を用いて、数μの厚みになる
よう前記したエリアに無光沢の部分銀めっきな行なう。

この後、前記したエリア以外の余分な銅ないし銀ストラ
イク皮膜を除去する工程に移る。この剥離処理として、
陽極′電解処理法な用いる。陽極電解処理は、陽極に被
処理物（この場合、ＩＣＩＪ−ドフレーム）、陰極に不
溶性の成極（炭素、ステンレス、白金貼りチタン、白金
貼りタンタルなど）な設置し電解液として、シアン化ナ
トリウム、シアン化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウムなどの中性もしくは塩基性の単味浴あるいは、複
合浴な用いる。極間距離５〜：２ｏｃｒｒＬ、浴温は室
温から６０Ｕで両極間に電圧なかける。徐々に電圧な増
し両極間な流れる電流値が大きくなり両極より大量のガ
ス（たとえば陽極では酸素ガス、陰極では水素ガス）が
発生し始めると、電解研磨領域になり前記した所定のエ
リアに部分的にめっきされた無光沢の銀面はしだい九凸
部が研磨され平滑な光沢のある面になる。このとき、所
定のエリア以外の銅ないし銀のストライクめっきは、完
全に電気化学的に溶解され所望する場所にのみ光沢σ）
ある銀面を有したリードフレームが得られる事になる。

この結果、光沢のある銀面な得るのに従来のようにセレ
ンなどの不純金属の化合物が添加されｈ部分銀めっき液
な用いないため、析出した銀は９９９％以上という高純
度のものが得られ、シリコンＩＣチップに拡散などの悪
い影響な与えない良好なリードフレームな得る事ができ
る。

また、従来、セレンなどの不純金属の化合物が光沢剤と
して添加されためっき液の管理は錐しくたとえば一定の
光沢度り得るために、１０〜５ＯＮ／ｄｔｒｌの狭い電
流密度範囲でしか操業できず、しかも光沢剤のわずかな
量の違いによってもその光沢度に変動がみられ不都合で
あったが１本発明のプロセスな用いる事で幅の広い管理
条件（たとえば電流密度で５０〜１５０Ａ／ｄイ）でめ
っき出来るなどかなりの利点につながった。また従来、
無光沢面と光沢面を一つのめっき装置から得るには、そ
の都度、めっき液を入れ換え１．　＜てはならず稼動率
においてマイナスがあると同時に、何度か交互に入れか
えているうちに光沢剤であるセレン化合物が、めっき槽
の塩ビ等の客器に吸着してしまい、最終的には半光沢面
あるいは光沢面ばがり出てしまっていたが１本発明のプ
ロセスな用いる事で。

同一の装置及びめっき液で後処理である陽極電解処理条
件をかえるだけで、無光沢面及び光沢面の両者な簡便に
得る事が出来、生産性向上につながると同時にいろいろ
な品純に対し６する事ができる。

なお、本発明のプロセスで無光沢面を得るには。

陽極電解処理において低電流密度、すなわち１両極から
の酸素ガスあるいは水素ガスの発生が全くないかあるい
はわずかな状況下で行なえば良い。

本発明のリードフレーム用部分銀めっきプロセスは１以
上のように同一ライン、同一すつき液で無光沢面と光沢
面の両者が得られるのが特徴であるが析出した銀にセレ
ンのような不純金属の化合物な含まない高純度の光沢銀
面が得られる点が特筆すべき事である。

なお、銅合金材においても同様な処理で行えるのはいう
までもない。

実施例１゜ 脱脂処理な終えた材質が４２合金（Ｎｉ４２％。

Ｆｅ残）リードフレーム素体の全面に銀ストライクめっ
きな表１の条件で全面に厚み０．０５μ施した。水洗後
１表２の条件でアイランド部とインナＩＪ−ド先端部に
５μ厚の部分銀めっきを行なった。このときの銀面ば無
光沢であった。

水洗後１表６の条件で陽極電解処理を行なった。

このとき、陽極からは酸素ガス、陰極からは水素ガスが
、液面をかなり揺動させるほど激しく発生した。２０秒
後、取り出すと前記エリアに鏡面光沢な有した部分銀め
っき面が得られ、他の部分は完全に銀ストライクめっき
皮膜が除去されていた。

この後水洗、乾燥を経てリードフレーム製品として仕上
げた。以上のようにして得られた光沢部分銀めっきは９
９９％以上の純度の高い良好な品質を有したものであっ
た。

表１ 表２ 表６ 実施例２ 脱脂処理を終えたパターン化された材質が４２合金（Ｎ
ｉ　４２％、Ｆｅ残）のリードフレーム素体の全面に銅
ストライクめっきな表４の条件で全面に厚み０．２μ程
度施した。水洗後１表５の条件でアイランド部とインナ
ーリード先端部に７μ厚の無光沢面を有する部分銀めっ
きな行なった。この後。

水洗な行ない表６の条件で陽極電解処理な行なった。こ
のとき１両極から激しくガスが発生し、６０ｓｅｃ　（
１ｋに取り出すと、前記したエリアに鏡面光沢を有した
部分銀めっき面が得られ、他の部分は完全に銅ストライ
クめっき皮膜が除去されていた。

水洗・乾１１経てリードフレーム製品として仕上げた。

以上のようにして得られた光沢部分銀めっき皮膜は高純
度（９９，９％以上）の良質なものであった。

表６

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）脱脂された金属材料へストライクめっきな施し、
   さらにアイランド部、インナーリード先端部に部分銀め
   っきな施した後、剥離工程において、必要以外のストラ
   イクめっきな剥す際、同時に部分銀めっき面な光沢面に
   する事が出来る陽極電解処理な用いる事を特徴とするリ
   ードフレームの部分銀めっき方法。