JPS6244592A - 高速度電解銀めつき方法 - Google Patents
高速度電解銀めつき方法Info
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- JPS6244592A JPS6244592A JP18259985A JP18259985A JPS6244592A JP S6244592 A JPS6244592 A JP S6244592A JP 18259985 A JP18259985 A JP 18259985A JP 18259985 A JP18259985 A JP 18259985A JP S6244592 A JPS6244592 A JP S6244592A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明は、電ｃ継電器の接点や摺動子、ブスバー等の
電気的接触部や装飾品の表面に平滑で厚い恨メッキ被膜
を短時間で形成する高速度電解恨めつき方法に関する。
電気的接触部や装飾品の表面に平滑で厚い恨メッキ被膜
を短時間で形成する高速度電解恨めつき方法に関する。
高速度電解銀めっきにおける電解反応は、通常直流電流
を用いて行われる。その直流電流は、ｌＯ〜１００Ａ／
ｄｍ２程度の電流密度で通電され、最大１００μｍの厚
みまでのめっきが行われている。
を用いて行われる。その直流電流は、ｌＯ〜１００Ａ／
ｄｍ２程度の電流密度で通電され、最大１００μｍの厚
みまでのめっきが行われている。
このような従来の直流電流を用いた恨めつきにおいて、
めっき速度を上げるために電流密度を高くすると、被め
っき物表面における銀イオンンＷ度の低下が著しくなり
、水素ガスの発生が起きる。
めっき速度を上げるために電流密度を高くすると、被め
っき物表面における銀イオンンＷ度の低下が著しくなり
、水素ガスの発生が起きる。
この水素ガスの発生により、被めっき物表面近傍の拡散
層が乱されて、デンドライトが析出するようになる。こ
のデンドライトの析出は、膜厚が数工０μｍ程度ではそ
れほど目立たないが、膜厚が１００μｍを越えるような
場合には顕著となり、表面性状の劣下をもたらす原因と
なる。このため、平滑で厚い恨めつき被膜を得ようとす
る場合には、低電流密度で長時間の電解が必要とされて
いた。
層が乱されて、デンドライトが析出するようになる。こ
のデンドライトの析出は、膜厚が数工０μｍ程度ではそ
れほど目立たないが、膜厚が１００μｍを越えるような
場合には顕著となり、表面性状の劣下をもたらす原因と
なる。このため、平滑で厚い恨めつき被膜を得ようとす
る場合には、低電流密度で長時間の電解が必要とされて
いた。
本発明は、このような問題点に鑑み、膜厚が１００μｍ
を越えるような厚い恨めつき被膜を形成する場合にあっ
ても、表面性状が優れた破膜を高ＴＪ、流密度の電解に
よって短時間で得ることを目的とする。
を越えるような厚い恨めつき被膜を形成する場合にあっ
ても、表面性状が優れた破膜を高ＴＪ、流密度の電解に
よって短時間で得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕〕
本発明は、その目的を達成するために、銀濃度が４０〜
８０ｇ／ｌで銀シアン化物以外のシアン化合物を含まな
い銀めっき浴を使用して、直流パルスの周波数が５０〜
５０００ｍｓの範囲にあり且つ繰り返し周期に占める直
流電流パルスの比率が０．５〜０．９の範囲にあるパル
ス電流を用いて電解するものである。
８０ｇ／ｌで銀シアン化物以外のシアン化合物を含まな
い銀めっき浴を使用して、直流パルスの周波数が５０〜
５０００ｍｓの範囲にあり且つ繰り返し周期に占める直
流電流パルスの比率が０．５〜０．９の範囲にあるパル
ス電流を用いて電解するものである。
この場合の電解電流密度の値は、めっき浴中の銀濃度、
めっき浴の浴温および流速度に比例して大きくすること
ができる。逆に、銀濃度、浴温か低く、めっき液の流れ
が遅い場合には、小さくする必要がある。ところで、本
発明にあっては、通電するめっき電流を制御されたパル
スとすることにより、弐ｆｉｌで特定される平均陰極電
流密度（？）がｌＯ〜１５０ Ａ／ｄｍ２の範囲でめっ
き被膜を平滑化する効果が認められる。
めっき浴の浴温および流速度に比例して大きくすること
ができる。逆に、銀濃度、浴温か低く、めっき液の流れ
が遅い場合には、小さくする必要がある。ところで、本
発明にあっては、通電するめっき電流を制御されたパル
スとすることにより、弐ｆｉｌで特定される平均陰極電
流密度（？）がｌＯ〜１５０ Ａ／ｄｍ２の範囲でめっ
き被膜を平滑化する効果が認められる。
Ｉ＝ヱ、× ｔ／θ ・−一−−−−−−・−−−−・
−（１）但し、ｉｐ：パルス電流密度、θ：パルス繰返
し周期、ｔ ：電流パルスの幅 本発明における各種の電解条件は、次のような意義をも
つ。
−（１）但し、ｉｐ：パルス電流密度、θ：パルス繰返
し周期、ｔ ：電流パルスの幅 本発明における各種の電解条件は、次のような意義をも
つ。
パルス繰り返し周期が５０ｍ５よりも短い場合及び５Ｓ
よりも長い場合には、めっき被膜を平滑化する効果が認
めらず、デンドライトの発生をみる。
よりも長い場合には、めっき被膜を平滑化する効果が認
めらず、デンドライトの発生をみる。
このことより、パルス繰り返し周期は、５０ｍａ〜５Ｓ
が適当である。
が適当である。
次に、パルス繰り返し周期に占める直流パルスの比率（
パルス繰り返し周期に占める電流パルスの幅の比率＝パ
ルス電流の輻／パルス繰り返し周期）が０．５よりも小
さくなると、めっき速度（平均電流密度）が同じであれ
ば、大きなパルス電流が必要となる。このため、デンド
ライトの生成が著しくなる。これを防ぐためにパルス電
流をさげようとすると、平均電流密度も小さくなり、め
っき速度が低下してしまう。他方、パルス繰り返し周期
に占める直流電流パルスの比率が０．９よりも大きくな
ると、直流電解と同等のめっき被膜しか得られないよう
になる。以上のことから、パルス電流の比率は０．５〜
０．９が適当である。
パルス繰り返し周期に占める電流パルスの幅の比率＝パ
ルス電流の輻／パルス繰り返し周期）が０．５よりも小
さくなると、めっき速度（平均電流密度）が同じであれ
ば、大きなパルス電流が必要となる。このため、デンド
ライトの生成が著しくなる。これを防ぐためにパルス電
流をさげようとすると、平均電流密度も小さくなり、め
っき速度が低下してしまう。他方、パルス繰り返し周期
に占める直流電流パルスの比率が０．９よりも大きくな
ると、直流電解と同等のめっき被膜しか得られないよう
になる。以上のことから、パルス電流の比率は０．５〜
０．９が適当である。
更に、本発明のパルス電解条件でめっきする場合のめっ
き浴は、高電流密度で操業できるように恨シアン化物以
外のシアン化合物を含まない低シアンめっき浴であるこ
とが必要である。浴中の銀濃度は４０〜８０ｇ／ ｊ！
が適当である。銀濃度が４０ｇ７１未満ではめっき表面
があらくなるため電流密度を上げることができず、８０
ｇ／ １以上ではめっき浴からの銀成分の汲み出しが多
くなることから、経済的に不利となる。
き浴は、高電流密度で操業できるように恨シアン化物以
外のシアン化合物を含まない低シアンめっき浴であるこ
とが必要である。浴中の銀濃度は４０〜８０ｇ／ ｊ！
が適当である。銀濃度が４０ｇ７１未満ではめっき表面
があらくなるため電流密度を上げることができず、８０
ｇ／ １以上ではめっき浴からの銀成分の汲み出しが多
くなることから、経済的に不利となる。
直流電流を断続的に印加するパルス電解を行うと、パル
スの休止時間に電極面への銀イオンの拡散が起こる。そ
の結果、被めっき物の近傍では恨イオン濃度が回復する
。このため、水素ガス発生が抑えられ、デンドライトが
生成しにくくなる。
スの休止時間に電極面への銀イオンの拡散が起こる。そ
の結果、被めっき物の近傍では恨イオン濃度が回復する
。このため、水素ガス発生が抑えられ、デンドライトが
生成しにくくなる。
デンドライトの析出を抑えるためのパルス電解の条件は
、めっき金属の種類によってことなるが、銀めっきの場
合には直流パルスの繰り返し周期が５Ｑｍｓ〜５ｓで、
繰り返し周期に占めるパルス電流の通電時間の比率が０
．５〜０．９の範囲にあるパルス電解条件が、デンドラ
イトの生成を抑えるうえで最も効果が大きい。
、めっき金属の種類によってことなるが、銀めっきの場
合には直流パルスの繰り返し周期が５Ｑｍｓ〜５ｓで、
繰り返し周期に占めるパルス電流の通電時間の比率が０
．５〜０．９の範囲にあるパルス電解条件が、デンドラ
イトの生成を抑えるうえで最も効果が大きい。
このような条件でパルス電解を行うことにより、膜厚が
１．５ｍｍと厚くなっても平滑な須めっき被膜が得られ
る。
１．５ｍｍと厚くなっても平滑な須めっき被膜が得られ
る。
次いで、実施例により本発明の特徴を具体的に説明する
。
。
一実施例１−
銀シアン化カリウムを銀濃度に換算して８０ｇ／ ｌ
。
。
くえん酸カリウム１００ｇ／Ｌ はう酸３０ｇ／ ｅ
、亜セレン酸をセレン濃度に換算して２ｇ／ｌを含む水
溶液をｐＨ８に調整したものを、めっき液とした。
、亜セレン酸をセレン濃度に換算して２ｇ／ｌを含む水
溶液をｐＨ８に調整したものを、めっき液とした。
陰極に銅板、陽極にｐｔめっきＴｉ板を用い、浴ｆｊ１
１０℃のめっき液をノズルから陰極に向けて噴出させな
がら、パルス電解によるめっきを行った。このときのパ
ルス印加条件は、パルス繰り返し周期が５０ｍａ〜５ｓ
、０ｍミル５ｓ、パルス０，９．平均陰極電流密度が１
０ＯＡ／ｄｍ”と１５ＯＡ／ｄｍ”であった。また、比
較のために電流密度１００Ａ／ｄｍ” ’と１５ＯＡ／
ｄｍ”で直流電解を行った。通電量は、１７００Ｃ／ｃ
ｍｚとした。このとき得られた恨めつき被膜の厚みは、
１．２〜１ 、５ ｍｍの範囲であった。この電解によ
って得られた恨めつき被膜の表面状態を第１表に示す。
１０℃のめっき液をノズルから陰極に向けて噴出させな
がら、パルス電解によるめっきを行った。このときのパ
ルス印加条件は、パルス繰り返し周期が５０ｍａ〜５ｓ
、０ｍミル５ｓ、パルス０，９．平均陰極電流密度が１
０ＯＡ／ｄｍ”と１５ＯＡ／ｄｍ”であった。また、比
較のために電流密度１００Ａ／ｄｍ” ’と１５ＯＡ／
ｄｍ”で直流電解を行った。通電量は、１７００Ｃ／ｃ
ｍｚとした。このとき得られた恨めつき被膜の厚みは、
１．２〜１ 、５ ｍｍの範囲であった。この電解によ
って得られた恨めつき被膜の表面状態を第１表に示す。
第１表から明らかなように、パルス電解によって得られ
た恨めつき被膜は、同し電流密度の直流電解によって得
られためっき被膜よりも表面性状が良好であって、１ｍ
ｍを越える膜厚でもその表面性状の平滑性は十分に保た
れた。
た恨めつき被膜は、同し電流密度の直流電解によって得
られためっき被膜よりも表面性状が良好であって、１ｍ
ｍを越える膜厚でもその表面性状の平滑性は十分に保た
れた。
第 １ 表
山めっき被膜の表面状態 Ａ；半光沢平滑Ｂ：無光沢平
滑 Ｃ：凹凸あり 一実施例２− 市販の高速度鍛めっき浴（ジャパンロナール株式会社製
シルハージェｙ ト２２０）を建浴し、シアン化銀カリ
ウムを用いて銀濃度を６５ｇ／ ｌ 、液のｐＨを８．
２に調整した。陰極に銅板、陽極にｐｔめっきＴｉ板を
用い、浴温６０℃のめっき液をノズルから陰極に噴出さ
せながら、パルス繰り返し周期が１０ｍ３〜１０Ｓ１パ
ルス比率が０．５から０．９、平均陰極電流密度が５〇
八へｄｍ”と１００Ａ／ｄｍ２の条件でパルス電解を行
った。また、比較のために電流密度が５０Ａ／ｄｍ”と
１００Ａ／ｄｍで直流電解を行った。このとき、通電量
を１２００Ｃ／ｃｍ” とした。このようにして得られ
た銀めっき被膜の厚みは、０．８〜１．０ｍｍの範囲で
あった。電解によって得られた恨めつき被膜の厚みを、
第２表に示す。この第２表から明らかなように、パルス
比率が ０．５〜０．９で、パルス繰り返し周期が５０
〜５Ｓのパルス電解によって得られためっき被膜の表面
は平滑であり、同し電流密度の直流電解によって得られ
ためっき被膜に比較してその表面状態は格段に優れてい
た。
滑 Ｃ：凹凸あり 一実施例２− 市販の高速度鍛めっき浴（ジャパンロナール株式会社製
シルハージェｙ ト２２０）を建浴し、シアン化銀カリ
ウムを用いて銀濃度を６５ｇ／ ｌ 、液のｐＨを８．
２に調整した。陰極に銅板、陽極にｐｔめっきＴｉ板を
用い、浴温６０℃のめっき液をノズルから陰極に噴出さ
せながら、パルス繰り返し周期が１０ｍ３〜１０Ｓ１パ
ルス比率が０．５から０．９、平均陰極電流密度が５〇
八へｄｍ”と１００Ａ／ｄｍ２の条件でパルス電解を行
った。また、比較のために電流密度が５０Ａ／ｄｍ”と
１００Ａ／ｄｍで直流電解を行った。このとき、通電量
を１２００Ｃ／ｃｍ” とした。このようにして得られ
た銀めっき被膜の厚みは、０．８〜１．０ｍｍの範囲で
あった。電解によって得られた恨めつき被膜の厚みを、
第２表に示す。この第２表から明らかなように、パルス
比率が ０．５〜０．９で、パルス繰り返し周期が５０
〜５Ｓのパルス電解によって得られためっき被膜の表面
は平滑であり、同し電流密度の直流電解によって得られ
ためっき被膜に比較してその表面状態は格段に優れてい
た。
第 ２ 表
小めっき被膜の表面状態 Ａ：鏡面光沢 Ｂ：平滑Ｃ；
凹凸あり Ｄ：デンドライト析出 一実施例３− ピロリン酸カリウム２００ｇ／ １ 、正リン酸二水素
カリウム２０ｇ／ Ｒ、亜セレン酸カリウムｔｏｐｐｍ
、エチルキサントゲン酸カリウム２０ｐｐｍ＋ エチレ
ンジアミン四酢酸２ｇ／ｌ及びシアン化銀カリウムを銀
？Ｍ度に換算して４０ｇ／ １含む水溶液をｐＨ９に調
整したものを、めっき液として使用した。
凹凸あり Ｄ：デンドライト析出 一実施例３− ピロリン酸カリウム２００ｇ／ １ 、正リン酸二水素
カリウム２０ｇ／ Ｒ、亜セレン酸カリウムｔｏｐｐｍ
、エチルキサントゲン酸カリウム２０ｐｐｍ＋ エチレ
ンジアミン四酢酸２ｇ／ｌ及びシアン化銀カリウムを銀
？Ｍ度に換算して４０ｇ／ １含む水溶液をｐＨ９に調
整したものを、めっき液として使用した。
陰極に銅板、陽極にｐｔめっきＴｉ板を用い、浴温５０
℃でめっき液をノズルから陰極に噴出させながら、パル
ス繰り返し周期が５０〜５ｓ、パルス比率が０．５と０
．７．平均陰極電流密度がＩＯＡ／ｄｍ”から３ＯＡ／
ｄｍ”の条件でパルス電解を行った。また比較のために
、電流密度がＩＯＡ／ｄｍ”から３ＯＡ／ｄｍ２で直流
電解を行った。このとき、通電量を１３０Ｃ／ｃｍ”と
した。このようにして得られた銀めっき被膜の厚みは、
１００〜１２０μｍの範囲であった。この電解によって
得られた銀めっき被膜の表面状態を、第３表に示す。こ
の第３表から明らかなように、パルス電解によって得ら
れた恨めつき被膜は平滑であり、同し電流密度の直流電
解によって得られためっき被膜よりも表面状態が良好で
あった。
℃でめっき液をノズルから陰極に噴出させながら、パル
ス繰り返し周期が５０〜５ｓ、パルス比率が０．５と０
．７．平均陰極電流密度がＩＯＡ／ｄｍ”から３ＯＡ／
ｄｍ”の条件でパルス電解を行った。また比較のために
、電流密度がＩＯＡ／ｄｍ”から３ＯＡ／ｄｍ２で直流
電解を行った。このとき、通電量を１３０Ｃ／ｃｍ”と
した。このようにして得られた銀めっき被膜の厚みは、
１００〜１２０μｍの範囲であった。この電解によって
得られた銀めっき被膜の表面状態を、第３表に示す。こ
の第３表から明らかなように、パルス電解によって得ら
れた恨めつき被膜は平滑であり、同し電流密度の直流電
解によって得られためっき被膜よりも表面状態が良好で
あった。
第 ３ 表
注）めっき被膜の表面状態 Ａ：半光沢平滑Ｂ：無光沢
平滑 Ｃ：デンドライト析出 〔発明の効果〕 以上に説明したように、本発明の銀めっき方法によれば
、外観が良好で厚みが１００μｍから１．５ｍｍという
厚い恨めつき被膜を短時間で作ることができる。このた
め、電磁継電器の接点などで、従来接点チップの取付は
等のために行われていたろう付は作業を省略し、端子上
に直接銀接点を形成することができるようになった。ま
た、摺動子やブスバー等の電気的接触部或いは装飾品の
表面への恨厚膜めっきを施す作業に必要とされる時間も
短隼宿できる。
平滑 Ｃ：デンドライト析出 〔発明の効果〕 以上に説明したように、本発明の銀めっき方法によれば
、外観が良好で厚みが１００μｍから１．５ｍｍという
厚い恨めつき被膜を短時間で作ることができる。このた
め、電磁継電器の接点などで、従来接点チップの取付は
等のために行われていたろう付は作業を省略し、端子上
に直接銀接点を形成することができるようになった。ま
た、摺動子やブスバー等の電気的接触部或いは装飾品の
表面への恨厚膜めっきを施す作業に必要とされる時間も
短隼宿できる。
Claims (1)
- １、銀濃度が４０〜８０ｇ／ｌで銀シアン化物以外のシ
アン化合物を含まない銀めっき浴を使用して、直流パル
スの周波数が５０〜５０００ｍｓの範囲にあり且つ繰り
返し周期に占める直流電流パルスの比率が０．５〜０．
９の範囲にあるパルス電流を用いて電解することを特徴
とする高速度電解銀めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18259985A JPS6244592A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 高速度電解銀めつき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18259985A JPS6244592A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 高速度電解銀めつき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6244592A true JPS6244592A (ja) | 1987-02-26 |
Family
ID=16121101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18259985A Pending JPS6244592A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 高速度電解銀めつき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6244592A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100368499B1 (ko) * | 2000-02-09 | 2003-01-24 | 김주성 | 전기 개폐기용 접촉부의 경질은, 탄소 복합도금 방법 |
| KR20050019555A (ko) * | 2003-08-19 | 2005-03-03 | 주식회사 비에스텍 | 은 콜로이드 용액 생성과 동시에 은도금을 하는 방법 |
| CN103981549A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-08-13 | 西安西光表面精饰有限公司 | 一种镀银溶液 |
| CN103981548A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-08-13 | 西安西光表面精饰有限公司 | 一种镀银工艺 |
| CN109881222A (zh) * | 2015-01-30 | 2019-06-14 | 同和金属技术有限公司 | 镀银材料及其制造方法 |
-
1985
- 1985-08-19 JP JP18259985A patent/JPS6244592A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100368499B1 (ko) * | 2000-02-09 | 2003-01-24 | 김주성 | 전기 개폐기용 접촉부의 경질은, 탄소 복합도금 방법 |
| KR20050019555A (ko) * | 2003-08-19 | 2005-03-03 | 주식회사 비에스텍 | 은 콜로이드 용액 생성과 동시에 은도금을 하는 방법 |
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| CN109881222A (zh) * | 2015-01-30 | 2019-06-14 | 同和金属技术有限公司 | 镀银材料及其制造方法 |
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