JPS6012766A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6012766A JPS6012766A JP11815683A JP11815683A JPS6012766A JP S6012766 A JPS6012766 A JP S6012766A JP 11815683 A JP11815683 A JP 11815683A JP 11815683 A JP11815683 A JP 11815683A JP S6012766 A JPS6012766 A JP S6012766A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
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- Power Engineering (AREA)
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、ｎｒ−ｖ族化合物半導体を主材とし電気伝導
性が極めて良好である配線層を有する半導体装置に関す
る。
性が極めて良好である配線層を有する半導体装置に関す
る。
従来技術と問題点
近年、光集積回路の’１ｋＩＩ集積化及び高性能化に係
わる開発・研究が盛んである。
わる開発・研究が盛んである。
一般に、光集積回路を構成する材料としては化合物半導
体が使用されていて、ｔＵ−Ｖ族化合物半導体も重要な
ものの一つである。
体が使用されていて、ｔＵ−Ｖ族化合物半導体も重要な
ものの一つである。
このｎｒ−ｖ族化合物半導体を使用する光集積回路では
、例えば、第１図に見られるように、半絶縁性ＧａＡｓ
基板ｌにリセス部分Ｒとメサ部分Ｍとを形成してから分
子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ：ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ）法を通用して半導体層を
成長させ、その半導体層に素子を炸裂することが行なわ
れている。
、例えば、第１図に見られるように、半絶縁性ＧａＡｓ
基板ｌにリセス部分Ｒとメサ部分Ｍとを形成してから分
子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ：ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ）法を通用して半導体層を
成長させ、その半導体層に素子を炸裂することが行なわ
れている。
その場合、リセス部分Ｒにば厚い半導体層を、また、メ
サ部分Ｍには比較的薄い半導体層をそれぞれエビクキシ
ャル成長させ全体として略平坦な表面を形成し、リセス
部分Ｒには例えば半導体レーザ或いは発光ダイオード（
ＬＥＤ）等を、そして、メサ部分Ｍにはそれ等光素子を
駆９すｊする電界効果トランジスタ等を形成するように
している。
サ部分Ｍには比較的薄い半導体層をそれぞれエビクキシ
ャル成長させ全体として略平坦な表面を形成し、リセス
部分Ｒには例えば半導体レーザ或いは発光ダイオード（
ＬＥＤ）等を、そして、メサ部分Ｍにはそれ等光素子を
駆９すｊする電界効果トランジスタ等を形成するように
している。
このようにする理由は、通常、光回路に対しては厚い半
導体層が必要であり、また、電子回路は比較的薄い半導
体層に形成するものである為、これ等を混在させた光集
積回路では、その表面の平坦性が失われてフォト・リソ
グラフィ技術の適用が困難になる。従って、厚い半導体
層はリセス部分Ｒに形成し、薄い半導体層はメサ部分Ｍ
に形成するのである。
導体層が必要であり、また、電子回路は比較的薄い半導
体層に形成するものである為、これ等を混在させた光集
積回路では、その表面の平坦性が失われてフォト・リソ
グラフィ技術の適用が困難になる。従って、厚い半導体
層はリセス部分Ｒに形成し、薄い半導体層はメサ部分Ｍ
に形成するのである。
ところで、前記リセス部分Ｒの半導体層とメサ部分Ｍの
半導体層とは電気伝導性を有する配線層で結合しなけれ
ばならないが、その配線層として通常考えられるのは、
例えばｎ型不純物としてシリコン（Ｓｔ）を高濃度に含
有させたｎ＋型ＧａＡｓ層である。然し乍ら、このｎ＋
型ＧａＡｓ層をＭＢ２法で成長させた場合、リセス部分
Ｒ或いはメサ部分Ｍに於ける傾斜面に形成されたものは
極めて高い抵抗値を示し、側底、配線としては使用する
ことはできない。
半導体層とは電気伝導性を有する配線層で結合しなけれ
ばならないが、その配線層として通常考えられるのは、
例えばｎ型不純物としてシリコン（Ｓｔ）を高濃度に含
有させたｎ＋型ＧａＡｓ層である。然し乍ら、このｎ＋
型ＧａＡｓ層をＭＢ２法で成長させた場合、リセス部分
Ｒ或いはメサ部分Ｍに於ける傾斜面に形成されたものは
極めて高い抵抗値を示し、側底、配線としては使用する
ことはできない。
このように、傾斜面に成長されたＳｔ含有ＧａＡ ｓ
ｊ＠が高抵抗になる理由は現在のところ不分明である。
ｊ＠が高抵抗になる理由は現在のところ不分明である。
然し乍ら、平坦な部分に成長させたものの電気伝導性は
良好であるから、リセス部分Ｒ或いはメサ部分Ｍに於け
る傾斜をなだらかにすれば前記のような欠点は発注しな
い可能性もあるが、リセス部分Ｒ或いはメサ部分Ｍを形
成する為の現用の技術は化学的エツチング法が代表的で
あり、この技法に依った場合、リセス部分Ｒ或いはメサ
部分Ｍの顛斜角度は成る程度限定されたものとなり、任
意に選択し得るものではない。
良好であるから、リセス部分Ｒ或いはメサ部分Ｍに於け
る傾斜をなだらかにすれば前記のような欠点は発注しな
い可能性もあるが、リセス部分Ｒ或いはメサ部分Ｍを形
成する為の現用の技術は化学的エツチング法が代表的で
あり、この技法に依った場合、リセス部分Ｒ或いはメサ
部分Ｍの顛斜角度は成る程度限定されたものとなり、任
意に選択し得るものではない。
発明の目的
本発明は、リセス部分或いはメサ部分の傾斜面に延在さ
せた場合にも電気伝導性が良好なｍ−ｖ族化合物半導体
からなる配線層を有する半導体装置を提供する。
せた場合にも電気伝導性が良好なｍ−ｖ族化合物半導体
からなる配線層を有する半導体装置を提供する。
発明の構成
本発明では、半絶縁性ｍ−ｖ族化合物基板上に形成され
たリセス部分及びメサ部分に■−ｖ族化合物半導体層に
諸素子が形成される半導体装置に於いて、前記リセス部
分及びメサ部分の■−■族化合物半導体層を結ぶ為にｎ
型不純物として錫を含有するｎ＋型、ｍ −ｖ族化合物
半導体層からなる配線層を形成するようにしている。
たリセス部分及びメサ部分に■−ｖ族化合物半導体層に
諸素子が形成される半導体装置に於いて、前記リセス部
分及びメサ部分の■−■族化合物半導体層を結ぶ為にｎ
型不純物として錫を含有するｎ＋型、ｍ −ｖ族化合物
半導体層からなる配線層を形成するようにしている。
この錫を不純物として含有するｎ４″型■−■族化合物
半導体層から鷺る配線層は、リセス部分及びメサ部分の
傾斜面上に形成しても、その電気伝導性は全く損なわれ
ない。尚、その理由は判然としないが、この効果を実験
的に確認することは容易である。
半導体層から鷺る配線層は、リセス部分及びメサ部分の
傾斜面上に形成しても、その電気伝導性は全く損なわれ
ない。尚、その理由は判然としないが、この効果を実験
的に確認することは容易である。
発明の実施例
第１図に見られるように、半絶縁性ＧａＡｓ基板ｌに通
常のフォト・リソグラフィ技術を適用してエツチングを
行ないリセス部分１７及びメサ部分Ｍを形成する。
常のフォト・リソグラフィ技術を適用してエツチングを
行ないリセス部分１７及びメサ部分Ｍを形成する。
第２ｉ１１１に見られるように、前記の如く加工した半
絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板ｌにＭＢ２法を適用すること
に依り、ｎ＋型Ｇ ａ Ａ ｓ半導体層２を成長させる
。この時の諸条件は次の通りである。
絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板ｌにＭＢ２法を適用すること
に依り、ｎ＋型Ｇ ａ Ａ ｓ半導体層２を成長させる
。この時の諸条件は次の通りである。
成長温度＋６００（’Ｃ）
成長速度：１．５（μｍ／時間〕
膜厚：４〔μｍ）（於フラット領域）
ｎ型不純物：錫（Ｓｎ）
不純物濃度： ５ Ｘ １０ ” （０１１−’）前記
のようにして成長させたｎ＋型Ｇ ａ Ａ ｓ半導体層
２に於いて、メサ部分Ｍとリセス部分Ｒとに電極３及び
４を形成してそれ等の間の抵抗値を測定したところ比抵
抗は５ＸＩＧ−３（Ω・１〕であった。面、この比抵抗
は不純物濃度に反比例していることを確認した。
のようにして成長させたｎ＋型Ｇ ａ Ａ ｓ半導体層
２に於いて、メサ部分Ｍとリセス部分Ｒとに電極３及び
４を形成してそれ等の間の抵抗値を測定したところ比抵
抗は５ＸＩＧ−３（Ω・１〕であった。面、この比抵抗
は不純物濃度に反比例していることを確認した。
発明の効果
本発明の半導体装置に於いては、リセス部分及びメサ部
分を有するｍ−ｖ族化合物基板の該リセス部分及びメサ
部分に形成されたａｔ−Ｖ族化合物半導体層を結ぶ配ａ
ｔ層としてＳｎを含有した■−Ｖ族化合物半導体を用い
ることに依り、その配線層が前記リセス部分或いはメサ
部分の傾斜面に存在し°ζも低抵抗値を維持することが
できるので、例えば、前記半導体装置が光集積回路であ
る場合には、その高集積化を促進する上で特に有効であ
る。
分を有するｍ−ｖ族化合物基板の該リセス部分及びメサ
部分に形成されたａｔ−Ｖ族化合物半導体層を結ぶ配ａ
ｔ層としてＳｎを含有した■−Ｖ族化合物半導体を用い
ることに依り、その配線層が前記リセス部分或いはメサ
部分の傾斜面に存在し°ζも低抵抗値を維持することが
できるので、例えば、前記半導体装置が光集積回路であ
る場合には、その高集積化を促進する上で特に有効であ
る。
第１図はリセス部分及びメサ部分を有する半絶縁性Ｇ
ａ Ａ ｓ基板の要部斜面図、第２図は本発明−実施例
の要部清新側面図である。 図に於いて、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２番まｎ＋型
Ｑ ａ Ａ ｓ半導体層（配線層）、３及び４番よ電極
、Ｒはリセス部分、Ｍはメサ部分である。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 （外１名）
ａ Ａ ｓ基板の要部斜面図、第２図は本発明−実施例
の要部清新側面図である。 図に於いて、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２番まｎ＋型
Ｑ ａ Ａ ｓ半導体層（配線層）、３及び４番よ電極
、Ｒはリセス部分、Ｍはメサ部分である。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 （外１名）
Claims (1)
- 半絶縁性■−■族化合物基板上に形成されたリセス部分
及びメサ部分にｎｒ−ｖ族化合物半導体層が成長され且
つ該１ｎ−ｖ族化合物半導体層に諸素子が形成される半
導体装置に於いて、前記リセス部分及びメサ部分のｎｒ
−ｖ族化合物半導体層を結ぶ為にｎ型不純物として錫を
含有するｎ＋型ｍ−■族化合物半導体層からなる配線層
を備えてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11815683A JPS6012766A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11815683A JPS6012766A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6012766A true JPS6012766A (ja) | 1985-01-23 |
| JPH0426224B2 JPH0426224B2 (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=14729478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11815683A Granted JPS6012766A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6012766A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62218689A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-26 | Tsurumi Seisakusho:Kk | 水中ポンプの残水処理装置 |
-
1983
- 1983-07-01 JP JP11815683A patent/JPS6012766A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62218689A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-26 | Tsurumi Seisakusho:Kk | 水中ポンプの残水処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0426224B2 (ja) | 1992-05-06 |
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