JPS5948565B2 - 結合形弾性波共振器デバイス - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は所定の周波数に中心を有するフィルタ通過帯域
を有する結合形弾性波共振器デバイスに関するものであ
って、この弾性波共振器デバイスは、弾性波を伝播可能
な基板と、２対の離間された反射器とを有し、これ等の
各反射器対は夫々２つの共振空間の１つを形成し、各共
振空間は前記基板内に該共振空間を直列共振等価回路と
して表すことができる所定の周波数で弾性定在波を維持
することができ、さらに弾性定在波エネルギと結合させ
るため前記基板の表面の前記の共振空間の夫々に配設さ
れた２個のすだれ状トランスジューサと、一方の共振空
間中のすだれ状トランスジューサの１つを他方の共振空
間のすだれ状トランスジューサの１つに接続して２つの
共振空間を結合する装置とを有する。

この種のデバイスは例えばＧ−Ｌ−Ｍａｔｔｈｅｉ等に
よる文献： ｒＡｓｔｕｄｙ ｏｆ ｔｈｅ ｐｒｏ
ｐｅｒｔｉｅｓａｎｄ ａｃｏｕｓｔｉｃ−ｓｗｆａｃ
ｅ−ｗａｖｅ ｒｅｓｏｎａｔｏｒＪ（１９７５年Ｕｌ
ｔｒａｓｏｎｉｃ ＳｙｍｐｏｓｉｕｍＰｒｏｃｅｅｄ
ｉｎｇｓ；ＩＥＥｇ Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ ７５
ＣＨＯ９９４−４ＳＵ；１９７５年９月）の第２９５−
２９８頁の記載からも知られている。

この文献には、多くの帯域フィルタでは多数の共振器を
使用して所望の割合のしゃ断を得ておりまた２端子対形
表面弾性波共振器の場合には所望量のストップ・バンド
減衰を得ていることが述べられている。

本発明の目的は上述した既知の形のデバイスであって、
所定数の共振器を使用することによって達成されるスト
ップ・バンド減衰の量を、ある選択した周波数において
減衰極を形成することによって、当該選択周波数で増大
させるデバイスを提供することにある。

本発明による弾性波共振器デバイスにおいては、前記の
すだれ状トランスジューサは各々２組の電極を有し、各
組の電極は電気的に共通に接続され、各すだれ状トラン
スジューサの２組の電極は前記の所定の周波数で弾性定
在波エネルギの反対位相と結合するように配設され、ま
た、前記の所定の周波数の高周波数側か低周波数側の一
方の側に成る選択した極周波数で減衰極を形成するため
に、前記の２つの共振空間の１つの共振空間中の一方の
すだれ状トランスジューサの選択した１組の電極と他方
のすだれ状トランスジューサの選択した１組の電極との
間に容量を設けたことを特徴とする。

本発明は次のようなことに基づいて成されたものである
。

すなわち、既知の形のデバイスにおいては、各共振空胴
中の二つのトランスジューサ間にリアクタンスを設ける
ことによって減衰極を形成するために各共振空胴の直列
共振等価回路に独立にアクセス出来ること、さらに同じ
位相の弾性定在波エネルギーに結合させた電極の粗間に
容量を設けることによって高周波減衰極を形成する場合
および反対位相の弾性定在波エネルギーに結合させた電
極の粗間に容量を設けることによって低周波減衰極を形
成する場合にいずれの場合においても前述のりアクタン
スをその容量とし得、その場合に低周波減衰極を形成す
るためにはその容量の逆位相等価インダクタンスが有効
であるという点に基づくものである。

したがって本発明の好適な実施例では、１つの共振空間
中の２つのすだれ状トランスジューサの選択した電極の
組が、前記の所定の周波数で弾性定在波エネルギの反対
位相と結合され、よって前記の容量が、前記の所定の周
波数の低周波数側の選択した極周波数において前記の共
振空間の等価回路容量と並列共振回路を形成する等価共
振インダクタンスを形成するようにされ、また、１つの
共振空間中の２つのすだれ状トランスジューサの選択し
た電極の組が、前記の所定の周波数で弾性定在波エネル
ギの同じ位相と結合さね、よって前記の容量が、前記の
所定の周波数の高周波数側の選択した極周波数において
前記の共振空間の等価回路インダクタンスと並列共振回
路を形成するようにされる。

対を形成するために選定されその間に選択された容量が
減衰極を形成するように作用する電極の二組を選定する
ことは共振空間中に弾性定在波エネルギーと結合する二
つのすだれ状トランスジューサを有する弾性波共振空間
の等価回路において二つの変成器として表わされる二つ
のすだれ状トランスジューサ間を直流分離することが意
義があるということに由来する。

尚この場合等価回路において各トランスジューサを個別
の変成器によって共振空間を表わしている直列共振回路
に結合させている容量によって表わすことが出来る。

各トランスジューサを表わす容量はそのトランスジュー
サを形成する二組の電極間の静電容量であり、これら二
組の電極は弾性定在波の所定の周波数で反対位相の弾性
定在波エネルギーに結合するように夫々配設させる。

共振空間中の各トランスジューサから一組ずつ対を形成
するように選択された電極の組はその間に選択した容量
を設けて一つの減衰極を形成するものであるが、これら
電極の組を前述の所定の周波数で同じ位相の弾性定在波
エネルギーに結合させる場合には、その選択された容量
は共振空間を表わしている直列共振回路と並列に接続さ
れる。

従って、この選択された容量の値を選択して前述の所定
の周波数の高周波側においである選択した減衰極の周波
数で共振空胴の等価回路インダクタンスと並列共振回路
を形成し従ってその減衰極の周波数で減衰極を形成する
ことが出来る。

他方、共振空間中の各トランスジューサから一組ずつ対
を形成するように選択された電極の組はその間にある選
択された容量を設けである減衰極を形成するものである
が、これら電極の組を前述の所定の周波数で反対位相の
弾性定在波エネルギーに結合させる場合には、共振空間
中のトランスジューサを等価回路において二つの変成器
によって示されるように互いに直流分離するので、その
選択された容量を介して流れる電流に１８０°の移相が
導入されてこの選択された容量の効果が共振空間中の各
トランスジューサから一組ずつ選択されて対を形成して
おり前述の所定の周波数で同じ位相の弾性定在波エネル
ギーに結合されている電極の粗間に接続したインピーダ
ンス係数の等１−いインダクタンスの効果とほぼ同じ効
果となる。

この選択された容量の等価インダクタンスを共振空間を
表わす直列共振回路と並列に接続する。

従って、この選択された容量の値を選定してその等価共
振インダクタンスが前述の所定の周波数の下側周波数の
ある選択された減衰極の周波数で共振空間の等価回路コ
ンダクタンスと並列共振回路を形成すること従ってその
減衰極の周波数で減衰極を形成することが出来る。

前述したＧ、Ｌ−Ｍａｔｔｈｅｉ等による文献には１端
子対形表面弾性波共振器すなわち単一のトランスジュー
サを有する共振空間について示されており、これはこの
共振空間の直列等価共振回路を側路するトランスジュー
サ静電容量である。

この回路のりアクタンス特性は直列共振周波数ｆ１、こ
の周周数ｆ１よりも上であるがこれに著しく接近した減
衰周波数ｆ２およびこれらｆｌとｆ２とから離れた周波
数において比較的小さいリアクタンスを有するように示
されている。

これら周波数ｆ１およびｆ２の接近とこれら周波数から
離れるとりアクタンスが小さくなるという両点は不所望
なことであると述べられている。

共振器に集中素子分路インダクタを追加すると周波数ｆ
８よりも低い追加の逆共振周波数が生じｆｌと逆共振周
波数との間の間隔が増大することが示されている。

しかしながら集中インダクタの使用は不所望であると述
べられており、その代わりとして２端子対形共振器を形
成するために共振空間に第２のトランスジューサを設け
ることが提案さねでいる。

この２端子対形共振器の等価回路は個々の変成器によっ
て共振空間の直列共振回路に結合させた各トランスジュ
ーサの静電容量を含むものとして示されている。

この等価回路の全体のりアクタンス特性は逆共振周波数
を有していない共振周波数を経る直線であるように示さ
れる。

そこで多数の２端子対共振器を帯域通過フィルタに対し
て使用する応用例が提案されている。

このように、Ｇ−Ｌ−Ｍａ ｔ ｔｈｅ ｉ等による文
献には高いおよび低い周１彼数の逆共振が示されている
が、これら逆共振は１端子対形共振器に関連してのみ示
されるものであって、斯様な逆共振が生じない２端子対
形共振器には受は入れられないものである。

さらに、各トランスジューサを共振空間に結合させてい
る個々の変成器を含む２端子対共振器の等価回路がその
文献に示されているが、これら変成器によって行なわれ
る直流分離の意義については伺ら記載されていない。

これがため、逆共振はその文献では不所望であるとして
受は入れられていないので、この文献の記載からは当業
者は多数の２端子対形弾性波共振器を適用する帯域通過
フィルタに減衰極が形成出来ることを知ることが出来な
いし、さらに当業者が個々に斯様な減衰極の形成が可能
であると知ったとしてもこの文献には変成器を含む等価
回路については記載されていないので、本発明によって
説明される基準に従って容量によって高および低周波の
減衰極の両者を個別的に形成することが出来るという点
に関しては当業者には何ら明らかではない。

本発明の実施例によれば、前記減衰極の周波数が所定の
周波数の低周波側にある場合には、前記の１つの共振空
胴中の第１および第２のトランスジューサの選択した電
極の組が、所定の周波数で弾性波エネルギーの反対位相
と結合し、よって前記の容量が前記の極周波数における
等価共振インダクタンスを形成し、このインダクタンス
は、所定の周波数の低周波側の選択した極周波数におい
て、前記の共振空胴の等価回路容量と並列共振回路を形
成するようにする。

また前記減衰極の周波数が所定の周波数の高周波側にあ
る場合には、前記の１つの共振空胴中の第１および第２
のトランスジューサの選択した電極の組が、所定の周波
数で弾性波エネルギーの同じ位相と結合し、よって前記
の容量が、所定の周波数の高周波数側の選択した極周波
数において、前記共振空胴の等価回路インダクタンスと
並列共振回路を形成するようにする。

本発明の好適な実施例においては、前記容量は、前記選
択した一つの共振空間外部に設けられしかも前記選択さ
れて対を形成している電極の糾問に接続されたコンデン
サによって形成される。

この実施例によれは、共振空間中のトランスジューサの
形態や配置に対して何ら制限を課することかないという
利点がある。

さらに、本発明の他の好適実施例においては、前記選択
した一つの共振空胴中の二つのトランスジューサの形態
および配置は前記容量を前記選択されて対を形成する電
極の糾問に延在している容量によって形成する形態およ
び配置とすることか出来る。

この実施例によれば、外部の個別のコンデンサの形態と
して余分な構成部分を設ける必要性を回避し得るという
利点がある。

さらに、本発明の他の好適な実施例においては、前記選
択した一つの共振空間中の一方のすだれ状トランスジュ
ーサの選択した一組の電極と他方のすだれ状トランスジ
ューサの選択した一組の電極のバスバーを夫々延長し、
前記の容量がこの延長されたバスバー間の容量によって
形成される。

この実施例によれば、フィルタ通過帯域の両側でしゃ断
の割合を増大せしめしかもこの通過帯域にすぐ隣接（−
でトラップを形成し得るという利点があり、これらは狭
帯域通信チャンネルを選定してこれにすぐ隣接するチャ
ンネルを拒絶するフィルタを必要とする場合には特に有
益である。

本発明の他の好適な実施例ではデバイスを２振器デバイ
スとし、一方の共振空間中の一方のすだれ状トランスジ
ューサと他方の共振空間中の一方のすだれ状トランスジ
ューサとを直接に電気接続し、前記一方の共振空間中の
他方のすだれ状トランスジューサはデバイスに供給され
る入力電気エネルギを弾性波エネルギに変換するための
入カドランスジューサであり、前記他方の共振空間中の
他方のすだれ状トランスジューサは弾性波エネルギを前
記デバイスから供給される出力電気エネルギ゛に変換す
る出カドランスジューサとすることができる。

この実施例によれば、二つの結合させた共振器のみを使
用することによって得られるストップ・バンド減衰が、
本発明に従っていずれかのまたは両者の減衰極によって
増大された減衰と相俟って、本発明でなければ三個以上
の結合した共振器を必要とするような応用に対してその
必要性を回避した満足なフィルタを提供し得る。

さらに、本発明によるデバイスにおいては、前記基板が
伝搬させることが出来る前記弾性波は前記トランスジュ
ーサおよび反射器が配置されている前記基板の表面中に
伝搬する表面弾性波または前記基板の表面と平行にしか
も該表面に接近して伝搬するバルク状弾性波のいずれと
することも出来る。

この種のバルク状弾性波を使用出来ることは英国特許明
細書第１４５１３２６号に開示されている遅延線帰還形
見振器（ｄｅｌａｙ １ｉｎｅ ｆｅｅｄｂ −ａｃｋ
ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒｓ ）に述べられており、この
目的のために使用して好適なＸ線に垂直な方向に伝搬方
向を有する結晶のローティテッド（ｒｏｔａ−ｔｅａ）
Ｙ−カットの範囲はエレクトロニクスレターズ（Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）の１９７７年３
月３日号第１３巻、第５号の第１２８ないし第１３０頁
に記載されている。

以下、図面により本発明の実施例につき説明する。

第１図には弾性波を伝搬し得る基板１の平面図を示す。

この基板は図に示された表面中を表面弾性波を伝搬させ
ることが出来る既知の任意の圧電基板であって例えばニ
オブ酸リチウムまたは水晶その他同等物とすることが出
来る。

さらにこの基板を図示の表面に平行にこの表面近くなバ
ルク波を伝搬させることが出来る圧電基板とすることも
出来、その場合には、例えば、文献「エレクトロニクス
レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）
Ｊ１９７７年３月３日、第１３巻、第５号、第１２８な
いし１３０頁に記載されているようなＸ軸に垂直な方向
に伝搬方向を有するローティテッドＹ−カット（ｒｏｔ
ａｔｅｄ Ｙ −ｃｕｔ）の水晶とすることが出来る。

本発明の以下説明する実施例においては、基板１をこれ
ら二種類のうちの一方のものとし、弾性波としては表面
弾性波または前述したような特定の形のバルク波とする
ことも出来る。

互いに離間配置させた第一対の反射器ＲＩＩおよびＲＩ
２は基板１に所定の周波数ｆ。

で弾性定在波を維持することが出来る第一共振空間を形
成する。

互いに離間配置させた第二対の反射器ＲＯＩおよびＲＯ
２はこれもまた基板１に同じ周波数ｆｏで弾性定在波を
維持することが出来る第二共振空間を形成する。

これら各反射器ＲＩ １ 。ＲＩ２．ＲＯＩおよびＲＯ
２は基板１の表面に複数個の個別の素子２を設けて形成
した格子（ｇｒａｔｉｎｇ）構造となっている。

これら各素子２は基板の表面上に設けた導電性のストリ
ップまたは基板の表面中に設けた溝とすることが出来る
。

これら素子を不連続に設けてこれら素子に入射する弾性
波エネルギーの一部分を夫々反射させることが出来るよ
うに配設しである。

さらに一例として各反射器を周波数ｆ。

で弾性波の波長１すなわλ
２ち−の実効間隔を有する２００個の素子を以
って構成することが出来る。

第一および第二共振空間は対を形成している両反射器の
最も接近している素子２間の距離よりも大きい実効長を
夫々有しており、この実効長は周波数ｆ。

において半波長のほぼ整数倍である。

上述の例においては、１００ＭＨｚの周波数ｆ。

において、各村を形成する反射器の最も接近している素
子２個間の距離を４００λとし実効長を５００λとする
ことが出来る。

基板１０表面上の第−共振空間中に２個のすだれ状トラ
ンスジューサーＴＤおよびＣＴＤｌを配置し、この表面
上の第二共振空間中には２個のすだれ状トランスジュー
サＣＴＤ２およびＯＴＤを配置する。

これは弾性波エネルギーと結合させるためである。

各トランスジューサは二組の電極３を含んでおり、各組
の電極は各バスバーによって電気的に共通に接続されて
いる。

これがため、トランスジューサーＴＤはバスバーＢＩＩ
によって接続した一組の電極３とバスバーＢＩ２によっ
て接続した一組の電極３とを含んでおり、トランスジュ
ーサＣＴＤ１はバスバーＢＣＩＩによって接続した一組
の電極とバスバーＢＣｌ２によって接続した一組の電極
とを含んでいる。

さらに、トランスジューサＣＴＤ２はバスバーＢＣ２１
によって接続した一組の電極３とバスバーＢＣ２２によ
って接続した一組の電極３とを含んでいる。

さらにトランスジューサＯＴＤはバスバーＢＯＩによっ
て接続した一組の電極３とバスバーＢＯ２によって接続
した一組の電極３とを含んでいる。

周波数ｆ。

における各共振空間での弾性定在波の共振パターンは弾
性応力および歪（アコースティック ストレス アンド
ストレインｐ ａＣＯ−ｕｓｔｉｃ ５ｔｒｅｓｓ
ａｎｄ ５ｔｒａｉｎ）に節と腹とを形成し、さらに表
面で測定される電位にも節と腹とを形成する。

第１図にはすだれ状トランスジューサの箇所に周波数ｆ
。

で生じる共振パターンな示してあり、節Ｎおよび腹ＡＮ
は表面で測定された電位の最小値および最大値に夫々対
応している。

第１図に示した正および負の符号は周波数ｆ、での弾性
定在波エネルギーの任意の瞬時における相対位相を示す
ものである。

第１図に示す例ではトランスジューサの全ての電極が弾
性定在波エネルギーの腹ＡＮに位置しており、しかも、
各トラ、ンスジューサの二組の電極は周波数がｆ。

での弾性定在波エネルギーの反対位相のものと夫々結合
するように配設しである。

バスバーＢＩＩおよびＢＩ２を端子ＩＰＩおよびＩＰ２
に夫々接続し、これら端子を電気エネルギー源Ｓに接続
しである。

このため、トランスジューサＩＴＤは入カドランスジュ
ーサであってデバイスに供給される入力電気エネルギー
を弾性波エネルギーに変換するものである。

バスバーＢＯＩおよびＢＯ２を端子ＯＰ１およびＯＦ２
に夫々接続し、これら端子を負荷Ｚに接続する。

これがため、トランスジューサＯＴＤは出カドランスジ
ューサであって弾性波エネルギーを出力電気エネルギー
に変換してこれをデバイスから供給する。

バスバーＢＣＩＩおよびＢＯ２２を電気的に直結すると
共にバスバーＢＣｌ２およびＢＯ２１を電気的に直結す
るので、これら電気接続部は第−共振空間中のトランス
ジューサＣＴＤＩを第二共振空間中のトランスジューサ
ＣＴＤ２と接続させてよってこれら両共振空間を結合す
るための接続手段を形成している。

第１図に示すような結合形弾性波共振デバイスは中心周
波数をｆ。

とする帯域通過形のフィルタ特性を有する。

コンデンサＣｈおよびＣ１は第１図に示すデバイスのフ
ィルタ応答特性に減衰極を夫々独立して形成する。

同一の共振空間中の各トランスジューサから対を形成す
る一組の電極を夫々選び出してこれらコンデンサの各々
を同−共振空間中のこれら選ばれた対を形成する一組の
電極３間に接続する。

すなわちコンデンサＣｈは第一共振空間においてトラン
スジューサＩＴＤのバスバーＢＩＩによって接続された
一組の電極３とトランスジューサＣＴＤ１のバスバーＢ
ＣＩＩによって接続された一組の電極との間に接続して
あり、この選ばれた対の電極の組を周波数ｆｏで互いに
同位相の弾性定在波エネルギーに夫々結合させている。

他方コンデンサＣ１は第二共振空胴においてトランスジ
ューサＣＴＤ２のバスバーＢＣ２２によって接続された
一組の電極３とトランスジューサＯＴＤのバスバーＢＯ
Ｉによって接続された一組の電極３との間に接続■−で
あり、この選ばれた対の電極の組を周波数ｆ。

で互いに反対位相の弾性定在波エネルギーに夫々結合さ
せている。

コンデンサＣｈは周波数ｆ。

の高周波数側に減衰極を形成するが、コンデンサＣ１は
周波数ｆ。

の低周波数側に減衰極を形成する。

以下、第２図ないし第５図を参照してこれらにつき説明
する。

第２図は第１図に示したデバイスの等価回路を示す線図
であり、第一および第二共振空間を直列共振等価回路Ｓ
ＲＩおよびＳＲ２によって夫々表わしである。

図中各トランスジューサを容量で表わずが、これら容量
は各トランスジューサが存在している共振空間を表わす
直列共振回路に対してｊ固々の変成器によって結合され
ている。

この場合、この容量はそのトランスジューサを形成して
いる二組の電極間の静電容量である。

従って、入カドランスジューサを表わしている容量Ｃ１
を変成器ＴＩによって直列共振回路ＳＲＩを結合し、共
振器結合トランスジューサＣＴＤＩおよびＣＴＤ２に表
わす容量ＣＣを変成器ＴＣＩによって直列共振回路ＳＲ
Ｉに結合すると共に変成器ＴＣ２によって直列共振回路
ＳＲ２に結合し、出カドランスジューサＣＴＤを表わし
ている容量ＣＯを変成器Ｔｏによって直列共振回路ＳＲ
２に結合する。

コンデンサＣｈを入力端子ＩＰＩに接続した容量ＣＩの
電極と容量ＣＣの一方の電極との間に接続し、コンデン
サＣ１を容量ＣＣの同じ一方の電極と出力端子ＯＰＩに
接続した容量ＣＯの電極との間に接続する。

変成器ＴＩおよびＴＣｌは容量ＣＩおよびＣＣの一部分
によって夫々示される第−共振空間中のトランスジュー
サＩＴＤおよびＣＴＤＩ間を直流的に分離する作用を有
しており、変成器ＴＣ２およびＴＯは容量ＣＣの一部分
および容量Ｃｏによって夫々示される第二共振空間中の
トランスジューサＣＴＤ２およびＯＴＤ間を直流的に分
離する作用を有している。

この直流分離の結果、第二共振空間中の選ばれて対を形
成しており周波数ｆ。

で反対位相の弾性定在波エネルギーに夫々結合させた電
極の粗間にコンデンサＣ１を接続することによって、こ
のコンデンサＣ１を経て流れる電流に１８０°の移相を
生じさせる効来が得られ、この際このコンデンサＣ１の
効果は第二共振空間中の各トランスジューサから一組ず
つ選ばれた一対の電極の組であって周波数ｆ。

で同相の弾性定在波エネルギーに結合されている電極の
粗間に接続されるインダクタンスすなわちインピーダン
ス係数の等しいインダクタンスＬ１の効果とほぼ同じで
ある。

次に第３図につき説明する。

第３図には第２図に示した等価回路と同様な等価回路を
示しであるが、変更（−だ点はコンデンサＣ１を使用す
る代わりに上述した逆位相の等価インダクタンスＬ１を
用いている点であって、このインダクタンスを第２図に
おいてコンデンサＣ１が接続されている容量ＣＣの同じ
共通電極と出力端子ＯＰ２に接続されている容量ＯＣの
電極との間に接続しである。

次に第４図につき説明する。

第４図は第１図に示したデバイスの他の等価回路を示し
、同図において、第２図および第３図に示した変成器を
省略してあり、さらに容量ＣＩ。

ＣＣおよびＣＯの代わりに容量ＣＩ’、 ＣＣおよびＣ
Ｏ２を用いて回路が異なった形態を取ることを考慮して
いる。

第一および第二共振空間を表わしている直列共振回路Ｓ
ＲＩおよびＳＲ２は共振周波数ｆ。

で零リアクタンスを有し、この周波数ｆ。以上の周波数
では周波数に依存するインダクタンスを有しさらにこの
周波数ｆ。

以下の周波数では周波数に依存する容量を有している。

第一共振空間中の各トランスジューサから夫々選ばれた
一対の電極の組であって周波数ｆＯで同じ位相の弾性定
在波エネルギーに結合させた電極の粗間に接続されてい
るコンデンサＣｈの効果はコンデンサＣｈが第一共振空
間を表わしている直列共振回路ＳＲＩと並列に接続され
ることである。

このコンデンサＣｈの値を選定して周波数ｆ、よりも高
いある選択された減衰極の周波数で回路ＳＲＩのインダ
クタンスと並列共振回路を形成させる、すなわち、その
減衰極の周波数でデバイスのフィルタ応答特性に減衰極
を形成させる。

第二共振空間中のトランスジューサから夫々選ばれた一
対の電極の組であって周波数ｆＯで反対位相の弾性定在
波エネルギーに結合させた電極の粗間に接続されている
コンデンサＣ１の効果は、インダクタンスＬ１を第二共
振空間を表わしている直列共振回路ＳＲ２と並列に接続
することである。

このコンデンサＣ１の値を選定して周波数ｆＯよりも低
いある選択された減衰極の周波数でのその等価共振イン
ダクタンスＬ１がその選ばれた減衰極の周波数で回路Ｓ
Ｒ２の容量と並列共振回路を形成させ従ってその減衰極
の周波数においてデバイスのフィルタ応答特性に減衰極
を形成させる。

次に第５図につき説明する。

同図はトランスジューサ結合形のニー共振器デバイスの
他の実施例を示す平面図であって、第１図に示すデバイ
スと相違する点は、高周波および低周波の両減衰極を夫
々の共振空間において選ばれて対を形成している電極の
糾問に存在する容量によって形成するものであり、さら
に各共振空間中の２個のトランスジューサの形態と配置
とを定めて各々の場合に前述の容量に対しある選定した
値を与えるようにした点にある。

高周波減衰極を第一共振空間中の入カドランスジューサ
ＬＴＤの伸長すせたバスバーＢＩＩ’および結合トラン
スジューサＣＴＤＩの伸長させたバスバーＢＣＩＩ’に
夫々接続された一対の電極３の粗間の容量Ｃｈによって
形成する。

さらに低周波減衰ポールを第二共振空間中の結合トラン
スジューサＣＴＤ２の伸長させたバスバーＢＣ２２’お
よび化カドランスジューサＯＴＤの伸長させたバスバー
ＢＣＩ’！こ夫々接続された一対の電極３の粗間の容量
Ｃ１によって形成する。

さらに第１図のデバイスとは異なる点は、バスバーＢＣ
ｌ２．ＢＣ２１、ＢＩ２およびＢＯＩ’を大地電位に電
気的に共通に接続し、バスバーＢＩＩ’を一端を接地し
たエネルギー源Ｓに接続させた単一入力端子ＩＰに接続
しおよびバスバーＢＯ２を一端を接地させた負荷Ｚに接
続させたデバイスの単一出力端子ＯＰに接続している点
である。

第６図、第７図および第８図は第５図に示したデバイス
を第２図、第３図および第４図と同様に等価回路で夫々
示した線図である。

第５図に示すデバイスの利点は各減衰極を形成するため
に必要とする外部の個別のコンデンサの形態としての余
分な構成成分を必要としないという点にある。

他方第１図に示すデバイスの利点は共振空間中のトラン
スジューサの電極の粗間の基板内容量によって減衰極を
形成するために必要とするこれらトランスジューサの形
態または配置に対する制限を必要としない点にある。

従って、後者の場合には、すだれ状トランスジューサの
各々は第１図に示すような厳密を要する従来の形態およ
び配置すなわち各組の電極３の全てを周波数ｆｏでの弾
性波の一波長だけ規則的に離間させおよびその周波数で
定在波パターンの腹に位置させる形態および配置とする
必要がない。

この意味で英国特許出願第３８５７７／７５号、第０４
６３７７７号および第４１６５４７７７号に記載さゎて
いるような従来形ではないすだれ状トランスジューサを
本発明によるデバイスに一例として使用することも出来
る。

次に第９図につき説明する。

同図において、実線は第１図または第５図に従って構成
したトランスジューサ結合形ニー共振空間表面弾性波デ
バイスの予想される帯域通過形フィルタの振幅−周波数
応答特性を示す特性曲線である力ζ この特性曲線には
減衰極がない。

その通過域の中心は１７５．００ ＭＨｚの周波数ｆ。

にあり、３ｄＢの帯域幅は約１７０ＫＨｚであり、スト
ップ・バンド応答は中心周波数における応答よりも低い
約３５ｄＢである。

また、破線は第１図または第５図のいずれかに示す容量
ＣｈおよびＣ１によって高周波数および低周波数の画周
波数の減衰極を形成するデバイスの予想される振幅−周
波数応答特性を示す特性曲線である。

これらの両減衰極は、実線で示した応答特性に比べて、
これらの夫々選択された減衰極の周波数においてストッ
プ・バンド減衰ヲ約２０ｄＢだけ増大させ、３ｄＢの帯
域幅を約４０ＫＨｚだけ低減させている。

このようにフィルタの通過域の両側においてはしゃ断の
割合が増加しておりまたこの通過域に隣接してトラップ
が形成される。

これは通信チャンネルの帯域を狭く選択してこのチャン
ネルにすぐ隣接するチャンネルを阻止するためのフィル
タを必要とする場合には特に有益である。

次に第１０図につき説明する。

同図に示す実線は第９図に実線で示した特性曲線と同じ
減衰極のない振幅−周波数応答特性を示す特性曲線であ
る。

印破線は第１図または第５図のいずれかに示したように
配設された賽量Ｃｈによってのみ生じる高周波減衰極を
有するデバイスの予想される振幅−周波数応答特性を示
す特性曲線である。

丸印破線は第１図または第５図のいずれかに示したよう
に配設した容量Ｃ１によってのみ生じる低周波減衰極を
有するデバイスの予想される振幅−周波数応答特性を示
す特性曲線である。

第１図および第５図に示すようなニー共振空間デバイス
であって空間結合トランスジューサＣＴＤＩおよびＣＴ
Ｄ２間を直電気的に接続させたデバイスによれば、二個
のみの共振器を結合して使用することによってストップ
・バンド減衰が得られ減衰極のいずれか一方または両者
によって減衰が増大され、これらが相俟って所定の応用
に対して満足し得るフィルタを提供することが出来、こ
の際三個またはそゎ以上の共振器を結合して使用する必
要性を回避し得る。

しかしながら ストップ・バンド減衰を少なくとも第三
の中間空間を含んでいるトランスジューサＣＴＤＩおよ
びＣＴＤ２を接続するための手段によって増大させるこ
とも出来る。

本発明によって形成される減衰極は弾性波デバイスのフ
ィルタ通過域に隣性する周波数において最も有益である
と期待されるが、このフィルタ通過域の中心周波数のい
ずれの側に選定した他の減衰極の周波数でこれら減衰極
を形成することも出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は一方の共振器中のトランスジューサ間に接続し
た第一コンデンサによって高周波減衰極を生じさせ、他
方の共振器中のトランスジューサ間に接続した第二コン
デンサによって低周波減衰極を生じさせるトランスジュ
ーサ結合形ニー共振器デバイスである本発明による結合
形弾性波共振器デバイスを示す路線的平面図、第２図は
トランスジューサをコンデンサによって表わし、共振器
を直列共振回路によって表わしおよび前記トランスジュ
ーサのコンデンサを変成器によって前記共振器直列共振
回路に結合した第１図のデバイスの等価回路を示す線図
、第３図は低周波数減衰極を発生させる第二コンデンサ
の代わりに逆位相等価インダクタンスを使用１−た第１
図のデバイスの他の等価回路を示す線図、第４図は前記
逆位相等価インダクタンスを含み変成器を除去した第１
図のデバイスの他の等価回路を示す線図、第５図は高周
波および低周波の両減衰極を各共振器中のトランスジュ
ーサから選択されて対を形成している電極の粗間に延在
している容量によって形成している本発明によるトラン
スジューサ結合形ニー共振器デバイスの他の実施例を示
す路線的平面図、第６．７および８３図は第２，３およ
び４図と同様な第５図に示したデバイスの等価回路を夫
々示す線図、第９図は高周波および低周波減衰極の両者
を有する本発明によるデバイスの予想振幅−周波数応答
特性を示す特性曲線図、第１０図は高周波減衰極のみを
有する本発明によるデバイスおよび低周波減衰極のみを
有する本発明によるデバイスの夫々の予想振幅−周波数
応答特性を示す特性曲線図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・素子、３・・・・
・・電極、ＲＩＩ。 ＲＩ２．ＲＯＩ、ＲＯ２・・・・・・反射器、ＩＴＤ。 ＣＴＤＩ、ＣＴＤ２．ＯＴＤ・・・・・・トランスジュ
ーサ、ＩＰＩ 、ＩＰ２．ＯＰＩ 、ＯＦ２・・・・・
・端子、Ｓ・・・・・・電気エネルギー源、Ｚ・・・・
・・負荷、ＢＩ’ｌ。 Ｂ１１’、ＢＩ２．ＢＣＩＩ、ＢＣＩＩ’、ＢＣｌ２゜
ＢＯＩ 、ＢＯＩ’、ＢＯ２、ＢＣ２１、ＢＣ２２。 Ｂ Ｃ２２’・・・・・バスバー、Ｃｈ、Ｃ１・・曲コ
ンデンサ（又は容量）、ＣＩ・・・・・・入カドランス
ジューサに対応する容量、Ｃｏ・・・・・・出カドラン
スジューサに対応する容量、ＳＲＩ、ＳＲ２・・・・・
・直列共振等価回路、ＣＣ−・−・・−容量、ＴＩ 、
ＴＣＩ 、Ｔｅ３゜Ｔｏ・・・・・・変成器、Ｌｌ・・
・用インダクタンス。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 弾性波を伝搬可能な基板と、２対の離間された反射
   器とを有し、これらの各反射器対は夫々２つの共振空間
   の１つを形成し、各共振空間は前記基板内に該共振空間
   を直列共振等価回路として表すことができる所定の周波
   数で弾性定在波を維持することができ、さらに弾性定在
   波エネルギと結合させるため前記基板の表面の前記の共
   振空間の夫々に配設された２個のすだれ状トランスジュ
   ーサと、一方の共振空間中のすだれ状トランスジューサ
   の１つを他方の共振空間のすだれ状トランスジューサの
   １つに接続して２つの共振空間を結合する装置とを有す
   る、通過帯域の中心を前記の所定の周波数にしたフィル
   タ特性を有する結合形弾性波共振器デバイスにおいて、
   前記のすだれ状トランスジューサは各々２組の電極を有
   し、各組の電極は電気的に共通に接続され、各すだれ状
   トランスジューサの２組の電極は前記の所定の周波数で
   弾性定在波エネルギの反対位相と結合するように配設さ
   れ、また、前記の所定の周波数の高周波数側か低周波側
   の一方の側に成る選択した極周波数で減衰極を形成する
   ために、前記の２つの共振空間の１つの共振空間中の一
   方のすだれ状トランスジューサの選択した１組の電極と
   他方のすだれ状トランスジューサの選択した１組の電極
   との間に容量を設けたことを特徴とする結合形弾性波共
   振器デバイス。 ２１つの共振空間中の２つのすだれ状トランスジューサ
   の選択した電極の組が、前記の所定の周波数で弾性定在
   波エネルギの反対位相と結合され、よって前記の容量カ
   ζ前記の所定の周波数の低周波数側の選択した極周波数
   において前記の共振空間の等価回路容量と並列共振回路
   を形成する等価共振インダクタンスを形成するようにし
   たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の結合形
   弾性波共振器デバイス。 ３１つの共振空間中の２つのすだれ状トランスジューサ
   の選択した電極の組が、前記の所定の周波数で弾性定在
   波エネルギの同じ位相と結合され、よって前記の容量が
   、前記の所定の周波数の高周波数側の選択した極周波数
   において前記の共振空間の等価回路インダクタンスと並
   列共振回路を形成するようにしたことを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の結合形弾性波共振器デバイス。 ４ 前記容量は、前記選択した一つの共振空間外部に設
   けられしかも前記選択されて対を形成している電極の粗
   間に接続されたコンデンサによって形成されたことを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の結合形弾性波共振
   器デバイス。 ５ 前記選択した一つの共振空間中の一方のすだれ状ト
   ランスジューサの選択した一組の電極と他方のすだれ状
   トランスジューサの選択した一組の電極のバスバーを夫
   々延長ｔ−１前記の容量がこの延長されたバスバー間の
   容量によって形成されたことを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の結合形弾性波共振器デバイス。 ６ デバイスを２共振器デバイスとし、一方共振空間中
   の一方のすだれ状トランスジューサと他方の共振空間中
   の一方のすだれ状トランスジューサとを直接に電気接続
   し、前記一方の共振空間中の他方のすだれ状トランスジ
   ューサはデバイスに供給される入力電気エネルギを弾性
   波エネルギに変換するための入カドランスジューサであ
   り、前記他方の共振空間中の他方のすだれ状トランスジ
   ューサは弾性波エネルギを前記デバイスから供給される
   出力電気エネルギに変換する出カドランスジューサであ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項
   の何れか１項記載の結合形弾性波共振器デバイス。