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JPS59189420A - 電流反転回路 - Google Patents

電流反転回路

Info

Publication number
JPS59189420A
JPS59189420A JP58064242A JP6424283A JPS59189420A JP S59189420 A JPS59189420 A JP S59189420A JP 58064242 A JP58064242 A JP 58064242A JP 6424283 A JP6424283 A JP 6424283A JP S59189420 A JPS59189420 A JP S59189420A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
current
base
constant
current source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58064242A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Hikita
純一 疋田
Takuzo Kamimura
上村 卓三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP58064242A priority Critical patent/JPS59189420A/ja
Publication of JPS59189420A publication Critical patent/JPS59189420A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is DC
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/22Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
    • G05F3/222Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
    • G05F3/227Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a current or voltage as a predetermined function of the supply voltage

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は電流反転回路に係り、特に集積回路上で定電
流源等として用いられる電流反転回路の改良に関する。
第1図は集積回路上で構成される従来の電流反転回路を
示している。即ち、トラ”ンジス夛2はベース・コレク
タ間が共通に接続され、ダイオードとして構成されてい
る。このトランジスタ2は電源端子4から駆動電圧Vc
cが印加される電源ラインと、基準電位点を設定する接
地端子6との間にベース・コレクタ側に定電櫨源8を介
して接続されている。また、トランジスタ2のベース・
コレクタには、トランジスタ100ベースが共通に接続
され、このトランジスタ10のエミッタはトランジスタ
2のエミッタとともに電源ラインに接続され、コレクタ
には反転電流を取出す出力端子12が形成されている。
このような構成によれば、定電流源8によって基準定電
流Iが与えられると、ダイオードとしてのトランジスタ
2に定電流■が流れ、トランジスタ2のエミッタ(ダイ
オードのアノード)とベース・コレクタ(ダイオードの
カソード)の間には順方向降下電圧vFが生じる。トラ
ンジスタ10のベース・エミッタ間電圧V[]Eは、前
記順方向降下電圧vFで与えられ、その値で規制される
から、トランジスタ10のベース・エミッタ間には定電
圧源を挿入したことになる。しかも、トランジスタ10
のベース電流は定電流源8で規制されるため、集積回路
のようにトランジスタ2.10の電流増幅率等の電気的
特性を均一に形成出来る場合には、各トランジスタ10
に定電流Iが流れ、この電流Iを出力端子12から取出
すことができる。即ぢ、トランジスタ2とトランジスタ
10の電流は同値で与えられ、電流反転特性(カレント
ミラー効果)が得られる。
しかしながら、電源ラインと基準電位点との間は、ダイ
オードとしてのトランジスタ2と定電流源8を構成する
トランジスタが挿入されるので、その電圧降下は前記順
方向降下電圧VFと、定電流源8のトランジスタの飽和
電圧Vsatとからなる。一般に、シリコンで形成され
たモノリシック集積回路では、順方向降下電圧vFは6
60mV、Vsatは0.2V程度であるため、合成値
は860mVにも及び、動作電圧は最低0.9V程度が
必要である。そのため、この電流反転回路が設置された
各種の電子回路では、その駆動電源としてパンテリが使
用される場合等、その減電圧時(0,9〜0.8V)に
は動作不能となる。
この発明は、最低動作電圧を低下させ、バッテリ等消耗
で端子電圧が低下しても安定した動作を確保できる電流
反転回路の提供を目的とする。
この発明は、基準電流を設定する定電流源と、この定電
流源でベース電流が与えられる第1のトラン、ジスタと
、このトランジスタによってベース電流が与えられる第
2のトランジスタと、前記第1のトランジスタのベース
・エミッタ間に挿入され且つ第2のトランジスタによっ
てベース電流が規制されるとともにコレクク電流が前記
定電流源で規制される第3のトランジスタとから構成し
たことを特徴とする。
以下、この発明を図面に示した実施例を参照して詳細に
説明する。
第2図はこの発明の電流反転回路の実施例を示して、い
る。図において、第1のトランジスタ20は電源端子2
2から駆動電圧Vccが印加される電源ラインにエミッ
タを接続し、ベースと基準電位点端子24との間には定
電流源26が接続さ九ている。トランジスタ20のコレ
ククレこしよ第2のトランジスタ28のベースが接続さ
れ、このトランジスタ28のエミッタは基準電位点に接
続されている。また、トランジスタ28のベース・コレ
クタ間にはコンデンサ30が挿入され、コレクタには第
3のトランジスタ32のベースが接続され。
トランジスタ32はトランジスタ20のベース・エミッ
タ間に接続されている。
そして、トランジスタ32とベース及びエミッタをそれ
ぞれ共通に接続した出力用トランジスタ34が設置され
、このトランジスタ34のコレクタには出力端子36が
形成されている。
以上の構成に基づき、動作を説明する。定電流#26で
与えられる基準定電流をI1とすると、この電流I+に
基づき、トランジスタ20&こしま一定のベース電流が
与えられ、トランジスタ20番こ電流■3が流れる。こ
の電流I3はトランジスタ28のベース電流となり、ト
ランジスタ28のコレクタには、トランジスタ32のベ
ースから電流■2が与えられる。この電流反転回路は帰
還ル−プを形成しており、平衡状態において、トランジ
スタ34に電流!+が流れ、出力端子36から取出すこ
とができる。
この場合、コンデンサ30は位相補正キャノマシタを構
成し、発振防止の機能を果たしている。
ここで、トランジスタ20.28.32の電流増幅率β
を考慮すると、各電流11、I2.13の関係は、I 
3 = I 2 / 102= I t / L O’
で与えられる。従って、トランジスタ20のエミ・ツタ
・コレクタ間電圧■「 ′は、電流I+の1/β2=1
/104となるため、小さい値となる。即ち、VF ’
は660mVから24.0 m Vだけ減少し、420
m、V (=660−24.0)となる。従って、この
ような電流反転回路によれば、動作電圧が低下し、0.
86の減電圧であれば、0.62まで動作電圧が低下し
、低い電圧で同様の電流反転動作を得ることができる。
第3図に示す実施例は前記実施例の各トランジスタを反
対導電型のトランジスタで同様に構成したものである。
即ち、前記実施例のPNP型の第1のトランジスタ20
をNPN型のトランジスタ40、NPN型の第2のトラ
ンジスタ28をPNP型のトランジスタ48、PNP型
の第3のトランジスタ32をNPN型のトランジスタ4
2、PNP型の出力用トランジスタ34をNPN型のト
ランジスタ44で構成するとともに、前記定電流源26
は定電流源46に対応する。その他、同一部分には同一
符号を付しである。
このような構成によれば、トランジスタ40.42.4
4.48のベース電流の方向が前記実施例の電流反転回
路とは反対になり、出力端子36に電流を吸込む形とな
り、同様の効果が期待できる。
また、第4図はこの発明の電流反転回路の他の実施例を
示し、第2図に示す実施例と同一部分には同一符号が付
しである。図において、トランジスタ20a、28aと
トランジスタ20b、28bは前記実施例の第1及び第
2のトランジスタ20.28から成る回路に相当し、こ
の実施例の場合、2段構成と成っている。即ち、トラン
ジスタ20aはベースを定電流源26に接続し、コレク
タをトランジスタ28aのベースに接続し、そのエミッ
タは電源端子22から駆動電圧Vccが印加される電源
ラインに接続されている。また、トランジスタ28aは
エミッタを基準電位点に接続され、そのコレクタばトラ
ンジスタ20bのベースに接続され、トランジスタ20
bはエミッタを電源ラインに接続し、そのコレクタはト
ランジスタ28bのベースに接続されている。そして、
トランジスタ28bのコレクタは、前記実施例の第3の
トランジスタ32に相当するトランジスタ50のベース
と基準電位点の間に接続され、トランジスタ50のベー
スはトランジスタ320ベースに共通に接続されている
そして、トランジスタ50は電源ラインと基準電位点と
の間に、コレクタ側に抵抗52を介して接続され、コレ
クタには出力端子54が形成されている。
この実施例のように、第1及び第2のトランジスタ20
a、20b、28a、28bを2段構成とすれば、動作
電圧をさらに低下させることができ、さらに、その段数
を増加させることも可能である。
以上説明したようにこの発明によれば、回路内部の電圧
降下が減少するので、最低動作電圧を低下させることが
でき、例えば、バッテリ等消耗で端子電圧が低下しても
安定した動作を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の電流反転回路を示す回路図、第2図はこ
の発明の電流反転回路の実施例を示す回路図、第3図及
び第4図はこの発明の他の実施例を示す回路図である。 20.40.20a120b・・・第1のトランジスタ
、28.48.28a、20b・・・第2のトランジス
タ、26.46・・・定電流源、32.42.50・・
・第3のトランジスタ。 103 第1図 第2図 第3図 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基準電流を設定する定電流源と、この定電流源でベース
    電流が与えられる第1のトランジスタと、このトランジ
    スタによってベース電流が与えられる第2のトランジス
    タと、前記第1のトランジスタのベース・エミッタ間に
    挿入され且つ第2のトランジスタによってベース電流が
    規制されるとともにコレクタ電流が前記定電流源で規制
    される第3のトランジスタとから構成したことを特徴と
    する電流反転回路。
JP58064242A 1983-04-12 1983-04-12 電流反転回路 Pending JPS59189420A (ja)

Priority Applications (1)

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JP58064242A JPS59189420A (ja) 1983-04-12 1983-04-12 電流反転回路

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JP58064242A JPS59189420A (ja) 1983-04-12 1983-04-12 電流反転回路

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JP2300360A Division JP2547896B2 (ja) 1990-11-05 1990-11-05 電流反転回路

Publications (1)

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JPS59189420A true JPS59189420A (ja) 1984-10-27

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ID=13252476

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JP58064242A Pending JPS59189420A (ja) 1983-04-12 1983-04-12 電流反転回路

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JP (1) JPS59189420A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50152274A (ja) * 1974-05-31 1975-12-08
JPS5517405A (en) * 1978-07-24 1980-02-06 Hitachi Ltd Method of operating nuclear reactor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50152274A (ja) * 1974-05-31 1975-12-08
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