JPS59184767A - Ｂ↓４ｃの高強度高密度焼結体およびその製造方法 - Google Patents
Ｂ↓４ｃの高強度高密度焼結体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS59184767A JPS59184767A JP58059499A JP5949983A JPS59184767A JP S59184767 A JPS59184767 A JP S59184767A JP 58059499 A JP58059499 A JP 58059499A JP 5949983 A JP5949983 A JP 5949983A JP S59184767 A JPS59184767 A JP S59184767A
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- sintering aid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｂ４Ｃの高強度高密度焼結体およびその製造
方法に関し、特に有効な焼結助剤を選択したことによシ
、高強度高密度のＢ４Ｃ焼結体が容易に多量生産できる
ようにしたものである。
方法に関し、特に有効な焼結助剤を選択したことによシ
、高強度高密度のＢ４Ｃ焼結体が容易に多量生産できる
ようにしたものである。
Ｂ４Ｃ焼結体は、高温水中や放射線場などの厳しい環境
下でも使用できるという良い特質全もっている。したが
って、これらの環境下で使用する耐摩耗材料あるいは原
子炉用機器材料として、Ｂ４Ｃの焼結体を使用すべきと
する考えもあり、現にホットプレスによる焼結体が実用
化されている。
下でも使用できるという良い特質全もっている。したが
って、これらの環境下で使用する耐摩耗材料あるいは原
子炉用機器材料として、Ｂ４Ｃの焼結体を使用すべきと
する考えもあり、現にホットプレスによる焼結体が実用
化されている。
しかしながら、ホットプレス法は、多量生産的でないこ
と、また製造コストが編いなどの欠点もｈｂ、それほど
普及していないのが実状である。
と、また製造コストが編いなどの欠点もｈｂ、それほど
普及していないのが実状である。
発明者等は、このような実状に鑑み、廉価にしかも多量
生産が可能なり４Ｃ焼結体およびその製造方法を検討し
た。そして、その前提として、８４Ｃ焼結体の強度はホ
ットプレス品に準じ、焼結体密度は、現行の粉末充填密
度７０〜８０％に対し８５％以上、さらに８４Ｃ以外の
成分は、１重量％以下にすることを目標とした。
生産が可能なり４Ｃ焼結体およびその製造方法を検討し
た。そして、その前提として、８４Ｃ焼結体の強度はホ
ットプレス品に準じ、焼結体密度は、現行の粉末充填密
度７０〜８０％に対し８５％以上、さらに８４Ｃ以外の
成分は、１重量％以下にすることを目標とした。
また、発明者は、Ｂ４Ｃ焼結体が、硬く、高温でも塑性
流動しにくい材料であることから、高温でｇＩ３Ｍする
こと、Ｂ４Ｃ粉末を微細に粉砕すること、焼結助剤全選
択するなど種々の検討を重ねた。
流動しにくい材料であることから、高温でｇＩ３Ｍする
こと、Ｂ４Ｃ粉末を微細に粉砕すること、焼結助剤全選
択するなど種々の検討を重ねた。
この結果、発明者等は、Ｂ４Ｃの高強度高密度滉結体を
得るための有効な焼結助剤全発見し、さらにこの焼結助
剤は、焼結体中に０．２重量−以下しか残らないという
理想的なり４Ｃの高強度高密度焼結体およびその製造方
法全開発した。
得るための有効な焼結助剤全発見し、さらにこの焼結助
剤は、焼結体中に０．２重量−以下しか残らないという
理想的なり４Ｃの高強度高密度焼結体およびその製造方
法全開発した。
すなわち、Ｂ４Ｃ粉末に対し、Ａｔ粉末、Ａｔ合金粉末
およびＡｔ化合物粉末の一確又は二橿以上全１〜１０重
量％添加し、真空又は不活性ガス中で、１８００℃以上
で焼結する方法である。
およびＡｔ化合物粉末の一確又は二橿以上全１〜１０重
量％添加し、真空又は不活性ガス中で、１８００℃以上
で焼結する方法である。
さらに、この方法によシ得られるＢ４Ｃの焼結体は、Ｂ
４Ｃの理論密度２．５２ｇ／ｃｎｌに対して高密度の相
対密度分有し、かつ添加したＡｚ、Ｎｉ、Ｃｕその他の
成分の焼結体の残存量は、０．２重量％以下であること
全特徴とするものである。
４Ｃの理論密度２．５２ｇ／ｃｎｌに対して高密度の相
対密度分有し、かつ添加したＡｚ、Ｎｉ、Ｃｕその他の
成分の焼結体の残存量は、０．２重量％以下であること
全特徴とするものである。
この場合Ａｔ合金粉末としては、Ａｊ−Ｃｕ合金、Ａｔ
−Ｎｉ合金粉末等が選択され、またへＬ化合物粉末とし
ては、ＡｔＮ、 ＡｔＢ、 ＡｔＢ＋ｚ、ＡｔＣ。
−Ｎｉ合金粉末等が選択され、またへＬ化合物粉末とし
ては、ＡｔＮ、 ＡｔＢ、 ＡｔＢ＋ｚ、ＡｔＣ。
Ａｔ２０３、Ａｔ２０３・Ｂ２Ｏ３、ＡｔＣｔ３、Ａｔ
（ＯＨ）ｚの各粉末等が選択されるものである。そして
、これらの焼結助剤の各成分は意識的に加えた場合だけ
でなく、ボールミル容器、ボールなどにより混入される
場合もある。これは、例えば、Ｂ４Ｃ粉末をアルミナポ
ット、アルミナボール全相いて３０Ｈｒ粉砕すれば、１
．８％の、ｋｔ２０ｓカ混入されるが、これも充分な焼
結助剤としての効果を示すからである。ぼた、ステンレ
スポットなど全用いれば鉄等が混入されるが、これらは
、双結助剤の効果を阻害しないからである。
（ＯＨ）ｚの各粉末等が選択されるものである。そして
、これらの焼結助剤の各成分は意識的に加えた場合だけ
でなく、ボールミル容器、ボールなどにより混入される
場合もある。これは、例えば、Ｂ４Ｃ粉末をアルミナポ
ット、アルミナボール全相いて３０Ｈｒ粉砕すれば、１
．８％の、ｋｔ２０ｓカ混入されるが、これも充分な焼
結助剤としての効果を示すからである。ぼた、ステンレ
スポットなど全用いれば鉄等が混入されるが、これらは
、双結助剤の効果を阻害しないからである。
以下、本発明Ｂ＜Ｃの關強度高密度焼精体およびその製
造方法について、その一実施例全説明する。
造方法について、その一実施例全説明する。
第１図は、Ｂ４Ｃ粉末にＡｔ、 ＡｔｚＯｚ全添加した
ときの各試料の相対密度の変化を示した結果であり、各
試料は、以下のように焼結されたも 。
ときの各試料の相対密度の変化を示した結果であり、各
試料は、以下のように焼結されたも 。
のである。すなわち、各試料は、市販の１０００メツシ
ユＢ４Ｃ粉末に２０μｍのＡｔ粉末および０．５μｍの
ＡｚｚＯｓ全１５重量％まで添加し、メノーの乳鉢で混
合、さらに成形助剤として５重量愛のパラフィンワック
スを添加し、ｌｔ／ｃｆｆｌ の圧力で１０ψＸ１０
ｘｍの圧粉体とし、これ全１Ｏ−３ｔｏｒｒの真空炉で
１８００℃および２０００℃でＩＨｒ廃結したものであ
る。この場合の焼結体密度は後にも述べるように残存Ａ
ｔ ｏ ｒＡ、ｔ２０３が微量なのでＢ４Ｃのみと仮
定した。
ユＢ４Ｃ粉末に２０μｍのＡｔ粉末および０．５μｍの
ＡｚｚＯｓ全１５重量％まで添加し、メノーの乳鉢で混
合、さらに成形助剤として５重量愛のパラフィンワック
スを添加し、ｌｔ／ｃｆｆｌ の圧力で１０ψＸ１０
ｘｍの圧粉体とし、これ全１Ｏ−３ｔｏｒｒの真空炉で
１８００℃および２０００℃でＩＨｒ廃結したものであ
る。この場合の焼結体密度は後にも述べるように残存Ａ
ｔ ｏ ｒＡ、ｔ２０３が微量なのでＢ４Ｃのみと仮
定した。
Ａｔ添加の場合は１〜１０重ｉ襲で目標とする相対密度
８５％以上が得られ３〜４重駄チ添加で最大密度９２％
が得られた。一方Ａｔ ２０３の場合は１〜１０重量愛
で目標の８５％以上が得られ、６重量％添加で最大密度
９エチが得られた。１ｓｏｏ’ｃ焼結の場合は２０００
’Ｃに比べてやや焼結体密度は低いかほぼ同様の傾向全
示した。
８５％以上が得られ３〜４重駄チ添加で最大密度９２％
が得られた。一方Ａｔ ２０３の場合は１〜１０重量愛
で目標の８５％以上が得られ、６重量％添加で最大密度
９エチが得られた。１ｓｏｏ’ｃ焼結の場合は２０００
’Ｃに比べてやや焼結体密度は低いかほぼ同様の傾向全
示した。
ＡｔやＡｔ２０ｇがなぜＢ４Ｃ焼結体の焼結助剤として
有効なのか未だよくわかっていないが、Ｂ４Ｃ表面に形
成されるＨ３ＢＯ４などの酸化物被膜を除去し、Ｂ４Ｃ
表面全活性化するのではないかと思われる。次にＡｔ添
加とＡｚ２０ａ添加の場合の密度変化についてみてみる
。
有効なのか未だよくわかっていないが、Ｂ４Ｃ表面に形
成されるＨ３ＢＯ４などの酸化物被膜を除去し、Ｂ４Ｃ
表面全活性化するのではないかと思われる。次にＡｔ添
加とＡｚ２０ａ添加の場合の密度変化についてみてみる
。
Ａｔ２０３中のＡｔは５３％であるから最大密度の得ら
れるＡｚｚＯａ５重量係中のＡｔは約３直量チでＡｔ添
加の場合に最大密度が得られる３〜４爪鼠チに匹適する
。このように考えるとＡｚ２０ａ １０重量％添加はＡ
ｔ添加５Ｎ量饅に相当し相対密度９０％金示すはずであ
るが８５％と低くなっている。多分ＡｔｚＯａが分解し
て発生するＶ索などが密度低下の原因になっていると思
われる。その他の焼結助剤もＡｔ２０３の場合と同様密
度は５〜６重量裂添カロで最大値を示した。
れるＡｚｚＯａ５重量係中のＡｔは約３直量チでＡｔ添
加の場合に最大密度が得られる３〜４爪鼠チに匹適する
。このように考えるとＡｚ２０ａ １０重量％添加はＡ
ｔ添加５Ｎ量饅に相当し相対密度９０％金示すはずであ
るが８５％と低くなっている。多分ＡｔｚＯａが分解し
て発生するＶ索などが密度低下の原因になっていると思
われる。その他の焼結助剤もＡｔ２０３の場合と同様密
度は５〜６重量裂添カロで最大値を示した。
これらの焼結体中のＡｔは分析の結果１８００℃あるい
は２０００℃でもほぼ同じ値であり焼結助剤１屯量裂添
加で１０１００ＰＰ Ｑ直量係添加で１８００ＰＰＭで
あった。
は２０００℃でもほぼ同じ値であり焼結助剤１屯量裂添
加で１０１００ＰＰ Ｑ直量係添加で１８００ＰＰＭで
あった。
第２図はｋｔ添加零の場合と５爪量襲の場合について焼
結過程中での重量減少全測定した結果である。重量減少
は焼結温度に対してほぼ３段階に分けられる。すなわち
第１段階の５００℃までの急激な減少は成形助剤として
加えたパラフィンワックスの蒸発である。この温度を越
えて１０００℃までの変化のない部分が第２段階であシ
、さらに１０００℃以上の重量減少が第３段階である。
結過程中での重量減少全測定した結果である。重量減少
は焼結温度に対してほぼ３段階に分けられる。すなわち
第１段階の５００℃までの急激な減少は成形助剤として
加えたパラフィンワックスの蒸発である。この温度を越
えて１０００℃までの変化のない部分が第２段階であシ
、さらに１０００℃以上の重量減少が第３段階である。
第３段階はＡｔ２加えないＢ４Ｃだけの場合も多少減少
するか５重量％Ａｔ金加えた場合は急激に減少する。す
なわち第３段階はＡｔが蒸発すること分意味しておりＭ
量減からみても焼結助剤として加えたＡｔは１８００℃
以上の温度では焼結体中にほとんど残っていない。
するか５重量％Ａｔ金加えた場合は急激に減少する。す
なわち第３段階はＡｔが蒸発すること分意味しておりＭ
量減からみても焼結助剤として加えたＡｔは１８００℃
以上の温度では焼結体中にほとんど残っていない。
このような傾向は第３段階の始る温度に差はあってもＡ
ｚ２０３その他の焼結助剤についてもほぼ同様の傾向に
めった。これら焼結助剤のすぐれた効果につき５以下実
施例について説明する。
ｚ２０３その他の焼結助剤についてもほぼ同様の傾向に
めった。これら焼結助剤のすぐれた効果につき５以下実
施例について説明する。
実施例１
市販の１０００メツシユＢ４Ｃに平均粒径２０μｍのＡ
ｔ粉末３重量％全添加し、アルミナ製ボットおよびアル
ミナ製ボールを用いて５Ｈｒボールミル混合し、その後
成形助剤としてパラフインワンクス全５重Ｍ％添加した
。この粉末ｉ１ｔβの圧力で成形し１Ｏ−３ｔｏｒｒの
真空炉で２０００’ＣＩｆ−Ｉｒ焼結した。
ｔ粉末３重量％全添加し、アルミナ製ボットおよびアル
ミナ製ボールを用いて５Ｈｒボールミル混合し、その後
成形助剤としてパラフインワンクス全５重Ｍ％添加した
。この粉末ｉ１ｔβの圧力で成形し１Ｏ−３ｔｏｒｒの
真空炉で２０００’ＣＩｆ−Ｉｒ焼結した。
この焼結体の見掛密度は２．３６ｇ／ｉ揃でＢ４Ｃの理
論密度２゜５２ｇ〆侃に対し９３．５ ％であった。表
１には焼結体中の不純物元系全分析した結果を示した。
論密度２゜５２ｇ〆侃に対し９３．５ ％であった。表
１には焼結体中の不純物元系全分析した結果を示した。
以下余白
表Ｉ Ｂ４Ｃ粉末と焼結体中の不純物特にＡｔについ
ては３重ｆｆｉ％添加しているにも係わらず、焼結体中
には７５０ＰＰＪ、か残らずむしろ原料粉末より少くな
っている。この焼結体の物理的性質全公表されているホ
ットプレス品（例えば！セラミックス技術集成Ｉ産業技
術センター出版８５４．４１０）と比較した結果を表２
に示した。
ては３重ｆｆｉ％添加しているにも係わらず、焼結体中
には７５０ＰＰＪ、か残らずむしろ原料粉末より少くな
っている。この焼結体の物理的性質全公表されているホ
ットプレス品（例えば！セラミックス技術集成Ｉ産業技
術センター出版８５４．４１０）と比較した結果を表２
に示した。
表２ 本発明とホットプレス品の物理的性質本発明の硬
さはロックフェル硬さで示しである。なぜならば本発明
のように多少空孔を有している材料をビッカース測定す
るとバラツキが大き過ぎるからである。ＨＲＡ９２．３
ｅ通常の方法でＨｖ換算すると約２０００Ｋｔ／ｍｄ
ｉとなり、本発明品の硬さがホットプレス品に比べては
るかに低い感じもするが、本発明品ｆ Ｈｖ測定すると
４５００〜５０００の値を示すことから本発明品とホッ
ト１７７品はほぼ同じ硬さを有すると思われる。
さはロックフェル硬さで示しである。なぜならば本発明
のように多少空孔を有している材料をビッカース測定す
るとバラツキが大き過ぎるからである。ＨＲＡ９２．３
ｅ通常の方法でＨｖ換算すると約２０００Ｋｔ／ｍｄ
ｉとなり、本発明品の硬さがホットプレス品に比べては
るかに低い感じもするが、本発明品ｆ Ｈｖ測定すると
４５００〜５０００の値を示すことから本発明品とホッ
ト１７７品はほぼ同じ硬さを有すると思われる。
その他の性質はホットプレス品とほぼ同じ値を示し目標
を達している。
を達している。
尚この場合Ａｔの焼結助剤としての効果全確認するため
Ａｔを添加しないＢ４Ｃのみの場合も同時に併行して行
なった。Ｂ４Ｃのみの場合も同時に併行して行なった。
Ａｔを添加しないＢ４Ｃのみの場合も同時に併行して行
なった。Ｂ４Ｃのみの場合も同時に併行して行なった。
Ｂ４Ｃ粉末のみの粉砕でボールミルよりＡｔ分は０．３
軍蛍襲混入された。
軍蛍襲混入された。
しかし、この焼結体密度は８２％であり、Ａｔ３軍量チ
添加で９３．５％の相対密度を得たことはＡｔが焼結助
剤として有効であることが理解できよう。
添加で９３．５％の相対密度を得たことはＡｔが焼結助
剤として有効であることが理解できよう。
実施例２
市販の１０００メツシュＢａＣ粉末９４重１に矛と各榎
焼結助剤６重量％全加えアルミナポット、アルミナボー
ルを用いて５ Ｈｒボールミル混合した。後成形助剤と
して５％パラフィンワックス全添加し、Ｉｔ／ｃｄの圧
力で１０ψＸＩＯ皿の円柱状ベレットヲ成形し、黒鉛板
上に並べて１Ｏ−３ｔｏｒｒの真空炉で２０００℃−Ｉ
Ｈｒ焼結した。焼結体中のＡｔ量はいずれも１１０００
ＰＰ以下であった。さらに、これらの相対密度、硬さ測
定結果を表３にまとめた。
焼結助剤６重量％全加えアルミナポット、アルミナボー
ルを用いて５ Ｈｒボールミル混合した。後成形助剤と
して５％パラフィンワックス全添加し、Ｉｔ／ｃｄの圧
力で１０ψＸＩＯ皿の円柱状ベレットヲ成形し、黒鉛板
上に並べて１Ｏ−３ｔｏｒｒの真空炉で２０００℃−Ｉ
Ｈｒ焼結した。焼結体中のＡｔ量はいずれも１１０００
ＰＰ以下であった。さらに、これらの相対密度、硬さ測
定結果を表３にまとめた。
表３ ｇ８結助剤のイ重類と相対警度および硬さすなわ
ち、実施例１に示したＡｔ粉末以外にも、アルミニウム
の酸化物、窒化物、硼化物あるいはＡ ｔ ２含む合金
粉末、あるいはＡｔの無俄化合物などが有効であること
がわかった。
ち、実施例１に示したＡｔ粉末以外にも、アルミニウム
の酸化物、窒化物、硼化物あるいはＡ ｔ ２含む合金
粉末、あるいはＡｔの無俄化合物などが有効であること
がわかった。
従って、この実施例には含まれていないアルミの炭化物
、硅化物あるいはＡｔ−Ｎｉ％Ａｔ−Ｃｕその他のＡｔ
合金あるいはその他の無機化合物を有効であることは容
易に理解される。
、硅化物あるいはＡｔ−Ｎｉ％Ａｔ−Ｃｕその他のＡｔ
合金あるいはその他の無機化合物を有効であることは容
易に理解される。
実施例３
市販の１０００メツシュＢ４Ｃ粉末９４重量＊に表４に
示す焼結助剤６Ｎ量％を加え、実施例２と同様の方法で
混合、成形、焼結して、焼結体の相対密度、硬さを測定
した結果全表４にまとめた。
示す焼結助剤６Ｎ量％を加え、実施例２と同様の方法で
混合、成形、焼結して、焼結体の相対密度、硬さを測定
した結果全表４にまとめた。
表４ 焼結助剤の種類と相対密度、硬さの関係焼結体中
のＡｔやＮＩ並はいずれも１０００Ｐ ＰＭ以下であっ
た。焼結助剤として有効な成分を２棟以上添加しても有
効であることがわかる。さらに、これらに焼結助剤とし
ての効果のないＢ、ＣあるいはＮｉなどを加えても焼結
助剤としての効果は薄れないこともわかった。
のＡｔやＮＩ並はいずれも１０００Ｐ ＰＭ以下であっ
た。焼結助剤として有効な成分を２棟以上添加しても有
効であることがわかる。さらに、これらに焼結助剤とし
ての効果のないＢ、ＣあるいはＮｉなどを加えても焼結
助剤としての効果は薄れないこともわかった。
実施例４
実施例１と同様の組成および同様の混合した粉末全ナウ
ターオツシレータ−１４４いて一４０メツシュ、＋２０
０メツシユの造粒粉とした。
ターオツシレータ−１４４いて一４０メツシュ、＋２０
０メツシユの造粒粉とした。
これ全超硬合金製のダイスおよびビンを用いたロータリ
ープレスで１１００ＰＰの回転数で３．５ψ×５關のペ
レットに成形した。このプレットヲＶ ｌ＃’ｅ有する
炭素板状に並べ実施例１と同様の真空炉で２０００℃−
ＩＨｒ焼結し、後Ａｒガス導入して急冷した。急冷する
ことは、作業能率を高めるためしばしば行なわれる作業
である。
ープレスで１１００ＰＰの回転数で３．５ψ×５關のペ
レットに成形した。このプレットヲＶ ｌ＃’ｅ有する
炭素板状に並べ実施例１と同様の真空炉で２０００℃−
ＩＨｒ焼結し、後Ａｒガス導入して急冷した。急冷する
ことは、作業能率を高めるためしばしば行なわれる作業
である。
これらの相対密度は９２．３％であシ焼結体の寸法誤差
はほとんどなかった。従ってこの方法は多量生産的であ
ることも確認された。
はほとんどなかった。従ってこの方法は多量生産的であ
ることも確認された。
本発明は、以上説明したように、有効な焼結助剤を選択
できたことから、高強度間密度のＢ４Ｃ焼結体を量産化
でき、耐摩耗材料原子炉用機器材料などの用途に広巾く
利用できるという
できたことから、高強度間密度のＢ４Ｃ焼結体を量産化
でき、耐摩耗材料原子炉用機器材料などの用途に広巾く
利用できるという
ｇ１図は、本発明Ｂ４Ｃの冒強度高密度焼結体およびそ
の製造方法において、Ｂ４Ｃ粉末にＡ、ｔ、ＡｔｚＯｓ
２添加したときの焼結体の密度変化を示す曲線図、第
２図は、焼結体の焼結時のＭ量減を示す曲線図である。 代理人 弁理士 則 近 憩イ志 （（Ｊ１石）
の製造方法において、Ｂ４Ｃ粉末にＡ、ｔ、ＡｔｚＯｓ
２添加したときの焼結体の密度変化を示す曲線図、第
２図は、焼結体の焼結時のＭ量減を示す曲線図である。 代理人 弁理士 則 近 憩イ志 （（Ｊ１石）
Claims (5)
- （１） 基材としてのＢ４Ｃおよび焼結助剤からなる
Ｂ４Ｃの高強度高密度焼結体において、前記焼結助剤は
、Ａｔ、Ａｔ合金およびＡｔ化合物の一種又は二種以上
が選択され、しかも焼結時の蒸発により、その残存量が
０．２重量％以下になっていることを特徴とするＢ４Ｃ
のＩｇ強度高密度焼結体。 - （２）前記焼結体中のＡｔ元累は、１００〜２０００Ｐ
ＰＭの範囲内にあることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のＢ４Ｃ晶強度高密度焼結体。 - （３）基材としてのＢ４Ｃおよび焼結助剤からなるＢａ
Ｃの高強度高密度焼結体の製造方法において、 前記焼結体の出発原料は、Ｂ４Ｃ粉末に対し、Ａｔ粉末
、Ａｔ合金粉末およびＡｔ化合物粉末の一種又は二種以
上からなる焼結助剤全１〜１０重量％添加、混合したも
のからなシ、また、焼結体の焼結は、真空中又は不活性
ガス中、１８００℃以上で行なって、前記焼結助剤の一
部全蒸発させることによシ、焼結助剤全０．２重量％以
下残存させていることを特徴とするＢ４Ｃの高強度高密
度焼結体の製造方法。 - （４）前記焼結体中のＡｔ元索は、１００〜２０００Ｐ
ＰＭの範囲内にあることを特徴とする特許請求の範囲第
３項記載のＢ４Ｃの高強度高密度焼結体の製造方法 - （５）前記焼結助剤は、Ａｔ合金粉末として、Ａｔ−Ｃ
ｕ合金およびＡｔ−Ｎｉ合金粉末が選択され、また、Ａ
ｔ化合物粉末として、ＡｔＮ。 ＩｋｌＢｌｌｋＬＢｌｘ、ＡｔＣ１ＩＡｔｚＯｚ、ｋｔ
２０ｘ・Ｂ２Ｏ３、ＡｔＣｔｚ、Ａｔ（ＯＨ）ｚ の
各粉末が選択されていること全特徴とする特許請求の範
囲第３項又は第４項記載のＢ４Ｃの高強度高密度焼結体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059499A JPS59184767A (ja) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | Ｂ↓４ｃの高強度高密度焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059499A JPS59184767A (ja) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | Ｂ↓４ｃの高強度高密度焼結体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59184767A true JPS59184767A (ja) | 1984-10-20 |
Family
ID=13115035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58059499A Pending JPS59184767A (ja) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | Ｂ↓４ｃの高強度高密度焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59184767A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6212664A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | Ｂ↓４ｃ質複合体の焼結方法 |
| EP0211473A2 (en) * | 1985-05-06 | 1987-02-25 | The Regents Of The University Of California | Boron-carbide-aluminium and boron-carbide-reactive-metal cermets and a process for the manufacture thereof |
| JPH0812434A (ja) * | 1993-11-01 | 1996-01-16 | Noritake Co Ltd | Ｂ４ｃ焼結体の製造方法およびｂ４ｃ質焼結体 |
| JP2009067642A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Doshisha | 炭化ホウ素セラミックスおよびその製造方法 |
| EP2165990A1 (en) * | 2007-06-15 | 2010-03-24 | Mino Ceramic CO., LTD. | Dense boron carbide ceramic and process for producing the same |
| CN111018529A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-04-17 | 湖南恒基粉末科技有限责任公司 | 一种耐高温冲刷的b4c陶瓷喷嘴及其制备方法 |
-
1983
- 1983-04-05 JP JP58059499A patent/JPS59184767A/ja active Pending
Cited By (10)
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