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JPS59171910A - 微細色フイルタ−の製造方法 - Google Patents

微細色フイルタ−の製造方法

Info

Publication number
JPS59171910A
JPS59171910A JP58045306A JP4530683A JPS59171910A JP S59171910 A JPS59171910 A JP S59171910A JP 58045306 A JP58045306 A JP 58045306A JP 4530683 A JP4530683 A JP 4530683A JP S59171910 A JPS59171910 A JP S59171910A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
layer
film
dye
resin layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58045306A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Takahashi
誠一 高橋
Kojiro Yokono
横野 幸次郎
Hajime Sakata
肇 坂田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP58045306A priority Critical patent/JPS59171910A/ja
Publication of JPS59171910A publication Critical patent/JPS59171910A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30Coatings
    • H10F77/306Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/331Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、COD (チャージ、カップルド、デバイス
)、BBD (/−ケラト、ブリゲート、デ/人イス)
、CID(チャージ、インジェクション、デバイス)等
のカラー固体撮像素子及びカラーディスプレイ用等に用
いられる微細色フィルターの製造方法に関する。
従来、微細色フィルター等の製法に於いて、色素層を真
空蒸着によって色素の蒸着薄膜として形成する方法が、
例えば特開昭55−148406号公報等に提案されて
いる。この方法によれば、色素そのもので着色層が形成
でき、染色法に於け゛る媒染層が不要なので、きわめて
薄膜化され、かつ非水工程によって色素層が形成できる
という利点を有している。こうして蒸着により形成され
た色素層をパターン形成グする方法としては、従来ドラ
イエンチング法が使用されている。これは、色素層上に
レジストマスクパターンを形成した後、これをエンチン
グ用マスクとして非レジスト部分の色素層をイオンない
しプラズマ雰囲気中で蒸発させて除去し、所望の形状の
微細色フィルターを形成するものである。
しかしながら、このような方法では、色素層上に色素層
を損なうことなくパターンの形成が可能で、かつ耐ドラ
イエツング性の良いレジストの選択が容易ではなく、ま
たレジストマスクがフィルター上に残存するために構成
が複雑になるという問題点を有している。
一方、上記方法に対して、基板上に溶解可能なネガパタ
ーンを形成し、しかる後に色素層を形成し、次いで下部
の溶解可能なネガパターンを溶解除去することによって
、その上層に形成された不要な色素層をも同時に遊離除
去させるいわゆるり/ヘースエンチング状(又はリフト
オフ法)が、例えば特公昭47−16815号公報等に
より知られている。このリバースエ・ンチング法によれ
ば、後で溶解可能な物質、主にポジ型レジストを用いて
所望形状の着色層に対してネガティブな関係にあるパタ
ーンレジストを設けた後に真空蒸着法による色素層を設
け、しかる後下層レジストパターンを溶解することによ
って所望形状の着色パターンを得ることになる。この方
法によれば色素層のみの着色パターンが得られるためシ
ンプルな構成となる長所を有する。
しかしながら、これまでリバースエツチング法による微
細色分解フィルター形成法は殆ど普及していない。その
原因は、色素層を損なわずにリバースエツチングのため
の所望の形状の着色層に対してネガティブな関係にある
可溶レジストパターンを形成すること並びに色素層を損
なわずにレジストハターンを溶解除去することが困難な
ためである。即ち、以上の条件を満足させ得るパターン
形成に用いるパターン形成材料の選択が極めて困難であ
り、従来知られているポジ型レジストに対しては、エツ
チング用マスクとしての要求から成分の樹脂が強固なた
めに、強い溶解力をもつ溶剤が使われていることが多い
。従ってこのようなレジストを用いてリバースエンチン
グを行った場合、レジストの現像及び除去の際、色素層
を溶解してしまったり、溶解にまでには至らなくともヒ
ビ割れや白濁が生じたり、一部溶解して分光特性を損な
うことが多く、仮りに成功しても極めて限られた色素の
みにしか適用できないものであった。
本発明者等は上記の欠点を解決する微細色フィルターの
製造方法につき鋭意検討した結果、色素股上に脂肪族炭
化水素で溶解される樹脂層と該樹脂層上に無機物よりな
る膜を形成することによって解決できることを見い出し
た。
本発明の目的は、ポジ型フォトレジストを用いた蒸着色
素膜のリバースエツチング法による欠点、即ち、非常に
限定された色素しか使用できないため、希望する分光特
性を得ることが困難であると同時に多色微細色フィルタ
ーの形成が難かしいという欠点を解消し、殆ど全ての色
素に対して適用可能な微細色フィルターの製造方法を提
供することを目的とする。
本発明の他の目的は、工程が簡易な多色微細色フィルタ
ーの製造方法を提供することを目的とする。
すなわち、本発明の微細色フィルターの製造方法は、基
板上に所望の形状の色素膜が形成された微細色フィルタ
ーの製造方法に於いて、(1)基板上に色素膜を形成す
る工程と、(2)該色素膜上に脂肪族炭化水素で溶解可
能な樹脂を用いて樹脂層を形成する工程と、 (3)該樹脂層上に無機物よりなる膜を形成する工程と
、 (4)該無機物膜上にフォトレジストパターンを形成す
る工程と、 (5)該フォトレジストパターンを無機物膜に転写する
工程と、 (6)該フォトレジストパターンを前記樹脂層に転写す
る工程と、 (7)露出した■J記色素膜を除去する工程と、(8)
該フォトレジストパターンにしたがって基板上に第2の
色素膜を形成する工程と、 (9)脂肪族炭化水素溶媒を用いて前記樹脂層及び$、
機物膜を含む前記フォトレジストパターンを除去する工
程、 とを有することを特徴とする。
以下、本発明による微細色フィルターの製造方法につき
図面に基づいて説明するが、代表的な態様は第1図から
第10図により示される。
まず第1図に示されるように、基板1上に色素膜2を形
成する。色素膜は種々の方法によって形成することがで
きるが、特に色素の蒸着によって形成するのが有利であ
る。蒸着による場合には、色素のみで色素膜が形成でき
、染色法に於ける媒染層が不用なので極めて薄膜化でき
かつ非水工程によって色素膜が形成できる。
次に第2図に示されるように、色素膜z上に脂肪族炭化
水素で溶解可能な樹脂を用いて樹脂層3が、例えば塗布
等の手段により形成される。
該樹脂材料としてはゴム系樹脂が望ましい。その具体例
としては、例えばネオブレンゴム、インブレンゴム、環
化ゴム、天然ゴム等が挙げられる。また、これら樹脂に
よる色素膜上べの薄膜形成が容易に実施できるように、
樹脂溶液の形で使用することが適当であり、この際の樹
脂と溶剤の比率は、通常基板へ樹脂溶液の塗布が可能な
範囲であればよく、特に限定されるものではないが、−
股に重量比で樹脂lに対して溶剤3以上の割合で使用す
ることが適当である。次いで溶剤を乾燥除去することに
より樹脂層3が形成される。
本発明で使用する該樹脂の溶媒としては、色素膜へのダ
メージの最も少ないCnH2n+χn≧5の整数、 x
=−2、0、2)の−・般式で表わされる脂肪族炭化水
素類が適当である。その具体例としては、例えばペンタ
ン、シクロペンタン、ペンテン、ペンチン、ヘキサン、
シクロヘキサン、ヘキセン、ヘキシン、ヘプタン、シク
ロヘプタン、ヘプテン、ヘプチン、オクタン、シクロオ
クタン、オクテン、オクチン、ノナン、シクロノナン、
ノネン、ノニン、デカン、シクロデカン、デセン、デシ
ン、ウンデカン、シクロウンデカン、ウンデセン、ウン
デシン、ドデカン、シクロトチカン1ドデセン、トデシ
ン等が挙げられる。これらの溶剤は中休若しくは混合し
て用いることができる。
次に第3図に示されるように、樹脂層3上に無機物膜4
を形成する。無機物膜を形成する材料としては、例えば
SiO□、Si2N4. Tie□、CaO2、ZnS
 。
MgF、、、MgO、Al2O3,5n02、Ta20
6. PbF2、Si、Ti、 Mo、W 、Cr、 
0r203、GaAs、 AIなどが挙げられる。これ
らの無機材料を用いて薄膜を形成する方法としては、加
熱蒸着、スパッタ蒸着、電子ビーム蒸着、CVD (ケ
ミカル、ベイパー、デポジション)法等を用いるのが適
当である。
次に第4図に示されるように、無機物膜4上にフォトレ
ジスト層5が形成される。以下の説明はポジ型レジスト
を用いた場合について行うが、本発明はネカ型レジスト
を使用して実施してもさしつかえない。本発明で用いる
フォトレジストは、その下層に設けられた無機物膜によ
り溶剤絶縁されるため、フォトレジストの溶剤及び現像
液が下層の樹脂層3を犯すことは無い。したがって、市
販フォトレジストの殆どが使用できる。その具体例を挙
げれば、東京応化工業製OMCシリーズ(81,83,
83SS、83SR1830R185,8?) EPP
R1OFPRPP−ズ(2,77,78,800)  
、  0DORシリーズ(IIOWR1120、100
0,1001,1010,1013,1014);日本
合成ゴム製JSR−GBR−1jSR−CBR−901
、JSR−CIR−701、JSR−MES ;富士薬
品製FSR、コダック製KMR−747、KMR−75
2、KTFR,KPR,KPR−3、KPR−4、KM
PR−80!3 ; ハント製Waycoat(HNR
,HNR−899NegativeHR,IC,Typ
e3IC) 、 Waycoat LSIRe5ist
、 HPRPo5itive  Re5ist(104
,106)、HPR(204、206)  ; ミクロ
イメージ製MR,HD、 5R−30、PC−222、
IC−5ZS、 Po5itive  Re5ist;
 E、M。
Chemipals、C:o、製5electilux
(N20、N35 、N45N60 、 N100) 
 ;カブ製PR−301、ポリクローム製pc−128
、Pc−129SE ;シブレイ製AZシリーズ(11
1,1350,1350J 、1370.2400.2
400−DUW) ;ダイキン酸FPM210、FBB
2O2が挙げられる。
次に第5図に示されるように、露光マスク6を介して、
紫外光、遠紫外光、X線あるいは電子線等による光露光
7を行う。
次に第6図に示されるように、露光部分のフォトレジス
トを現像液を用いて選択的に溶解し、フォトレジストパ
ターン8を得る。
次に第7図に示されるように、フォトレジストパターン
8が形成された基板をドライエツチング装置内に設置し
、CF4、CHF3、C2F6、C4F8、CCl4、
CBrF3等の多ハロゲン化炭素ガス又はハロゲン化炭
化水素カス、あるいはBCl3、SF6等の多ハロゲン
化物のガスを主体とするガスを用いてエツチングするこ
とにより、フォトレジストパターン8を下層の無機物層
に転写し無機物層パターン9を得る。このハロゲン含有
ガス等により、露出部の無機物層4は容易にエツチング
が進行するが、レジストパターンは比較的エツチングさ
れ難い。その結果、無機物層4のエツチング選択的に行
なわれる。またドライエツチング法の他に、無機物層の
材質を酸、アルカリ溶液でレジストパターンと選択エン
チングが可能なものに限定使用すれば、酸、アルカリ等
によるウェフトエンチングによっても第6図に示される
レジストパターン8を下層無機物層に転写し、第7図に
示される無機層パターン9を得ることも可能である。
次に該基板をドライエツチング装置内に設置し、例えば
酸素を主体とするガスを用いるドライエ、チング法等に
より、樹脂層の選択エツチングを行い、第8図に示され
るように、無機物層パターン9を下層樹脂層に転写し樹
脂層パターン10を得る。酸素系ガスを用いたドライエ
ツチングによる場合には、この過程で第7図に示される
フォトレジストパターン8は、無機物層パターン9を下
層樹脂層に転写する際に殆ど灰化されてしまう。酸素に
対してはフォトレジスト及び樹脂層はエツチングされ易
く、反対に無機物層はエツチングされ難いため選択エツ
チングが可能である。また、このとき樹脂層のエツチン
グにより露出する色素膜は樹脂層と同じく有機系物質で
あるため、樹脂層のエツチングにのみ留らず、基体が露
出するまでエツチングは進行し、無機物層パターン9で
カへ−されていない部分の色素膜も除去され、一方、′
4!!li機物層パターン9の下層には色素膜11が残
存している。したがって、この場合には前記工程(6)
及び(7)が同時に実施されることになる。
次に第9図に示されるように、第2の色素膜12を真空
蒸着法により形成する。
続いて、前述の脂肪族炭化水素類を用いて樹脂層10を
溶解することにより、無機物層パターン9及びその」一
層の不要な色素膜は遊離除去され、第10図に示される
色素膜パターン31及び第2の色素膜パターン32を基
板l上に交互に形成することができる。
染料や顔料に対する溶解力や溶剤ショック等の作用力は
、溶解度パラメーター(δ値)か目安となるが、δ値が
小さい程その溶剤の作用性は少なく、この順序は、フル
オロカーボンく脂肪族炭化水素く芳香族炭化水素くハロ
ゲン化物くケトンくアルコールく水の順である。したが
って、殆ど全ての種類の染料、顔料の蒸着膜に対して脂
肪族)開化水素類は溶解変質等のダメージを与えないこ
とから、本発明の方法に於いては色素膜にはダメージを
与えることなく微細色素パターンの形成が可能である。
以上、二色の微細色フィルターの基本的な形成工程を第
1図から第1O図に於て説明した。次に第10図から第
18図によって基板上に三色具−ヒの多色微細色フィル
ターを形成する場合について説明するが、基本的には、
二色の場合と同様であり、前記(2)〜(9)の工程を
繰り返すことによって実施される。
第11図に示されるように、脂肪族炭化水素類を溶媒と
する樹脂溶液を用いて基板1と色素膜パターン31及び
32上に脂肪族炭化水素類で溶解可能な樹脂層14が形
成される。ここで用いられる樹脂及び脂肪族炭化水素類
の具体的な例は、先に説明したものと同じ材料が用いら
れる。
次に第12図に示されるように、無機物1i15を形成
する。無機物膜についても先に具体例として挙げた材料
と同じものが用いられる。
次に第13図に示されるように、フォトレシスト層16
が形成される。本工程に用いられるフォトレジストにつ
いても先に具体例として挙げた材料と回しものが用いら
れる。
次に第14図に示されるように、露光マスク17を介し
て光露光18を行い、更に第15図に示されるように、
露光部分を選択的に現像液を用いて溶解しフォトレジス
トパターン18を得る。この場合、先の第1図〜第10
図に於いて形成された第2の色素膜パターンエ3はフォ
トレジストパターン18の下層に位置するのが適当であ
る。
次に第16図に示されるように、第15図のフォトレジ
ストパターン19を下層無機物層15にハロゲン含有カ
ス等を用いたドライエツチング等の手段により転写し無
機層パターン20を得る。
次に第17図の示されるように、酸素系ガスを用いたト
ライエンチンクにより無機物Hパターン20を下層樹脂
層に転写し、樹脂層パターン21を得る。更にエンチン
グを進行yせることにより露出した色素IIQも除去さ
れる。
次に第18図に示されるように、第3色目の色素膜22
を真空蒸着法により形成する。続いて脂肪族炭化水素類
を用いて樹脂層21を溶解することにより無機物層パタ
ーン及びその上層の不要色素膜はM#:除去され、第1
8図に示される三色の色素膜パターン32.33及び3
4を有する微細色フィルターを形成することができる。
以上で説明された工程を繰り返すことにより、4色以上
の色素膜パターンを基板−1=に形成することが可能で
ある。
本発明で用いる色素は種々のものが適宜選択されて用い
られる。
例えば、 (1)アゾ系着色剤 (a)アセトアセチックアニリド系 イルガライト、イエローGTN   (C,1,届11
880)クコ。イエローD1250      (C,
1,411880)ハンザ、イエローGR(C,!、逅
11730)クコ。イエローL1950      (
C,1,逅11710)イルカライト、・イエロー10
G   (C,1,逅11710)イルカライト、イエ
ロー5GL   (C:、1.NG、1I6Ei5)リ
ンゾール、ファースト、イエローY (C,1,J、 11680) タイニチ、ファースト、イエロー3G (C,1,A I 1B70) イルカライト、イエa−BGC(C,1,述210!3
0)パーマネント、イエo−GR(C:、1.10.2
1100)パーマネント、イエローG    (C,1
,N6.21095)ヘンシリン。イエロー 10G 
   CG、L/a 21220)−(ルガライト、イ
エ0−2Gp   (C,1,!21105)(b) 
 ピランリンアゾ系 ハンザ、イエローR(C,1,s612710)(C)
ナフト−ル類のモノアゾ系 モノライト6フアースト、レッドB (C,1,a、 12070) シD 、 77−スi 、 レッF’D3752(C,
1,逅12310)クコ。レッドL3750     
  CC,1,A I2120)クコ。レッドL325
0       (C,1,,412085)オリエン
タル、レッドFBNew   (C,1,A I249
0)モノライト、レッドPG     (C,1,,4
12090)ロツン、セグナール2ルースF4RH (C,1,逅12420) クコ。レッド04250      (C,I4123
35)ロツソ、セグナール、ルースF2L(C,1,逅
124f(0)ロツソ、セグナール、ルースFRL(C
,l、! 12440)イルガライト、ボルドーFBS
   (C,1,逅12430)クコ。ボルドーL4B
51      (C,1,、i 12385)パーマ
ネント、ボルドーFOR(C,1,届、12380)シ
ミューラ、ファースト、マルーン4o82(C,1,届
12465) ダイニチ、ファースト、ポピー、レッドG(C,1,逅
1239Q) モノライト、ルビー7M     ((:、1.、J 
12350)アリライド、マルーン、ダーク (C:、
 1.i 12400)サンヨー、ファースト、レッド
CR (C,1,、I5.12300) ダイニチ、ファースト、スカーレットG(C,1,i、
 123+5) 2アーヌト、 し7 F’4B =ニー (C,r、!
12355)ポリモ、レッドR(C:、 1.N6.1
2330)ポリモ、ロセFBL        (c、
x、a、 12380)ポリモ、レッドFR(C,1,
、/1L12320)グイニチ、ナフチラミン、ボルド
ー5B(C,1,届12170) クコ。ファースト、レッドL3855(C,1,、,1
6,12370)シミュラー、ファースト、カーミンB
S(C,1,/a 12351) パーマネント、カーミンFBB   (C:、1.逅1
2485)パーマネント、ピンクF3B    (C,
1,逅12433)pv−カーミ7HR(C,1,/a
12290)クコ。ファースト、スカーレットL425
2(C:、1.逅12475) パーマネント、マルーンHFM   (C,1,逅12
512)パーマネント、レッドHFT    (C,1
,逅+2513)pv−カーミンHF3C(C,I 、
! 12515)パーマネント、カーミンHF4C(C
,1,逅12516)PV−L/7ドHF2B    
    (C,1,魚125+4)モノライト、グリー
ン、Y    (C,1,届127?5)(2)アンス
ラキノン系着色剤 ヘリオ、ファーストマルーン、 E3Rサンヨー、カー
ミンL2B(C,1,逅58000)モノライト。レッ
ドY      (C,1,N6.59300)クロモ
フタル、 AGR パリオゾン。レッドL3530    (C,1,逅5
8710)パーマネント、レッドTG    ((:、
1.魚?+100)パリオゾン。レッドL3B?OHD
   (C,1,逅71145)パリオゲン、マルーン
L3820   (G:、1.N6.71130)パリ
オゾン。レッドL3880HD   (C,1,魚?+
155)カヤセット、スカーレットE−2R((,1,
逅71140)へりオ、ファースト、ネイローRLW (3)インジゴイド系着色剤 クロモフタル、ボルドーR(C,1,届73312)リ
オノゲン、マゼンタR(C,1,N6.73915)逅
616レツドR(C’、 1./a 73395)オシ
リス。ブリリアント、ピンクR (C,■、、16.73360) (4)キナクリドン系着色剤 リオノゲン、マゼンタR(fll:、1.魚73!31
5)ホスタパーム、レッドEG(C,1,逅73905
)リオノゲン、レッド2B     (C:、1.述4
G500)シンカシア、マゼンタRT−243−Dシン
カシア、レッド、ブルーRT=780−D(5)イソイ
ンドリノン系着色剤 リオノグン、イエロー30X リオノゲン、イエローRX モ/−フイ)、ネイビーBV    (C,I 、A、
 73000)(6)インダスpン系着色剤 ファーストケン。スーパー、ブルー8011AMA(C
,1,N6.69800) ポリモ、ネイビーブルーFR(C:、1.逅6H35)
リンゾール、ブルーGL     (C,1,逅H81
0)(7)ジオキサジン系着色剤 クロモフタル、バイオレットB ファーストケン、スーパー、バイオレットBBL(C,
1,fi/6.51319) (8)インダスレン系着色剤 ミグスレン。イエローGCM    CC,1,届87
300)ミグスレン。イエロー    (C:、1.魚
88420)ミグスレン。オレンジR(C,1,逅73
335)ミケスレン、スカーレットG ミグスレン。ブリリアント、ピンクR (C,1,逅73380) ミグスレン。ブリリアント、バイオレットRR(C,1
,逅60010) ミグスレン。ブルー3G     (C,1,逅698
40)(9)トリフェニル、メタン系着色剤 ファナル、ブル−Dθ340   (C,1,逅425
95:2)ダイニチ、ファースト、ブルーBOX (C,1,逅44045:2) イルガライト、ブルーTC:R(C:、1.逅4214
0:1)ファナトン、ブルー8G    (C,1,J
、42025:1)ハロポン、ブルーRNN    (
c、■、 A42600:1)レフレックス、ブルーG
   (C:、1.逅42700:1)アルカリ、ブル
ー、トナー (C:、1.逅42750:l)ブルー、
レイク、24572A   (C,1,届42090:
1)レフレックス、ブルー〇〇    (C,1,逅4
2800)レフレックス、ブルーRB    (C,1
4,42795)ファナル、ブルー06380 イルカライト、グリーン、 BN (C,1,/a42
040:1)ダイニチ、ファーストグリーンB (C,1,逅42000:2) (lO)ニトロン系着色剤 モノライト、グリ−7B     (C,1,J、 1
000Ei)モノゾール、グリ−yB    (C,1
,、/ELlo020:f)(11)フタロシアこン系
顔料 銅フタロシアニン(α型)    (C,1,N6.7
41[fO)銅フタロシアこン(β型) 無金属フタロシアニン    (C,1,魚74100
)クロル化フタロシアニン   (C:、 1.逅74
280)クロル化フタロシアニン   (C,1,、J
、 74255)鉛フタロシアニン 亜鉛フタロシアニン 鉄フタロシアニン 金フタロシアニン クロムフタロシアこン (12)分散性染料 チ、<セット、レッド2G     (C,1,、M 
11210)ルラフィックス、レッドBF(C11,J
、6075B)セリトン、バイオレットB    (C
,1,逅62030)セリトン、イエ0−5R(C,f
、逅2EiO80)7−y シル、 −イエo −2G
W     (C,1,逅47020)ミグトン。ファ
ースト、ブルー(C,1,魚64500)チパセット、
ブJl/−F3R((:、1.J、61505)ルラフ
ィックス、ブルーFFRCC,1,A32035)テラ
シール、ブルー 2R(C,1,逅61110)カヤセ
ット、ブルー318 カヤセット、ターキノイノ。ブルー776(13)塩基
性染料 ローダミ78GCP         (C,1,,4
45180)ローダミンF3B(G、[、遂45174
)アメトラ。フロキンG      (C,1,N6.
48070)マキロン、イx ロー 5GL     
(C,1,逅48055)クリスタル、バイオレット 
  (C:、 1.N6.42555)ローダミ7B 
          (C,1,#645170)ビク
トリア、ブルーFB     (C,1,逅44045
)マラカイト、グリーン(C:、 1.10.4200
0)エチルバイオレット      (C,1,fif
L42600)ナイル、ブルー       (C,1
,71L51180)サフラ= :/ T      
    (C,1,、/i 50240)(14)油溶
性染料 カヤセットレッドB カヤセットブルーA2R カヤセットイエローG      (C,,1,fif
L+1855)カヤセットブル−FR カヤセットイエローAG カヤセットイエけ−363 ピラニン          (C,1,届5!104
0)タイヤレジン、レッドH タイヤレジン、ブラウンA タイヤレジン、ブルーN スタンプルー        (C,1,魚61525
)キニザリン キニザリンブルー      (G、1.遂&O?25
)キニザリンクリーン      (C,1,孟815
135)(15)酸性染料 ソラー、ピュア、イエロー8G  (C,1,逅5B2
05)ソラー、ピュア、ブルーAFX   (C,14
42080)フルオレセイン       (C,1,
届45350)フルオレセインNa ローズベンガル       (C,1,A 4544
0)アリザリン、シアニングリーンF(C,1,逅81
570)(18)建築染料 インジゴ           (C,1,NG、 7
3000)チへ、ブルー        (C,1,逅
730f(5)インジゴゾール       (C,1
,遂73002)が挙げられる。
本発明の微細色フィルターに用いられる基板としては、
その使用目的により種々のものが使用でき、特に限定さ
れないが、具体的には以下のようなものが使用できる。
例えば、ガラス板;光学用樹脂板;ゼラチン、ポリビニ
ルアルコール、ヒドロキシルエチルセルロース、メチル
メタクリレート、ポリエステ゛ル、ポリブチラール、ポ
リアミド等の樹脂フィルム。また、カラーフィルターを
適用されるものと一体として形成することも可能であり
、その場合の基板の一例としては、CCD、BBD、C
ID等の固体撮像素子、ブラウン管表示面、撮像管の受
光面、液晶ディスプレー面、カラー電子写真感光体等が
挙げられる。これら基板のうち、ドライエツチング法に
より基板上の樹脂層を除去する場合には、無機材料から
なるものを使用するのが好ましい。
本発明の方法による微細色フィルターは゛、このように
基板上に色素膜が形成された単純な構成をとるが、更に
所望により、色素膜上に透明保護膜を設けてもよい。透
明保護膜としては、例えば5in2、MgO、Al2O
3,5n02等を真空蒸着若しくはCVD法により成膜
する方法が挙げられる。
本発明の方法によれば、基板上に色素膜のみが形成され
たシンプルな構成を有する微細色フィルターが、殆ど全
ての色素に対して形成することができる。また、形成さ
れる色素膜のパターンも基板表面の凹凸の影響を受ける
ことなく精度のよいものか得られ、更に色素膜が自局し
たり、ヒビ割れすることがなく、かつ一定の膜厚のもの
として117−られるため、その分光特性に優れている
以下、本発明を実施例に基づき、より具体的に説明する
実施例1 固体撮像素子が形成された3インチウェハーを真空容器
内に設置し、真空度1o゛6〜10’Torrに於テロ
ーダミ71309P  (C,f、逅45180)を抵
抗加熱法により 300〜400℃に加熱し、蒸着によ
り約400OA厚のマゼンタ色の色素層を得た。続いて
n−ノナン100g中に8gのブタジェンゴム(JSR
−5R; 日本合成ゴム■製)を溶解した樹脂溶液をス
ピンナー塗布法により約14厚となるよう塗布し、乾燥
した。続いて該ウェハーを真空容器内に設置し、真空度
10’ 〜1O−5Torrに於テ5i02を電子ビー
ム蒸着法により約1500八厚に蒸着した。続いて東京
応化製フォトレジスト 0MR83を、該SiO□膜上
にスピンナー塗布法により約1μ厚となる様塗布し、乾
燥した。続いて20.巾の透光部と10−1]の遮光部
が交互に並ぶストライプ状露光マスクを用いて該フォト
レジストに密着露光を行い、非露光部フォトレジストを
専用現像液(東京Iε化■製OMR現像液タイプG)を
用いて選択的に除去し、フォトレジストパターンを得た
。続いて該ウェハーをプラズマエンチング装置内に於て
、OF、を用いたプラズマエツチングを往いフォトレジ
ストパターンを下層のSiO□層に転写した。エツチン
グ時間は約2分であった。
続いてエツチングガスを酸素に切り換えてプラズマエツ
チングを行い、下層の樹脂層へ無機物層パターンを連続
転写し、更にエツチングを続は最下層のローグミ76G
 CP層のエツチングを行った。エツチング時間は約1
0分であった。続いて該ウェハーを真空装置内に真空度
10″6〜10’Torrに於てフルオレセイン(C,
1,,645350)を抵抗加熱法により 300〜4
00℃に加熱し、蒸着色素成約4000人厚を得た。続
いて該ウェハーを脂肪族炭化水素類を主成分とする東京
応化■製OMR用現像液タイプGを用いて浸漬撹拌を行
い、約4分で非常にきれいなストライプ状の2色フィル
ターをCODウェハー上に形成した。形成した態様を第
20図に示す。続いて該ウェハー上に前工程で用いたブ
タジェンゴム樹脂溶液を用い約luI厚となる用スピン
ナー塗布し乾燥した。続いてウェハーを真空容器内に設
置し、真空度10’ 〜10’ Torrに於てSin
□を電子ビーム蒸着法により約1500八厚に蒸着した
続いて東京応化製フォトレジスト管 0MR83を5i
02膜上にスピンナー、塗布法により約1騨厚となるよ
う塗布し乾燥した。続いて前工程で用いた露光マスクを
用い前工程の位置より10uだけストライプパターンと
直交する方向にズラし密着露光を行い、続いて東京応化
■IMOMR用現像液タイプGを用いて非露光部を選択
的に除去しフォトレジストパターンを得た。続いて該ウ
ェハーをプラズマエツチング装置内に於て、OF、を用
いたプラズマエツチングを行い、フォトレジストパター
ンを下層の5102層に転写した。エツチング時間は約
2分であった。続いてエツチングガスを酸素に切り換え
てプラズマエツチングを行い下層の樹脂層へ連続転写し
た。更にエツチングを続けて最下層ロダーミンeci 
cp層の工・ンチングを行った。エンチング時間は約1
0分であった。続いて該ウェハーを真空装置内に設置し
真空度10−6〜10’ Torrに於て銅フタロシア
ニン(C:、1.逅74160)を300〜500℃に
加熱し約300OA厚の蒸着膜を得た。続いて該ウェハ
ーを脂肪族炭化水素類を主成分とする東京応化■製OM
R現像液タイプGを用いて浸漬撹拌を行い約4分で非常
にきれいなストライプ状の青色、黄色、マゼンタ色の3
色フィルターを得た。得られたストライプ状3色フィル
ターの態様を第21図に示す。得られたカラーストライ
プフィルターの各色素膜についての光学的特性である分
光透過率を第24〜26図に示す。第24図はローダミ
ンec cp色素膜の分光透過率曲線であり、第25図
はフルオレセイン色素膜の分光透過率曲線であり、第2
6図は銅フタロシアニン色素膜の分光透過率曲線である
このカラーストライプフィルターは、基体上に色素層の
みが積層された簡略な構成をとり、かつ同一平面上に多
色が配列されているため、非常に薄いフィルターとなり
、分光特性のムラもなく、透過率の高い優れたものであ
った。また、本実施例で使用したCODウェハー表面に
は1000〜4000八程度の凹凸あったが、途中の工
程で下層に樹脂層を設けたことにより、レジストパター
ンはウェハー表面の凹凸の影響を受けることなく、非常
に精度の優れたものであった。したがって・つエバー表
面に形成された色素膜のパターンも精度に優れたもので
あった・ また、リフトオフ工程にプラズマエツチングによるパタ
ーンの形成を組合わせた結果、製造工程が簡略化されて
いる。
実施例2 固体撮像素子が形成された3インチウェハー上に第2色
目の色素の蒸着を実施する以前の工程は全て実施例1と
同様にして実施した。このようにして得られたウェハー
を真空装置内に設置し、真空度10−6〜10’Tor
rに於て鉛フタロシアニンを抵抗加熱法により 300
〜500℃に加熱し、蒸着色素nり約3(100A厚を
得た。続いて該ウェハーを脂肪族炭化水素類を主成分と
する東京応化昧製OMR用現像液タイプGを用いて浸漬
撹拌を行い、約4分で非常にきれいなストライプ状の2
色フィルターをCODウェハー上に形成した。形成した
態様を第22図に示す。続いて該ウェハーを前工程と同
一の工程により第3の色素パターンを形成するためにエ
ツチングのストッパ一層としてSiO□層を真空容器内
に於いて、真空度1o−6〜10’ Torrの条件で
電子ビーム蒸着法により約1500八厚に蒸着した。続
いて該ウェハーを真空装置内に真空度1o゛6〜10′
5Torrに於てフルオレセイン(C,f、逅4535
0)を抵抗加熱法により 300〜400 、’Oに加
熱し、約4000A厚の黄色蒸着色素膜を得た。次いで
前工程で使用した樹脂溶液を用いて約1μs厚となるよ
うスピンナー塗布し乾燥した。続いてウェハーを真空容
器内に設置し、真空度10’ 〜1O−5Torrニ於
テ5i02を電子ビーム蒸着法により約l500A厚に
蒸着した。
続いて前工程で用いたフォトレジストを5io2膜上に
スピンナー塗布法により約1μ厚となるよう塗r(i 
L乾燥した。続いて前工程で用いた露光マスクを用い前
工程の位置より10鱗だけストライプパターンと直交す
る方向にズラし密着露光を行い、続いてその現像液を用
いて非露光部を選択的に除去レフオドレジストパターン
を得た。続いて該ウェハーをプラズマエツチング装置内
に於て、CF4を用いたプラズマエツチングを行い、フ
ォトレジス!・パターン?下層の3iQlに転写した。
エツチング時間は約2分であった。続いてエンチングカ
スを酸素に切り換えてプラズマエツチングを行い下層の
樹脂層へ連続転写した。更にエツチングを続けて下層の
フルオレセイン層のエツチングを行った。エツチング時
間は約10分であった。続いて該ウェハーを真空装置内
に設置し真空度1o−6〜10’ Torrに於て銅フ
タロシアニン(C,f、逅74160)を抵抗加熱法に
より 300〜5oo℃に加熱し、約3000八厚の蒸
着色素膜を得た。続いて該ウェハーを現像液を用いて約
4分の浸漬撹拌を行い樹脂層を除去し第23図で示され
るような構成を有する、非常にきれいなストライプ状の
青色、緑色、赤色の3色フィルターを得た。
得られたカラーストライプフィルターの各色素膜につい
ての光学的特性である分光透過率を第27〜30図に示
す。第27図は鉛フタロシアニン単体の色素膜の分光透
過率曲線であり、第28図はフルオレセイン色素膜と鉛
フタロシアニン色素膜により構成される緑色の色素膜の
分光透過率曲線であり、第28図はローダミン6G C
P色素膜とフルオレセイン色素膜により構成される赤色
の色素膜の分光透過率曲線であり、第30図はフルオレ
セイン色素膜と銅フタロシアニン色素膜により構成され
る青色の色素膜の分光透過率曲線である。
本・実施例に於いては、第1層目の色素層と5i02層
をはさんだ第2層目の色素層とで各色素層の分光特性の
補正及び希望する色を有するフィルターを形成したが、
これ以外にも自由な組合わせが行えることはいうまでも
ない。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第10図は、本発明の微細色フィルターの製
造方法の基本的な工程を示すための模式図である。第1
1図乃至第18図は、基本工程により得られた2色パタ
ーンフィルターに、更に第3色1」を追加形成する工程
を示すための模式図である。第20図乃至第23図は、
本発明の実施例で得られた微細色フィルターの構成を説
明するための模式図であり、第24図乃至第30図は、
その微細色フィルターの各色素膜の有する分光透過率曲
線を示すツラフである。 1:基板。 2.12.22:色素膜 3.14:樹脂層 4.15.23:無機物層 5.16:フォトレジスト層 6.17:露光マスク 7.18.光 8.19:フォトレジストパターン 9.20:無機物層パターン 10.21:s4脂層パターン 31〜42:パターン形成された色素膜特許出願人  
キャノン株式会社 像暑(m(社)) 第 (輝 犬((乍偶) 6%) 第  30  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 基板上に所望の形状の色素膜が形成された微細色フ
    ィルターの製造方法に於いて、 (1)基板上に色素膜を形成する工程と、(2)該色素
    膜上に脂肪族炭化水素で溶解可能な樹脂を用いて樹脂層
    を形成する工程と、(3)該樹脂層上に無機物よりなる
    膜を形成する工程と、 (4)該無機物膜上にフォトレジストパターンを形成す
    る工程と、 (5)該フォトレジストパターンを無機物膜に転写する
    工程と、 (6)該フォトレジストパターンを前記樹脂層に転写す
    る工程と、 (7)露出した前記色素膜を除去する工程と、(8)該
    フォトレジストパターンにしたがって基板上に第2の色
    素膜を形成する工程と、(9)脂肪族炭化水素溶媒を用
    いて前記樹脂層及び無機物膜を含む前記フォトレジスト
    パターンを除去する工程、 とを有することを特徴とする微細色フィルターの製造方
    法。
JP58045306A 1983-03-19 1983-03-19 微細色フイルタ−の製造方法 Pending JPS59171910A (ja)

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