JPS59151497A - 高密度多層配線基板 - Google Patents
高密度多層配線基板Info
- Publication number
- JPS59151497A JPS59151497A JP2568083A JP2568083A JPS59151497A JP S59151497 A JPS59151497 A JP S59151497A JP 2568083 A JP2568083 A JP 2568083A JP 2568083 A JP2568083 A JP 2568083A JP S59151497 A JPS59151497 A JP S59151497A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- density multilayer
- circuit board
- layer
- high density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 24
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高密度多層配線基ＱＩに関する。
従来、この種の多層配線基板は、クロム／／（ラジウム
／金などのメタルシステムで構成された導体配線および
これら導体配線の層間絶縁体としてアルミナ（Ａ４０ｍ
）ガラス（Ｓｉｃｋ）など主成分とする無機絶縁体から
構成されている。しかし、この構成では無機絶縁体の焼
結に９００°Ｃ以上の高温焼成が心安となり導体配線に
は高価な金（Ａｕ） ｔ。
／金などのメタルシステムで構成された導体配線および
これら導体配線の層間絶縁体としてアルミナ（Ａ４０ｍ
）ガラス（Ｓｉｃｋ）など主成分とする無機絶縁体から
構成されている。しかし、この構成では無機絶縁体の焼
結に９００°Ｃ以上の高温焼成が心安となり導体配線に
は高価な金（Ａｕ） ｔ。
娘使えたい。また、無機絶縁体は、表面粗度が大きいた
め導体配線の微細化には不向きで返り、さらに、誘電率
が高く、絶縁性も悪いなど多くの欠点が指摘されている
。
め導体配線の微細化には不向きで返り、さらに、誘電率
が高く、絶縁性も悪いなど多くの欠点が指摘されている
。
本発明の目的は上述の欠点を解決した高密度多層配線基
板を提供することにある。
板を提供することにある。
本発明の基板はクロム（Ｏｒ） ／パラジウム（）’ｄ
）／銅（Ｃｕ） ＩＩＩの３層構成を有する導体配線と
、ポリイミド樹脂を用いたこれら導体配線の層間絶縁体
とを備えている。次に本発明の高密度多層配線基板の構
成例を図面を参照して詳細に説′−する。
）／銅（Ｃｕ） ＩＩＩの３層構成を有する導体配線と
、ポリイミド樹脂を用いたこれら導体配線の層間絶縁体
とを備えている。次に本発明の高密度多層配線基板の構
成例を図面を参照して詳細に説′−する。
第１図を参照すると１本発明の一実施例は、アルミナ（
Ａｌ＊Ｏｓ）などを主成分とするセラミック基板１１％
このセラミ、り基板１１の表面に形成された第１の導体
層１゛２．この第２の導体６１４との接続部分１５を除
いた全表面にコーティングされたポリイミド樹脂からな
る絶縁層１３．およびこの絶縁層１３の上に形成された
第２の導体層１５から構成されている。
Ａｌ＊Ｏｓ）などを主成分とするセラミック基板１１％
このセラミ、り基板１１の表面に形成された第１の導体
層１゛２．この第２の導体６１４との接続部分１５を除
いた全表面にコーティングされたポリイミド樹脂からな
る絶縁層１３．およびこの絶縁層１３の上に形成された
第２の導体層１５から構成されている。
前記ポリイミド樹脂からなる絶縁層１３の膜厚は１〜２
０ミクロン程度で２〜３の比誘電率、かつ１ ’０１２
ｎ以上の絶縁抵抗が得られる。なお、前記ポリイミド
樹脂には感光性がない。
０ミクロン程度で２〜３の比誘電率、かつ１ ’０１２
ｎ以上の絶縁抵抗が得られる。なお、前記ポリイミド
樹脂には感光性がない。
前記導体配線１２および１４はクロム（（１）／パラジ
ウム（Ｐｄ） ／銅（Ｃｕ）の３層構成を有している。
ウム（Ｐｄ） ／銅（Ｃｕ）の３層構成を有している。
これを第２図を参照しながら詳述する。第２図を参照す
ると、前記第１の導体層１２は５００〜１、ｏｏｏＸ（
オンゲストロー１！Ａ）の厚さのクロム（（Ｃｒ ）膜
と、このクロム（Ｏｒ ）膜の上に形成された５００〜
１，０ＯＯＡ （オンゲストローＡ）の厚さのパラジウ
ム（Ｐｄ） Ｗと、このパラジウム（Ｐｄ）膜の上に形
成された１０ρ００〜５，０ＯＯＡ （オンゲスドロ！
−４）の銅（Ｃｕ）膜とから構成されている。
ると、前記第１の導体層１２は５００〜１、ｏｏｏＸ（
オンゲストロー１！Ａ）の厚さのクロム（（Ｃｒ ）膜
と、このクロム（Ｏｒ ）膜の上に形成された５００〜
１，０ＯＯＡ （オンゲストローＡ）の厚さのパラジウ
ム（Ｐｄ） Ｗと、このパラジウム（Ｐｄ）膜の上に形
成された１０ρ００〜５，０ＯＯＡ （オンゲスドロ！
−４）の銅（Ｃｕ）膜とから構成されている。
３−
なお、この実施例では２層の導体層１２および１４を説
明したが、絶縁層１３を介在させて３層以上の多層構成
を実現できる。
明したが、絶縁層１３を介在させて３層以上の多層構成
を実現できる。
本発明では１層間絶縁体にポリイミド樹脂を使□用する
ことＫより、微細化に必貴な、表面の滑らかで、低誘電
率かつ絶縁性のよい絶縁体と導体抵抗の低い銅（Ｃｕ）
を主成分とした導体配線との高密度多層配線基板を構成
することができる。
ことＫより、微細化に必貴な、表面の滑らかで、低誘電
率かつ絶縁性のよい絶縁体と導体抵抗の低い銅（Ｃｕ）
を主成分とした導体配線との高密度多層配線基板を構成
することができる。
第１図および第２図は本発明の一実施例を示す図である
。 第１図および第２図において％ 】１・・・・・・セラ
ミック、基板、１２・・・・・・第１の導体配線、１３
・・・・・・ポリイミド、１４・・・・・・第２の導体
配線、１５・・・・・・第１の導体配線と第２の導体配
線との接続部分、２２・・・・・・クロム（Ｏｒ）膜、
２３・・・・・・パラジウム（Ｐｄ ）膜、２４・・・
・・・銅（Ｃｕ）膜、２６・・・・・・クロム（Ｃｒ）
朕、２７・・・・・・パラジウム（Ｐｄ）膜、２８・・
・・・・銅（手続補正書（自発） １３つ、５．？！−。 昭和 年 月 日 １、事件の表示 昭和５８年ｉ 許 願第２５６８
０号２、発明の名称 高密度多層配線基板３、補正を
する者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 、 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住友三田
ビル５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 （１） 第３頁＠１行目の記載「第２の導体層１４」
を「第１の導体層１２」と訂正します。 （２）第３頁第４行目の記載「導体層１５」を「導体層
１４」と訂正します。 （３）第３頁第２０行目の記載「されている。」を［さ
れている。また、第２の導体層１４も同様に、クロム膜
２６と、パラジウム膜２７と、銅膜２８とから構成され
ている。］と訂正します。 （４）第３頁第１６行目の記載「膜と、」會「膜２２と
、」と訂正します。 （５）第３頁第１８行目の記載「膜と、」を「膜ｎと、
」と訂正します。 （６）第３頁第２０行目の記載「膜と」を「膜２４と」
と訂正します。 ４７３−
。 第１図および第２図において％ 】１・・・・・・セラ
ミック、基板、１２・・・・・・第１の導体配線、１３
・・・・・・ポリイミド、１４・・・・・・第２の導体
配線、１５・・・・・・第１の導体配線と第２の導体配
線との接続部分、２２・・・・・・クロム（Ｏｒ）膜、
２３・・・・・・パラジウム（Ｐｄ ）膜、２４・・・
・・・銅（Ｃｕ）膜、２６・・・・・・クロム（Ｃｒ）
朕、２７・・・・・・パラジウム（Ｐｄ）膜、２８・・
・・・・銅（手続補正書（自発） １３つ、５．？！−。 昭和 年 月 日 １、事件の表示 昭和５８年ｉ 許 願第２５６８
０号２、発明の名称 高密度多層配線基板３、補正を
する者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 、 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住友三田
ビル５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 （１） 第３頁＠１行目の記載「第２の導体層１４」
を「第１の導体層１２」と訂正します。 （２）第３頁第４行目の記載「導体層１５」を「導体層
１４」と訂正します。 （３）第３頁第２０行目の記載「されている。」を［さ
れている。また、第２の導体層１４も同様に、クロム膜
２６と、パラジウム膜２７と、銅膜２８とから構成され
ている。］と訂正します。 （４）第３頁第１６行目の記載「膜と、」會「膜２２と
、」と訂正します。 （５）第３頁第１８行目の記載「膜と、」を「膜ｎと、
」と訂正します。 （６）第３頁第２０行目の記載「膜と」を「膜２４と」
と訂正します。 ４７３−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁性表面を有する下地層と。 この下地層と密着させ石ためのクロムで形成した第１導
体層と。 この第１等体層の上にパラジウムで形成した第２ｓ体層
と、 ゛この第２導体層の上に銅で形成ルた第３導体層と１ 予め定められた部分にバイアホールを有するポリイミド
樹脂を前記第３導体層の上に形成した絶縁層とを備え友
ことを特徴とする多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2568083A JPS59151497A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 高密度多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2568083A JPS59151497A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 高密度多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59151497A true JPS59151497A (ja) | 1984-08-29 |
Family
ID=12172496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2568083A Pending JPS59151497A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 高密度多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59151497A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55135000A (en) * | 1979-04-06 | 1980-10-21 | Ibm | Method of fabricating printed circuit board |
| JPS55157296A (en) * | 1979-05-25 | 1980-12-06 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of fabricating high density multilayer wiring substrate |
| JPS5730356A (en) * | 1980-07-02 | 1982-02-18 | Ibm | Multilayer ic substrate |
-
1983
- 1983-02-18 JP JP2568083A patent/JPS59151497A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55135000A (en) * | 1979-04-06 | 1980-10-21 | Ibm | Method of fabricating printed circuit board |
| JPS55157296A (en) * | 1979-05-25 | 1980-12-06 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of fabricating high density multilayer wiring substrate |
| JPS5730356A (en) * | 1980-07-02 | 1982-02-18 | Ibm | Multilayer ic substrate |
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