JPS59151498A - 高密度多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高密度多層配線基板に関する。

従来この種の多層配線基板は、クロム（Ｃｒ）／パラジ
ウム（Ｐｄ）／銅（Ｃｕ）などのメタルシステムで構成
された導体配線とこれら導体配線の層間絶縁体としての
感光性分を含まないポリイミドとで多層化されている。

このため、上下層の導体配線を電気的に接続するための
パイ７ホールは次のようにして形成される。パすなわち
、ｔず、ポリイミド表面にフォトレ−）、（）が塗布さ
れ、□露光、現像により選択的にフォトレジストが窓あ
けされる。その後でこのフォトレジストをエツチングレ
ジストとしてポリイ之Ｖがエツチングされてバイアホー
ルが形成されてい名。

しかし、この方法ではフォトレジストの使用が必要不町
決となり、″解像度、ピンホールおよび工数め面で欠点
系ある。

本楯明６目的′ｒ′＝’、’ｉ述の欠点を解決するよう
ｔｃした高″一度４’−配置基板番提供することにある
。

本発□明め基板はクロム（Ｃｒ）／パラジウム（Ｐｄ）
／銅（Ｃｕ）膜の３層構成を有する複数の導体配線線と
感光性ポリイミドを用いたとれら導体配線の層間絶縁体
とを含む。

次に本発明め一実゛施例を図面を参照して詳細に　　′
説明する。

第１図を参照すると、本発明の一実施例は、アルミナ（
Ａｌ＊Ｏｓ）などを主成分、とするセラミック基板１１
、このセラミック基板１１の表面に形成された第１の導
体層１２、この第２の導体層１４との接続部分１５を除
いた全表面にコーティングされた感光性ｇ　Ｉ）　（ミ
’ド樹脂からなる絶縁層１３、およびこの絶縁層１’３
（７）上に形成ｉれた第２の導体層１５今ら構晟狂て！
る。

前記感光性ポリイミド樹脂からなる絶縁層１３の膜厚は
１〜２０ミクロン程度で２〜４の比誘電率０．００５〜
０．０２の誘電圧接（ＩＭＨｚ）か９１９１３０以上の
絶縁抵抗が得られる。

前記導体配線１２および１４はクロムＣＣｒ’）／パラ
ジウム（Ｐｄ　）　／銅（Ｃｕ）の３層構成を有してい
る。

これを第２図を参照しながら詳述する。

第２図を参照すると、前記第１の導体層１２は５００〜
Ｌｏｏｏｆ（オンゲスドロＦＡ）の厚さのり□”四ム（
Ｃｒ）膜２２と、このクロム（Ｃｒ）膜２２の上に形成
さ些た５００〜Ｌｏｏｏ！（オンゲスドロゲＡ）の厚さ
のパラジウム（Ｐｄ）膜２３と、このパラジウム（Ｐｄ
）膜２３の上に形成されたＩＱＯＯＯ〜５ＱＯ００Ｘ（
オングストローム）の銅（Ｃｕ）膜。

２４とから構成されている。

なお、この実施例では２層の導体層１２および１４を説
明したが、絶縁層１３を介在させて“３層以上の多層構
成を実現できる。

ここで、感光性ボリイ柵゛絶縁だ２５の形門方法を第３
Ａ図〜第３Ｄ図を参興して詳細に説明する。

第３Ａ図を参照すると、セラミック基板３１の上に導体
配線が形成されている。第３Ｂ図を参照すると、第３Ａ
図のセラミック基板３１および導体配線３２の表面に感
光性ポリイミド３３がスピンコータ、スプレーコータ、
ｉたはロールコータなどで所定の厚さに塗布されている
。

従来ならばここアバイアホー、ル形成のため（１、フォ
トレジストが塗布され、と９フオトレジストが露光現像
により窓あけさ些る。、、さらに、うの窓あけされて霧
出されたボリイミ、ドのみが工、ツチン。

グされている。

第３Ｃ図を参照すると、本発明では感光性ポリイミドを
使用しているため、１蕗光用マスク３４を通して紫外線
（３００〜４５０１１１の波長）を直接露光すれば、紫
外線の照射された感光性ポリイミド３３′が光硬化され
る。光竺化され４か、った部分が、さらに、アルコール
系の現像液により除去され、３００〜４００℃のＮ１雰
囲気で硬化される。この硬化はイミド化を意味する。こ
の結果第３Ｄ図を参照すると、ポリイミド絶縁体３３“
が形成できる。このため、フォトレジストが全く不撃生
なる。

発明の効果、本発明には、多層用絶縁体（感光性ポリイ
ミドを使用することでフチイアホールが微細で、絶縁性
の良好なポリイミド勢縁体を有する高密度多層配線基板
を形成できる。という効果瀘あるＯ　　　　　　　　　
　　　　・・　　　　□５−

【図面の簡単な説明】

り基板、１２・・・・・・第１の導体配線、１３・・・
・・・感光性ポリイミド、１４・・・・・・第２の導体
配線、・１５・・・・・・バイアホール、２２・・・用
クロム（Ｃｒ）膜、　　２３・・・・・・パラジウム（
Ｐｄ）膜、２４・・・・・・銅（Ｃｕ　）膜、２６・・
・・・・クロム（Ｃｒ　）膜、２７・・・・・・パラジ
ウム（Ｐｄ）膜、２８　・・−−−−銅（Ｃｕ　）膜、
ｌ　３’−ｍ、−＊光硬化−した感光性ポリイミド、１
３“囮・・キ具ア後の感光性ポリイミド、および３４・
・・川霧光用マスク。 ６一 手続補正書（自発） ５９．５．１５ 昭和　　年　　月　　日 １、事件の表示　　　昭和５８年特　　許願第２５６８
１　号２、発明の名称　　高密度多層配線基板３、補正
をする者 事件との関係　　　　　　　出　願　人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３）　　　日本電気株式会社 代表者　関本忠弘 ４、代理人 〒１０８　　東京都港区芝五丁目３７番８号　住人三田
ビル） （連絡先　日本電気株式会社特許部） ６ ５、補正の対象 明細嘗の「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 （１）　　第３頁第８行目の記載「第２の導体層１４Ｊ
を「第１の導体層１２」と訂正します。 蒐２）　　第３頁第１２行目の記載「体層１５・・・・
・・されてｉる◇」を［体層１４から構成されている。 また、第２の導体層１４も同様に１クロム膜２６と、パ
ラジウム膜２７と、銅膜２８とから構成されている。」
と訂正します。 （３）第４頁第１２行目の記載「絶縁体２５」を「絶縁
＃１３」と訂正します。 （４）第４頁第１５行目および同頁筒１７行目の記載「
３１」を「１１」と訂正します。 （５）第４頁第１８行目の記載「３２」および「３３」
をそれぞれ「１２」および「１３」と訂正します。 （６）第５頁第９行目の記載ｒ３３’Ｊを「１３′」と
訂正します。 ２− （７）Ｍ５頁ｆＲ１４行目の記載「３３”」をｒｌ　３
”　Ｊと訂正します。 ３−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 絶縁性表面を有する下地層と、 この下地層と密着させるためクロムで形成した第１導体
   層と、 この第１導体層の上にぶラジウムで形成した第２導体層
   と、　　　　　　　、　　　　　・この第２導体層の上
   に銅で形成した第３導体層と、 予め定められた部分にパイ７ホールを有する感光性ポリ
   イミド樹脂を前記第３導体層の上に形成した絶縁層とを
   備えたととを特徴とする多層配線基板。