JPS5911627A - 局所的グレ−テイング作製方法 - Google Patents
局所的グレ−テイング作製方法Info
- Publication number
- JPS5911627A JPS5911627A JP12178482A JP12178482A JPS5911627A JP S5911627 A JPS5911627 A JP S5911627A JP 12178482 A JP12178482 A JP 12178482A JP 12178482 A JP12178482 A JP 12178482A JP S5911627 A JPS5911627 A JP S5911627A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist film
- grating
- substrate
- thin film
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、簡単に基板上の所望の部分にのみグレーティ
ングを作製する局所的グレーティング作製方法に関する
ものである。
ングを作製する局所的グレーティング作製方法に関する
ものである。
グレーティングは、光学測定器に使用されるだけでなく
、ＤＦＢ 、ＤＢＨなどの半導体レーザ。
、ＤＦＢ 、ＤＢＨなどの半導体レーザ。
光カツプラ−、分波器２合波器などにも使用されている
。グレーティングを基板全面に作製する方法は数多くの
公知事例があるが、基板の所望の位置に局所的にグレー
ティングを作製する方法としては電子ビームによる直接
描画および基板を直接マスクで覆って干渉法で露光する
などの方法がある０ しかし、電子ビームによる直接描画では基板上の所望の
位置を検索するのが大変困難であるだめ、精密々位置合
せを必要とする局所的グレーティングを作製することは
困難である。１だ、基板を直接マスクで覆って干渉法で
露光する方法では、精密な位置合せが困難なうえに、グ
レーティングの周辺部が干渉により乱れるという欠点が
ある。
。グレーティングを基板全面に作製する方法は数多くの
公知事例があるが、基板の所望の位置に局所的にグレー
ティングを作製する方法としては電子ビームによる直接
描画および基板を直接マスクで覆って干渉法で露光する
などの方法がある０ しかし、電子ビームによる直接描画では基板上の所望の
位置を検索するのが大変困難であるだめ、精密々位置合
せを必要とする局所的グレーティングを作製することは
困難である。１だ、基板を直接マスクで覆って干渉法で
露光する方法では、精密な位置合せが困難なうえに、グ
レーティングの周辺部が干渉により乱れるという欠点が
ある。
本発明は、前述のように従来では困難であった局所的グ
レーティング形成のだめの精密な位置合せ精度および寸
法精度を有し、グレーティング作製部分以外の基板には
何ら影響を与えないという局所的グレーティングを作製
する局所的グレーティング作製方法を提供することを目
的とするものである。
レーティング形成のだめの精密な位置合せ精度および寸
法精度を有し、グレーティング作製部分以外の基板には
何ら影響を与えないという局所的グレーティングを作製
する局所的グレーティング作製方法を提供することを目
的とするものである。
本発明の局所的グレーティング作製方法は、基板上に第
１のフォトレジスト膜を形成し、さらに前記第１のフォ
トレジスト膜上に遮光およびフォトレジスト膜分離の役
割をする薄膜を形成し、さらに前記薄膜上に第２のフォ
トレジスト膜を形成したものに公知のフォトリソグラフ
ィ工程を行うことにより第１のフォトレジスト膜に達す
るマスクパターンと相似な部分的な窓を開け、つぎに前
記窓の部分に第１のフォトレジスト膜上のグレーティン
グを形成し、前記フォトレジスト膜」二に形成されたグ
レーティングをエツチングマスクとして前記基板をエツ
チングすることにより、基板上の窓の部分にのみグレー
ティングを作製することを特徴とするものである。
１のフォトレジスト膜を形成し、さらに前記第１のフォ
トレジスト膜上に遮光およびフォトレジスト膜分離の役
割をする薄膜を形成し、さらに前記薄膜上に第２のフォ
トレジスト膜を形成したものに公知のフォトリソグラフ
ィ工程を行うことにより第１のフォトレジスト膜に達す
るマスクパターンと相似な部分的な窓を開け、つぎに前
記窓の部分に第１のフォトレジスト膜上のグレーティン
グを形成し、前記フォトレジスト膜」二に形成されたグ
レーティングをエツチングマスクとして前記基板をエツ
チングすることにより、基板上の窓の部分にのみグレー
ティングを作製することを特徴とするものである。
又、本発明の実施態様として、以上述べた方法において
第１のフォトレジスト膜上にグレーティングを形成する
方法として、レーザ干渉または電子ビーム露光を用いた
ことを特徴とするものである０ 以下本発明の実施例について詳細に説明する。
第１のフォトレジスト膜上にグレーティングを形成する
方法として、レーザ干渉または電子ビーム露光を用いた
ことを特徴とするものである０ 以下本発明の実施例について詳細に説明する。
第１図〜第３図は、本発明による実施例の工程説明図で
あり、基板としてＳ １０２を用いた例について説明す
る。Ｓ １０２基板１上にフォトレジスト膜２を形成し
、さらにフォトレジスト膜２の−Ｆに遮光および上下の
フォトレジスト膜の分離の役割を果たす薄膜、例えば金
属薄膜３などを形成する。
あり、基板としてＳ １０２を用いた例について説明す
る。Ｓ １０２基板１上にフォトレジスト膜２を形成し
、さらにフォトレジスト膜２の−Ｆに遮光および上下の
フォトレジスト膜の分離の役割を果たす薄膜、例えば金
属薄膜３などを形成する。
さらに金属薄膜３上にフォトレジスト膜４を形成した後
、マスク合せ、露光、現像、さらに金属薄膜３のエツチ
ングを行うことにより、第１図のようにフォトレジスト
膜２に達する窓５を形成する。
、マスク合せ、露光、現像、さらに金属薄膜３のエツチ
ングを行うことにより、第１図のようにフォトレジスト
膜２に達する窓５を形成する。
この窓６０部分はマスクパターンと相似である０次に、
第２図に示すようにフォトレジスト膜２」二にグレーテ
ィング６をフォトリソグラフィ工程、例えばレーザ干渉
法または電子ビーム露光法などを用いて形成する。その
後、前記グレーティング６を形成したフォトレジスト膜
２をエツチングマスクとし、基板をエツチングすること
により、Ｓｉｏ２基板１上の窓６の直下部分にグレーテ
ィング７を作製する。前記エツチングの際、窓６の直下
部分以外のフォトレジスト膜２および金属薄膜３はグレ
ーティングの形成を防止するだめの保護膜としての役割
を果たしている。
第２図に示すようにフォトレジスト膜２」二にグレーテ
ィング６をフォトリソグラフィ工程、例えばレーザ干渉
法または電子ビーム露光法などを用いて形成する。その
後、前記グレーティング６を形成したフォトレジスト膜
２をエツチングマスクとし、基板をエツチングすること
により、Ｓｉｏ２基板１上の窓６の直下部分にグレーテ
ィング７を作製する。前記エツチングの際、窓６の直下
部分以外のフォトレジスト膜２および金属薄膜３はグレ
ーティングの形成を防止するだめの保護膜としての役割
を果たしている。
最後に、残存している金属薄膜３とフォトレジスト膜２
を例えばアセントなどで除去する。以上の工程により、
第３図のようにＳｉｏ２基板１上の窓６直下の部分のみ
にグレーティング７を形成することができる。
を例えばアセントなどで除去する。以上の工程により、
第３図のようにＳｉｏ２基板１上の窓６直下の部分のみ
にグレーティング７を形成することができる。
以上説明したように、本発明の局所的グレーティング作
製方法は公知のマスク合せを含むフォトリソグラフィ工
程を応用することにより、所望の部分にのみ簡単にグレ
ーティングを形成することができる。さらに本発明によ
ると、同一基板上の異なった部分に異なった周期、形状
をもつグレーティングを独立に作製することができる。
製方法は公知のマスク合せを含むフォトリソグラフィ工
程を応用することにより、所望の部分にのみ簡単にグレ
ーティングを形成することができる。さらに本発明によ
ると、同一基板上の異なった部分に異なった周期、形状
をもつグレーティングを独立に作製することができる。
なお、実施例では基板にＳｉＯ２，薄膜に金属を用いて
説明しだが、これに限ることはない。
説明しだが、これに限ることはない。
第１図〜第３図は、本発明の実施例による局所的グレー
ティング作製方法の工程説明図である。 １・・・・・・ＳｉＯ２基板、２，４・・・・・・フォ
トレジスト膜、３・・・・・・金属薄膜、５・・・・・
・窓、６・・・・・・フォトレジストによるグレーティ
ング、７・・・・・・ＳｉＯ２グレーティング。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ５ 第２図 第３図 １１５−
ティング作製方法の工程説明図である。 １・・・・・・ＳｉＯ２基板、２，４・・・・・・フォ
トレジスト膜、３・・・・・・金属薄膜、５・・・・・
・窓、６・・・・・・フォトレジストによるグレーティ
ング、７・・・・・・ＳｉＯ２グレーティング。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ５ 第２図 第３図 １１５−
Claims (3)
- （１）基板上に第１のフォトレジスト膜を形成する工程
と、前記第１のフォトレジスト膜上に遮光およびフォト
レジスト膜分離の役割をする薄膜を形成する工程と、前
記薄膜上に第２のフォトレジスト膜を形成する工程と、
フォトリソグラフィにより前記第２のフォｊ・レジスト
膜及び前記薄膜に部分的に窓を開ける工程と、前記窓の
部分の第１のフォトレジスト膜上にグレーティングを形
成する工程と、前記フォトレジスト膜上に形成されたグ
レーティングをエツチングマスクとして前記基板をエツ
チングする工程とを含むことを特徴とする局所的グレー
ティング作製方法。 - （２）第１のフォトレジスト膜上にグレーティングを形
成する工程に、レーザによる干渉露光法を合作製方法。 - （３）第１のフォトレジスト膜上にグレーティングを形
成する工程に、電子ビーム露光法を含むフォトリングラ
フィ工程を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の局所的グレーティング作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12178482A JPS5911627A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 局所的グレ−テイング作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12178482A JPS5911627A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 局所的グレ−テイング作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5911627A true JPS5911627A (ja) | 1984-01-21 |
Family
ID=14819803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12178482A Pending JPS5911627A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 局所的グレ−テイング作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911627A (ja) |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP12178482A patent/JPS5911627A/ja active Pending
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