JPH0817703A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH0817703A JPH0817703A JP6144221A JP14422194A JPH0817703A JP H0817703 A JPH0817703 A JP H0817703A JP 6144221 A JP6144221 A JP 6144221A JP 14422194 A JP14422194 A JP 14422194A JP H0817703 A JPH0817703 A JP H0817703A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】粗と密のパターンの間の寸法差を無くし、粗パ
ターンの焦点深度を拡大し、安定したパターンの形成を
行う。 【構成】密のパターンが全面に形成された第１のマスク
３Ａを用いポジ型フォトレジスト膜２Ａを露光し露光部
５Ａと未露光部６Ａを形成する。次で粗のパターンを形
成する為に、露光された密のパターンの間の不要の未露
光部からなるパターンを除去する為の透光領域８Ａを有
する第２のマスク７Ａを用いて第２の露光を行ったのち
現像する。
ターンの焦点深度を拡大し、安定したパターンの形成を
行う。 【構成】密のパターンが全面に形成された第１のマスク
３Ａを用いポジ型フォトレジスト膜２Ａを露光し露光部
５Ａと未露光部６Ａを形成する。次で粗のパターンを形
成する為に、露光された密のパターンの間の不要の未露
光部からなるパターンを除去する為の透光領域８Ａを有
する第２のマスク７Ａを用いて第２の露光を行ったのち
現像する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパターン形成方法に関
し、特に紫外線露光法により半導体基板上へのフォトレ
ジスト膜からなるパターン形成方法に関する。
し、特に紫外線露光法により半導体基板上へのフォトレ
ジスト膜からなるパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、種々
のパターンがフォトレジスト膜をマスクとしてエッチン
グ等により形成される。この為フォトレジスト膜のパタ
ーン（以下レジストパターンという）精度は素子特性に
大きな影響を与える。次にポジ型フォトレジスト膜を用
い半導体基板上に粗密のレジストパターンを形成する従
来の方法について図４を用いて説明する。
のパターンがフォトレジスト膜をマスクとしてエッチン
グ等により形成される。この為フォトレジスト膜のパタ
ーン（以下レジストパターンという）精度は素子特性に
大きな影響を与える。次にポジ型フォトレジスト膜を用
い半導体基板上に粗密のレジストパターンを形成する従
来の方法について図４を用いて説明する。
【０００３】まず図４（ａ）に示すように、半導体基板
１上にポジ型フォトレジスト膜２Ａを塗布法により形成
したのち、遮光部からなるパターンが形成されたマスク
３により露光する。通常、このようなパターン形成は図
３に示すような縮小投影露光装置により行われる。露光
光としてのＫｒＦエキシマ光４は光源１２からフライア
イレンズ１３、コンデンサレンズ１４、マスク３、投影
レンズ１５を通して半導体基板１上に所望の露光量だけ
照射される。波長λ＝２４８ｎｍのＫｒＦエキシマ光４
を用い、投影レンズ１５の開口数ＮＡ＝０．５０、フラ
イアイレンズ１３の出口の形状、つまり照明形状が円形
でコヒーレンスファクタσ＝０．７という条件のもと
で、幅０．２５μｍの粗密のラインパターンを形成す
る。図４（ａ）に示したように、同一マスク３に粗密の
パターンがあり、１回の露光で粗密のラインパターンと
なる露光部５Ａと未露光部６Ａを同時に形成する。露光
後、半導体基板１を現像することで図４（ｂ）に示すよ
うに、粗密のレジストパターン６が形成される。
１上にポジ型フォトレジスト膜２Ａを塗布法により形成
したのち、遮光部からなるパターンが形成されたマスク
３により露光する。通常、このようなパターン形成は図
３に示すような縮小投影露光装置により行われる。露光
光としてのＫｒＦエキシマ光４は光源１２からフライア
イレンズ１３、コンデンサレンズ１４、マスク３、投影
レンズ１５を通して半導体基板１上に所望の露光量だけ
照射される。波長λ＝２４８ｎｍのＫｒＦエキシマ光４
を用い、投影レンズ１５の開口数ＮＡ＝０．５０、フラ
イアイレンズ１３の出口の形状、つまり照明形状が円形
でコヒーレンスファクタσ＝０．７という条件のもと
で、幅０．２５μｍの粗密のラインパターンを形成す
る。図４（ａ）に示したように、同一マスク３に粗密の
パターンがあり、１回の露光で粗密のラインパターンと
なる露光部５Ａと未露光部６Ａを同時に形成する。露光
後、半導体基板１を現像することで図４（ｂ）に示すよ
うに、粗密のレジストパターン６が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来のパターン形
成方法によれば、同一マスク上の粗密のラインパターン
を同時に露光するために、露光時粗密パターンの間に焦
点深度の差や寸法差が生じてしまう。幅０．２５μｍの
粗密のラインパターンをＫｒＦエキシマ光、ＮＡ０．５
０、σ＝０．７の条件でポジ型フォトレジスト膜で形成
する場合、密のラインパターンが分離される露光の焦点
範囲の中点を焦点位置０μｍとしたとき、焦点位置０μ
ｍにおける粗密のラインパターンの間の寸法差は近接効
果（パターン密度に起因する光強度分布、現象速度の相
違）により０．０５μｍ程度にもなってしまう。
成方法によれば、同一マスク上の粗密のラインパターン
を同時に露光するために、露光時粗密パターンの間に焦
点深度の差や寸法差が生じてしまう。幅０．２５μｍの
粗密のラインパターンをＫｒＦエキシマ光、ＮＡ０．５
０、σ＝０．７の条件でポジ型フォトレジスト膜で形成
する場合、密のラインパターンが分離される露光の焦点
範囲の中点を焦点位置０μｍとしたとき、焦点位置０μ
ｍにおける粗密のラインパターンの間の寸法差は近接効
果（パターン密度に起因する光強度分布、現象速度の相
違）により０．０５μｍ程度にもなってしまう。
【０００５】このときの０．２５μｍの密パターンと
０．２５μｍの粗パターンにおける焦点位置とラインパ
ターン寸法の関係を図５に示す。ただし、密パターンの
寸法は密パターンのうちの中心付近のパターンのもので
ある。ラインパターン寸法が設計寸法から±１０％の範
囲を有効な焦点深度とした場合、図５より密パターンの
焦点深度の範囲は約１．４μｍ、粗パターンの焦点深度
の範囲は約１．０μｍとなり、粗パターンの方が狭いこ
とが分る。
０．２５μｍの粗パターンにおける焦点位置とラインパ
ターン寸法の関係を図５に示す。ただし、密パターンの
寸法は密パターンのうちの中心付近のパターンのもので
ある。ラインパターン寸法が設計寸法から±１０％の範
囲を有効な焦点深度とした場合、図５より密パターンの
焦点深度の範囲は約１．４μｍ、粗パターンの焦点深度
の範囲は約１．０μｍとなり、粗パターンの方が狭いこ
とが分る。
【０００６】焦点深度の拡大策として、照明形状を図６
（ａ）に示すように、光透過部１１Ａをリング状に変更
した輪帯照明や、図６（ｂ）に示すように光透過部１１
Ｂを４点に変更した４点照明等の変形照明法がある。照
明形状を４点照明に変更した場合、図７に焦点位置とラ
インパターン寸法の関係を示すように、密パターンに対
しては焦点深度の範囲は約２．６μｍと有効であるが、
粗パターンに対しての焦点深度の範囲は約０．８μｍと
はほとんど効果がないどころか逆に減少することが分
る。また、密ラインパターンの場合、図８に示すよう
に、密な領域の端部のパターンで寸法が変動してしまう
という問題点もある。
（ａ）に示すように、光透過部１１Ａをリング状に変更
した輪帯照明や、図６（ｂ）に示すように光透過部１１
Ｂを４点に変更した４点照明等の変形照明法がある。照
明形状を４点照明に変更した場合、図７に焦点位置とラ
インパターン寸法の関係を示すように、密パターンに対
しては焦点深度の範囲は約２．６μｍと有効であるが、
粗パターンに対しての焦点深度の範囲は約０．８μｍと
はほとんど効果がないどころか逆に減少することが分
る。また、密ラインパターンの場合、図８に示すよう
に、密な領域の端部のパターンで寸法が変動してしまう
という問題点もある。
【０００７】粗と密のパターン寸法の差をなくす方法と
しては、マスクにダミーパターンを形成し、半導体基板
上全てに密のレジストパターンを形成する方法が、例え
ば特開昭５８−７８１５０号公報に提案されている。し
かしこの方法では、ダミーのレジストパターンにより半
導体基板上にもダミーの配線等を形成することになる
為、後工程においてこのダミーパターン（配線等）が他
のパターン形成の障害となり、後工程におけるパターン
形成の自由度を小さくし、半導体装置の集積度や特性を
低下させる等の問題を生じる。
しては、マスクにダミーパターンを形成し、半導体基板
上全てに密のレジストパターンを形成する方法が、例え
ば特開昭５８−７８１５０号公報に提案されている。し
かしこの方法では、ダミーのレジストパターンにより半
導体基板上にもダミーの配線等を形成することになる
為、後工程においてこのダミーパターン（配線等）が他
のパターン形成の障害となり、後工程におけるパターン
形成の自由度を小さくし、半導体装置の集積度や特性を
低下させる等の問題を生じる。
【０００８】本発明の目的は、上記に鑑み、粗パターン
の有効な焦点深度の範囲を拡大し、粗と密のパターンの
寸法差を無くし、安定したパターンの形成が可能なパタ
ーン形成方法を提供することにある。
の有効な焦点深度の範囲を拡大し、粗と密のパターンの
寸法差を無くし、安定したパターンの形成が可能なパタ
ーン形成方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の発明のパターン形
成方法は、半導体基板上に形成されたポジ型のフォトレ
ジスト膜に粗と密のパターンを形成するパターン形成方
法において、遮光部からなる密のパターンが全面に形成
された第１のマスクを用いて前記フォトレジスト膜に第
１の露光を行う工程と、粗のパターンを形成する為に露
光された前記密のパターンの間の不要の未露光部からな
るパターンを除去する為の透光領域を有する第２のマス
クを用いて第２の露光を行う工程とを含むことを特徴と
するものである。
成方法は、半導体基板上に形成されたポジ型のフォトレ
ジスト膜に粗と密のパターンを形成するパターン形成方
法において、遮光部からなる密のパターンが全面に形成
された第１のマスクを用いて前記フォトレジスト膜に第
１の露光を行う工程と、粗のパターンを形成する為に露
光された前記密のパターンの間の不要の未露光部からな
るパターンを除去する為の透光領域を有する第２のマス
クを用いて第２の露光を行う工程とを含むことを特徴と
するものである。
【００１０】第２の発明のパターン形成方法は、半導体
基板上に形成されたネガ型のフォトレジスト膜に開口部
からなる粗と密のパターンを形成するパターン形成方法
において、遮光部からなる密のパターンが全面に形成さ
れた第１のマスクを用いて前記フォトレジスト膜に第１
の露光を行う工程と、粗のパターンを形成する為に露光
された前記密のパターンの間の不要の未露光部からなる
パターンを除去する為の透光領域を有する第２のマスク
を用いて第２の露光を行う工程とを含むことを特徴とす
るものである。
基板上に形成されたネガ型のフォトレジスト膜に開口部
からなる粗と密のパターンを形成するパターン形成方法
において、遮光部からなる密のパターンが全面に形成さ
れた第１のマスクを用いて前記フォトレジスト膜に第１
の露光を行う工程と、粗のパターンを形成する為に露光
された前記密のパターンの間の不要の未露光部からなる
パターンを除去する為の透光領域を有する第２のマスク
を用いて第２の露光を行う工程とを含むことを特徴とす
るものである。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施
例を説明するための半導体基板及びマスクの断面図であ
り、ポジ型フォトレジスト膜を用い半導体基板上に幅
０．２５μｍの粗密のラインパターンを形成する場合を
示している。尚、露光装置としては図３に示した光学系
のものを用いた。
て説明する。図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施
例を説明するための半導体基板及びマスクの断面図であ
り、ポジ型フォトレジスト膜を用い半導体基板上に幅
０．２５μｍの粗密のラインパターンを形成する場合を
示している。尚、露光装置としては図３に示した光学系
のものを用いた。
【００１２】まず図１（ａ）に示すように、半導体基板
１上に塗布法によりポジ型フォトレジスト膜２Ａを形成
する。次で幅０．２５μｍの遮光部によるラインパター
ンが全面に密に形成された第１のマスク３Ａを用い、光
源１２から投影レンズ１６を介してＫｒＦエキシマ光４
を照射する。この第１の露光により、フォトレジスト膜
２Ａには現像によって溶解する露光部５Ａと溶解しない
未露光部６Ａが形成される。
１上に塗布法によりポジ型フォトレジスト膜２Ａを形成
する。次で幅０．２５μｍの遮光部によるラインパター
ンが全面に密に形成された第１のマスク３Ａを用い、光
源１２から投影レンズ１６を介してＫｒＦエキシマ光４
を照射する。この第１の露光により、フォトレジスト膜
２Ａには現像によって溶解する露光部５Ａと溶解しない
未露光部６Ａが形成される。
【００１３】次に図１（ｂ）に示すように、粗のレジス
トパターン形成領域における不要の未露光部６Ａを露光
する為の透光領域８Ａを有する第２のマスク７Ａを用
い、ＫｒＦエキシマ光４により第２の露光を行う。この
露光により粗のレジストパターン形成領域の不要の未露
光部は露光部５Ａとなる。
トパターン形成領域における不要の未露光部６Ａを露光
する為の透光領域８Ａを有する第２のマスク７Ａを用
い、ＫｒＦエキシマ光４により第２の露光を行う。この
露光により粗のレジストパターン形成領域の不要の未露
光部は露光部５Ａとなる。
【００１４】このように第１の実施例によれば、粗と密
のレジストパターン６は、基本的に第１のマスク３Ａに
よる未露光部６Ａにより同時に形成されることになるた
め、寸法差の無い安定したパターンとなる。すなわち、
粗のレジストパターンも密のレジストパターンも同一の
露光条件で形成されることから、図５に示した従来の粗
密パターンのように有効な焦点深度やラインパターン寸
法が粗のレジストパターンと密のレジストパターンとで
異ることはなくなり粗パターンのグラフは密パターンの
グラフに重なることになる。従って従来焦点深度の範囲
が狭く、パターン寸法の誤差が大きかった粗のレジスト
パターンは、本実施例によれば、密のレジストパターン
と同様に、焦点深度範囲が広く、パターン寸法の誤差の
少ないものとなる。
のレジストパターン６は、基本的に第１のマスク３Ａに
よる未露光部６Ａにより同時に形成されることになるた
め、寸法差の無い安定したパターンとなる。すなわち、
粗のレジストパターンも密のレジストパターンも同一の
露光条件で形成されることから、図５に示した従来の粗
密パターンのように有効な焦点深度やラインパターン寸
法が粗のレジストパターンと密のレジストパターンとで
異ることはなくなり粗パターンのグラフは密パターンの
グラフに重なることになる。従って従来焦点深度の範囲
が狭く、パターン寸法の誤差が大きかった粗のレジスト
パターンは、本実施例によれば、密のレジストパターン
と同様に、焦点深度範囲が広く、パターン寸法の誤差の
少ないものとなる。
【００１５】このことは図７に示した４点照明の場合で
も同じであり、粗パターンは密パターンと同一のグラフ
となり、粗及び密のパターン共、２．６μｍの焦点深度
の範囲が確保できる。また図８に示した密パターンの端
部のパターンの寸法変動もなくなる。更に本実施例によ
れば、ダミーのレジストパターンが形成されることはな
い為、特開昭５８−７８１５０号公報の従来例のよう
に、半導体基板上にダミーの配線等が形成されることは
なくなる。
も同じであり、粗パターンは密パターンと同一のグラフ
となり、粗及び密のパターン共、２．６μｍの焦点深度
の範囲が確保できる。また図８に示した密パターンの端
部のパターンの寸法変動もなくなる。更に本実施例によ
れば、ダミーのレジストパターンが形成されることはな
い為、特開昭５８−７８１５０号公報の従来例のよう
に、半導体基板上にダミーの配線等が形成されることは
なくなる。
【００１６】図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施
例を説明する為の半導体基板及びマスクの断面図であ
り、ネガ型フォトレジスト膜を用い半導体基板上に幅
０．２５μｍの開口部からなる粗密のラインパターンを
形成する場合を示す。
例を説明する為の半導体基板及びマスクの断面図であ
り、ネガ型フォトレジスト膜を用い半導体基板上に幅
０．２５μｍの開口部からなる粗密のラインパターンを
形成する場合を示す。
【００１７】まず図２（ａ）に示すように、半導体基板
１上に塗布法によりネガ型フォトレジスト膜２Ｂを形成
する。次で幅０．２５μｍの遮光部によるラインパター
ンが全面に密に形成された第１のマスク３Ｂを用いＫｒ
Ｆエキシマ光４により第１の露光を行う。この露光によ
りフォトレジスト膜２Ｂには、現像によって溶解する未
露光部６Ｂと溶解しない露光部５Ｂとが形成される。
１上に塗布法によりネガ型フォトレジスト膜２Ｂを形成
する。次で幅０．２５μｍの遮光部によるラインパター
ンが全面に密に形成された第１のマスク３Ｂを用いＫｒ
Ｆエキシマ光４により第１の露光を行う。この露光によ
りフォトレジスト膜２Ｂには、現像によって溶解する未
露光部６Ｂと溶解しない露光部５Ｂとが形成される。
【００１８】次に図２（ｂ）に示すように、粗のレジス
トパターン形成領域における不要の未露光部６Ｂを露光
する為の透光領域８Ｂを有する第２のマスク７Ｂを用い
ＫｒＦエキシマ光４により第２の露光を行う。この露光
により粗のレジストパターン形成領域の不要の未露光部
は露光部５Ｂとなる。
トパターン形成領域における不要の未露光部６Ｂを露光
する為の透光領域８Ｂを有する第２のマスク７Ｂを用い
ＫｒＦエキシマ光４により第２の露光を行う。この露光
により粗のレジストパターン形成領域の不要の未露光部
は露光部５Ｂとなる。
【００１９】次に図２（ｃ）に示すように、２回の露光
処理が施されたフォトレジスト膜２Ｂを現像することに
より、溶解した未露光部による開口部からなるレジスト
パターン５が形成される。
処理が施されたフォトレジスト膜２Ｂを現像することに
より、溶解した未露光部による開口部からなるレジスト
パターン５が形成される。
【００２０】このように第２の実施例によっても、粗と
密のレジストパターン５の開口部は、第１のマスク３Ｂ
による未露光部６Ｂにより同時に形成される為、第１の
実施例の場合と同様に、寸法差の無い安定したパターン
となる。
密のレジストパターン５の開口部は、第１のマスク３Ｂ
による未露光部６Ｂにより同時に形成される為、第１の
実施例の場合と同様に、寸法差の無い安定したパターン
となる。
【００２１】尚、第２の実施例においても第１の実施例
と同じくラインパターンの幅を０．２５μｍとしたが、
ラインパターンの幅が同一であれば、使用する第１及び
第２のマスク３Ｂ，７Ｂとして第１の実施例で用いた第
１及び第２のマスク３Ａ，７Ａを用いることができる。
と同じくラインパターンの幅を０．２５μｍとしたが、
ラインパターンの幅が同一であれば、使用する第１及び
第２のマスク３Ｂ，７Ｂとして第１の実施例で用いた第
１及び第２のマスク３Ａ，７Ａを用いることができる。
【００２２】また上記第１及び第２の実施例ではライン
パターンの形成について説明したが、これに限定される
ものではなく、コンタクト孔等の粗密のパターン形成で
あってもよいことは勿論である。
パターンの形成について説明したが、これに限定される
ものではなく、コンタクト孔等の粗密のパターン形成で
あってもよいことは勿論である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、密のパタ
ーンのみ形成された第１のマスクを用いて露光したの
ち、粗のパターン形成領域の未露光部を露光する為の透
光領域を有する第２のマスクで露光することにより、粗
のレジストパターンも密レジストパターンも第１の露光
条件で形成されることになる為、粗のレジストパターン
と密のレジストパターンの有効な焦点深度の範囲は同じ
になり、その寸法差を無くすことができる。
ーンのみ形成された第１のマスクを用いて露光したの
ち、粗のパターン形成領域の未露光部を露光する為の透
光領域を有する第２のマスクで露光することにより、粗
のレジストパターンも密レジストパターンも第１の露光
条件で形成されることになる為、粗のレジストパターン
と密のレジストパターンの有効な焦点深度の範囲は同じ
になり、その寸法差を無くすことができる。
【図１】本発明の第１の実施例を説明する為の半導体基
板及びマスクの断面図。
板及びマスクの断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を説明する為の半導体基
板及びマスクの断面図。
板及びマスクの断面図。
【図３】実施例に用いる露光装置の光学系を説明する為
の構成図。
の構成図。
【図４】従来のパターン形成方法を説明する為の半導体
基板及びマスクの断面図。
基板及びマスクの断面図。
【図５】従来の粗密パターンの焦点位置とラインパター
ン寸法との関連を示す図。
ン寸法との関連を示す図。
【図６】照明形状を説明する為の図。
【図７】４点照明を用いた場の粗密パターンの焦点位置
とラインパターン寸法との関係を示す図。
とラインパターン寸法との関係を示す図。
【図８】密パターンの端部のパターンからの距離とライ
ンパターン寸法との関係を示す図。
ンパターン寸法との関係を示す図。
１ 半導体基板 ２Ａ ポジ型フォトレジスト膜 ２Ｂ ネガ型フォトレジスト膜 ３ マスク ３Ａ，３Ｂ 第１のマスク ４ ＫｒＦエキシマ光 ５ レジストパターン ５Ａ，５Ｂ 露光部 ６ レジストパターン ６Ａ，６Ｂ 未露光部 ７Ａ，７Ｂ 第２のマスク ８Ａ，８Ｂ 透光領域 １１Ａ，１１Ｂ 光透過部 １２ 光源 １３ フライアイレンズ １４ コンデンサレンズ １５ 投影レンズ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成されたポジ型のフォ
トレジスト膜に粗と密のパターンを形成するパターン形
成方法において、遮光部からなる密のパターンが全面に
形成された第１のマスクを用いて前記フォトレジスト膜
に第１の露光を行う工程と、粗のパターンを形成する為
に露光された前記密のパターンの間の不要の未露光部か
らなるパターンを除去する為の透光領域を有する第２の
マスクを用いて第２の露光を行う工程とを含むことを特
徴とするパターン形成方法。 - 【請求項２】 半導体基板上に形成されたネガ型のフォ
トレジスト膜に開口部からなる粗と密のパターンを形成
するパターン形成方法において、遮光部からなる密のパ
ターンが全面に形成された第１のマスクを用いて前記フ
ォトレジスト膜に第１の露光を行う工程と、粗のパター
ンを形成する為に露光された前記密のパターンの間の不
要の未露光部からなるパターンを除去する為の透光領域
を有する第２のマスクを用いて第２の露光を行う工程と
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6144221A JPH0817703A (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6144221A JPH0817703A (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817703A true JPH0817703A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15357067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6144221A Pending JPH0817703A (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817703A (ja) |
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| JPH0448715A (ja) * | 1990-06-15 | 1992-02-18 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-06-27 JP JP6144221A patent/JPH0817703A/ja active Pending
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