JPS59104345A - 直接重合用に適したテレフタル酸の製造方法 - Google Patents
直接重合用に適したテレフタル酸の製造方法Info
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- C07C51/255—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by oxidation with molecular oxygen of compounds containing six-membered aromatic rings without ring-splitting
- C07C51/265—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by oxidation with molecular oxygen of compounds containing six-membered aromatic rings without ring-splitting having alkyl side chains which are oxidised to carboxyl groups
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
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- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高純度テレフタル酸の製造方法に関するもので
あり、評しくはグリフール成分と直接反応させて面品質
のポリエステルを得るための原料として使用することが
できる尚純度テレフタル酸の製造方法に関するものであ
る。
あり、評しくはグリフール成分と直接反応させて面品質
のポリエステルを得るための原料として使用することが
できる尚純度テレフタル酸の製造方法に関するものであ
る。
合口、テレフタル酸を製造する方法とじ1パラキシレン
全重金槁触媒および臭素化合物の仔在丁に分子状酸素含
有ガスにより酸化して祷る方法が工業的に採用されてい
る。しかしながら、この方法により得ら扛るテレフタル
酸はその結晶内にアルデヒド類や着色物等の不純物を含
有しており、これらのテレフタル酸をその1′ま直接重
合用に用いることはできない。しかもこれらの不純物を
テレフタル酸結晶から分離することは極めて困難である
。
全重金槁触媒および臭素化合物の仔在丁に分子状酸素含
有ガスにより酸化して祷る方法が工業的に採用されてい
る。しかしながら、この方法により得ら扛るテレフタル
酸はその結晶内にアルデヒド類や着色物等の不純物を含
有しており、これらのテレフタル酸をその1′ま直接重
合用に用いることはできない。しかもこれらの不純物を
テレフタル酸結晶から分離することは極めて困難である
。
テレフタル酸の精製に関しては数多くの方法が提案され
ており、第一に昇華による精製方法、第二にテレフタル
酸を一旦塩或いはエステルに変換し、この状態で再結晶
や蒸留等の通常の方法によって精製した後に再びテレフ
タル酸に戻す方法、第三には水や酢酸等の適当な溶媒V
Cよる抽出或いは再M晶によって精製する方法、更に第
4にはテレフタル酸を水、酢酸、プロピオン酸等の溶媒
中で懸濁状態で分子状酸素含有ガスと接触させて精製す
る方法などが芋けられる。これらの方法のうち、第一の
方法は篩部のためテレフタル酸の分解その他で品質的(
こl′ij]題を生じ、また装置旧にも有利な方法とは
占えない。また第二の方法は品質的には優れたテレフタ
ル酸金取得することが口」能であるが、アルコールとか
アルカリを使用せねばならないこと、工程がかなV@斡
ツブ−こと等の理由で工業民に必ずしも11利な方法と
は百えない。第三の方法の抽出法では画品質のものが得
られず、芽た再結晶法もテレフタル@を溶媒に冗全爵酔
させるには大量の溶媒を便したり、或いは尚温度に加熱
しなげ扛はならず、したがって優扛た方法とは袷い難い
。さらに第四の方法は品質的にはがなり優れたテレフタ
ル順全取得すると々がOJ能で必るが、得られるテレフ
タル酸は粒子径および見かけ屑度が小さく、粒子形状も
エチレングリコールとの直接エステル化に用いるには不
適当である。
ており、第一に昇華による精製方法、第二にテレフタル
酸を一旦塩或いはエステルに変換し、この状態で再結晶
や蒸留等の通常の方法によって精製した後に再びテレフ
タル酸に戻す方法、第三には水や酢酸等の適当な溶媒V
Cよる抽出或いは再M晶によって精製する方法、更に第
4にはテレフタル酸を水、酢酸、プロピオン酸等の溶媒
中で懸濁状態で分子状酸素含有ガスと接触させて精製す
る方法などが芋けられる。これらの方法のうち、第一の
方法は篩部のためテレフタル酸の分解その他で品質的(
こl′ij]題を生じ、また装置旧にも有利な方法とは
占えない。また第二の方法は品質的には優れたテレフタ
ル酸金取得することが口」能であるが、アルコールとか
アルカリを使用せねばならないこと、工程がかなV@斡
ツブ−こと等の理由で工業民に必ずしも11利な方法と
は百えない。第三の方法の抽出法では画品質のものが得
られず、芽た再結晶法もテレフタル@を溶媒に冗全爵酔
させるには大量の溶媒を便したり、或いは尚温度に加熱
しなげ扛はならず、したがって優扛た方法とは袷い難い
。さらに第四の方法は品質的にはがなり優れたテレフタ
ル順全取得すると々がOJ能で必るが、得られるテレフ
タル酸は粒子径および見かけ屑度が小さく、粒子形状も
エチレングリコールとの直接エステル化に用いるには不
適当である。
このことは第三の方法についても言えることである。チ
tこれらの方法の場合には、いずれもテレフタル酸を反
応混合物から分離したのち精製工程に付す必要があり、
したがって装置的に不利となり、この点においても工業
的に′&Ltした方法とはbい難い。
tこれらの方法の場合には、いずれもテレフタル酸を反
応混合物から分離したのち精製工程に付す必要があり、
したがって装置的に不利となり、この点においても工業
的に′&Ltした方法とはbい難い。
上記の従来方法のイしている久点全屏犬する方法として
、近年パラキシシンの酸化反応により直接ポリエステル
の原料として使用で@る、例えは代表的な不純物である
4−カルボキシベンズアルデヒド(以F4−CBAと略
す)含有量が5(JOpI)In以下の高純度テレフタ
ル#を経隣的に有利に一つのプラントで#遺する方法が
いく一つか提起されている。例えば酸化反応混合物を低
温で再酸化する方法(特開昭52−8513b号、同5
3−37636号等)がめるが、これらの方法は酸化)
X応の途中での酢酸溶媒の燃焼量が多いという問題含有
し°〔いる。また酸化反応混合物を高温で追酸化処理す
る方法(特開昭55−55138号、同57−18ti
47号等)もめるが、この方法によると比較的少ない酢
酸燃焼で高純度のテレフタル酸が得られる反曲、非常に
高温となるため多大の熱エネルギーを資するという欠点
をMしており、さらに少なくな−?だとは云え酢酸溶媒
の燃夾もなあ・がなり多く無視″1きない。
、近年パラキシシンの酸化反応により直接ポリエステル
の原料として使用で@る、例えは代表的な不純物である
4−カルボキシベンズアルデヒド(以F4−CBAと略
す)含有量が5(JOpI)In以下の高純度テレフタ
ル#を経隣的に有利に一つのプラントで#遺する方法が
いく一つか提起されている。例えば酸化反応混合物を低
温で再酸化する方法(特開昭52−8513b号、同5
3−37636号等)がめるが、これらの方法は酸化)
X応の途中での酢酸溶媒の燃焼量が多いという問題含有
し°〔いる。また酸化反応混合物を高温で追酸化処理す
る方法(特開昭55−55138号、同57−18ti
47号等)もめるが、この方法によると比較的少ない酢
酸燃焼で高純度のテレフタル酸が得られる反曲、非常に
高温となるため多大の熱エネルギーを資するという欠点
をMしており、さらに少なくな−?だとは云え酢酸溶媒
の燃夾もなあ・がなり多く無視″1きない。
本発明者らの一部は、がかる央1Nに鑑み、直せグリコ
ール成分と反応きぜて尚品買の繊維縁のけりエステル紫
製迫〜J−ることのできる篩純度テレンタル酸を経崎的
に#造Tる方法について既に2消りの方法栄提来してい
るか(特公昭56−5380力および同56−1i41
1号)、さらに鋭意検討全1ねfck朱、%足の7「J
セスを採用することにより鹸化反工し、に続く精製工程
での酢酸溶媒の燃焼量と加える熱エネルギーが少ないに
もがかわらずアルデヒド類及び有色物買力・少なく、シ
η・もクリコール類と混ゼCスラリー化し/ヒ時に粘度
が低く、直接重合に適した^純匿テレフタル酸が得られ
ることを見出し本発明を充放するに至った。
ール成分と反応きぜて尚品買の繊維縁のけりエステル紫
製迫〜J−ることのできる篩純度テレンタル酸を経崎的
に#造Tる方法について既に2消りの方法栄提来してい
るか(特公昭56−5380力および同56−1i41
1号)、さらに鋭意検討全1ねfck朱、%足の7「J
セスを採用することにより鹸化反工し、に続く精製工程
での酢酸溶媒の燃焼量と加える熱エネルギーが少ないに
もがかわらずアルデヒド類及び有色物買力・少なく、シ
η・もクリコール類と混ゼCスラリー化し/ヒ時に粘度
が低く、直接重合に適した^純匿テレフタル酸が得られ
ることを見出し本発明を充放するに至った。
すなわち本発明は、パラキシレンを酢酸溶媒中重金属お
よび臭素化合物の仔任下で分子状酸素と反応サセ’TJ
テレフタル酸を製造ずゐ方法Vこおいて。
よび臭素化合物の仔任下で分子状酸素と反応サセ’TJ
テレフタル酸を製造ずゐ方法Vこおいて。
バラキシレノの909b以上を酸化さゼる主反応工程の
後に、 1)主反応工程酸化反応生成物にオフガス中の酸素は度
がυ、5voi%以上となるように分子状酸素會吠き込
みつつ、140〜230 ℃の温度条件下で該酸化反応
生成9勿全破砕処理してテレフタル酸の平均粒径金2o
チ以上低下させる第1精製工程と、 2)第1精製工程で破砕処理されたスラリーにオフガス
中の酸素濃度が0.05〜5vo1%となるように分子
状酸素を吹き込与っつ、180〜300℃の範囲内でか
つ第1精製工程より少なくとも10℃筒い温度条件下で
、上記破砕処理されたスラリーを処理する第2梢製工程
、 を順次行ない%得られた精製スラリーを固液分離してテ
レフタル酸を得ることを特徴とする直接重合用に適した
テレフタル酸の製造方法である。
後に、 1)主反応工程酸化反応生成物にオフガス中の酸素は度
がυ、5voi%以上となるように分子状酸素會吠き込
みつつ、140〜230 ℃の温度条件下で該酸化反応
生成9勿全破砕処理してテレフタル酸の平均粒径金2o
チ以上低下させる第1精製工程と、 2)第1精製工程で破砕処理されたスラリーにオフガス
中の酸素濃度が0.05〜5vo1%となるように分子
状酸素を吹き込与っつ、180〜300℃の範囲内でか
つ第1精製工程より少なくとも10℃筒い温度条件下で
、上記破砕処理されたスラリーを処理する第2梢製工程
、 を順次行ない%得られた精製スラリーを固液分離してテ
レフタル酸を得ることを特徴とする直接重合用に適した
テレフタル酸の製造方法である。
本発明は、主反応工程の後に第1謂製工程と第2精製工
程をこの順に組み会わせること全必須としており、この
ことによりはじめて本発明の効果が得られるのであって
、その一方のみを行なっても到底不発明の目的を達成す
ることはできない。
程をこの順に組み会わせること全必須としており、この
ことによりはじめて本発明の効果が得られるのであって
、その一方のみを行なっても到底不発明の目的を達成す
ることはできない。
すなわち第1精製工程の勃では4−CHA及び増色物質
の減少率が小さいの今ならず、倚ら扛るテレフタル酸を
グリコール類と混ぜた時の粘度が尚くしたがって直接重
合によって南オリにポリエステルを製造するに適したプ
レフタル酸が傅らILない。
の減少率が小さいの今ならず、倚ら扛るテレフタル酸を
グリコール類と混ぜた時の粘度が尚くしたがって直接重
合によって南オリにポリエステルを製造するに適したプ
レフタル酸が傅らILない。
また第2#製工程のみ゛では梢#幼来が上りにくくより
高温で長時間処理する必要かあり、経所的に不利である
のみならず、本発明の方法と比べ得ら扛るテンフタル酸
甲の4色W買も多い。
高温で長時間処理する必要かあり、経所的に不利である
のみならず、本発明の方法と比べ得ら扛るテンフタル酸
甲の4色W買も多い。
以F、本発明の個々の要汗について説明する。
まず本発明で対象となるテレフタル酸の製造方法として
は、パラキシレンを酢酸溶媒中重金属2よび臭素化付物
金片有−J−る触媒の4在トンこ分す状酸素と反応させ
る方法であればいかなる方法でも艮い。重金属化合物と
しCはコバルト、マンガン、セリウム、ニッケル、鉄、
クロムなどがら遺はれる1種または2種以上の金属の化
合物であり、臭素化合物としては、臭素のアルカリ金属
塩、アルカリ土類金属塩、重金楓塩、臭化水素あるいは
テトラフロムエタンなとのM機化合物が用いられる。
は、パラキシレンを酢酸溶媒中重金属2よび臭素化付物
金片有−J−る触媒の4在トンこ分す状酸素と反応させ
る方法であればいかなる方法でも艮い。重金属化合物と
しCはコバルト、マンガン、セリウム、ニッケル、鉄、
クロムなどがら遺はれる1種または2種以上の金属の化
合物であり、臭素化合物としては、臭素のアルカリ金属
塩、アルカリ土類金属塩、重金楓塩、臭化水素あるいは
テトラフロムエタンなとのM機化合物が用いられる。
これらの触媒成分の組合せとしては、マンガンとコバル
トが、゛ま/8:その組成比としてはψりえはコバルト
金属に対し′7ンガン金属が0.2〜3i童陪となるよ
うな範囲か好適である。臭素化合物の具体例とし′Cは
美化ナトリウム、臭化水系、テトラブロムエタン、tし
ぐは重金属の美化物、グことえは臭化コバルト、臭化マ
ンガンが好適である。
トが、゛ま/8:その組成比としてはψりえはコバルト
金属に対し′7ンガン金属が0.2〜3i童陪となるよ
うな範囲か好適である。臭素化合物の具体例とし′Cは
美化ナトリウム、臭化水系、テトラブロムエタン、tし
ぐは重金属の美化物、グことえは臭化コバルト、臭化マ
ンガンが好適である。
主反応の反応栄H−には時に制限ば;2いが、バラキシ
レノの90七ル慢以上が酸化倉支けるように触媒組成、
量に応じた反応温度および蛍留時間金選ぶ心安がある○
反応温度としては150〜250℃、特に180〜23
0″Cが好ましい。また帯留時間としては10〜240
分の範囲が逼′経用いら7する。
レノの90七ル慢以上が酸化倉支けるように触媒組成、
量に応じた反応温度および蛍留時間金選ぶ心安がある○
反応温度としては150〜250℃、特に180〜23
0″Cが好ましい。また帯留時間としては10〜240
分の範囲が逼′経用いら7する。
的記し7ヒ触媒組成、p5.応温eおよび帯4時間から
適当な条件を選ぶことによV容易に反エーロ率は90チ
以上となるが、一般に触媒濃度が高くなるに従って、−
また反応温度が尚くなるに従っ゛〔、あるいは蛍留時間
が艮ぐなるに従って反応率が上昇゛l−ることとlるの
で、こイLらγ考慮して反応未件ケ決めるのが好ましい
。むろん、上記した好適宋FF k外れる条件下であっ
ても反応率90%以上というiiu t y&成するこ
とはoJ’ it目でのるが、経街性戸よび得られるテ
レフタル酸の市買上満足できるものではない。本発明方
法に分いて、主反比\上程でのバラキシレンの反応率が
90%未満の場合には、第1#を製工程における酸化反
応の負荷が尚くなり過さ、破砕効果が悪くなり好1しく
ない0逆Vこ、多まりに反応率を尚くずΦことは経済性
を損うので反応率としては9i1’J9係以ドとするの
が好塘しい0仄に、本発明の第1nt岐工程程について
睨明する0 この工程では破砕と再酸化が行われる。すなわち、主反
応工程で得られた反応混合物は、主として生成したテレ
フタル酸の紹晶と母液かしなり、スラリー状態な呈して
いるが、第1#製工程はこのスラリー金格成している母
准申に含まれている被酸化9勿の大部分とテレフタル酸
結晶中に包含さ扛ている戊比、中間体の−1gケ酸化し
てテレフタル酸に変換することにより被酸化物の量7世
下ざぜかつテレフタル酸縁オケ仮伜してテレフタル酸粒
径を低下させておくことによって、第2精製工程に移行
する準備をするためのものである。
適当な条件を選ぶことによV容易に反エーロ率は90チ
以上となるが、一般に触媒濃度が高くなるに従って、−
また反応温度が尚くなるに従っ゛〔、あるいは蛍留時間
が艮ぐなるに従って反応率が上昇゛l−ることとlるの
で、こイLらγ考慮して反応未件ケ決めるのが好ましい
。むろん、上記した好適宋FF k外れる条件下であっ
ても反応率90%以上というiiu t y&成するこ
とはoJ’ it目でのるが、経街性戸よび得られるテ
レフタル酸の市買上満足できるものではない。本発明方
法に分いて、主反比\上程でのバラキシレンの反応率が
90%未満の場合には、第1#を製工程における酸化反
応の負荷が尚くなり過さ、破砕効果が悪くなり好1しく
ない0逆Vこ、多まりに反応率を尚くずΦことは経済性
を損うので反応率としては9i1’J9係以ドとするの
が好塘しい0仄に、本発明の第1nt岐工程程について
睨明する0 この工程では破砕と再酸化が行われる。すなわち、主反
応工程で得られた反応混合物は、主として生成したテレ
フタル酸の紹晶と母液かしなり、スラリー状態な呈して
いるが、第1#製工程はこのスラリー金格成している母
准申に含まれている被酸化9勿の大部分とテレフタル酸
結晶中に包含さ扛ている戊比、中間体の−1gケ酸化し
てテレフタル酸に変換することにより被酸化物の量7世
下ざぜかつテレフタル酸縁オケ仮伜してテレフタル酸粒
径を低下させておくことによって、第2精製工程に移行
する準備をするためのものである。
主反応工程で得られる反応混合物は、そのまま第1a製
工程に付してもよく、また溶媒で稀釈したり逆に溶媒の
一部を除去して付してもよい。第1精製工程におけるス
ラリー中の固形分濃度は、流動性を保てる濃度であれば
いかなる値でも良いが、破砕と精裏金効率よく行なわせ
るためには20〜50重量係が好ましい。
工程に付してもよく、また溶媒で稀釈したり逆に溶媒の
一部を除去して付してもよい。第1精製工程におけるス
ラリー中の固形分濃度は、流動性を保てる濃度であれば
いかなる値でも良いが、破砕と精裏金効率よく行なわせ
るためには20〜50重量係が好ましい。
第1rl工程での破砕方法は、攪拌機付きの槽での高速
攪拌による翼破砕による方法、槽から分離された破砕機
音用いる方法、生反応器より第1精製槽への呻温・降圧
による衝撃をオリ用する方法、昇圧後圧力を解放しその
圧力差による衝撃を第1j用する方法等いかなる方法で
も良い。主反応で得られるテレフタル酸の平均粒径は、
反光、方法にもよるが30μ以上であり、通常は100
μ以上であることが多い。破砕の目標は該平均粒径を2
0%以上低下させること(こ扛を破砕度209b以上と
称す)であり、好ましくは40チ以上でめる。破砕度を
上けるほと不発明の効果が大きくなるが、装置やエネル
ギー効率から破砕度を95φ以上とすることは得策では
ない。なお本発明で云うテレフタル酸の平均粒径とはN
量平均粒子径であり、篩を用いて水シヤワー2かけなが
ら分級して測定することにより求めることができる。
攪拌による翼破砕による方法、槽から分離された破砕機
音用いる方法、生反応器より第1精製槽への呻温・降圧
による衝撃をオリ用する方法、昇圧後圧力を解放しその
圧力差による衝撃を第1j用する方法等いかなる方法で
も良い。主反応で得られるテレフタル酸の平均粒径は、
反光、方法にもよるが30μ以上であり、通常は100
μ以上であることが多い。破砕の目標は該平均粒径を2
0%以上低下させること(こ扛を破砕度209b以上と
称す)であり、好ましくは40チ以上でめる。破砕度を
上けるほと不発明の効果が大きくなるが、装置やエネル
ギー効率から破砕度を95φ以上とすることは得策では
ない。なお本発明で云うテレフタル酸の平均粒径とはN
量平均粒子径であり、篩を用いて水シヤワー2かけなが
ら分級して測定することにより求めることができる。
第1a製工程の処理温度は140〜230℃で、好捷し
くは160〜210℃である。温度が230℃を越える
場合には、母液中の反応中間体の再酸化速度は上昇する
が酢酸燃焼が急激に増太し、さらに得られるテレフタル
酸中の着色物質が増加する傾向にあるので好ましくない
。逆に温度が140℃に満たない時は母液中の反応中間
体の再酸化速度が遅く、また破砕しにくくなり、をらに
次の第2精製工程への昇温のための熱エネルギーが多量
となり好ましくない。
くは160〜210℃である。温度が230℃を越える
場合には、母液中の反応中間体の再酸化速度は上昇する
が酢酸燃焼が急激に増太し、さらに得られるテレフタル
酸中の着色物質が増加する傾向にあるので好ましくない
。逆に温度が140℃に満たない時は母液中の反応中間
体の再酸化速度が遅く、また破砕しにくくなり、をらに
次の第2精製工程への昇温のための熱エネルギーが多量
となり好ましくない。
第1精裂工程での酸化に必要な分子状酸素含有ガスとし
ては、空気または酸素と他のガスの混合物(−例として
主反応工程からのオフガス)が挙げられる。分子状酸素
の導入量は、第1祐裂工程に付される主反応混合物中の
被酸化物の量および処理条件によって異なるが、第1鞘
製工程からのオフガス中の酸素濃度が0.5vo1%以
上になるような量全導入することか必要である。酸素濃
度が0.5vo1%未満の場合には第1精製工程におい
て着色成分が増加し、つぎの第2梢製工程での精製に悪
影響を及e工すので好ましくない0好葦しいオフガス中
の酸素濃度は1〜8v01チである。
ては、空気または酸素と他のガスの混合物(−例として
主反応工程からのオフガス)が挙げられる。分子状酸素
の導入量は、第1祐裂工程に付される主反応混合物中の
被酸化物の量および処理条件によって異なるが、第1鞘
製工程からのオフガス中の酸素濃度が0.5vo1%以
上になるような量全導入することか必要である。酸素濃
度が0.5vo1%未満の場合には第1精製工程におい
て着色成分が増加し、つぎの第2梢製工程での精製に悪
影響を及e工すので好ましくない0好葦しいオフガス中
の酸素濃度は1〜8v01チである。
第1精製工程Vこおいて分子状酸素を導入する方法とし
ては該工程に付さ扛た反応混合物の液面下部へ導入する
方法で良いが、主反応工程から第1精製工程へ移る間に
酸素欠乏の状態を経過しないように注意するのが好まし
い。このため、本発明方法を連続的に行なう装f1tt
l−用いる場合には、主反応工程から第1精製工程への
移送ラインにも分子状酸素が在社するように、例えは移
送ラインに分子状酸素含有ガスを導入する方法を併用す
ることは本発明の効果を確実にするうえで好適である。
ては該工程に付さ扛た反応混合物の液面下部へ導入する
方法で良いが、主反応工程から第1精製工程へ移る間に
酸素欠乏の状態を経過しないように注意するのが好まし
い。このため、本発明方法を連続的に行なう装f1tt
l−用いる場合には、主反応工程から第1精製工程への
移送ラインにも分子状酸素が在社するように、例えは移
送ラインに分子状酸素含有ガスを導入する方法を併用す
ることは本発明の効果を確実にするうえで好適である。
第1精製工程は破砕部分と再酸化部分を同一の装置、例
えば攪拌機付きの槽で高速攪拌しながら分子状酸素を導
入する方法などで実施してもよくまた分離された装置、
たとえば破砕機としてポンプ全付設した檜を用い、ポン
プ部分で破砕を行ない槽に分子状酸素を導入して再酸化
する方法なとで実施してもよい。後者の分離された装置
を用いる場合には、破砕部分に存在する反応母液が酸素
欠乏状態に長時間きりさ牡ないよう、該部分に帯留する
時間を短くしたり、分子状酸素を共存させるようにする
ことが望ましい。かかる方法により第2精製工程に付す
スラリーの反応母数中の反応中間体の濃度は4−CBA
が10〜l 00 U p p rns好ましくは20
〜4001)pHlとなるようにするのが好ましい。
えば攪拌機付きの槽で高速攪拌しながら分子状酸素を導
入する方法などで実施してもよくまた分離された装置、
たとえば破砕機としてポンプ全付設した檜を用い、ポン
プ部分で破砕を行ない槽に分子状酸素を導入して再酸化
する方法なとで実施してもよい。後者の分離された装置
を用いる場合には、破砕部分に存在する反応母液が酸素
欠乏状態に長時間きりさ牡ないよう、該部分に帯留する
時間を短くしたり、分子状酸素を共存させるようにする
ことが望ましい。かかる方法により第2精製工程に付す
スラリーの反応母数中の反応中間体の濃度は4−CBA
が10〜l 00 U p p rns好ましくは20
〜4001)pHlとなるようにするのが好ましい。
以上述べたような条1F下で第1f′)lI製工程が杓
なわれるのであるか、特に本発明において第1精製工程
に入るスラリーの母液中の叡化反応中間体であるパラト
ルイル酸(以F’、)’TAと略丁)、4−CBAおよ
びパラアセトキシメチル女息香酸(以下、l’AMLI
Aと略す)の合計濃度が特定の範囲にある時には本発明
の幼果が極めて太きい。即ち第1稍製工程の丹酸化が進
与易く、また破砕さノL−’l’丁<、使って破砕に伴
うテレフタル酸粒子中の不純物の精製効果が犬さくなる
という現象が生じる。0らにかかる現象は第1精製工程
に少量のアルギルベンゼンヲ珍[たに供給することによ
っても生しる。かかる現象が生じる原因は不明であるが
、第1精製工程では適当量存在rる酸化炭↓6中間体葦
たは’t:rたに入れた少量のプルキルペンセンから発
生するラノ゛カル棟によって反応混′合物中の触媒が粘
性化さn1母液中の中間体が速やかに酸化さn、るよう
になるものと推定ネノ−しる。また破砕については、P
’L’ Aや4−cshやPAMBAが適当量存在す
ることにより、るるいは新たに添加芒れた少量のアルギ
ルベンゼンが酸化されることにより、共存するテレフタ
ル酸粒子は一時的に結せ力の弱い粗大粒子となるため破
砕し易くなり、破砕に伴う精製効率が尚まるものと推定
される。
なわれるのであるか、特に本発明において第1精製工程
に入るスラリーの母液中の叡化反応中間体であるパラト
ルイル酸(以F’、)’TAと略丁)、4−CBAおよ
びパラアセトキシメチル女息香酸(以下、l’AMLI
Aと略す)の合計濃度が特定の範囲にある時には本発明
の幼果が極めて太きい。即ち第1稍製工程の丹酸化が進
与易く、また破砕さノL−’l’丁<、使って破砕に伴
うテレフタル酸粒子中の不純物の精製効果が犬さくなる
という現象が生じる。0らにかかる現象は第1精製工程
に少量のアルギルベンゼンヲ珍[たに供給することによ
っても生しる。かかる現象が生じる原因は不明であるが
、第1精製工程では適当量存在rる酸化炭↓6中間体葦
たは’t:rたに入れた少量のプルキルペンセンから発
生するラノ゛カル棟によって反応混′合物中の触媒が粘
性化さn1母液中の中間体が速やかに酸化さn、るよう
になるものと推定ネノ−しる。また破砕については、P
’L’ Aや4−cshやPAMBAが適当量存在す
ることにより、るるいは新たに添加芒れた少量のアルギ
ルベンゼンが酸化されることにより、共存するテレフタ
ル酸粒子は一時的に結せ力の弱い粗大粒子となるため破
砕し易くなり、破砕に伴う精製効率が尚まるものと推定
される。
本発明で云9酸化反応中間体とはPTA、4−CB A
及びPAMBAでめるが、PAMk3Aについて若干の
読切を加える。下記構造式(1)で示さnる)’AMB
Aはド記構造式(it)で示g I’Lるノくラヒドロ
キシメチル女息査酸(PR,dBA )HO2C−C>
−Cルー(J−C−Cル HO2CuC山(J)11 (1)PAMBA ([)PHMBAと共に
、バラキシレンの岐化反応母液甲に任仕し母液中で (1)+H20;:二(1) −4−Ck−bc(JJ
kLの平衡関係がある。(IL (■)の存在量は反
応中1牛によって大幅に変化するが、(I)は4−Cj
3Aとほぼ同程度、(It)は(1)の1/3〜l/1
0である。
及びPAMBAでめるが、PAMk3Aについて若干の
読切を加える。下記構造式(1)で示さnる)’AMB
Aはド記構造式(it)で示g I’Lるノくラヒドロ
キシメチル女息査酸(PR,dBA )HO2C−C>
−Cルー(J−C−Cル HO2CuC山(J)11 (1)PAMBA ([)PHMBAと共に
、バラキシレンの岐化反応母液甲に任仕し母液中で (1)+H20;:二(1) −4−Ck−bc(JJ
kLの平衡関係がある。(IL (■)の存在量は反
応中1牛によって大幅に変化するが、(I)は4−Cj
3Aとほぼ同程度、(It)は(1)の1/3〜l/1
0である。
(1)1(kl)共に酸化反応によりテレフタル酸に変
換されるので、バラキシレンの酸化反応中間体と白うこ
とができる。
換されるので、バラキシレンの酸化反応中間体と白うこ
とができる。
これらの他に酸化反応中間体としては、ノ<ラドルアル
デヒド、パラメナルベンジルアルコール、パラメチルベ
ンジルアセテート、臭化ベンジル訪導体などが存在する
が、本発明にAンいては)”i” Aト4−CBA オ
、J:びP A l’vi B A ノ合@i 9度が
4 女fi 因子でる60すなイつし、第1精襄工程に
・1・j″6れるスラリーり母液中に存在する咳中間坏
の合計濃度が1500 ppt11以上、4 U、IJ
00 ppm以ドで必るように調節し之場合に本発明
の効果が冷太す◇。調節の方法としては、(A)生反応
栄件例えばバラキシレンと溶媒の供耐比率、すなわちバ
ラキシレン濃度やその供坩速度お工び反応温度、触媒等
r適正化する方法、(B)反応混廿物を溶媒で稀釈また
は置換もしくは磯紬する方法、(C)反応中間体を研加
または除去する方法があるが、(C)の方法は工程か複
雑となり経断日ヲではない。(A)) ”または(B)
の方法を単独で又は組合わせることにより反応中間体濃
度r−節するのが有利である。
デヒド、パラメナルベンジルアルコール、パラメチルベ
ンジルアセテート、臭化ベンジル訪導体などが存在する
が、本発明にAンいては)”i” Aト4−CBA オ
、J:びP A l’vi B A ノ合@i 9度が
4 女fi 因子でる60すなイつし、第1精襄工程に
・1・j″6れるスラリーり母液中に存在する咳中間坏
の合計濃度が1500 ppt11以上、4 U、IJ
00 ppm以ドで必るように調節し之場合に本発明
の効果が冷太す◇。調節の方法としては、(A)生反応
栄件例えばバラキシレンと溶媒の供耐比率、すなわちバ
ラキシレン濃度やその供坩速度お工び反応温度、触媒等
r適正化する方法、(B)反応混廿物を溶媒で稀釈また
は置換もしくは磯紬する方法、(C)反応中間体を研加
または除去する方法があるが、(C)の方法は工程か複
雑となり経断日ヲではない。(A)) ”または(B)
の方法を単独で又は組合わせることにより反応中間体濃
度r−節するのが有利である。
上H己反応中間体の合計濃度を1.500 ppHl禾
満とした場合には、第1梢製工程では破砕さ扛にくく精
製効率が低いため第2祠製工程を経て得ら7するプレ7
タル酸がたとえ尚純糺のものと1つでも計酸燃焼蓋どエ
ネルギー消費量の合η士でif1曲される経隣性におい
C必ずしも満足でさるものとはならない。また4 (J
、U 00 pplnを越える場合にも、第1精製工程
で破砕されにくくなり、きらに8酸化と同時に起る酢酸
燃焼力・無視できなくなり、経済性が低下する。より好
でしい範囲は2.00 (l pprn以上30.00
(l ppm 1−J、丁−chb。
満とした場合には、第1梢製工程では破砕さ扛にくく精
製効率が低いため第2祠製工程を経て得ら7するプレ7
タル酸がたとえ尚純糺のものと1つでも計酸燃焼蓋どエ
ネルギー消費量の合η士でif1曲される経隣性におい
C必ずしも満足でさるものとはならない。また4 (J
、U 00 pplnを越える場合にも、第1精製工程
で破砕されにくくなり、きらに8酸化と同時に起る酢酸
燃焼力・無視できなくなり、経済性が低下する。より好
でしい範囲は2.00 (l pprn以上30.00
(l ppm 1−J、丁−chb。
かかる現象を本発明方法に過用するとさは、主反応の条
件において削述のパラキシレンの灰化・率の他にこnら
の中間体の濃度をかかる範囲に対応する値に設置すると
云う、より限定された条件の選定全課すことになる。例
えば主反応混合物をそのま゛まの状態で第1精製工程に
付す場合には主反応の母液中の反応中間体濃度が1,5
00〜4 (J、000p plnとなる反応条件が奸
愛しいことになる0かかる条件を選ぶにはa;述の触媒
組成、反応温度ならf)−にパラキシレンの供紹1I1
1度と供給速度奮江意呆く選矩しなけれはならない。す
なわち一定の触媒組成と触媒濃度のもとでは反応温度を
ドけるほど該反ルL〜中間体の会計濃度が上昇し、また
一定の反応温度のもとでは触媒濃度全低下させるほど中
間体濃度が上昇する関係にめる0更に反応母液中の水製
IWも中間体濃度に影響を及ばず。すなわち−足の触媒
組成と反応温度のもとでは水濃匿が増加するほど中間体
の合Bt濃度は上昇する傾向にあるのでかかる関係ケ用
いて反応条件を設定することになる。
件において削述のパラキシレンの灰化・率の他にこnら
の中間体の濃度をかかる範囲に対応する値に設置すると
云う、より限定された条件の選定全課すことになる。例
えば主反応混合物をそのま゛まの状態で第1精製工程に
付す場合には主反応の母液中の反応中間体濃度が1,5
00〜4 (J、000p plnとなる反応条件が奸
愛しいことになる0かかる条件を選ぶにはa;述の触媒
組成、反応温度ならf)−にパラキシレンの供紹1I1
1度と供給速度奮江意呆く選矩しなけれはならない。す
なわち一定の触媒組成と触媒濃度のもとでは反応温度を
ドけるほど該反ルL〜中間体の会計濃度が上昇し、また
一定の反応温度のもとでは触媒濃度全低下させるほど中
間体濃度が上昇する関係にめる0更に反応母液中の水製
IWも中間体濃度に影響を及ばず。すなわち−足の触媒
組成と反応温度のもとでは水濃匿が増加するほど中間体
の合Bt濃度は上昇する傾向にあるのでかかる関係ケ用
いて反応条件を設定することになる。
不発明の第1精製工程Vて添加するアルキルベンゼンと
し−Cは、トルエン、エチルベンセン、キシレン類、プ
ロピルベンゼン類、トルアルデヒド類、トルイル酸等の
アルキル基を少くともひとつベンゼン骨格に有するベン
ゼン肪導体が挙けられ、なかでもバラキシレンとバラト
ルアルテヒドは幼果 、が太きく、シかも酸化生成物が
テレフタル酸であるため特に好ましい。
し−Cは、トルエン、エチルベンセン、キシレン類、プ
ロピルベンゼン類、トルアルデヒド類、トルイル酸等の
アルキル基を少くともひとつベンゼン骨格に有するベン
ゼン肪導体が挙けられ、なかでもバラキシレンとバラト
ルアルテヒドは幼果 、が太きく、シかも酸化生成物が
テレフタル酸であるため特に好ましい。
これらアルキルベンゼンの供itは、主反応工程に導入
したバラキシレンの0.01〜5モルチに相当する量が
好−ましい。主反応工程から第1精製工程に移す反応母
液中の反応中間体の濃度が低い場合には、比較的多量に
アルキルベンゼン會供紺することがM利である。また反
応中間体の合計濃度が本発明の範囲内の1,500〜4
0.00 (J ll1−1mであってもイβ」らかの
原因で触媒活性が低ドしている場合には、アルキルベン
ゼンの少量を惧帽することによって触媒活性全同上させ
ることかでさ、この場合にはアルキルベンセンと共に耕
7こ2を触媒酸+を供給す扛は、その幼来はなおさら碓
叉となる。1旦し、アルキルベンセンの惧袷重が多丁さ
グヒ場叶には、第1精製上程での反)11、の貞萌が人
きくなり、同時に破砕精製効4もかえつ〔1戊−Fすゐ
1唄回にあり、従って主反応に導入した)くラキンンン
の002〜2モル力が時にカーましい。
したバラキシレンの0.01〜5モルチに相当する量が
好−ましい。主反応工程から第1精製工程に移す反応母
液中の反応中間体の濃度が低い場合には、比較的多量に
アルキルベンゼン會供紺することがM利である。また反
応中間体の合計濃度が本発明の範囲内の1,500〜4
0.00 (J ll1−1mであってもイβ」らかの
原因で触媒活性が低ドしている場合には、アルキルベン
ゼンの少量を惧帽することによって触媒活性全同上させ
ることかでさ、この場合にはアルキルベンセンと共に耕
7こ2を触媒酸+を供給す扛は、その幼来はなおさら碓
叉となる。1旦し、アルキルベンセンの惧袷重が多丁さ
グヒ場叶には、第1精製上程での反)11、の貞萌が人
きくなり、同時に破砕精製効4もかえつ〔1戊−Fすゐ
1唄回にあり、従って主反応に導入した)くラキンンン
の002〜2モル力が時にカーましい。
アルキルベンセンの第1.Fit製工、告への・県yJ
法は間欠的でもよいが連11光式に行なうの7J稼丁ま
しvl。
法は間欠的でもよいが連11光式に行なうの7J稼丁ま
しvl。
また供?<3方法としては液状で供給しても或いrJ:
酸素含南カスと共に気咋として共相しても艮く、時に液
状で供給する場合にはそのまま又は潴媒で権釈もしくは
利だな触媒成分の連歌に混合して供給してもよい。この
場打の触媒成分としては、主反応と同組成の触媒でもよ
く、また酸化反応で消費され不油性化した臭素成分を補
9よう奨累化合物全主とじ一〇供帖しでもよいO Z)さに本発明の第2梢ム土程Qこつい−C祝明fる0
第1桶゛製上程で破砕と8tR化処理埒扛lこスラリー
は第2謂製工程において180〜300℃、好ましくは
2[0〜26υCでかつ第1梢製工程より少なくとも1
0℃尚い温度栄件下でさらに分子伏敵素含有カスと接触
処理さ扛る。この除、処理温度7つ(高い程得しJ′1
.ろテレフタル酸はグリコール類と混ぜた時の粘度が低
くなり、しかも、@−CBAで代表される酸化中間体も
低く176ので好まししへか、層色物値が増加する傾向
にあるのでf)′!、り篩部にするのも好徒しくなく、
また180℃より低い温度では、得らルるテレフタル酸
はグリコール類と混ぜた時のスラリー枯匿が商く直接重
合用とし−CQよ好ましくないものとなるため、したが
って180〜300 C,好ましくFi21.0〜26
0℃の範囲内でめる。チだ第2精製工程で用い1り2L
る温度は紀1nt製エイ呈の温度より少なくとも10℃
高い・ことが必要でめる0温鼓差が10℃禾、′両の場
合QこV」2、精製効果か出にくくなる。
酸素含南カスと共に気咋として共相しても艮く、時に液
状で供給する場合にはそのまま又は潴媒で権釈もしくは
利だな触媒成分の連歌に混合して供給してもよい。この
場打の触媒成分としては、主反応と同組成の触媒でもよ
く、また酸化反応で消費され不油性化した臭素成分を補
9よう奨累化合物全主とじ一〇供帖しでもよいO Z)さに本発明の第2梢ム土程Qこつい−C祝明fる0
第1桶゛製上程で破砕と8tR化処理埒扛lこスラリー
は第2謂製工程において180〜300℃、好ましくは
2[0〜26υCでかつ第1梢製工程より少なくとも1
0℃尚い温度栄件下でさらに分子伏敵素含有カスと接触
処理さ扛る。この除、処理温度7つ(高い程得しJ′1
.ろテレフタル酸はグリコール類と混ぜた時の粘度が低
くなり、しかも、@−CBAで代表される酸化中間体も
低く176ので好まししへか、層色物値が増加する傾向
にあるのでf)′!、り篩部にするのも好徒しくなく、
また180℃より低い温度では、得らルるテレフタル酸
はグリコール類と混ぜた時のスラリー枯匿が商く直接重
合用とし−CQよ好ましくないものとなるため、したが
って180〜300 C,好ましくFi21.0〜26
0℃の範囲内でめる。チだ第2精製工程で用い1り2L
る温度は紀1nt製エイ呈の温度より少なくとも10℃
高い・ことが必要でめる0温鼓差が10℃禾、′両の場
合QこV」2、精製効果か出にくくなる。
第2鞘工程で使用する分子状畝素含Mガスとしては、例
えば卆気肴しくはM素と墾系、酸素2二他の不活性ガス
、空気と不活性ガスの混合9勿さしくCは主反応工程か
らのオフガス等が用いられる。第2′nI製工程への分
子状rR索供給量もこの工程tこ付されるスラリー母液
およびテレフタル酸粕晶中の被酸化物の量ならひに処理
条件によって異なるがオフガス中の酸素濃度が0.05
〜5 vo1%、好ましくは0.1〜2VO1%となる
ようにするのが必要であり、しかもこの工程に付される
母液中のP T A、4−CBAおよびPAMBAの酸
化に必要な理論酸素量の10〜300倍、特に20〜1
00倍の供給が好ましい。
えば卆気肴しくはM素と墾系、酸素2二他の不活性ガス
、空気と不活性ガスの混合9勿さしくCは主反応工程か
らのオフガス等が用いられる。第2′nI製工程への分
子状rR索供給量もこの工程tこ付されるスラリー母液
およびテレフタル酸粕晶中の被酸化物の量ならひに処理
条件によって異なるがオフガス中の酸素濃度が0.05
〜5 vo1%、好ましくは0.1〜2VO1%となる
ようにするのが必要であり、しかもこの工程に付される
母液中のP T A、4−CBAおよびPAMBAの酸
化に必要な理論酸素量の10〜300倍、特に20〜1
00倍の供給が好ましい。
オフガス中の酸素濃度をU、05 vol %未満にす
ると得られるテレフタル酸中の着色物質が増加する。
ると得られるテレフタル酸中の着色物質が増加する。
逆に酸素供fI@ji全いたずらに多くすると酢酸燃焼
量が多くなり経済的に好ましくない。従って上記のよう
に他め゛C少量の酸素がオフガス中に存在するようにす
るためには主反応工程のオフガスを昇圧して用いるか、
あるいは侑釈空気を用いるのが運転制御上有利である。
量が多くなり経済的に好ましくない。従って上記のよう
に他め゛C少量の酸素がオフガス中に存在するようにす
るためには主反応工程のオフガスを昇圧して用いるか、
あるいは侑釈空気を用いるのが運転制御上有利である。
第2鞘製工程での処理は通常5〜240分間行ケえは充
分であるO ’fた第2精製工程は通′帛の攪拌槽や気
泡塔等ケ用いて行なうことかでさる。
分であるO ’fた第2精製工程は通′帛の攪拌槽や気
泡塔等ケ用いて行なうことかでさる。
以上詳述したように、本発明方法では主反応工程、第1
精製工程および第2稍製工程金順仄行なうこと全必須と
しているが、これを何なう方法としては、各工程を回分
式で行なう方法や各工程のうち一つまたは二つを回分式
で行なう方法等が挙げられるが、好ましくは全工程を連
続式、つまり各工程を別々の反応器または処理槽で行な
い、各反応器または処理槽から送り出されるスラリー量
に見合う量の液を連続的または断続的に前工程または原
料槽から受は入れて、各反応器、処理槽内のスラ’J−
tを常時はぼ一定に保つ方式である。
精製工程および第2稍製工程金順仄行なうこと全必須と
しているが、これを何なう方法としては、各工程を回分
式で行なう方法や各工程のうち一つまたは二つを回分式
で行なう方法等が挙げられるが、好ましくは全工程を連
続式、つまり各工程を別々の反応器または処理槽で行な
い、各反応器または処理槽から送り出されるスラリー量
に見合う量の液を連続的または断続的に前工程または原
料槽から受は入れて、各反応器、処理槽内のスラ’J−
tを常時はぼ一定に保つ方式である。
第2絹製工程につづいて公知の方法に基づきスラリー’
にテレフタル酸と母液に分離するが、固液分離に先立っ
て第2祠製工程よりも温度・圧力の低い受槽にスラリー
を通すのが好ましい。固液分離されたテレフタル酸を乾
燥することにより、グリコール成分と直接産金が可能な
品質と物性を有するものが得られる。
にテレフタル酸と母液に分離するが、固液分離に先立っ
て第2祠製工程よりも温度・圧力の低い受槽にスラリー
を通すのが好ましい。固液分離されたテレフタル酸を乾
燥することにより、グリコール成分と直接産金が可能な
品質と物性を有するものが得られる。
なお本発明において、オフガス中の酸素濃度とは、当該
工程の装置から排出さt′Lるオフガス中の酢酸、水等
の凝縮性成分を除去して得たドライガス中の酸素濃度の
ことである。
工程の装置から排出さt′Lるオフガス中の酢酸、水等
の凝縮性成分を除去して得たドライガス中の酸素濃度の
ことである。
母液中のPTA(パラトルイル酸)、PAMBA(パラ
アセトキシメチル安息査酸)とは、反に5混会物からテ
レフタル酸結晶を分離した反応母液中の濃度を意味しで
おり、この濃度は母液を低温で減圧濃縮し、メチルエス
テル化し、ガスクロマトグラフにて測定される値である
。また4−CBA(4−カルボキシペンズアルテヒド)
はポーラログラフにて測定される。
アセトキシメチル安息査酸)とは、反に5混会物からテ
レフタル酸結晶を分離した反応母液中の濃度を意味しで
おり、この濃度は母液を低温で減圧濃縮し、メチルエス
テル化し、ガスクロマトグラフにて測定される値である
。また4−CBA(4−カルボキシペンズアルテヒド)
はポーラログラフにて測定される。
プレフタル酢品質のうち、光学密度とはテレフタル酸4
?を2規定の水酸化カリウム溶’l”l!L 50 r
ttlに溶解し、光路長5crnのセルを用いて波長3
40nmで測定した吸光度である。
?を2規定の水酸化カリウム溶’l”l!L 50 r
ttlに溶解し、光路長5crnのセルを用いて波長3
40nmで測定した吸光度である。
またスラリー粘度とはテレフタル酸を1.6倍モルのエ
チレングリコールに分散させ、B型粘度Niを用いて2
0℃で測定した値である0 仄に本発明を実施例および比較例により説明するが、本
発明は以下の実施例に限廻されるものではない。
チレングリコールに分散させ、B型粘度Niを用いて2
0℃で測定した値である0 仄に本発明を実施例および比較例により説明するが、本
発明は以下の実施例に限廻されるものではない。
以下の実施例および比較例に用いる主反応混合物は次の
ようにして製造した。
ようにして製造した。
試料1
5を攪拌機付チタン製オートクレーブを用い、k120
4wt%%バラキシレン2Qwt%、酢酸コノ(ルト四
水塩o、oswt乞酢酸マンガン四水塩0.1w′L%
、英化ソーダQ、iwt%の酢酸溶液全2.8 L/h
r、空気を40 L/minで供給し温度210℃、圧
力22呻へ、帯留時間60分で反応烙セ、反応混合uf
IIJヲ反応ガスと共にコンテンサー付受槽に取出し高
温酸欠とならぬように速やかに冷却して得たもので、次
の品質組成全ゼする。
4wt%%バラキシレン2Qwt%、酢酸コノ(ルト四
水塩o、oswt乞酢酸マンガン四水塩0.1w′L%
、英化ソーダQ、iwt%の酢酸溶液全2.8 L/h
r、空気を40 L/minで供給し温度210℃、圧
力22呻へ、帯留時間60分で反応烙セ、反応混合uf
IIJヲ反応ガスと共にコンテンサー付受槽に取出し高
温酸欠とならぬように速やかに冷却して得たもので、次
の品質組成全ゼする。
混合物l kp中のテレフタル酸の量 250v母液中
のP T A濃度 6100 ppm母液中の4
CBA濃度 1510 ppm合計濃度 8
840ppm 反応混合物中のテレフタル酸のケーク101’ k熱酢
酸で洗伊したものの品質は 4CBA ’1l100pp 光学缶度 0.525 平均粒径 138μ であった。
のP T A濃度 6100 ppm母液中の4
CBA濃度 1510 ppm合計濃度 8
840ppm 反応混合物中のテレフタル酸のケーク101’ k熱酢
酸で洗伊したものの品質は 4CBA ’1l100pp 光学缶度 0.525 平均粒径 138μ であった。
試料2
試料1調製の時と同じ装置勿用い、四球の方法で温度の
み220℃tこして得たもので、次の品質組成を有する
。
み220℃tこして得たもので、次の品質組成を有する
。
混合物1 ky中のプレフタル酸のtk 254?母
液中のP i’ AQm度 800ppm母液中
の4CBAの濃度 365 ppm合計#度
1460ppm 反応7昆合1勿中のプレフタル酸のケーク1ooy=、
(熱酢酸で抗M” L flものり凸v買は4CBA
410ppm 光字′&i度 tl、142 平均粒住 115μ m(ワあった○ 以下王反応条’l−7”k珈々変えて表1に示すような
性状の異なる主反応混合物試料3〜5を調製した。
液中のP i’ AQm度 800ppm母液中
の4CBAの濃度 365 ppm合計#度
1460ppm 反応7昆合1勿中のプレフタル酸のケーク1ooy=、
(熱酢酸で抗M” L flものり凸v買は4CBA
410ppm 光字′&i度 tl、142 平均粒住 115μ m(ワあった○ 以下王反応条’l−7”k珈々変えて表1に示すような
性状の異なる主反応混合物試料3〜5を調製した。
試料6
試利目Iの時と同じ装置を用いlI204wt%、パラ
キシレン20wt%、酢酸コバルト四水塩Q、1wc俤
、酢酸マンガン四水塩o、iwt%、テトラブロムエタ
ン0.13wt%の酢酸浴液k 2.8 t/11r、
空気′fr:4゜νm111で供給し温度212℃、圧
力24にμ檀、帯留時間60分で反応させ、表1に示す
品質の試料を得た。
キシレン20wt%、酢酸コバルト四水塩Q、1wc俤
、酢酸マンガン四水塩o、iwt%、テトラブロムエタ
ン0.13wt%の酢酸浴液k 2.8 t/11r、
空気′fr:4゜νm111で供給し温度212℃、圧
力24にμ檀、帯留時間60分で反応させ、表1に示す
品質の試料を得た。
試料7
試料6調整時と同じ装置を用い、テトラブロムエタンの
代りに芙化水累2(47%水溶液)をHBrとして0.
1 wt %全原液中に入れた他は試料6実施例1 還流〆1を却装置、攪拌装置、スラリー仕込装置、バラ
アルキルベンゼン供給装置、処理スラリー排出口を備え
た5tチタン製オートタレープAとAと同仕様の装ff
fiBkスラリー移送管で接続した。
代りに芙化水累2(47%水溶液)をHBrとして0.
1 wt %全原液中に入れた他は試料6実施例1 還流〆1を却装置、攪拌装置、スラリー仕込装置、バラ
アルキルベンゼン供給装置、処理スラリー排出口を備え
た5tチタン製オートタレープAとAと同仕様の装ff
fiBkスラリー移送管で接続した。
Aに主反応混合物試料1全連続的に平均帯留時間1時間
になるように供給し次のBへ送入しながら攪拌翼180
0r−p・!nで回転し、空気をオフガス中の酸素#度
が4〜5 vo1%になるように供給しながら、温度1
90℃、圧力12に97檀で仮枠し、スラリー移送官全
辿してBへ送入し、230℃、351散餉の圧力で攪拌
g 850 r−p−mで回転し、オフガス中の酸糖濃
度が0.6〜Q、9 vo1%になるように窒素95v
o1%、酸素5 vo1%の混合ガスを供給しながら帯
留時間30分で処理した。このようにして7時間処理し
た後、装置A、Bを酸欠にならないように注意しながら
常温壕で冷却した。装置Aより取出した固形物の平均粒
径は45μで、母液中の4CBA濃度は26ppmであ
った。又装置すより取出したスラリー禁固液分離し、固
体全重量で4倍量の熱酢酸で洗浄し、得たa#テレンタ
ル酸の品質は次のとおりでめっ/こ。
になるように供給し次のBへ送入しながら攪拌翼180
0r−p・!nで回転し、空気をオフガス中の酸素#度
が4〜5 vo1%になるように供給しながら、温度1
90℃、圧力12に97檀で仮枠し、スラリー移送官全
辿してBへ送入し、230℃、351散餉の圧力で攪拌
g 850 r−p−mで回転し、オフガス中の酸糖濃
度が0.6〜Q、9 vo1%になるように窒素95v
o1%、酸素5 vo1%の混合ガスを供給しながら帯
留時間30分で処理した。このようにして7時間処理し
た後、装置A、Bを酸欠にならないように注意しながら
常温壕で冷却した。装置Aより取出した固形物の平均粒
径は45μで、母液中の4CBA濃度は26ppmであ
った。又装置すより取出したスラリー禁固液分離し、固
体全重量で4倍量の熱酢酸で洗浄し、得たa#テレンタ
ル酸の品質は次のとおりでめっ/こ。
4CBA 210ppm
光学密度 0.tJ79
平均粒住 136μ
スラリー粘度 765 c−p
実施例2
主反応混合物試料1を用いて、実施例■と同じ装fft
=用い、装置への温度を160’Cとした以外は実姉例
1と同条f1−で処理したところ、表2に下す結果とな
った。
=用い、装置への温度を160’Cとした以外は実姉例
1と同条f1−で処理したところ、表2に下す結果とな
った。
実施例3
主反応混合物試料1全用いて実施例1と同じ装置Kを用
い、装置Bの温度250 ’C、オノガス酸素濃度を0
.2〜0.4vo16ルとした以外は実施例Jと同条件
で処理したところ、表2に示すような結果となった。
い、装置Bの温度250 ’C、オノガス酸素濃度を0
.2〜0.4vo16ルとした以外は実施例Jと同条件
で処理したところ、表2に示すような結果となった。
比較例1
主反応混合物試料lを実施例1と同じ条件で装置r′t
、ノ\による処理をし、−j!lソl弐Bによる処理忙
しないものf6:実施例1と同様に冷却し、スラリー粘
度出し固液分離した。向1令も実姉例1ど同様に処理し
1々製テレノタル酸忙得たが、品質ti衣2に示すよう
にa<、スラリー粘度も尚がった。
、ノ\による処理をし、−j!lソl弐Bによる処理忙
しないものf6:実施例1と同様に冷却し、スラリー粘
度出し固液分離した。向1令も実姉例1ど同様に処理し
1々製テレノタル酸忙得たが、品質ti衣2に示すよう
にa<、スラリー粘度も尚がった。
比較例2
反応混合物ルt、91を用い、実姉例1の装置Aによる
処理をしないて装kBによる処理を実施レリ1と同じ条
+トで処理し札製テレノタル酸を得た。品質を表2にボ
ア。
処理をしないて装kBによる処理を実施レリ1と同じ条
+トで処理し札製テレノタル酸を得た。品質を表2にボ
ア。
比較例3
主反応混合物試料1を用い、実施例1と同一装置で装置
Aに空気金人庇なかった以外は実施例1と同じ条件で処
理した。得られた和製テレフタル酸は表2に下すように
光学密度が非常に悪かった。
Aに空気金人庇なかった以外は実施例1と同じ条件で処
理した。得られた和製テレフタル酸は表2に下すように
光学密度が非常に悪かった。
比較例4
主反応混合物試料1を実施例1と同一装置で装置Aのオ
フガス中酸素濃度を0.1〜lJ、3嘱とした以外は実
施例1と同じ条件で処理した。得られた精製テレフタル
酸は表2に示すように光学密度の高い悪い品質でめった
。
フガス中酸素濃度を0.1〜lJ、3嘱とした以外は実
施例1と同じ条件で処理した。得られた精製テレフタル
酸は表2に示すように光学密度の高い悪い品質でめった
。
比較例5
主反応混合物試料1を実施例1と同じ装置で、装ft
Bに供給する混合ガスtO2#度10%、窒素濃度90
多に変え、装置ft Bのオフガス中酸索譲度を6〜7
%とした以外は実施例1と同じ条件で処理した。品質は
表2に示すように良かったが、炭素損失は太きかった。
Bに供給する混合ガスtO2#度10%、窒素濃度90
多に変え、装置ft Bのオフガス中酸索譲度を6〜7
%とした以外は実施例1と同じ条件で処理した。品質は
表2に示すように良かったが、炭素損失は太きかった。
(炭素損失とは表2脚dに示すか俗媒及び原料の有効成
分が分解し排カス中に逸散することをボラ−侑標でりっ
て数値〃・大きい程経通的に不利である。) 比較例6〜IO 主反応混合物試料1全用い、実姉例1と同じ装置で装置
直A及びBの温度、オノガス中敵素濃度金F記の如くか
えた以外は実施例1と同様に処理し結果は表2に示す如
くであった。
分が分解し排カス中に逸散することをボラ−侑標でりっ
て数値〃・大きい程経通的に不利である。) 比較例6〜IO 主反応混合物試料1全用い、実姉例1と同じ装置で装置
直A及びBの温度、オノガス中敵素濃度金F記の如くか
えた以外は実施例1と同様に処理し結果は表2に示す如
くであった。
比較例11
実施例1に用いた装置Aを用い、主反応混合物試料1を
連続的に平均帯留時間1時間になるように供給し、攪拌
翼全180Or・p−mで回転しながら空気を供給する
ことなく190℃で破砕した。得られた固型物の平均粒
径は42μでめった。このスラIJ −’に実施例1と
同じ装置を用い、装置tAの回転数k 400 r−p
−mとした以外は実施例1と同じ条件で処理した。
連続的に平均帯留時間1時間になるように供給し、攪拌
翼全180Or・p−mで回転しながら空気を供給する
ことなく190℃で破砕した。得られた固型物の平均粒
径は42μでめった。このスラIJ −’に実施例1と
同じ装置を用い、装置tAの回転数k 400 r−p
−mとした以外は実施例1と同じ条件で処理した。
得られたテレフタル酸の品質を表2に示す。
比較例12
比較例11と同様にして主反応混合物試料lを破砕した
ところ得らiした固型物の平均粒径は44μであった。
ところ得らiした固型物の平均粒径は44μであった。
このスラリーを実画例1と同じ装置を用い、装置Aの回
転数2400 r−p−mとし、パラキシレンを粗テレ
フタル酸に対し0.5モル襲仕込みながら実施した以外
は実施例1と同じ条件で処理した。
転数2400 r−p−mとし、パラキシレンを粗テレ
フタル酸に対し0.5モル襲仕込みながら実施した以外
は実施例1と同じ条件で処理した。
比較例13.実施例4〜6
主反応混合物試料4を用い、実施例1と同じ装置1を用
い、装置Aの攪拌翼の回転数音そ扛ぞ扛400r−p−
m、1fj00r−p・In、1800r−p−m。
い、装置Aの攪拌翼の回転数音そ扛ぞ扛400r−p−
m、1fj00r−p・In、1800r−p−m。
240 Or−p−mとして、その他の乗件は実施例1
と1例7〜12 一種品質の異なる生反応混合吻試童を用い爽施と同様に
処理した結果を表4にボす。
と1例7〜12 一種品質の異なる生反応混合吻試童を用い爽施と同様に
処理した結果を表4にボす。
実施例13.14
王反応晶合物1紫用い、実施例1と凹じ装置で装置Aに
バラキシンン金粗テレフタル敵に対し0.5モル係、1
.5モル%て仕込ながら実地した以外は実施例1と同じ
条件で処理し/ζoM朱を表5に示す。
バラキシンン金粗テレフタル敵に対し0.5モル係、1
.5モル%て仕込ながら実地した以外は実施例1と同じ
条件で処理し/ζoM朱を表5に示す。
実施例15
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 バラキシレン全酢酸溶媒中重金属および臭素化合
物の存在下で分子状酸素と反応させてテレフタル酸を製
造する方法において、バラキシレンの9()%以上を酸
化させる主反応工程の後に、 ■)主反応工程酸化反応生成物にオフガス中の酸素濃度
がQ、5 vol %以上となるように分子状酸素を吹
き込φつつ、140〜230℃の温度条件下で該酸化反
応生成物を破砕処理してテレフタル酸の平均粒径′f!
:2U%以上低下させる第1精製工程と、 2)第1精製工程で破砕処理さ扛たスラリーにオフガス
中の酸素濃度が0.05〜5 vo1%となるように分
子状酸素を吹き込みつつ、180〜300℃の範囲内で
かつ第1梢裂工程より少なくとも10″C,篩い温度条
件下で、上記破砕処理さ扛たスラリーを処理する第2精
製工程、を順次?Tない、得らnた精製スラリーを固数
分離してテレフタル酸を得ることを%徴とする直接重合
に適したテレフタル酸の製造方法。 2、第1fJiI製工程に付すスラリーの母液中のノく
ラドルイル酸と4−カルボキシベンズアルデヒドとバラ
アセトキシメチル安息香酸の合計量が1500〜400
00pp1riである特許請求の範囲第1項記載の製造
方法。 3、主反応工程に導入したノくラキシレン量の0.01
〜5モルチのアルキルベンゼンを第1n製工程に新たに
添加する特許請求の範囲第1項または第2項記載の製造
方法。 4、主反応工程の反応温度が150〜250℃である特
許請求の範囲第1〜3項のいずれかに記載の製造方法。 5、第1梢製工程の処理温度が160〜210℃である
特許請求の範囲第1〜4項のいずれかに記載の製造方法
。 6、第1精製工程のオフガス中の酸素濃度力51〜8v
o1%である特許請求の範囲第1〜5項のいずれかに記
載の製造方法。 7、 第2n製工程に付すスラリーの母液中の4−力ル
ボキ7ペンズアルデヒド濃#が10〜1000ppul
である特許請求の範囲第1〜6項のいずれかに記載の製
造方法。 8、 第2梢製工程の処理温度が210〜260℃であ
る特許請求の範囲第1〜7項のいずれかに記載の製造方
法。 9、 第2Jtt製工程のオフガス中の酸素#度が0、
1〜2volチである%許請求の範囲第1〜8項のいず
nかに記載の製造方法。 10、 主反応工程、第1精製工程および第2精製工
程を順次連続式で行なうt特許請求の範囲第1〜9項の
いずれかにml載の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57212881A JPS59104345A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 直接重合用に適したテレフタル酸の製造方法 |
DE8383111972T DE3362095D1 (en) | 1982-12-03 | 1983-11-29 | Process for producing terephthalic acid suitable for use in direct polymerization |
US06/556,161 US4594449A (en) | 1982-12-03 | 1983-11-29 | Process for producing terephthalic acid suitable for use in direct polymerization |
EP83111972A EP0111784B1 (en) | 1982-12-03 | 1983-11-29 | Process for producing terephthalic acid suitable for use in direct polymerization |
CA000442402A CA1206164A (en) | 1982-12-03 | 1983-12-01 | Process for producing terephthalic acid suitable for use in direct polymerization |
KR1019830005716A KR910003254B1 (ko) | 1982-12-03 | 1983-12-02 | 직접 중합에 적합한 테레프탈산의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57212881A JPS59104345A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 直接重合用に適したテレフタル酸の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59104345A true JPS59104345A (ja) | 1984-06-16 |
Family
ID=16629802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57212881A Pending JPS59104345A (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 直接重合用に適したテレフタル酸の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4594449A (ja) |
EP (1) | EP0111784B1 (ja) |
JP (1) | JPS59104345A (ja) |
KR (1) | KR910003254B1 (ja) |
CA (1) | CA1206164A (ja) |
DE (1) | DE3362095D1 (ja) |
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