JPS5887880A - 半導体ダイアフラム形センサ - Google Patents
半導体ダイアフラム形センサInfo
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
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- G01L13/02—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements
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- G01L19/0645—Protection against aggressive medium in general using isolation membranes, specially adapted for protection
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- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ダイアフラム形センサに係り、特に温度
特性に優れ、かつ高静圧下においてもその影響を小さく
するのに好適な構成の半導体ダイアフラム形センサに関
するものである。
特性に優れ、かつ高静圧下においてもその影響を小さく
するのに好適な構成の半導体ダイアフラム形センサに関
するものである。
半導体基板の一方の主面に不純物を拡散してピエゾ抵抗
素子を形成させたダイアフラムを圧力に応動する感圧素
子としたものは、これ捷で種々のものが提案されている
。このような素子は、半導体基板の一方の主面を中央部
と外周部とが肉厚部となシ、その間が薄肉部となるよう
に、例えばエツチングによって加工し、加工側と反対側
の基板主面−１−の薄肉部の＋１面にピエゾｔ１（抗素
子を形成して、印加圧力に対する変換感度および精度を
向上させることができる。特にピエゾ抵ＩＡ−素子を中
央肉厚部近傍と外周肉厚部近傍にそＪｌそれ２個すつ形
成し、この４個の素子をホイ−トストンブリッジ度を効
果的に向上し得る。このような半導体ダイアフラム形感
圧素子を用いることにより、従来のものに比較して高感
度、かつ、１ｆ’ｉ＋精度の差Ｆ「伝送器を製作できる
。しかし、差圧伝送器においては、感度、精度のほかに
種々の技術的課題が半導体ダイアフラム形センザにｉ果
せらｔする３、このため、上記した構成の半導体ダイア
フラム形感圧素子を用いだセンサを差圧伝送器に応用す
る場合には，上記の半導体ダイアフラムのみならず、こ
の素子の支持部拐を含めた十ノザ構成全体の検討が必要
となる。その主な課題としては。
素子を形成させたダイアフラムを圧力に応動する感圧素
子としたものは、これ捷で種々のものが提案されている
。このような素子は、半導体基板の一方の主面を中央部
と外周部とが肉厚部となシ、その間が薄肉部となるよう
に、例えばエツチングによって加工し、加工側と反対側
の基板主面−１−の薄肉部の＋１面にピエゾｔ１（抗素
子を形成して、印加圧力に対する変換感度および精度を
向上させることができる。特にピエゾ抵ＩＡ−素子を中
央肉厚部近傍と外周肉厚部近傍にそＪｌそれ２個すつ形
成し、この４個の素子をホイ−トストンブリッジ度を効
果的に向上し得る。このような半導体ダイアフラム形感
圧素子を用いることにより、従来のものに比較して高感
度、かつ、１ｆ’ｉ＋精度の差Ｆ「伝送器を製作できる
。しかし、差圧伝送器においては、感度、精度のほかに
種々の技術的課題が半導体ダイアフラム形センザにｉ果
せらｔする３、このため、上記した構成の半導体ダイア
フラム形感圧素子を用いだセンサを差圧伝送器に応用す
る場合には，上記の半導体ダイアフラムのみならず、こ
の素子の支持部拐を含めた十ノザ構成全体の検討が必要
となる。その主な課題としては。
１、温度影響の低減
特に半導体が本来有する温度特性に対する変調効果（例
えば、温度ザイクルによる零点のドリフトやヒステリシ
スなど）の低減 ２、誘導雑音の影響防止 ３、静圧影響の低減 がある。
えば、温度ザイクルによる零点のドリフトやヒステリシ
スなど）の低減 ２、誘導雑音の影響防止 ３、静圧影響の低減 がある。
本発明の目的は１上記課題を解決し７うる構成の半導体
ダイアフラム形センサを提供するにある。
ダイアフラム形センサを提供するにある。
本発明は、半導体ダイアフラムを支持する支持部材をダ
イアノラムと同じ半導体で構成し、この半導体の支持部
材とダイアノラムとの間に薄肉のガラス膜および酸化膜
を形成するようにしノーものである。
イアノラムと同じ半導体で構成し、この半導体の支持部
材とダイアノラムとの間に薄肉のガラス膜および酸化膜
を形成するようにしノーものである。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明のセンサの一実施例を示す縦断面図、第
２図は第１図の部分拡大詳細説明図で、（ａ）は平面図
、（１））は縦断面図である３、第１図において、１は
ｎ形Ｓ１単結晶からなる面方位（１ｏｏ）のダイアノラ
ム、６はこれと同じ制置からなる第１支持部拐、６１は
酸化膜、５は熱膨張係数がダイアフラム１と近似してお
り、かつ、絶縁性が高いホウケイ酸ガラスをスパッタリ
ングにより被着した薄膜、７は熱膨張係数および縦弾性
係数がダイアノラム１と近似しているＩ・’ｃ−４０％
Ｎ１合金からなる第２支持部材である。
２図は第１図の部分拡大詳細説明図で、（ａ）は平面図
、（１））は縦断面図である３、第１図において、１は
ｎ形Ｓ１単結晶からなる面方位（１ｏｏ）のダイアノラ
ム、６はこれと同じ制置からなる第１支持部拐、６１は
酸化膜、５は熱膨張係数がダイアフラム１と近似してお
り、かつ、絶縁性が高いホウケイ酸ガラスをスパッタリ
ングにより被着した薄膜、７は熱膨張係数および縦弾性
係数がダイアノラム１と近似しているＩ・’ｃ−４０％
Ｎ１合金からなる第２支持部材である。
ダイアノラム１は、第２図（２］）に示すように、中央
肉厚部１１．外周肉厚部１２．その間を溝状に加工して
形成させた薄肉部１：３をイｊシフ、肉ＪＩＷ部１１．
１２の厚さは０．３５ ｍｍとなっており、外周形状は
一辺の長さが３〜９ ｍｍのｉ、Ｅ 、）ｊ形状としで
ある。薄肉部１３は、第１図と同様、ピエゾ１１（抗素
イを配置する部分が直線部となる形：ｌＪＳに［７であ
る。
肉厚部１１．外周肉厚部１２．その間を溝状に加工して
形成させた薄肉部１：３をイｊシフ、肉ＪＩＷ部１１．
１２の厚さは０．３５ ｍｍとなっており、外周形状は
一辺の長さが３〜９ ｍｍのｉ、Ｅ 、）ｊ形状としで
ある。薄肉部１３は、第１図と同様、ピエゾ１１（抗素
イを配置する部分が直線部となる形：ｌＪＳに［７であ
る。
このような形状に加工するには、ＫＯｌｌ等のアルカリ
溶液を用いた異方性エッチノブ舌によって竹えばよい。
溶液を用いた異方性エッチノブ舌によって竹えばよい。
薄肉部１３の厚さは１例えは、差圧等の測定レンジと出
力感度に応じて決める。寸だ、精度の観点からは薄肉部
１３の内径と外径との比が重要で、０．５以」二とする
ことが肝四である。
力感度に応じて決める。寸だ、精度の観点からは薄肉部
１３の内径と外径との比が重要で、０．５以」二とする
ことが肝四である。
１４〜１７はピエゾ抵抗素子で、ピエゾ１ｊ（抗素子１
４へ・１７は、薄肉部１３−」−曲の外周肉厚部１２近
傍と中央肉厚部１１近傍とに、第２図（ａ）に示すよう
にそれぞれ２個ずつ不純物の選択的拡散によって形成し
てあり、計４個をノリブリッジ結線として使用するよう
にしである。この上う々ブリノンは、薄肉部１３」−面
に４組構成し、そのうちの１組を選択して用いる５、な
お、各ピエゾ抵抗素子１４〜１７は、それぞれ（１００
１面における最大ピエゾ感度軸である＜１１０＞軸を長
手方向とする各々平行な６本の細条を低抵抗層によって
直列に接続した構成としである。また、固定部となる外
周肉厚部１２上面には３個の感温素子１８〜２０を形成
させである。感温素子１８〜２０は、差圧伝送器のレン
ジ切換時の温度特性補償に効果的な役割をするものであ
り、ピエゾ感度がほぼ零である（１００）軸を長手方向
とする各々平行な２本の細条を低抵抗層によって直列に
接続して構成しである。２１はＳ１ダイアフラム基板に
最高電位を与えるだめのバンドである。これは、誘導雑
音の影響防止に効果的な役割を果す。２２は各素子間の
配線導体で、Ａｔ蒸着で形成しである。
４へ・１７は、薄肉部１３−」−曲の外周肉厚部１２近
傍と中央肉厚部１１近傍とに、第２図（ａ）に示すよう
にそれぞれ２個ずつ不純物の選択的拡散によって形成し
てあり、計４個をノリブリッジ結線として使用するよう
にしである。この上う々ブリノンは、薄肉部１３」−面
に４組構成し、そのうちの１組を選択して用いる５、な
お、各ピエゾ抵抗素子１４〜１７は、それぞれ（１００
１面における最大ピエゾ感度軸である＜１１０＞軸を長
手方向とする各々平行な６本の細条を低抵抗層によって
直列に接続した構成としである。また、固定部となる外
周肉厚部１２上面には３個の感温素子１８〜２０を形成
させである。感温素子１８〜２０は、差圧伝送器のレン
ジ切換時の温度特性補償に効果的な役割をするものであ
り、ピエゾ感度がほぼ零である（１００）軸を長手方向
とする各々平行な２本の細条を低抵抗層によって直列に
接続して構成しである。２１はＳ１ダイアフラム基板に
最高電位を与えるだめのバンドである。これは、誘導雑
音の影響防止に効果的な役割を果す。２２は各素子間の
配線導体で、Ａｔ蒸着で形成しである。
２３は電極パッドで、上記と同様Ａ４蒸着で形成しであ
る。
る。
第１支持部材６け感圧素子１ど同＋３質のシリコンで作
り、その上面には酸化膜６１を０．１〜１７＋ｍ形成す
る。次にスパッタリング法などによりガラス薄膜５を１
〜５１ｔｍ形成する３、 第４図に本発明の製法の概略を示ず３、−１−記の第１
支持部制に形成したガラス５の１−に前記／リコンタ”
イアフラム１を重ね合せ、温度台−３００Ｃ伺近に加熱
した状態でシリコ／ダイアフラム側を干、ガラス側を−
とし約１００■の電圧を印加することに両者を接合する
。これらの作業は約６０φのウェハの状態で行った後、
数ｌＯＯ〜数１０数１０−９ｎｒＩｎ角チツプにペレタ
イズする。
り、その上面には酸化膜６１を０．１〜１７＋ｍ形成す
る。次にスパッタリング法などによりガラス薄膜５を１
〜５１ｔｍ形成する３、 第４図に本発明の製法の概略を示ず３、−１−記の第１
支持部制に形成したガラス５の１−に前記／リコンタ”
イアフラム１を重ね合せ、温度台−３００Ｃ伺近に加熱
した状態でシリコ／ダイアフラム側を干、ガラス側を−
とし約１００■の電圧を印加することに両者を接合する
。これらの作業は約６０φのウェハの状態で行った後、
数ｌＯＯ〜数１０数１０−９ｎｒＩｎ角チツプにペレタ
イズする。
第１支持部材６」−に形成する酸化膜６１は第１にシリ
コンダイアフラノ、■との高絶縁をより確実にするため
に設ける。この」−に形成するガラス薄膜にピノホール
が発生した時には酸化膜が絶縁の機能をになうと＼もに
、温度上昇時にも十分な絶縁を確保する。第２に／リコ
ンの酸化膜はガラス薄膜との相性がよくその上には極め
て薄く、均一な薄膜ガラスが形成される。我々の実験で
は直接、シリコンの上にガラスを薄く、均一に形成する
のは難しいことが分っている。
コンダイアフラノ、■との高絶縁をより確実にするため
に設ける。この」−に形成するガラス薄膜にピノホール
が発生した時には酸化膜が絶縁の機能をになうと＼もに
、温度上昇時にも十分な絶縁を確保する。第２に／リコ
ンの酸化膜はガラス薄膜との相性がよくその上には極め
て薄く、均一な薄膜ガラスが形成される。我々の実験で
は直接、シリコンの上にガラスを薄く、均一に形成する
のは難しいことが分っている。
以上のようなプロセスにより組立てられる圧力センサは
ガラス薄膜が０．１〜数μｍと極めて薄いため周囲温度
の変化に対してほとんど全体がシリコンで作られだセン
サとして挙動する。
ガラス薄膜が０．１〜数μｍと極めて薄いため周囲温度
の変化に対してほとんど全体がシリコンで作られだセン
サとして挙動する。
圧力がダイアフラム１に印加されると、ピエゾ抵抗素子
１４ （１６）と１５ （１７）とには符号が反対で絶
対値がほぼ等しい応力が加わる。このときの各ピエゾ抵
抗素子１４〜１７の抵抗変化率に］、次式で近似できる
。
１４ （１６）と１５ （１７）とには符号が反対で絶
対値がほぼ等しい応力が加わる。このときの各ピエゾ抵
抗素子１４〜１７の抵抗変化率に］、次式で近似できる
。
ここに、π６ ；縦方向ピエゾ抵抗係数（正）πｔ ；
横方向ピエゾ抵抗係数（負） σ、；半径方向応力 σｔ ；接線方向応力 したがって、抵抗素子１４ （１６）と１５ （１７）
とはそれぞれ符号が反対で絶対値がほぼ等しい抵抗変化
を示し１圧力にほぼ比例した太きカニブリッジ出力電圧
が得られる。
横方向ピエゾ抵抗係数（負） σ、；半径方向応力 σｔ ；接線方向応力 したがって、抵抗素子１４ （１６）と１５ （１７）
とはそれぞれ符号が反対で絶対値がほぼ等しい抵抗変化
を示し１圧力にほぼ比例した太きカニブリッジ出力電圧
が得られる。
ところで、本発明者等がセンサの静圧影響を受ける原因
を検討する過程で、ｌ００Ｋｑ／（１ｎ２の静圧を印加
した状態でのタイアフラＡ ｌの薄肉部１３の応力分布
を削９した結果、第４図がイ（Ｉられた。第５図におい
で、ダイアフラノ・ｌの薄肉部１３の両端部に応力差が
ある場合、１−記の原理によりブリノン出力電圧が変化
するが、肉厚ガラスとした場合の応力はそれぞれσ、′
、σ、′曲線で示すようになり、本発明の実施例の場合
のぞわはそれぞれ０１″、σ、″曲線で示すようになり
、その差が明白である。なお１本発明者肴Ｃ１かかる応
力計算結果にもとづいた出力言１勢イＩＩ′１．すなわ
ち、静圧影響値は実測値とよく一致することを確認して
いる。
を検討する過程で、ｌ００Ｋｑ／（１ｎ２の静圧を印加
した状態でのタイアフラＡ ｌの薄肉部１３の応力分布
を削９した結果、第４図がイ（Ｉられた。第５図におい
で、ダイアフラノ・ｌの薄肉部１３の両端部に応力差が
ある場合、１−記の原理によりブリノン出力電圧が変化
するが、肉厚ガラスとした場合の応力はそれぞれσ、′
、σ、′曲線で示すようになり、本発明の実施例の場合
のぞわはそれぞれ０１″、σ、″曲線で示すようになり
、その差が明白である。なお１本発明者肴Ｃ１かかる応
力計算結果にもとづいた出力言１勢イＩＩ′１．すなわ
ち、静圧影響値は実測値とよく一致することを確認して
いる。
第５図は温度特性の測定結果を示すクラブである。ゲー
ジブリッジは定電圧励起の場合である。
ジブリッジは定電圧励起の場合である。
Ａは０３５ｍのンリコ／グイアフラノ・を肉厚のガラス
て作った支持部利に接着した試料の特性、［３は本発明
の薄膜ガラスを用いた試料の’ｌｋ！； ｌ’ｌを示ず
。
て作った支持部利に接着した試料の特性、［３は本発明
の薄膜ガラスを用いた試料の’ｌｋ！； ｌ’ｌを示ず
。
Ａの特性が勾配ａ、曲りりを示す理由はノリコンダイア
フラムと第１支持部材間の熱膨張係数差にあることが分
っており、本発明の構造は前述のように両者がシリコン
でできている上１介在するガラスの熱膨張係数がシリコ
ンと若干ちがっても、その厚さが約１μｍと極めて薄い
ため影響を受けることなく理想的な温度特性を示すもの
である。
フラムと第１支持部材間の熱膨張係数差にあることが分
っており、本発明の構造は前述のように両者がシリコン
でできている上１介在するガラスの熱膨張係数がシリコ
ンと若干ちがっても、その厚さが約１μｍと極めて薄い
ため影響を受けることなく理想的な温度特性を示すもの
である。
第６図は本発明をウニ・・状態で接合した後、ペレタイ
ズする場合の一部断面構造を示したもので各ペレット間
には深い溝がグイサーで切込捷れてゆき、最後にブレイ
クして切離される。
ズする場合の一部断面構造を示したもので各ペレット間
には深い溝がグイサーで切込捷れてゆき、最後にブレイ
クして切離される。
以上述へた本発明の圧カセ／すの特長は、センサ構造材
料の点で、ノリコンダイアフラムと近似しだ熱膨張をも
：）３Ｉｌ！珪酸ガラスの薄膜を介してシリコン製の第
１支持部材に接合される故（１）性能的に静圧影響を受
けない。
料の点で、ノリコンダイアフラムと近似しだ熱膨張をも
：）３Ｉｌ！珪酸ガラスの薄膜を介してシリコン製の第
１支持部材に接合される故（１）性能的に静圧影響を受
けない。
（２）温度特性が良好で補償不要。
が挙げられ、高静圧用の差圧伝送器に使用する圧（９）
カセンザが４に供できる９、
第１図は本発明の）１″−導体ダイア−ノンｊ・形セン
サの一実施例を示す縦断面図、第２図は第１図の部分拡
大詳細説明図で、 （、Ｉ）は平面図、（１））は縦断
面図。 第３図は製造プロセスを示す図、第４図はダイアフラム
薄肉部の応力分布図、第５図は温度と出力電圧との関係
を示す図、第６図←１、製造過程を示す図である。 １・・半導体ダイアフラノ・、５・・ガーンス薄膜、６
・・・第１支持部材、７・・・第２支持部４Ｊ、ｚ・・
・中央肉厚部、１２・・外周肉厚部、１３・・・薄肉部
、１４〜（１０） 第１図 第２−図 １’ｕ）
サの一実施例を示す縦断面図、第２図は第１図の部分拡
大詳細説明図で、 （、Ｉ）は平面図、（１））は縦断
面図。 第３図は製造プロセスを示す図、第４図はダイアフラム
薄肉部の応力分布図、第５図は温度と出力電圧との関係
を示す図、第６図←１、製造過程を示す図である。 １・・半導体ダイアフラノ・、５・・ガーンス薄膜、６
・・・第１支持部材、７・・・第２支持部４Ｊ、ｚ・・
・中央肉厚部、１２・・外周肉厚部、１３・・・薄肉部
、１４〜（１０） 第１図 第２−図 １’ｕ）
Claims (1)
- １、ピエゾ抵抗素子を有する半導体のダイアフラム、こ
のダイアフラムを支持する半導体の支持部材、この支持
部材とダイアフラムとの間に形成されたガラス薄膜、こ
のガラス薄膜と前記支持部材との間に形成された酸化膜
とより構成したことを特徴とする半導体ダイアフラム形
センサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56185292A JPS5887880A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 半導体ダイアフラム形センサ |
| CA000415846A CA1193464A (en) | 1981-11-20 | 1982-11-18 | Semiconductor pressure transducer |
| DE8282110712T DE3276595D1 (en) | 1981-11-20 | 1982-11-19 | Semiconductor pressure transducer |
| EP82110712A EP0080186B1 (en) | 1981-11-20 | 1982-11-19 | Semiconductor pressure transducer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56185292A JPS5887880A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 半導体ダイアフラム形センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887880A true JPS5887880A (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=16168299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56185292A Pending JPS5887880A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 半導体ダイアフラム形センサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0080186B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5887880A (ja) |
| CA (1) | CA1193464A (ja) |
| DE (1) | DE3276595D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009020377A3 (en) * | 2007-08-09 | 2009-04-16 | Mdt Co Ltd | Saw sensor |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6183930A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-28 | Toshiba Corp | 圧力・差圧伝送器 |
| US4672853A (en) * | 1984-10-30 | 1987-06-16 | Burr-Brown Corporation | Apparatus and method for a pressure-sensitive device |
| FI84401C (fi) * | 1987-05-08 | 1991-11-25 | Vaisala Oy | Kapacitiv tryckgivarkonstruktion. |
| US4909083A (en) * | 1989-06-26 | 1990-03-20 | Itt Corporation | Pressure/differential pressure measuring device |
| US4970898A (en) * | 1989-09-20 | 1990-11-20 | Rosemount Inc. | Pressure transmitter with flame isolating plug |
| US5287746A (en) * | 1992-04-14 | 1994-02-22 | Rosemount Inc. | Modular transmitter with flame arresting header |
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| US9310267B2 (en) * | 2014-02-28 | 2016-04-12 | Measurement Specialities, Inc. | Differential pressure sensor |
Citations (1)
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| JPS56131966A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-15 | Nissan Motor Co Ltd | Method for bonding semiconductor chip |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU505804B2 (en) * | 1975-09-30 | 1979-12-06 | Tokyo Shibaura Electric Co. Suz | Pressure gauge |
| DE2617731C3 (de) * | 1976-04-23 | 1979-06-07 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Miniaturdruckmeßwandler |
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| JPS5687196A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-15 | Hitachi Ltd | Differential pressure transmitter |
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| JPS5855732A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-02 | Hitachi Ltd | 静電容量型圧力センサ |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP56185292A patent/JPS5887880A/ja active Pending
-
1982
- 1982-11-18 CA CA000415846A patent/CA1193464A/en not_active Expired
- 1982-11-19 DE DE8282110712T patent/DE3276595D1/de not_active Expired
- 1982-11-19 EP EP82110712A patent/EP0080186B1/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56131966A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-15 | Nissan Motor Co Ltd | Method for bonding semiconductor chip |
Cited By (1)
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| WO2009020377A3 (en) * | 2007-08-09 | 2009-04-16 | Mdt Co Ltd | Saw sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1193464A (en) | 1985-09-17 |
| EP0080186A3 (en) | 1984-04-25 |
| EP0080186B1 (en) | 1987-06-16 |
| DE3276595D1 (en) | 1987-07-23 |
| EP0080186A2 (en) | 1983-06-01 |
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