[go: up one dir, main page]

JPS5883271A - プロ−ブ・ヘツド - Google Patents

プロ−ブ・ヘツド

Info

Publication number
JPS5883271A
JPS5883271A JP57162409A JP16240982A JPS5883271A JP S5883271 A JPS5883271 A JP S5883271A JP 57162409 A JP57162409 A JP 57162409A JP 16240982 A JP16240982 A JP 16240982A JP S5883271 A JPS5883271 A JP S5883271A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor
finger
probe head
line
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP57162409A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH028273B2 (ja
Inventor
カ−ル・アツシユ
ヨハン・グレシユナ−
ミハエル・カルメイヤ−
ヴエルナ−・クルツケ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPS5883271A publication Critical patent/JPS5883271A/ja
Publication of JPH028273B2 publication Critical patent/JPH028273B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07357Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with flexible bodies, e.g. buckling beams

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 のプローブ・ヘッドを複数の密接して隣接嘔れた細い導
体線もしくは接点パッドに対して接触させ、短絡部及び
断線部を検出するためのグローブ・ヘッド装置に係る。
信号遅延の故に、コンピュータのスイッチング・スピー
ドがますます大となるにつれて、1固々の回路の間の結
線をそれに応じて短くすることが必要とされているっそ
の結果として、回路の微小化及び高密度が進められてき
た。20層以上からなり、1 0000以上の導体線が
一体に焼成嘔れたセラミック・モジュール上に半導体回
路が取付けられるようになってついわゆるカードもしく
はボードと呼ばれる次の配線段階においても同じような
発展が見られるっこれらのカードも又各々およ(100
00の導体線を有するいくつかの樹脂層の積層体からな
っている。
したがってモジュール及びカードは非常に複雑な構造を
有し、完成器は相当高価なものとなる。
一つの層における導体線内の欠陥部はこれらのコンポー
ネントの機能を修復しえない程度に破壊しうる。しかも
導体線が見出された欠陥部は修復しなければならなかっ
た。発見でれた欠陥部は導体線の断線部であるか、或い
は導体線の間の短絡部であるっ基本的に、各導体線は他
の線に関してテスト嘔れねばならない。即ち10000
の導体線を用いることは0.5X:10’回の絶縁テス
トを行なわ々ければならないことを意味する。
導体線のすべてもしくは少くとも大きな部分が同時に接
触されうるならば、必要と式れるテストの数を相当域じ
ることができる。これは一つの導体線のすべての他の連
帯して短絡した導体線に対する絶縁テストを行うことが
できるからでるる。
その場合のテストは例えば僅か10000回の絶縁テス
ト及び10000回のパス・テストが含まれるに過ぎな
いっ 必要な機能テストを実施するために、すべての導線もし
くは接点パッドを同時に接触嘔せることか公知である(
例えば陽画特許第2559004号)。この公知の装置
に従って、キャリヤ・プレート上に喉除きうる状態に設
けられた、異ったプローブ接点パターン及び同じプロー
ブ接点パターンを有する複数個の異ったプローブ・ヘッ
ドが公するキャリヤ・グレートが大きな回路部分へ降下
されるっプローブ・ヘッドはプログラムきれたテストル
ーチンを実施するためにコンピュータへ異った母線を介
して接続でれる。プローブ・ヘッドの接点パッドはテス
トされるべきカードの接点パッド及び導体線へ垂直に降
下嘔れた弾性接点よりなるっそれらはいくつかの部分か
らなり、テスト1れるべき導体線パターンもしくは接点
パッドのパターンに正確に対応するバクーン状にプロー
ブ・ヘッドにおいて配列されている。このように弾性的
に配列式れたプローブ・ヘッドの接点パッドのパターン
はテストでれるべきパターンに依存している。
複数の密接して配列された導体条片を首尾よく接触1せ
るために、接点条片において鋭角にばね・ワイヤを設け
るととが公知である。そのばね・ワイヤは偏りを1ける
ために横方向にくし状に設けられているっ各々個々の接
点条片は一定の位置において対応するばね・ワイヤを有
するっ全体的な装置はテスト・ユニットではないっDE
−O82359149においてセラミック基板に設けら
ね、プリント導体線によって相互に接続てれた電気接点
をテストするための装置が示でれている。その装置は相
互にくし状に対面して配列てれる、プリント回路カード
上の二つの導体パターンからなる接点グリッドよりなろ
う異なるくし状の導体線に属する二つの隣接する導体の
間の距離はビンの型をとる接触嘔れるべき接点の半径よ
りも小をいっこれらの接触てれた接点は導体パターンの
各々二つの部分を接触させ、よってブリッジ回路の二つ
の分岐点が相互に接続てれる。そのブリッジ回路の一つ
の分岐点を介して接点へ電流が指向嘔れ、ブリッジ回路
の他の分岐点はテスト逼れるべき接点の抵抗を測定する
ために用いられるっこの様な装置は非常に多数の導体線
及び接点パッドについて断線部及び短絡部をテストする
ためには用いられないっ 本発明は多くの個々の部品からなる複雑な弾性接点が回
避嘔れ、導体線もしくは接点パッドのパターンに関する
固定した関係が克服でれ、よってテストされるべきユニ
ットの高速テストが可能となり、改良てれた及び公知の
技術によって容易に形成嘔れうるプローブ・ヘッドを有
するグローブ・ヘッド装置を与えることを目的とする。
本発明の利点はプローブ・ヘッドの接点が、導体線に関
して固定した位置を有です、シリコンからなる一体の指
状体でおるという点にめるっ芒らに導体線ハターン上に
正確に指状体を整列式せる必要がないこと、用いられる
材料によって指状体のガイドをする必要がないこと、テ
ストされ、証明されそして完成された技術に従って指状
体を作ることができることが利点として挙げられるっ本
発明によるプローブ・ヘッド装置の本質的な利点は異っ
た形状のテスト物体をテストするための非常に融通性の
ある装置が用いられる点にある。
第1図は平行な導体線2を有するテストされるべきカー
ド1を示す。これらの導体線2は導体線間の短絡部及び
もしくは導体線の断線部についてテストが行われる。テ
ストのために本発明に従って設計妊ねたプローブ・ヘッ
ド装置のいくつかのプローブ・ヘッド3が示?れるっこ
れらは導体線2を横切る方向に配列てれ、これらの線に
接触するっ各々のプローブ・ヘッド3は後部5でもって
くし状に接続てれた複数の指状部4からなるっ後部5も
また第1図において破線で不埒れる電気的回路6を構成
することができる。
第2図はテストてれるべきカードの部分を示す図でめる
っその導体線の上に、指状部4、後部5ならびに破線で
芥子れ4集積回路6を有するプローブ・ヘッド3が設け
られているっ一実施例において、指状部4は長−qt及
び幅すを有する。導体の幅Bけ二つの導体の間の距離に
対応するっ実施例において、指状部の幅す及び二つの隣
接する指状部の間の距離は同じである。1−シてそれら
の寸法は一つの導体線幅Bにおいて、位置に関係なく面
に三つの指状部が一つの導体線に接触し、三つの指状部
が二つの導体線の間の空間1’lるような寸法であるっ 第1図に芥子れるように、導体線2けカードの表面の上
に持ち上げられた状態にあるっこれら第6図における導
体線高さHに対応する。第6図はテヌト埒れるべきカー
ド1の導体線に関するプローブ・ヘッド6の傾斜した配
列を示すっ一つの指状部4が直線状に曲げられない状態
で芥子れているっこの指状部4は第2図において二つの
導体線の間に6る指状部に対応する。破線で芥子れ、参
照番号4aで芥子れる指状部は導体′IIM2の上に配
置嘔れる指状部の一つであって、加えられた圧力によっ
て曲げられるっ実施例において、この屈曲Idfでおる
っ指状部4は後部4と一体的に形成芒れカード1に対し
て傾斜された状態に設けられるっこの傾斜した位置を保
障するために、甥らにこの屈曲fのための最大限度を固
定するために、グローブ・ヘッド3はその後部5が台部
7の幾何学形状に従って配−される、これによってカー
ド1の導体線2に対してプローブ・ヘッド3を接触きせ
る場合、最大屈曲f  を超えることがない。台AX 部1j絶嘘材により形成きれるっ 自由端部において力F及び接触圧力P=F/b2が加え
られる一端において固定でれた棒状体の関係に従って、
第2図及び第3図に示てれるような/リコン・プローブ
・ヘッド3の典型的な寸法例は第4図の自由端部におい
て次式で示てれる屈曲fを生ぜしめる。
最大の屈曲は次の式で与えられる。
上記の二つの式において、 fは指状部の端部の屈曲 tは指状部の長嘔を、 bは指状部の幅を、 hけ指状部の4嘔を、 Fは指状部末端部において加えられた力を、・P = 
F / b 2は導体線における接触圧力を、巳は弾性
率を、 kBは許容しうる屈曲応力を、 ’MAX”破壊前の最大屈曲を示す。
安全な範囲にあるためには、では常に雰τfMAXの範
囲にあるべきでめるっ 導体線幅B           60 pm指状部幅
b            1Gpm指状部厚嘔h  
         10μm導体線高嘔H50μm (、、=:導体線に接触する指状部の屈曲f)導体線上
の指状部め接触圧力P  1ON/crn2導体線間の
指状部の接触圧力   ON/cm’弾性率E シリコ
ン    1.7 X 107N/crn2kB   
        3 X 10 ’ N7cm2上記の
条件のもとにおいて、計算きれた指状部の長さはL =
 1.3 mmでるる。
破壊前の最大屈曲はf   =200μmとして計AX 算され、導体線高さHよシも6倍大きい。
第4図において、プローブ・ヘッドの部分がカード1の
部分の上に配置された様子が示でれている。このプロー
ブ・ヘッド5は後部5から指状部の先端にかけて傾斜し
た幅を有する指状部4からなる。第4図のプローブ・ヘ
ッド3と第2図及び第5図のプローブ・ヘッド3との間
の芒らに他の相違点は導体線に関連する指状部の先端の
距離が同じでないという点VC6る。・第4図の例にお
いては、一つの個々の指状部4のみがその下の導体線2
に接触する。指状部の先端部から後部5への指状部4の
幅の増大によって、第2図及び第6図の構成に比べて一
定の接触圧力のもとにおける破壊耐性が増加する。
所要の微小寸法を有する複数個の指状部を備えた本発明
に従うグローブ・ヘッドは第5図に関連して以下に説明
でれるように微小シリコン技術を用いることによって形
成場れる。プローブ・ヘッド6の所要の長石に対応する
シリコン基板10において、制御論理部20が配置され
る。この制御論理部20は以下において詳細に説明され
る。それはIC技術における公知の方法に従ってシリコ
ン基板に形成場れそして配11嘔れる。制御論理部20
は、指状部4との線接触を助長するためにプローブ・ヘ
ッドの全長を超えて後部5の長手方向に伸びることが好
ましい。10crnを超える寸法の市販のシリコン・ウ
ェハを用いることによってべ一ヌ・ウェハの寸法に従っ
て10crn乃至Fiそれ以上のプローブ・ヘッドを形
成することができる。
シリコン基板10へ制御論理部が配置されたのち、指状
部4及びそれらの基部の領域において層11部分が形成
される。これは1020ホウ素原子/m3に高度にドー
プされた領域である。その深さに関連して、それは指状
部4の将来的な厚さhより数μmだけ厚い。この層11
が第5A図において示でれている。
ホ) IJソゲラフ技術によって、指状部4の間の部分
12が高度にホウ素でドープ嘔れた11からエツチング
嘔れる。8i0□層がマスクとして用いられる。中間領
域12Fiホウ素でドープされた層11からシリコン基
板10のドープされていない材料の領域内へ深一方向に
切断芒れる。とねidA・/CL 2雰囲気において異
方性反応イオン・エツチングを用いることによって行わ
れうる。その結果が第5B図に芥子れている。
次にシリコン基板10の界面即ち下方面がSin21m
15で被覆きれる。続いてドープ芒れていない7リコン
が高度にドープされた/1i11まで、第5C図に示き
れるように指状部4までエツチングでねる。こねはエチ
レンジアミン、ピロカテコール及び水を用いる異方性の
優先的ウェット・エツチングによって行われる。第5D
図は出来上った指状部4及び僅かに拡大嘔れた接点パッ
ド領域を示す。第5D図は指状部4に対して各々2つの
導体線14が接続てれ、それを通して指状部が制御論理
部20の回路へ接続される様子を示している。
第5E図において仕上げられたグローブ・ヘッドが示き
れる。第5C図に見られる破線15は高度にホウ素でド
ープでれた層11の残りの領域を表わす。
領域11における高度にドープされたシリコンによって
、指状部4の電気的抵抗は非常に小でい。
1020原子/ cm 3のホウ素をドープした場合、
シリコンはρ、1O−30dの抵抗率を有するにすぎな
い。指状部に関する上記の寸法1 = 1.3mm、 
 b=10pm、b=10pmの場合、およそ0.01
Ωの直列抵抗が生じる。この抵抗は使用目的に対して十
分に低い抵抗である。従って導電率の観点から、指状部
の上に付加的な金属被覆体を設ける必要がない。しかし
ながら弾性の観点からして、金属被覆を用いる事が有利
である。
多重導体線及び接点パッドを用いてカードを電気的にテ
ストする為に、第1図に示される様に、導体線の方向に
沿っていくつかのプローブ・ヘッド3が用いられる。導
体線は個々のプローブ・ヘッド3によって接触でれ、他
の導体線に対する導通及びもしくは断線がテストされる
。その為に、プローブ・ヘッドは幅がくし状部の長さく
例えば10m)の長さに対応する通路に沿って配列され
る。個々のプローブ・ヘッド30間の距離は欠陥部が抽
出される、それらの間の最大導体線長爆もしくは最大導
体線長さた対応する。もしもテストでれるべきカード1
がプローブ・ヘッド3の長でよりも大きいならば、相互
に横方向に一線にもしくはたがい違いにいくつかのくし
状部を配置してカードの幅をカバーする事が出来る。
第6図に示てれるテスター構成の例に於いて、電気的な
テスト・ルーチン及びそれを実施する為に必要な制御論
理を以下に於いて詳述する。
第6図に示てれるテスター構成は32個のプローブ・ヘ
ッド1乃至′52(各々2048本の指状部と集積制御
論理を有する)を用いている。更にテスタはホスト・コ
ンピュータ40に接続された16ビツト・マイコン50
を有する。各プローブ・ヘッドは関連するプログラマブ
ル周辺インターフェース(PP、I)1ないし32を介
してデータ母線61、アドレス母線52、及び制御母線
33へ接続でれる。PPIの目的は各々個々のプローブ
・ヘッドのデータ、アドレス及び制御線を夫々マイコン
60に適合嘔せる事にある。
第7図に図示でれるグローブ・ヘッド用の集積化プロー
ブ論理部に関連して、個々のデータ、アドレス及び制御
線並びに機能的接続が以下に於いて説明される。各くし
状部の後部5に集積でれた回路論理部20は破線で芥子
′れ、個々のプローブへ線14を介して接続される。制
御論理20は入力側に11のアドレス線(ADRO乃至
ADRlo)を有し、出力側に2048の制御線1乃至
2048を有するアドレス・デコーダ21を備えている
。これらの出力線の各々は1つの個々の指状部4に関連
付けられたメモリ・セルFF1乃至FF2o48に関連
付けられている。個々のメモリ・セルFFNは、全てに
共通の線DATAKよって入力側に於いて制御される。
このデータ線上の論理“1#はストローブ・パルスの負
の傾斜部でもって、アドレスされたメモリ・セルFFN
をセットする。このデータ線上の論理″0″はストロー
ブ・パルスの負の傾斜部でもって、アドレス嘔れたメモ
リ・セルをリセットする。この目的から、入力側に於い
て全てのメモリ・セルへ与えられた他の線″STROB
g ’が設けられ、それによってデータがデータ線に於
いてアドレスてれたメモリ・セル内へ読み込まれる。全
てのメモリ・セルFF 乃至FF     の共同セツ
ティングの為に1    2048 他の#″’ PRESIIET ’が設けられている。
”RESET ”線を介して、全てのメモリ・セルラ一
体的にリセットする事が出来る。IC論理部20は更に
、SET線によってセットされ、RESET線によって
リセットされる、全ての指状部に共通のメモ1島セルF
 F cを含む。更Kit流源22が用いられる。こね
はENABLE線によって制御でれオン、オフにスィッ
チされる。電流源22は共通母線(BUSl)を介して
直接もしくは所定の指状部を介して、他、端部に設けら
れた出力線E1を有する第1のレシーバ23へ接続され
る。もう一つの母線(BUS2)力へ出力側に出力部E
2を有する第2のレシーバ24へ接続される。各々個々
の指状部4は5つの関連するスイッチSW1、SW2及
びSW3を有する。これらのスイッチはMOS型のスイ
ッチを用いうる。スイッチSW1、SW2及び5W5H
ランダムにアドレスしうるメモリ・セルFF  乃至F
F     によつ1    2048 て、或いは共通のメモ!JFFoKよって制御きれる。
動作の際において指状部nのスィッチ5W1nH常Km
部n + 1のスイッチSW2ど共にスイッチでれる。
指状部はスイッチSW1を介して、共通の電源/レシー
バflUs1へ接続される。これは下記のテスト即ち1
導体線挟出(find  conductorline
) ”、“短絡”及び“断線″の為に行なわれる。スイ
ッチSW2及びSW3を介して、関連する指状部が“導
体線捜出”テストの為に複数のレシーバBUS2へ接続
される。
複数のスイッチSW3のみが一体的に付勢されうる。ス
イッチSW1及びSW2は個々のメモリ・セルFF  
乃至FF     のランダムなアト1    204
8  ・ レシングによって、もしくはそれらの共通入力線PRg
SIETKよって付勢される。Rgsg’r線における
信号によって、スイッチSW1及び5W2V1、それら
のメモリ・セルを介して、全てが同時に開く。
従って、電流源22のための実際の供給線は別にして、
回路論理部、20は、一実施例のプローブ・ヘッドに関
して、2048のアドレス可能な指状部に対してわずか
に20本の接続線を必要とするに過ぎない。
以下に於いて、種々のテスト(最初に“導体線捜出テス
ト”、次に”機能テスト2)が説明でれる。
”導体線抄出テスト”に於いて、共通導体線に於ける個
々の指状部のアドレスが識別でれる。その為に、共通メ
モリFFoによって全てのスイッチSW3がスイッチ・
オフてれる。入力線SET上に信号が現われる。結果と
して、スイッチSW1 及びスイッチSW2    も
またメモリ・セn           n + 1 ルFF1のアドレシングによってオフ状態となる。
よって指状部1がBUS 1へ、指状部2がBUS2へ
(一般的に云えば指状部nがBUSlへ、指状部n +
 1がBUS2へ)接続てれる。次いで電流源22が線
ENABLIIE上の信号によって付勢てれる。
もしも指状部n及びn + 1が共通導体線上にあるな
らば、レシーバ24によって信号が受は取られる。もし
も指状部が共通導体線上にないならば、レシーバ24は
信号を受は取らない。
このテストはn = 1ないしn==204’8でもっ
て実施される。“機能(functional)テスト
”はプローブ・ヘッド3のIC論理部20のチェックの
為に用いられる。このテストは゛導体線捜出”テストの
様に実施される。但し、テスト物体上にプローブ・ヘッ
ドを配置しない。
とのテストの任意時点に於いて、BUS2を介してレシ
ーバ24によって信号が受は取られる場合、アドレス嘔
れた指状部の間に短絡部が存在する。
第1のレシーバ23は、電流源22をテストするために
、母線BUSIKよって用いる事ができる。受は取られ
た信号はそれら自体の電流源からのものであるか、ある
いは間隔を置いて配置された導体線を介して他のプロー
ブ・ヘッドの電流源から到来したものでるる。
“断線テスト“は導体線の端初部から最終部までの導体
線の中断のない接続状態をテストする為に用いられる。
そのために、信号RES FATによって共通のメモリ
・セルFFcでもって全てのスイッチSW3が対応する
線において開状態Klれる。続いて、個々の導体線の端
初部に於いて配列されているグローブ・ヘッドの指状部
のスイッチSW1が閉成でれる。よってこの指状部、あ
るいはこれらの複数の指状部がBUS 1へ接続される
。よって、その関連する導体線の終端部に配置されるプ
ローブ・ヘッドの指状部(単数もしくは複数)のスイッ
チSW1が閉成甥れる。この様にして、対応する指状部
が対応するレシーバBUS1へ再び接続される。続いて
、導体線の端初部にあるプローブ・ヘッドの電流源22
が付勢される。もしも導体線が中断でれないならば、導
体線端部に関連付けられたそのプローブ・ヘッドの第1
のレシーバ23に於いて信号が受は取られる。さもない
場合は、信号は存在し゛ない。
導体線の端初部に関連付けられるそれらの指状部及びプ
ローブ・ヘッドのデータは、テストされるべき関連カー
ドの対応するデータ及び先行する゛導体線抄出テスト”
に於いて検出されたデータから、ホスト・コンピュータ
40によって発生される。導体線の終端部に関するデー
タは、テスト物体のデータからホスト・コンピュータ4
0によって発生嘔れる。
”短絡テスト″はテストされるべき導体線の一つが他の
導体線に接触しているか、いないかを見出す事を目的と
する。
その目的を達成すべく、共通のメモリ・セルFF によ
って、線RESEI:T上の信号により全てのスイッチ
SW3が開状態となる。続いて導体線の端初部に於いて
配列でれるプローブ・ヘッドの指状部nのスイッチSW
1が閉成嘔れる。よって、その導体線はBUSlによっ
て対応する電流源22へ接続される。次に、関連する導
体線上の次のグローブ・ヘッドの全てのスイッチSW1
及びSW2が閉成嘔れ、テストされるべき導体線上に指
状部が配置されたもののスイッチSW1及びSW2のみ
が開状態にさ・れ、個々の導体線の端初部に於いて配置
されたプローブ・ヘッドの電流源22が付勢される。
関連するプローブ・ヘッドの下に於い上池の導体練に対
する接続状態が存在するならば、第2のグローブ・ヘッ
ドの第1のレシーバ25に於いて信号が受信される。も
しもこの状態が生じないならば、信号は受信されない。
このテストは、テストされるべき導体線上に配列てれる
全てのプローブ・ヘッドを用いて実施芒れるべきである
IX)・コンピュータ40のデータに関−tルーy−−
タ・フォーマットは、マイクロコンピュータ30が、テ
ストてれるべきカードの部分の導体線にt’A−jるデ
ータをホスト・コンピュータ40から受は嘔り、記憶す
る様に構成される。各プローブ・ヘッド、sep、マイ
クロコンピュータ30へ2049のダブルワードが転送
てれる。それらのワードは1データ・ブロックを表わす
1指状部あたりのデータは32ピツトであって、次の様
に構成甥れる。
ビット0乃至15Viビツト0乃至4に於けるプローブ
・ヘッド・アドレスとビット5乃至15に於ける指状部
アドレスに分割てれるデータよりなる。ビット16乃至
31はプローブ・ヘッド及び指状部のアドレスに再び分
割てれる導体線端部のアドレスを含む。
もしもビット0乃至15に於ける及びビット16乃至3
1に於けるデータが0に等しくないならば、これは導体
線がこのプローブ・ヘッドの下から始まり、所定の導体
線及びアトレアに於いて成端する事を意味する。もしも
、ビット0乃至15のみに於いて、データが0に等しく
ないならば、これは導体線がよシ下位のアドレスを有す
るプローブ・ヘッドに於いて始まり、このプローブ・ヘ
ッドに於いては成端しない事を意味する。
ホスト・コンピュータからは、夫々ビット0乃至4及び
16乃至20に於けるデータのみが転送でれ、それ自体
のプローブ・ヘッド・アドレスは、それが既にデータ・
ブロックを介して与えられているので、冗長でるる。
個々の指状部の下において導体線が予知嘔れないならば
、ビット0乃□至4におけるデータHaである。
データが0に等しくなく、同じ導体線上の次のグローブ
・ヘッド・アドレスを示す場合、この情報は短絡テスト
の為に必要である。
もしもビット0乃至4におけるデータがそれら自体のプ
ローブ・ヘッド・アドレスを示すならば、導体線はその
場で終端する。
ビット16乃至20のデータは導体線の端部を示すプロ
ーブ・ヘッド・アドレスよりなる。それらのデータは断
線テストに於いてはビット27乃至31の内容と共に用
いられる。
ビット5乃至15(指状部のアドレスを示す)け゛°導
体線捜出″テテスもしくは後の相関関係テストに於いて
発生ブれて、マイクロコンピュータによって用いられる
更にビット21乃至31(指状部アドレスもしくは導体
線数)は、もしも個々の指状部アドレスにおけるホスト
・コンピュータ・データのビット16乃至20が0に等
しいならば、相関関係テストノ後ニマイクロqンピュー
タによって転送でれる。
データ・ブロックあたり1ダブル・ワード(ビット0乃
至15がプローブ・ヘッド下の予期でれた導体線の数よ
シなシ、ビット16乃至51がそのプローブ・ヘッドの
下に於いて始まる導体線の数よりなる)が転送される。
導体線捜出テスト及び相関関係テストの後、データ・ブ
ロックが完了し、指状部ろたシのデータが次の様にして
用いられる。
もしもビット5乃至15が0でないならば、これは導体
線が指状部の下において見出された事を意味する。その
データは指状部アドレスを示す。
もしもビット0乃至4がOK等しくないならば、またも
しもそれらがそれら自体のグローブ゛・ヘッド・アドレ
スを示さないならば、この導体線は同じ指状部アドレス
の下あるいは同じ導体線数に於ける対応するプローブ・
ヘッドに於いて再配置する事ができる。もしもデータが
それ自体のプローブ・ヘッド・アドレスに対応するなら
ば、導体線はそこで終端する。もしもビット16乃至2
0が0に等しくないならば、導体線は丁度処理中のプd
−ブ・ヘッドの下に於いて始まり、アドレスがビット1
6乃至20の内容によって定められるプローブ・ヘッド
に於いて終端する。もしも0乃至4のビットがOに等し
ければ、これは、指状部の下に於いて導体線が見出嘔れ
たが、それが予測1されていなかった事を意味する。も
しもビット5乃至15が0に等しいならば、これは指状
部の下に導体線が捜出てれなかった事を意味する。もし
もビット0乃至4が0に等しいならば、この指状部の下
に於いて導体線は予期系れなかった事を示す。
もしもビット0乃至4が0に等しくないならば、この指
状部の下に於いて導体線が予期系れたが、それが捜出さ
れなかった事を示す。
マイクロコンピュータ30は1導体線捜出テスト”に於
いて導体線データを発生し、それらをホスト・コンピュ
ータのデータとは別個に記憶する。
データ幅は指状部あたり8ビツトである。
データ・バイトに0が存在するならば、これは指状部の
下に導体線が捜出されなかった事を示す。
OK等しくないデータは指状部の下に於いて導体線が捜
出でれた事を示す。導体線データ・アドレスは個々の指
状部アドレスと同一である。導体線データ記憶部はわず
かに2049バイト幅であって、“導体線捜出テスト”
及び“相関関係テスト”の後において、それは次のプロ
ーブ・ヘッドの導体線データがプローブ・ヘッド毎にマ
イクロコンピュータ30に重ねて書き込まれる(ove
rwritten)。
ホスト・コンピュータのデータに関し、メモリの寸法は
4にワード/プローブ・ヘッド−128にワード/セグ
メントである。マイクロコンピュータに関し、これは2
にバイト=1にワード/セグメント(1ワードは16ピ
ツト)となる。
マイクロコンピュータ−チー#フローフーヘッド1に於
いてはじまる“導体線捜出テスト”に於いて前述した様
にして発生される。捜出てれた導体線の数は0から1へ
の遷移(transition)の和によって得られる
相関関係テストに於いて、捜出された導体線の数はホス
ト・コンピュータ40のデータによって与えられた予期
された導体線の数と比較きれる。
もしも含まれる数が等しくないならばエラー表示が呈せ
られる。もしも捜出1れた導体線及び予期てれた導体線
の数が等しいならば、ホスト・コンピュータによって予
じめ与えられた導体線パターンに関する捜出てれた導体
線のパターンのシフトを最小にする為に相−関係処理が
行なわれる。
次にもしも十分な相関関係が存在するならば、マイクロ
コンピュータに於いて0に等しい導体線データの指状部
アドレスが対応するビット5乃至15及び20乃至31
へ転送される。
断線テストに於いて、どの線を匡正すべきかの情報を含
むホスト・コンピュータのデータについての質問が行な
われる。これは導体線開始データ0、プローブ・ヘッド
及び指状部のアドレスOK関し、プローブ・ヘッド1、
指状部1に於いて開始される。導体線端部のための関連
するフィールドはプローブ・ヘッド及び指状部のアドレ
ス(導体線端部のロケーション)を含ム。
短絡テストに於いて、導体線開始データが再び0に関し
て質問てれる。プローブ・ヘッド・アドレスの為のフィ
ールド(ビット0乃至4)に於けるデータは同じ導体線
上に配列てれた次のプローブ・ヘッドのアドレスを含む
。続いて、断線テストに於ける様にそのプロセスが続け
られる。
種々のテストに関して、次に示すテスト時間が、マイク
ロ秒の平均命令時間、32プローブ・ヘッド/セグメン
トを用いて得られた。
およそ7命令/指状部=7X2048’x32x1ζ−
60000μ秒/セグメント= 460 m秒/セグメ
ント相関関係テスト およそ10ステートメント/指状部=10X2048X
32X1=660000μ秒/セグメント=660rr
1秒/セグメント およそ20ステートメント/指状部=2’0X1000
X1=20000μ秒/セグメント=20m秒/セグメ
ント短絡テスト (1000導体線/セグメント−中間的導体線長さ=P
os  およ−10×  テスト時間=200m秒/セ
グメント1540m秒/セグメント これらのテスト時間は、本発明によって非常に大型且つ
複雑なカードを元ストするに要する時間が極めて短縮て
れた時間となる事を示す。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第4図はテヌ11れるべきカード上にプロー
ブ・ヘッドが配置てれた様子を示す図、第5A図乃至第
5E図はプローブ・ヘッドを作成するステップを示す図
、第6図はテスターの構成を示す図、第7図はグローブ
・ヘッド内に集積された回路のブロック図である。 1・・・・カード、2・・・・導体線、3・・・・プロ
ーブ・ヘッド、4・・・・指状部、5・・・・後部。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)近接して配置でれた細い導体線もしくは接点パッ
    ドの短絡部およびもしくは断線部を検出するための、複
    数の弾性指状部を有する全体としてくし状のグローブ・
    ヘッドでろって、上記くし状のプローブ・ヘッドがシリ
    コンで構成てれてなる事を特徴とするプローブ・ヘッド
  2. (2)  シリコンが単結晶シリコンである特許請求の
    範囲(1)項記載のプローブ・ヘッド。
  3. (3)<L状のプローブ・ヘッドがその内部に集積てれ
    た論理回路およびもしくはデコード回路を有する、特許
    請求の範囲(1)項記載のプローブ・ヘッドっ
JP57162409A 1981-10-30 1982-09-20 プロ−ブ・ヘツド Granted JPS5883271A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP81109373.1 1981-10-30
EP81109373A EP0078339B1 (de) 1981-10-30 1981-10-30 Tastkopfanordnung für Leiterzugüberprüfung mit mindestens einem, eine Vielzahl von federnden Kontakten aufweisenden Tastkopf

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5883271A true JPS5883271A (ja) 1983-05-19
JPH028273B2 JPH028273B2 (ja) 1990-02-23

Family

ID=8187992

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57162409A Granted JPS5883271A (ja) 1981-10-30 1982-09-20 プロ−ブ・ヘツド

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4520314A (ja)
EP (1) EP0078339B1 (ja)
JP (1) JPS5883271A (ja)
DE (1) DE3175044D1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03122570A (ja) * 1989-10-05 1991-05-24 Takeda Sangyo Kk プローブカード
JP2003509695A (ja) * 1999-09-15 2003-03-11 カプレス アクティーゼルスカブ 高分解能位置決めおよび多探針プローブの位置決め用ナノドライブ
JP2009081060A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Nok Corp 燃料電池用配線取付構造及び燃料電池用配線

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3414968C2 (de) * 1984-04-19 1986-07-10 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur Ermittlung der unbekannten Zuordnung von Feldkoordinaten der Kontaktnadeln eines Kontaktnadelfeldes eines Prüflingsadapters zu den Adressen der Kontaktnadeln in einem Verdrahtungs-Prüfautomaten
US4842539A (en) * 1988-08-01 1989-06-27 Westinghouse Electric Corp. Strand-to-strand short circuit tester
US5070297A (en) * 1990-06-04 1991-12-03 Texas Instruments Incorporated Full wafer integrated circuit testing device
GB2249639A (en) * 1990-09-06 1992-05-13 Digital Equipment Int Testing printed circuit boards
US5172050A (en) * 1991-02-15 1992-12-15 Motorola, Inc. Micromachined semiconductor probe card
US5177439A (en) * 1991-08-30 1993-01-05 U.S. Philips Corporation Probe card for testing unencapsulated semiconductor devices
US5293516A (en) * 1992-01-28 1994-03-08 International Business Machines Corporation Multiprobe apparatus
DE9314259U1 (de) * 1992-09-29 1994-02-10 Tektronix, Inc., Wilsonville, Oreg. Sondenadapter für elektonische Bauelemente
EP0626720B1 (de) * 1993-05-28 2000-03-08 International Business Machines Corporation Verfahren zur Herstellung eines Plattenstapels aus direkt miteinander verbundenen Siliziumplatten
US5326428A (en) * 1993-09-03 1994-07-05 Micron Semiconductor, Inc. Method for testing semiconductor circuitry for operability and method of forming apparatus for testing semiconductor circuitry for operability
US5625299A (en) * 1995-02-03 1997-04-29 Uhling; Thomas F. Multiple lead analog voltage probe with high signal integrity over a wide band width
US6232789B1 (en) 1997-05-28 2001-05-15 Cascade Microtech, Inc. Probe holder for low current measurements
US5659483A (en) * 1996-07-12 1997-08-19 National Center For Manufacturing Sciences System and method for analyzing conductor formation processes
US6245444B1 (en) 1997-10-02 2001-06-12 New Jersey Institute Of Technology Micromachined element and method of fabrication thereof
DE19808664C2 (de) * 1998-03-02 2002-03-14 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltung und Verfahren zu ihrer Prüfung
US7304486B2 (en) 1998-07-08 2007-12-04 Capres A/S Nano-drive for high resolution positioning and for positioning of a multi-point probe
EP1095282B1 (en) * 1998-07-08 2007-09-19 Capres Aps Multi-point probe
US6232669B1 (en) * 1999-10-12 2001-05-15 Advantest Corp. Contact structure having silicon finger contactors and total stack-up structure using same
JP2001174482A (ja) * 1999-12-21 2001-06-29 Toshiba Corp 電気的特性評価用接触針、プローブ構造体、プローブカード、および電気的特性評価用接触針の製造方法
DE10143173A1 (de) 2000-12-04 2002-06-06 Cascade Microtech Inc Wafersonde
US6977515B2 (en) * 2001-09-20 2005-12-20 Wentworth Laboratories, Inc. Method for forming photo-defined micro electrical contacts
US6906540B2 (en) * 2001-09-20 2005-06-14 Wentworth Laboratories, Inc. Method for chemically etching photo-defined micro electrical contacts
US7394265B2 (en) * 2002-01-25 2008-07-01 Advantest Corp. Flat portions of a probe card flattened to have same vertical level with one another by compensating the unevenness of a substrate and each identical height needle being mounted on the corresponding flat portion through an adhesive
AU2003233659A1 (en) 2002-05-23 2003-12-12 Cascade Microtech, Inc. Probe for testing a device under test
US7057404B2 (en) * 2003-05-23 2006-06-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Shielded probe for testing a device under test
KR100960496B1 (ko) * 2003-10-31 2010-06-01 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자의 러빙방법
CN100595598C (zh) 2003-11-14 2010-03-24 温特沃斯实验室公司 带有集成装配辅助装置的模头
US7427868B2 (en) 2003-12-24 2008-09-23 Cascade Microtech, Inc. Active wafer probe
JP2005201813A (ja) * 2004-01-16 2005-07-28 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体検査装置及びコンタクトの製造方法
DE202005021435U1 (de) 2004-09-13 2008-02-28 Cascade Microtech, Inc., Beaverton Doppelseitige Prüfaufbauten
EP1932003A2 (en) 2005-06-13 2008-06-18 Cascade Microtech, Inc. Wideband active-passive differential signal probe
WO2007146285A2 (en) * 2006-06-09 2007-12-21 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probe with integral balun
US7723999B2 (en) 2006-06-12 2010-05-25 Cascade Microtech, Inc. Calibration structures for differential signal probing
US7764072B2 (en) 2006-06-12 2010-07-27 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probing system
US7403028B2 (en) * 2006-06-12 2008-07-22 Cascade Microtech, Inc. Test structure and probe for differential signals
US7439751B2 (en) * 2006-09-27 2008-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co, Ltd. Apparatus and method for testing conductive bumps
US7970971B2 (en) * 2007-01-30 2011-06-28 Finisar Corporation Tapping systems and methods
US7876114B2 (en) 2007-08-08 2011-01-25 Cascade Microtech, Inc. Differential waveguide probe
TW201109677A (en) * 2009-06-03 2011-03-16 Camtek Ltd Method and system for measuring electrical properties of an electric circuit
DE102011008261A1 (de) 2011-01-11 2012-07-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Schiene für die elektrische Kontaktierung eines elektrisch leitfähigen Substrates
CN112526179B (zh) * 2020-11-30 2022-01-21 强一半导体(苏州)有限公司 一种楔块调幅探针卡及其主体

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3806801A (en) * 1972-12-26 1974-04-23 Ibm Probe contactor having buckling beam probes
US3851161A (en) * 1973-05-07 1974-11-26 Burroughs Corp Continuity network testing and fault isolating
US3906363A (en) * 1974-09-09 1975-09-16 Richard O Fowler Circuit board continuity testing device
US3963985A (en) * 1974-12-12 1976-06-15 International Business Machines Corporation Probe device having probe heads and method of adjusting distances between probe heads
US4063172A (en) * 1976-06-01 1977-12-13 International Business Machines Corporation Multiple site, differential displacement, surface contacting assembly
US4177425A (en) * 1977-09-06 1979-12-04 Seymour Lenz Multiple contact electrical test probe assembly
US4182937A (en) * 1978-09-21 1980-01-08 International Standard Electric Corp. Mechanically biased semiconductor strain sensitive microphone

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03122570A (ja) * 1989-10-05 1991-05-24 Takeda Sangyo Kk プローブカード
JP2003509695A (ja) * 1999-09-15 2003-03-11 カプレス アクティーゼルスカブ 高分解能位置決めおよび多探針プローブの位置決め用ナノドライブ
JP2009081060A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Nok Corp 燃料電池用配線取付構造及び燃料電池用配線

Also Published As

Publication number Publication date
US4520314A (en) 1985-05-28
EP0078339A1 (de) 1983-05-11
JPH028273B2 (ja) 1990-02-23
DE3175044D1 (en) 1986-09-04
EP0078339B1 (de) 1986-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5883271A (ja) プロ−ブ・ヘツド
US6357018B1 (en) Method and apparatus for determining continuity and integrity of a RAMBUS channel in a computer system
US4799009A (en) Semiconductor testing device
US4055735A (en) Touch sensitive device
JP2501746B2 (ja) ディスク駆動装置
JPH04130639A (ja) プローブカードの触針とウェーハとの接触検出方法および検出装置
CN101154609B (zh) 凸块测试单元、装置及测试方法
US4019129A (en) Metallic plating testing apparatus
US4173736A (en) Capacitance detecting system and method for testing wire connections
US20020133765A1 (en) Memory testing method and apparatus
US6810492B2 (en) Apparatus and system for recovery of useful areas of partially defective direct rambus RIMM components
JPS612338A (ja) 検査装置
JPH1166246A (ja) コネクタの不完全装着検出装置
CN209946360U (zh) 一种用于排线的测试转接板及测试系统
JPH10115653A (ja) 導通検査装置及びその検査方法及びその検査プローブ
JPS6036969A (ja) プローブ・ケーブル
JPS6266499A (ja) 固定値メモリのプログラミング装置
JPS6361965A (ja) パタ−ン基板の検査方法および装置
JPH11133090A (ja) 基板検査装置および基板検査方法
Sokolich 4465972 Connection arrangement for printed circuit board testing apparatus
JPS59116891A (ja) Lsiカ−ド
Tatematsu 4464750 Semiconductor memory device
JPH06309860A (ja) 半導体記憶装置
JPS63237190A (ja) Icカ−ド読取り・書込み装置用接点接触検査
JPH01219918A (ja) 電子機器