JPS5864093A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
- Publication number
- JPS5864093A JPS5864093A JP16273781A JP16273781A JPS5864093A JP S5864093 A JPS5864093 A JP S5864093A JP 16273781 A JP16273781 A JP 16273781A JP 16273781 A JP16273781 A JP 16273781A JP S5864093 A JPS5864093 A JP S5864093A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- green sheet
- wiring board
- sintered
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、複数個の集積回路チップを搭載するための多
層配線基板に関するものである。
層配線基板に関するものである。
従来、この種の多層配線基板は、グリーンシート積層法
による第1の方法、グリーンシート印刷法による第2の
方法、さらには通常の厚膜技術とスパッタリング、ホト
リングラフィ及びメッキ・エツチング技術との組合せに
よる第3の方法などで製造されている。
による第1の方法、グリーンシート印刷法による第2の
方法、さらには通常の厚膜技術とスパッタリング、ホト
リングラフィ及びメッキ・エツチング技術との組合せに
よる第3の方法などで製造されている。
グリーンシート積層法による第1の方法では。
アルミナを主成分とした粉末に有機・々インダを混合し
、シート状に成形、した未焼結セラミックシートいわゆ
るグリーンシートに、W(タングステン)・MO(モリ
ブデン)またはNo −Mn (モリブデン−マンガン
)などの高耐熱金属の粉末を主成分とする導体ペースト
をスクリーン印刷したものを積層し。
、シート状に成形、した未焼結セラミックシートいわゆ
るグリーンシートに、W(タングステン)・MO(モリ
ブデン)またはNo −Mn (モリブデン−マンガン
)などの高耐熱金属の粉末を主成分とする導体ペースト
をスクリーン印刷したものを積層し。
不活性雰囲気または還元雰囲気中で1400〜1600
℃の高温で焼結して多層配線基板を製造する。また、グ
リーンシート印刷法による第2の方法で杜、グリーンシ
ート上に、前記導体ペーストと、アルミナを主成分とし
た絶縁イーストとを。
℃の高温で焼結して多層配線基板を製造する。また、グ
リーンシート印刷法による第2の方法で杜、グリーンシ
ート上に、前記導体ペーストと、アルミナを主成分とし
た絶縁イーストとを。
交互に印刷・乾燥し、多層構造を形成し、前記グリーン
シート積層法と同様の雰囲気および温度で焼成して多層
配線基板とする。さらに、上記第3の方法では、30趣
〜50μm幅の微細接続パタ−ンを実現するために、焼
結アルミナ基板上に。
シート積層法と同様の雰囲気および温度で焼成して多層
配線基板とする。さらに、上記第3の方法では、30趣
〜50μm幅の微細接続パタ−ンを実現するために、焼
結アルミナ基板上に。
Ti/Pd/Au (チタン/パラジュー入/金)やC
y/Cu/Cu(クロム/銅/銅)などの導体をス・母
ツタリング、ホトリソグラフィおよびメッキ、エツチン
グ技術により形成し、絶縁層は、金属酸化物や結晶化ガ
ラスなどの混合物を主成分とした。絶縁ペーストで+7
’OO〜950℃程度の温度で焼成して形成し、これら
の形成工程を交互に繰返すことにより多層配線基板を得
る。
y/Cu/Cu(クロム/銅/銅)などの導体をス・母
ツタリング、ホトリソグラフィおよびメッキ、エツチン
グ技術により形成し、絶縁層は、金属酸化物や結晶化ガ
ラスなどの混合物を主成分とした。絶縁ペーストで+7
’OO〜950℃程度の温度で焼成して形成し、これら
の形成工程を交互に繰返すことにより多層配線基板を得
る。
しかしながら、コンピュータ用の配線基板などのような
種類の異なったグリーンの配線を多層必要とするような
場合、′グリーンシート積層法による第1の方法では、
眉間の接続をするための多数のスルーホールをあけるた
めに、高精度のパンチング型を必要と′したシ、ドリル
によって精度良く。
種類の異なったグリーンの配線を多層必要とするような
場合、′グリーンシート積層法による第1の方法では、
眉間の接続をするための多数のスルーホールをあけるた
めに、高精度のパンチング型を必要と′したシ、ドリル
によって精度良く。
1個1個穴あけをしなければならず、いずれにしても製
造コストが高くなってしまう。他方、グリーンシート印
刷法による第2の方法では、前記のようなノeンチング
型や、1個1個穴あけする必要はないが1層数が多くな
ると印刷による表面の凹凸が大きくなシ層数に限界があ
る。また、これら2つの方法では、1400〜1600
℃という高温で焼結する必要があるため、導体として使
用できる金属がW + Moまたは、Mo−Mnなど抵
抗率の大きなものに限定されるために細い一信号線では
、抵抗が大き過ぎて使用できない場合もある。特に10
0μm程度以下の微細信号A’ターンを形成することは
困難である。また、上記第3の方法では、を信号パター
ンの微細化は可能であるが、下地金属のスi4 ツタリ
ングや、ホトレジスト−のコーティング、露光現像さら
に導体金属のメッキ、不用導体のエツチングなど、工程
が複雑でちるため、多数の層を全て、この繰シ返しで形
成することは、製造コスト。
造コストが高くなってしまう。他方、グリーンシート印
刷法による第2の方法では、前記のようなノeンチング
型や、1個1個穴あけする必要はないが1層数が多くな
ると印刷による表面の凹凸が大きくなシ層数に限界があ
る。また、これら2つの方法では、1400〜1600
℃という高温で焼結する必要があるため、導体として使
用できる金属がW + Moまたは、Mo−Mnなど抵
抗率の大きなものに限定されるために細い一信号線では
、抵抗が大き過ぎて使用できない場合もある。特に10
0μm程度以下の微細信号A’ターンを形成することは
困難である。また、上記第3の方法では、を信号パター
ンの微細化は可能であるが、下地金属のスi4 ツタリ
ングや、ホトレジスト−のコーティング、露光現像さら
に導体金属のメッキ、不用導体のエツチングなど、工程
が複雑でちるため、多数の層を全て、この繰シ返しで形
成することは、製造コスト。
製造工程などの点で不利となる。
本発明の目的は、高密度で製造コストの安価な。
電気抵抗の小さい多層配線基板を提供することにある。
本発明によれば、比較的高温で焼結された耐熱性導体ペ
ーストからなる微細化不要な第1の導体1?ターンを有
する。上記比較的高温で焼結されたセラミック基板と、
比較的低温での焼成に耐え得る抵抗率の小さい微細な第
2の導体パターンを有する。上記比較的低温で焼成され
た絶縁層とを含み、上記第1の導体・母ターンを有する
上記セラミック基板上に、上記第2の導体パターンを有
する上記絶縁層が形成され、か゛つ該第1の導体パター
ンと該第2の導体パターンとの所定部分が互に接続され
たことを特徴とす尿多層配線基板が得られる。
ーストからなる微細化不要な第1の導体1?ターンを有
する。上記比較的高温で焼結されたセラミック基板と、
比較的低温での焼成に耐え得る抵抗率の小さい微細な第
2の導体パターンを有する。上記比較的低温で焼成され
た絶縁層とを含み、上記第1の導体・母ターンを有する
上記セラミック基板上に、上記第2の導体パターンを有
する上記絶縁層が形成され、か゛つ該第1の導体パター
ンと該第2の導体パターンとの所定部分が互に接続され
たことを特徴とす尿多層配線基板が得られる。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
後述する本発明の一実施例では、まず、電源やグランド
・ぐターンなど、微細化の必要がなく、共通化できる第
1の導体・母ターンを共通化し、該第1の導体パターン
を、比較的容易に安く製造できるグリーンシート法で形
成する。そして、その上にi−線などの微細な個別の第
2の導体・リーンを、スノeツダリング、ホトリソグラ
フィおよびメッキ技術などにより形成し、絶縁層は、−
金属酸化物や結晶化ガラスなどの混合物を主成分とする
。
・ぐターンなど、微細化の必要がなく、共通化できる第
1の導体・母ターンを共通化し、該第1の導体パターン
を、比較的容易に安く製造できるグリーンシート法で形
成する。そして、その上にi−線などの微細な個別の第
2の導体・リーンを、スノeツダリング、ホトリソグラ
フィおよびメッキ技術などにより形成し、絶縁層は、−
金属酸化物や結晶化ガラスなどの混合物を主成分とする
。
上記グリーンシート法に対して比較的低温で焼成可能准
材料を用いて多層化し、微細接続を行なう。
材料を用いて多層化し、微細接続を行なう。
この際、微細な第2の導体A’夕、−ンには上記比較的
低温での焼成に耐え得る抵抗率の小さい導体材料を用い
る0このようにして、高密度で安価な。
低温での焼成に耐え得る抵抗率の小さい導体材料を用い
る0このようにして、高密度で安価な。
電気抵抗の小さい多層配線基板が得られる。
以下本発すの一実施例を第1図を参照しながら詳細に説
明する。
明する。
第1図(、)を参照すると、パンチ型などにより。
穴あけ加工の成された未焼結セラミックシート。
いわゆるグリーンシー)1,2.および3に、W。
MoまたはMo−Mnなどの耐熱性金属の粉末を主成分
とする導体ペースト4,5および6を印刷することによ
シ、未焼結印刷セラミックシート10,20゜30を得
る。次に、第2図(b)に示すように、未焼結印刷セラ
ミックシート、io、2oおよび30を積層し、N2t
たは(N2+H2)ガスなどの不活性雰囲気または還元
雰囲気中で、x′4oo〜1600℃の温度で焼結する
と、いわゆるグリーンシート法による多層セラミック基
板40が得られる。ここで。
とする導体ペースト4,5および6を印刷することによ
シ、未焼結印刷セラミックシート10,20゜30を得
る。次に、第2図(b)に示すように、未焼結印刷セラ
ミックシート、io、2oおよび30を積層し、N2t
たは(N2+H2)ガスなどの不活性雰囲気または還元
雰囲気中で、x′4oo〜1600℃の温度で焼結する
と、いわゆるグリーンシート法による多層セラミック基
板40が得られる。ここで。
第1図(b)において 1/、 2/、 37は焼結セ
ラミック。
ラミック。
4/、 5/、 6/は焼結導体ペーストである。
電源やグランドツヤターンなどでは、特に微細化する必
要もなく、またノ4ターンを共通化することが可能でち
るので製造コストも安く、容易に実現することが可能で
あるため、このような方法でこれらのパターンを形成す
ることが有利である。尚。
要もなく、またノ4ターンを共通化することが可能でち
るので製造コストも安く、容易に実現することが可能で
あるため、このような方法でこれらのパターンを形成す
ることが有利である。尚。
本実施例では、グリーンシート積層法について述べてい
るが、グリーンシート印刷法によって、これら、電源、
グランドパターンを形成してもよい。
るが、グリーンシート印刷法によって、これら、電源、
グランドパターンを形成してもよい。
次に、第1図(c)に示すように、前記のグリーンシー
ト法によ多形成された七°ラミック基板40の上に、ス
パッタリング、ホトリングラフィおよびメッキ、エツチ
ング技術などによりAuまたはCuなどの金属で信号線
などの導体・母ターン7を形成する。そして、その上に
、第1図(d)に示すように。
ト法によ多形成された七°ラミック基板40の上に、ス
パッタリング、ホトリングラフィおよびメッキ、エツチ
ング技術などによりAuまたはCuなどの金属で信号線
などの導体・母ターン7を形成する。そして、その上に
、第1図(d)に示すように。
金属酸化物や結晶化ガラスの粉末の混合物を生成へ
分とする絶縁ペーストを塗布し、N2また・は、 (N
2+H2)ガスなどの不活性雰囲気または、還元雰囲気
中で、700〜950℃の温度で焼成し、絶縁層8を形
成する。さらにその上に、第1図(、)及び(f)に示
すように、導体ノぐターン9.11.13および絶縁層
12.14などを同様の方法で、順次、繰返し形成する
ことによって多層配線基板50が実現できる。
2+H2)ガスなどの不活性雰囲気または、還元雰囲気
中で、700〜950℃の温度で焼成し、絶縁層8を形
成する。さらにその上に、第1図(、)及び(f)に示
すように、導体ノぐターン9.11.13および絶縁層
12.14などを同様の方法で、順次、繰返し形成する
ことによって多層配線基板50が実現できる。
ホトリングラフィおよびメッキ、エツチング技術などに
よシ、グリーンシート法では、不可能である30〜50
μm幅程度の信号線も容易に実現でき、しかも、不活性
雰囲気または還元雰囲気中での、700〜950℃の温
度での焼成のため、 AuやCuなどの電気抵抗率の小
さい金属が導体として使用できるため、微細なパターン
でも電気抵抗が小さな配線基板となる。
よシ、グリーンシート法では、不可能である30〜50
μm幅程度の信号線も容易に実現でき、しかも、不活性
雰囲気または還元雰囲気中での、700〜950℃の温
度での焼成のため、 AuやCuなどの電気抵抗率の小
さい金属が導体として使用できるため、微細なパターン
でも電気抵抗が小さな配線基板となる。
以上は、グリーンシート法による3層セラミツ小
り基板上に、ユ;トリソグラフィおよびメッキ・エツチ
ング技術による導体層、4層の場合について説明したが
、他の異なった層数の構成であっても良いととはいうま
でもない。
ング技術による導体層、4層の場合について説明したが
、他の異なった層数の構成であっても良いととはいうま
でもない。
本発明は2以上説明したように、高密度で、製造コスト
の安価°t、電気抵抗の小さい接続を可能、 とする多
層配線基板ができるという効果がある。
の安価°t、電気抵抗の小さい接続を可能、 とする多
層配線基板ができるという効果がある。
第1図は1本発明の一実施例の製造過程を部分的に示す
断面図である。 1 、2”、 3・・・未焼結セラミツ”クシート、1
′、r21゜3′・・・焼結セラミック、4.5.6・
・・導体ペースト。 4/ 、 5/ 、 5/・・・焼結された導体ペース
ト、7,9゜11.13・・・導体パターン、10.2
0.30・・・未焼結印刷セラミックシー)、8,12
.14・・・絶縁層、40・・・多層セラミック基板、
50・・・多層配線基板。
断面図である。 1 、2”、 3・・・未焼結セラミツ”クシート、1
′、r21゜3′・・・焼結セラミック、4.5.6・
・・導体ペースト。 4/ 、 5/ 、 5/・・・焼結された導体ペース
ト、7,9゜11.13・・・導体パターン、10.2
0.30・・・未焼結印刷セラミックシー)、8,12
.14・・・絶縁層、40・・・多層セラミック基板、
50・・・多層配線基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 比較的高温で焼結された耐熱性導体ペーストから
なる微細化不要な第1の導体ツクターンを有する。上記
比較的高温で焼結されたセラミック基板と、比較的低温
での焼成に耐え得る抵抗率の小さい微細な第2の導体パ
ターンを有する。上記比較的低温で焼成された絶縁層と
を含み、上記第1の導体ノ4ターンを有する上記セラミ
ック基板上に。 上記第2の導体/4’ターンを有する上記絶縁層が形成
され、かつ該第1の導体/4’ターンと該第2の導体パ
ターンとの所定部分が互に接続されたことを特徴とする
多層配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16273781A JPS5864093A (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16273781A JPS5864093A (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 多層配線基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5864093A true JPS5864093A (ja) | 1983-04-16 |
Family
ID=15760298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16273781A Pending JPS5864093A (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5864093A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60178695A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-12 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 電気的相互接続パツケ−ジ |
JPS60201688A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | 株式会社住友金属セラミックス | 厚膜薄膜混成集積回路用基板 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5028655A (ja) * | 1973-07-17 | 1975-03-24 |
-
1981
- 1981-10-14 JP JP16273781A patent/JPS5864093A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5028655A (ja) * | 1973-07-17 | 1975-03-24 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60178695A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-12 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 電気的相互接続パツケ−ジ |
JPS60201688A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | 株式会社住友金属セラミックス | 厚膜薄膜混成集積回路用基板 |
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