JPS58217991A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）発明の技術分野 本発明は表示装置に係り、特に各表示画素が個々に駆動
回路を有するいわゆるディスプレイモジュールに関する
。

（ｂ）　　技術の背景 近年半導体基板表面に表示素子ならびにそれ等素子に対
する駆動回路を一体的に集積化したＥＬ表示素子が研究
開発されている。。

第１図（ａ）はこの挿ＥＬ表示装置の従来のｌｌＩ！素
分の構成の要部を概念的に示した断面図であって、シリ
コンのような例えばＰ型半導体基板１上には当然集積化
されるべきスイッチング素子としてのＭＯＳ）ランジス
タ（以下ＭＯ３Ｔと略称する）２０およびそれと並んで
、当該基板１の一生面上に設けられたｒ型高不純物ドー
プ層３を二対向して例えば二酸化シリコン（３１０２）
層２で絶縁されているポリシリコン祖極４が設けられて
いる。そしてこれら両者の」−面にはさらにＳｉ　Ｏ，
層６を介して表示媒体であるＥＬ層９が配設されてあり
、その上面はインジウム錫酸化物（Ｉ　Ｔｏ）層８で覆
われていて、図中で表示部として示した部分は前記１１
０層とＡｔ’ｒ（Ｌ極７との間に電圧が印加されて発光
する部分である。なお、５および１０は当該ＫＬ層の光
を遮光するための例えば遮光膜である。

（ｅ）　　従来技術と問題点 ところでこのようなＥＬモジュールは１ｊＳ１図（ｂ）
をこ示したような等価回路をこまって表わされるもので
、スキャンラインに印加されるパルス電圧が高レベルと
なれば、まずＭＯ３ＴＱ＋がオンとなるために、これに
同期してデータラインに別のパルス電圧を与えてこれが
高レベルとなれば容量ｃ８が充電されてＭＯ８Ｔ　Ｑ２
がオンとなる。ここで端子３ｏにはｉｎｎ　ｖ程度の交
流電圧が印加されているために、ＭＯ３Ｔ　Ｑ、がオン
となればＥＬは発光し、これはＭＯ５ＴＱ＋がオフにな
った後でも容量ＣＳが充電されている間持続する。なお
、ＤｚはＭＯ８ＴＱｙの絶縁破壊防止用としてのツェナ
ーダイオードであり、容量λＣ５ｊｉｆｉ’Ｈ図（ａ）
中のポリシリコン層４とＰ＋型高不純物ドープ層３との
間で形成されるようになっている。ちなみにに記容量Ｃ
％は第１図（ｂ）の等価回路の複数個で形成されるアク
ティブマトリックス回路を１フレームの間選択状態に維
持せしめるためのものである。

そして」ユ記Ｅ　Ｌを消去させたい時には再びスキャン
ラインに高レベルのパルスを印加すれば容量（：＊ｌ＋
の重荷はＭＯ５Ｔ（Ｊ＋　　のデータラインを通って放
電されるめでＭＯ８Ｔ　Ｑ、はオフとなりＥＬは消去さ
れる。

通常前記容量Ｑは広い面積を必要とするために表示部つ
まり画素部分の下部に第１図（ａ）に示したような形で
形成される、 しかし最近は表示装置の分解能を高めたりまた大型化を
はかる傾向が生じて来ているが、そうなると単位面積当
りの画素寸法を小さくして画素数を増加せしめる必要が
生じて来る。こうなると上記画素つまり表示部の寸法縮
小に伴なって容量Ｃｓの占有面積も小さくしなければな
らなくなるが、画素数が増加して来ると１フレ一ム期間
を長くする必要、したがって賽Ｑｃｍの占有面積を逆に
大版くしなければならなくなるという相反する条件が生
じて来る。そしてこの容置Ｃｑの増大が実現しないとな
ればｊフレーム周期の間、表示を保持できなくなり、面
平均輝度の低下をまねくことになる。

（ｄ）　　発明の目的　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　、　１本発明は上記従来の欠点に鑑
み、アクティブマトリックス回路の各画素に受光素子を
内蔵させることにより容量Ｃｓを不要にすることにある
。

（ｅ）　　発明の構成 そしそこの目的は本発明によれば、スキャンラインとデ
ータラインにそれぞれつながれたアドレス用スイッチン
グ素子によって、画素対応の発光素子に対する駆動用Ａ
Ｃ’４圧の供給をオンオフ制御する複数のドライバ用ス
イッチング素子を選択動作させるようにした構成に、１
３いて、前記発光素子に近接して各画素ごとに受光素子
を配設し、該受光素子の受光出力により発光素子に対す
る駆動用ＡＣ電圧の供給をオン状態に維持せしめるよう
番こしたことを特徴とする表示装置によって達成される
。

＜ｆ）　　発明の実施例 以下本発明の実施例を図面を用いて詳述する。

第２図（ａ）は本発明の表示装置の要部回路図を、また
第２図（ｂ）は本発明に係る表示装置の要部構造をそれ
ぞれ示す断面図である。

まず第２図（ｂ）から説明して行くとシリコン基板ｌの
上面には受光素子である例えば硫化カドミウム（ＣｄＳ
）などの膜２２がパターニングされて被着されて粘りそ
の上面は５１０２膜２で覆われている。

そして上記受光素子の直上部にはＩＴＯ膜あるいは金（
Ａｌ１）、アルミニウム（Ａ／、）などの透光性薄膜２
３ａがＥＬ層９の一方の電極として配設されてお雁 り、ＥＬ層９の上面は他方の電１１ｔ２３ｂで覆われて
表示部を形成している。

そしてこの部分が第２図（→中の３３として示した部分
である。

今、第２図（ａ）の端子３１に電圧を加え、リセット時
にＥＬ駆動電圧をオフするためのＭＯ５ＴＱ４をオンと
しておく。そしてこの第２図（ａ）に示した画素が非選
択状態にあれば、これを選択状態とするためにはＭＯ８
ＴｔＪ＋のゲートにスキャンラインからスキャンパルス
を加え、それに同期してＭＯ８ＴＱ＋のドレインΦノに
データラインからデータパルスを加える。こうすればＭ
Ｏ３Ｔ（ｂはオンとなり、データパルスはＭＯ８ＴＱ３
のゲー１−　（Ｇ）に印加され、当該ＭＯ３Ｔ　Ｑ、は
オンとなっているのであるが、この場合ＭＯ８Ｔ　Ｑ、
もまたオンとなっているためにＥＬには端子３０に印加
された１００　Ｖ程度の交流電圧がかかりつづけ発光を
行う。ここで駆動条件としてはＭｏｓＴ　Ｑ＋　＋　Ｑ
ｓがオンしている期間がＥＬ駆動のＡＣパルス周期より
長く、また受光素子Ｒｐの光キャリヤのライフタイムが
ＥＬ駆動パルス周期より充分長い必要がある。

そしてこの画素をリセットするためにはＭＯ３ＴＱ、を
オフ番こすればよい。この方法としてはＭＯ８ＴＱｎ　
Ｑ３を例えばｐチャンネル型とするならばＭＯ５ＴＱ４
をｎチャンネルデプレッション型とし１本手前のスキャ
ンラインにＭＯ５ＴＱ４のゲートを接続する等の方法が
ある。

ｔＪＳ３図は本発明の変形実施例を示すもので、３３と
して示した部分の構造は第２図（ｂ）と何ら変わるとこ
ろはなく、変わっているのは受光素子Ｒ２をドライバと
してのＭＯ５ＴＱｇのゲートと当該ＭＯ３ＴＱ。

をオンするのに充分な電圧ｖ１１を印加した消去パスラ
イン３６との間番こ接続した点である。

この場合ＥＬが発光すると受光素子Ｒ，がオンとなり端
子３５かも供給されている電圧ＶｎがＭ　ＯＳ　Ｔ　Ｑ
ｓのゲートに印加され、当該ＭＯ８ＴＱｓがオンとなる
ためにＥＬの発光状態が維持される。

この第３図に示した変形実施例では、個々の画素のリセ
ット用ＭＯ５Ｔが不必隅となり、３６として示した各列
をリセットする場合には、各列ごとに消去パスラインを
設はリセット時に電圧ｖＩ＋を零としてやればよく、こ
れによってマトリックス措成素子数を減少せしめること
ができる。

（ｇ＞　　発明の効果 以上、詳細番こ説明したように、本発明の表示装置筺を
用いれば大なる面積を必要どする容量Ｃ５を不要とでき
、そのために高分解能のものとしなり大型化が容易とな
るので実用上多大の効果が期待できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ｒ）Ｉ　（ｂ）はそれぞれ従来の表示装置の４
＃造を示す断面図ならびをこ結線図、第２図（ａ）、　
（ｂ）は木兄明番こ係る表示装置の結線図と要部断面図
、第３１ 図は本発明の一変形実施例を示す。 図において、ｌはハ板、２，６はＳ、Ｏ，層、３は不純
物ドープ層、４はポリシリコン電極、５おおび１０は遮
光膜、７はＡ１屯極、８はＩＴＯ層、９はＥＬ層である
、 第２図（０） 第２図（ｂ） 第３図 ヂ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. スキャンラインとデータラインにそれぞれつながれたア
   ドレス用スイッチング素子によって、画素対応の発光素
   子に対する駆動用ＡＣ電圧の供給をオンオフ制御する複
   数のドライバ用スイッチング素子を選択動作させるよう
   にした構成において、前記発光素子に近接して各画素ご
   とに受光素子を配設し、該受光素子の受光出力により発
   光素子に対する駆動用ＡＣ電圧の供給をオン状態に維持
   せしめるようにしたことを特徴とする表示装置。