JPS58141433A - 磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高密度記録ができる金属薄膜からなる磁気記
録媒体とその製造方法に＠Ｌ、更に詳しくは近年実用化
研究の盛んな―直磁気記鎌方式に好適な非磁性ｆｉｌｌ
：上に価抗磁力層と−直ｍ気異方性を有するコバル）（
Ｃｏ）・クロム（Ｃｒ）合飯膜からなる磁気記録層（以
下ゝ垂直磁化層′という）とを順次積層した磁気記母媒
の一気記録媒体は、Ｉ＆！直磁気記録方弐においてｊＩ
ｋ極型へ７ドによ′すて効率良（記録できる垂直磁気記
録媒体とし″Ｃ％開昭５４−５１８０４号公報に提案さ
れ−Ｃいる。この提案された二層膜構成の垂直磁気記録
媒体（以Ｆに層膜媒体１という）は、具体的にはＲＦ　
２健スパツタ法で作成さ第１、値抗磁力層をパーマロイ
で構成したものであり、＾い記録感度と大なる丹生出力
を得られる優れたものであるが、実用面から下記の間組
が夕、る。

その１つは、偏抗磁力鳩をパーマロイとした上述の二層
ｍ媒体においては、ｍｌ録密度と関係するｆ４直婢化層
の垂直配向性な示すロッキングカーフの半瞳巾△０５０
の蝋が、値抗磁力層を設けない４Ｉ直磁化噛のみからな
る単層膜に比べて感くなり、それだけ垂直磁気異方性が
低下することである（昭和５４年度電気関係学会東東北
部連合大会ＩＦ６　、昭和５６年度電子通信学会半導体
・材料部門全国大会８７−１参照）。

その他の問題は、その製造法とも関係するものである。

すなわち、ＲＦスパッタ法のため基板温度が上昇するの
で、基板がポリイミドフィルム等の４価な耐熱性高分子
フィルムに＠定され、安価なポリエステルフィルムを基
板に用いる場合は膜形成速度、冷却手段等の制約がある
。

また、膜形成速度も前述のポリイミドフィルムを用いた
場合で蝋大５ｏｏＡ／ｍ程度と小さく、生産性が悪い。

更に、得られた記録媒体の可撓性が小さく、実用に際し
てヘッドの摩耗及び媒体の損傷等の耐久性が懸念される
。

本発明は、かかる現状に鑑みなされたもので、垂直配向
性の低下のない唆れた新規な構成の二層膜媒体と、咳二
層膜媒体を、ポリエステルフィルムのように耐熱性の低
い安価な高分子フィルムを基板として、ｉ１％連作製で
きる製造方法を提ｇ４するものである。

すなわち、１１は、非磁性材よりなる基板上ｖｃ　４８
抗磁力層と膜面に垂直な方向の磁化容易軸Ｉｋ：有する
Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜からなる磁気記録層を順次積層した
磁気記録媒体において、前記愉抗峰力層がＣ０４１１−
主成分としたＣｏとＴａ（タンメ・１）の合金薄膜であ
ることを％黴とする磁気記録媒体な第１発明し、第１発
明の一気記録媒体の壕抗磁力層及び磁気記録層の一層を
、一対の対面さゼたターゲットの個方に基板を配して該
基板上に膜形成する対間ターゲ・４トスバツタ法Ｋ　１
り作製することを！像とする製造方法を第２発明とする
ものである。

以Ｆ、本発明の詳細な説明する３、 上述の通り本発明の磁気記録媒体は、従来の前ｍｌした
二層膜媒体と同じ構造であり、その特徴とするところは
その値抗磁力Ｉ−をＣＯを主成分としたＣｏ　−Ｔａ合
金膜となした点にある。そして、この構成により、高密
度記録と関連する画直碑化層の垂直配向性を大巾に改善
するものである。

特にＣｏ　−Ｔａ合金膜のＴａ１１度をｌｓ　ｗｔ−（
１量パーセント）以上にすると、その抗磁力も１００ｏ
ｅ以下となり、かつ、耐熱性の低いポリエステルフィル
ムを基板に用いても、ロッキングカーフの半値巾△θ５
０が実用上必要と云われる１０度以下となり、実用Ｆ充
分な垂直配向性が実現できる。史に、Ｃｏ　−Ｔａ合金
膜をアモルファス合金とすると、抵抗磁力層の抗磁力６
ｔ　Ｓｏｓ以下と小さくなり、且つ同じ基板において、
前記半値巾へ０５０は４ＷＬ以下となり、非常に垂直配
向性の良い垂直磁化層が実現される。この場合の垂直配
向性は、無抗磁カーを設けない単層膜の場合より良いと
いう驚（べきものである。

ところで、本発明の媒体がこの上５Ｋｉｌれた垂直配向
性を示す理由は定かでないが、以下の如く推論される。

基板上に作製された参抗磁力層となるＣｏ　−’Ｉ″ａ
合金膜は、１゛ａの含有量が少ない場合にはＣｏ原子が
膜面に垂直方同結蟲をとるのが工半ルギー的に最も安定
になり易＜、Ｔ１によってＣ何間隔が拡大された結晶組
織になっている。この場合、その表向に堆積する垂直硫
化層のＣｏ−Ｃｒ合金膜の格子定数は若干異なるので、
Ｃｏ　−Ｃｒ合金結晶は−ド地のＣｏ　−Ｔａ合金膜の
影響を受けてｍ　１ｋｉｌには不整合の部分が生じる。

従ってＣｏ−Ｃｒ結晶の垂直配同性が低下する。

Ｔａの１が墳えるとＣｏ　ＩＱ子は六方最密格子の配列
が澹、さＪｌてくる。と同時に結晶粒界が不明になって
くる。すなわち、Ｃｏ−Ｔａ合金膜に一様性が生じてく
る。この一様性は表面の平滑性、結晶格子間の局在的構
造不整のｍ滅を意味する。

七１てこの一葎な換向上にＣｏ　−Ｃｒ合金が堆積−（
る場合、堆積開始時から類似の原子−志が隣接−するの
で、Ｃｏ原子が膜面垂直方向に配列する結晶格子・な構
成することが容易になると思われる。従って、本発明の
媒体は、唆れた垂直配向件を示すと考えられる。

ところで、前述の媒体の如く奮゛抗磁力層がアモルファ
ス合金の場合、結晶磁気異方性がなく、抗磁カカミ小さ
く、透磁率が大で、電気比抵抗が高いという特性を示す
。従って、＾密度島速記録時に高感度に配録できるとい
う大きな効果が得られる。と同時に、前記特性から僅抗
磁力層の厚さを薄くできるので、経済的にも極めて大き
な効果が得られる。特に記録書度を高める場合その効果
は大きい。又、Ｃｏ　−Ｔａ　アモルファス合金はキュ
リ一温度が扁いので、本磁気記録媒体を磁気テーツ等の
如く摺動により熱が加わるような形で使用しても、特性
が安定していると共に、耐腐食性においても優れており
、実用上有利である。

更に、本発明の磁気記Ｉｊｈ謀体は、その構成から以下
の点でも優れたものである。本発明の対象である二層膜
媒体では無抗磁力層と垂直硫化層との界面が機械的に安
定なことが重要である。

すなわち、前記各層の膨張係数や比熱が贅合し、両層が
よくぬれ合っていることが必要である。

一方、一般に原子構造が似ている原子半径の差の小さい
場合には鳩と層が同浴し易いことが知られている。Ｉｔ
１述の通り本発明の磁気記録媒体では僅抗碑力層及び自
＃ｉ磁化層ともＣｏを主成分Ｅした合４に膜であり、共
にＣｏが約ｓ　Ｏａｔｅ　（原子・（−セント）ｍ−と
なるので１両層の界面は安定したものとなる。このよう
に、本発明の一体４ｊ　＊れたものである。　　　　　
　　、　−七して、この点からＣｏ　−Ｔａ合金膜の組
成は、Ｇｏを主成分すなわちＳ　Ｏａｔ１以上としたも
のが好ましく、史には垂直硫化層のＣｏ９度（ａｔｅで
）と同鶴度とするのが好ましい。

なお、本発明の磁気記録媒体の垂直硫化層は、公知の六
方最ｖ！！構造でＣ暢配向に依る一直磁気真カ性を有す
るＣｒ含量がｌＯ〜２６　ｗｔｌｌ　ノＣｏ−Ｃｒ合会
膜であれば良く、垂直磁化４Ｉ性を乱さない範囲で第３
元素としてＷ、　Ｍｏ　、　ｌ１ｕｓＰＬＯｓ、姐、　
Ｒ＠、　Ｔａ勢を添加しても良い。

又、本弗１のｉ１気配鍮媒体の基板は、非磁性材であれ
ば良く、実用向からは安価なポリエステルフィルム等の
高分子フィルムが好ましい。

一方、本発明の一気記録媒体の台間の厚みは、実用上の
見地から決定され、公知のＩＩｗＩで適宜設計する必要
があるが、通常両層は＜１．３〜ｏｐｓμ讃の範■にあ
る。

本発明の一気記録媒体は、前述の４に層を基板の片側勿
論両１１に設け【も良く、その蕾用簡橡も一気テープ、
フーツピディスク等任ｌ一様に導層できるものであるこ
とけ云うまでもない。

以上本発明の第１１ｉ明を＠１ｌｌｉした。次に本発明
の３１１１発−を夷總例と共Ｋ１１例する。

まず、本発明に関係する対向ターゲット式スパッタ法に
ついて説明する。

１１１１１は上述スパッタ法を実糟するスパッター置の
説明図であり、第零閣、第３Ｉｌｌけそのターゲット部
の詳細−である。図に＃いて、１０は真空容器Ｑ　　２
ｏ＋言真空賽ｇｔｏｔ＃気する真空ポンプ等からなる紳
気系、３０け真奪審協１０内に所定のガスを導入し【真
奪害−１Ｏ内の圧力を１０　〜１　＠　　Ｔ＠ｒｒ　ａ
ｌｍの所定のガス圧力に設定するガス尋人系である。

ところで、真空弁ｉ１０内には、図示の如く真空’４４
　ｇ　１０の＠板１１，１２に絶縁部材１３゜１４を介
して固着されたターゲットホルダー１１ｓ、ｌ＠により
ｌ対ｆ）ｌ−り７）Ｔ、、Ｔ、が、そのスパッタされる
ｆｊＪ　Ｔ、ｓ、　Ｔ、ｓ　（第２図、第３図参ｙＩＡ
）１１−空間を隔てて平行Ｋｔｊ＠するように配設しで
ある。そして、ターゲットＴ１．−とそれに対応するタ
ーゲットホルダー１５，１６は、劇２１ＭＪ、第３図に
示す如く、水冷パイプ１１１゜１６１を介して冷却水に
よりターゲットＴ、、Ｔい水入磁石１ｉｘ、１４！が冷
却される。−石１５２．１６２　Ｇ！ターゲットＴ、、
Ｔ、を介してＮ価、Ｓ他が対向するように設けてあり％
質つ【ＩＩＮ界はターグツ）　Ｔｌｔ　’ｒ、に−直な
方向にかつターゲット間のみに形成される。なお、ＩＴ
、１９は絶縁部材１３．１４及びターゲットホルダーＩ
ｓ、ｌｌｉをスパッタリング時のプラズマａ子から保−
するためとターグツ）１１向以外の部分のＸ＊放電を防
止するためのシールドで＆ル。

−万、−性萼膜が形成される基１［４０を保持する基板
保持手段４１番１、真空Ｉｌ＠１０内のターグツ）Ｔ、
、Ｔ、の側方に設けである。基ｌ［保持手段４１は、基
板４０をターグツ）Ｔ、、−関の空間に対面するように
スパッタ＠　Ｔｌｓ、　Ｔ０ｎ　ｖｃ対して略直角方向
に保持するように配置しである。

なお、基板保持手段４１は論４ｍ１ＩＫ示す枠組み構成
の保持具４２により基板４０＃ｔ＠−保持１できるよ５
にな１″Ｃある。

すなわち、周面を遍蟻な傾斜角のテーパ幽と−ｊ６と共
Ｋ、テーパｌｌＩ４＃Ｉ＜鏝部を形成したデーパリング
４２ｍと、テーパリング４２ａｆ）頂部外価より締め部
分だけ小さい内径の０リンダ４２ｂと、０リング４２ｂ
をテーパｙ７ダ４１ａＫ押圧してセットする押圧リング
４２・とからな、す、基４［４０をテーパリング４１轟
と０す／より基板４０を！％Ｉ価保持できるようにしで
ある。

一方、スパッタ電力を供給する直流１１榔からなる電力
供給手段ＩＩ、Ｉｓはプラス−をアースに、マイナス側
をターゲットＴ、、Ｔ、に夫々接続する。従って電力供
給手段８２．６３からのスパッタ電力は、７−スな７）
−ドとし、ターゲ７１Ｔ、、　Ｔ、をカンードとして、
７ノード、カソード閲に供給される。

なお、プレスパッタ時基板４０を保−するため、Ｊｋ板
４０とターグツ）Ｔ、、Ｔ、との間に出入するノ↑ツタ
−（図示省略）が設け【ある。

以上の逼り、対向ターゲット式スパッタ法で・言、一対
の対向させたターグツ）Ｔ、、−の側方に基＆４０を配
し、ターゲット間に磁界を印加してスパッタし基板４Ｇ
上Ｋｐｍの事を作製するようになしであるので、以下の
過り＾遮低温スバ、ツタが可−となる。すなわち、ター
ゲットＩｌｌ、　、　Ｔ、閣の空間に、Ｉｋ界の作用に
よりスパッタカスイオン、スパッタにより放出されたｒ
電子等が束縛され高１＃度プラズマが形成される。従つ
（、ターグツ）　Ｔ１＋　ＴＩのスパッタが促趨され−
Ｃ＠紀空閥より析出量が増大し基板４０上への堆櫨連直
が増し轟遍スパッタが出来る上、基板４０がターゲット
丁、、Ｔ、の側方にあるので低温スパッタも出来る、す
なわち、上述の対向ターゲット式スパッタ法によれば高
温低温スパッタが可能である。

本発明の謳２発明は、−起の通り、上に説明した対向タ
ーゲット式スパッタ法により、第１弗明の磁気記鋒媒体
の伽抗−力層及び−１−化層の一層を作成するこＥをｗ
像とするものであり、−直配向性に優れた一気配―一体
をポリエステル等の耐熱性の低い高分子フィルムを基板
とし【高遭で作纏できるという大きな動電を書するもの
で、−直一気紀一方式のｌＩ用化及び＾書をｌ−が耳目
な、命異萼壊１―媒体の実用化に寄与するところ大であ
る。

上述の対向ターゲット式スパッタ昧と１寥、−巡のａｔ
に限定されるものでなく、一対の対−させたターゲット
の一方にＳ板を起し、ターゲット間に一１方向のＩＩＮ
を印加し曵スパッタし基板上に膿を形成するスパッタ味
な云５・質って、基Ｉ［ｌ固定でｈＴｏ必ＩＩけなく−
−ラ螢により移送可−Ｃに保持されても良く、磁界発生
手段も永久磁石でなく、ａｍ石を用いても嵐い。磁界く
、ターゲット間の空間にｒ％子勢を閉じ込めるものであ
れば良く、従ってターゲット全面でなく、ターゲット間
ｌｌ＠のみに発生さ葉た場合も含む。

ところで、上述の方法におい【、ｄｌｌ抗磁力層な作製
後真空中で室温まで冷却し、大気中Ｋｍ９出し長時間放
置した債に、参抗−力層上帆垂直一化−のＣ・−Ｃｒ合
金膜を作製したものでは、ｃｏ　−Ｔａ合金調とＣｏ−
Ｃｒ合金１ｌｌＫは非常に剥離ＬＭかった。なお、剥離
後の一一〇井１１１は非常に平坦であった。これに対し
、前述同様に冷却し、一旦大気に曝してもこれが航時闘
以内というｖ時間の場合には、Ｃｏ　−’ｒａ　４ｒ会
鵬とＣｏ　−Ｃｒ合金鱗とが剥−しない良好な媒体が得
られた。

すなわち、１Ｍ＋述したところより、Ｃｏ−Ｔａ合・　
　　　　　　　　　　　　　　　　・：）金−作成−１
大気に曝すことも冷却することもなく直ちＫ　Ｃｏ　−
Ｃｒ　＠金膜を作成するのが嵐いが、大気曝露時間が数
時間以内であれば、実用上支障のない媒体が得られるの
である。

次に、上述した本発明の実箇例をｍ明する。

なお、得られた合金膜の結晶−造は場学電機綱針歇Ｘ−
回析装置を用いて同定し、−直配向性は六方饋書傅造か
つ（ｏｏｇ）　ｔＩｉビークのロッキングカーブを鎗起
ｘｍａａ義霞で求めその中値−八−ＳＯで評価した。ア
モルファス性は電気比抵抗を一定し、その値によりａｍ
した。

〔夷總例１〕 ―抗砿力層のＣｏ　−Ｔａ会会驕の＊＊を把−するため
、第１図のスパッタ装−を用い’Ｃ５［形成を行ない評
価した。なお、その一方のターゲラ）Ｔ、ｔ−第！１ｌ
ｌＫ示すよ５に、円形のｔｏｏ−のＣｏ　′ｊＩＬＩ上
に斜紳で示すＨ形の１００饅のＴａ　ｌ［ｎｔ放射状に
１謔した一部ターゲットを用い１丁励板の１積を変える
ことｋよりＴａ＠直の１ｌｌｌ普をした。

＾　　装−−１６ｅｆ＋ ａ、　ターゲット材： Ｔ、：Ｃｏ１００＊及び表向に一部Ｔａ１００ｇＩｌ配
置 Ｔ、：、Ｃｏ１０Ｏ％ ｂ、　　基　　板 カプト／（デネボ／社［）フィルム　　　２！ＩＪＩＩ
ＩＩＩポリエチレンテレフタレー）（ＰＥＴ）フィルム
ｌ・＃諺 ら　ターゲット丁１．Ｔ、関隔ニアｓへｄ、　スパッタ
表向の磁界　：１００〜２００ガウスε、　　Ｃｏター
ゲット形状　　：１１＊ｗ＄２１の円形ｆ、基嶺とター
ゲット端部の距離：３ＧｍＢ、縁作手願 以下の千願で鯖形成を行った。

ａ、　　ｊｋ似を設置後、真空容１ｉｌＱ内を到遍真仝
嵐がＩ　Ｘ　１　Ｇ−’　Ｔｏｒｒ以下まで排気する。

ｂ、　　フルボ／（Ａｒ）ガスな所定の圧力まで導入し
、３〜ＩＩ分間のプレスパツタを行ない、シャッターを
−き、基板にａｍ威を行なつた。なおスパッタ時のＡｒ
ガス圧は４　Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒとした。

Ｃ，スパッタ時投入零カは２５０ｗ、８００Ｗで行ない
、Ｃｏ−Ｔａ合会の管区膜厚で約ｏ０ｍ　ｓ　＃票　ま
でｉ＃成した。

Ｃ０実施紬釆 １１７図に、Ｔａ濃！ｌ　（ｖｔｌりに対するＣｏ　−
Ｔａ合金薄纏の面内１崗の抗備、力Ｈｅ　（・＠）、飽
和碑化Ｍ−（・ｍｕ　／ｃｃ　）の＃畢を示す。又代１
ＩＩｔンプルの特性データＶ第１ｌｌＫ示す。

ＴａＱ置がｔ　ｓ　ｖｔｌｌ　ｍ下では、Ｈｅ〉１１）
０＠＠。

Ｍｓ　〉１１００　＠ｍｕ　１０ｃとなる。そし？　Ｔ
ａ＠　ＷＬの増加に従いｌ（＠、　Ｍｅ　４言低下する
。なおｓ’ｒａ＠駅が１２　ｗｔｌｌ　ＪｊＡ　下”ｅ
ｆｔ　ＤＸ　ＩＩ祈ビータが５−−４　ｓ、ｓ　Ｏ〜４
４．Ｏｓ　（ｆ）で真われる。

Ｔａｇ直がｚ　ｓ　ｗｔｌｌ　１Ｍ、上でｉ富、Ｈ・が
急＊Ｗｃｔ下ＬＨ＠＜ｓｏ・となり、良好な執ａＳ費性
を示す、なお、Ｔａ８区がＩ　魯ｖｔ饅以上では、Ｄｘ
−析ピークが消鎮し、Ｃ・−Ｔｌ會会１１４言アモルフ
ァス合金となる。なお、この点は弯銀比抵抗の測定によ
っても４Ｍ１．た。

〔実施料２〕 実ＪｋＭＩでＣｏ　−Ｔ＠會全金膜傭拉−カ層を作成し
たサンプルを真空中で常温まで冷却後、大気にＭ放して
填り出し、下記条件の嬉Ｉｌｌの構成のスパッタ゛装置
ＩＫセットし、ｃｏ−Ｔ暴合金膜土Ｋ　Ｃｏ　−Ｃｒ合
金−の−直磁化層を形成して二層膜媒体を作製し評価し
た。同時に、Ｃｏ−Ｃｒ合金−のみからなる＊ｍ麟鼻体
を作製し比較した。

Ａ、誠−条件 ａ、　ターゲット材：Ｃｏ−Ｃｒ合金（Ｃｒ量：１７ｖ
ｔ−）ｂ、基　板：実施ＩＦ１１のサンプルｅｌｌｌｌ
ｓ＊のＰＩＴフィルム、及び１に＃部 屋のカプトンフィルム Ｃ，ターゲタ１フ、、１間隔：　ｌｏｏ％ｄ、　スパッ
タ表面近傍のｌｌ＃Ｆ　：　ｔｏｏ〜ａＯＯガウスｅ、
　ターゲット拳状：ＳＳＯ％Ｉ、ＸＳ＠＠％ｗＸ１０％
ｔの矩形板、：秋 ｆ、基板とターゲット端一の距＠：ｉｏ％なお、基板保
持手段４１を第６−の如く−し、はｙ替遮Ｋｉ１転させ
ながら◆保持具４２ｉ（（ツ）した３秋の基１４０ＫＭ
時１ｃｃｏ　−Ｃｒｌ１４−形成できるよ５Ｋした。

Ｂ、徴作手騨 以下の手順でＩ［形成した。

ａ、基板を設置１．真！１１１１Ｈｏ内す―遣真奪直が
１ｘ１ｏＴ＠ｒｒ以下車で＃銀する。

ｂ、ムｒガスを所定の圧力まで臀入し、３〜２分間のプ
レスパツタを行ないシャッタな一部基１［Ｋ１１Ｉ彰Ｉ
Ｒを行なった。

Ａｒカス圧４　Ｘ　１０　　Ｔｏｒｒ　、基板の回転速
度は４０１％で行なった。

３ｍ！Ｉの基板のうち１ケにはカプト／又はＰｇ’ｒ；
ｙイルムを設置して成膜した。

Ｃ，スパッタ時投入電力は１００　ｏ、ｗで行ないＩ＆
ＩＩ厚は約０．５＃ｍＫ形成した。

Ｃ実施結電 第８１１に二層ＩＩ媒体の７６８度（＊＊＊）Ｋ対する
Ｃｏ　−Ｃｒ會全金膜結晶配向性△＄６０の間係を示す
。又、第２表作成した％媒体の代表的特性のデータを示
す。Ｃｏ　−Ｔ拳合金のＤＸビークが消滅するアモルフ
ァス領域、すなわち本例ではＴａ　２３　ｗｔ囁以上の
領域□ではＣｏ−Ｃｒ合金蛾密六方格子結晶のＩＩＩ由
−直（Ｃ軸）＆！向性を示すＣｌ１ＩＩのロッキングカ
ーブの半値巾△−ｂＯが極めて抜書されることが判る。

峙に本＠明によれば、カプトンあるいはＰｉ！：Ｔフイ
／Ｌ、　Ａ　Ｋ　１ｊ［Ｊｊｉｉ　Ｃｏ　−Ｃｒ倉金Ｉ
ｍ成した◆層１１＃１体の八〇５０の値と比−してＤＸ
ピークが番濠Ｗ　ｆＡ鎮するアモルファス領域のＣｏ　
−Ｔｓ　　合金の上に形成したＣｏ　−Ｃｒ合金の一直
配向性へ６ｓｏの籠の方がすぐれ【いるという奪くべき
結果を得た。

【おり、Ｃｏ　−Ｔ＠金合金ｈａｐ　＠造Ｃ軸配向を示
す。面間隅はＣｏの楊子間隔より着干広くなっているこ
とがわかる。

また、得られた二層ｍｍ体のＩＩＩ達を電拳拳−したと
ころ、Ｃｏ　−Ｃｒ合金−の＊＊＊は■ＯＸ以下の掬−
な粒子形・状を示し、＠断固も言ｃｏ−Ｃ１Ｌ　Ｃｏ−
ＴａＩＩと４１４１昇がはとんと観察されず、わずかに
４１片粒子形状が一有するのが検知で鎗た。ところ１、
との鵬−造１１１１表面及び−新Ｗを反＃ｌＩ萼子−嚇
−（日本零子■ＩＩＪ８Ｍ−１ｅｃ）ｖＣより一一シテ
評価した。なお、＠＠愉言サンブルーーにムＵ（会）−
Ｐｄ（パッジ９ム）如スパッタ法で約ｇ　ｏ　ｏ　Ｘ厚
付ＩＬ（、ｍ　Ｊ　ｌｊ　ｊｉ　！　Ｉ　ＫＶ　”ｅ、
脩亭４万債で写真−拳により行なった。又、−ｍｔ面は
、サンプルをエタノールと共にゼラチンｈノセルに入れ
、液体１！［嵩を用い２時間冷却後にｌｊ　１１１ナイ
フを用い割断する律緒割断法により作成した。使用装置
はエイコーエンジニアリングーＴＦ−ＩＪ＃！凍結割断
゛器である。

また、上記−ＷＩにおいて、Ｃｏ−Ｔａ合金膜とＣｏ　
−Ｃｒ合金鯖の層間には他めて平坦な境界が見られたが
、七の！４肉で剥離し易いものがあった。検討の結果、
−一し易い例はＣｏ　−Ｔａ　　合金ｉＩな形成後、真
空から大気に＊り出し数日間歇ｌｌ後ＫＣｏ　−Ｔａ合
金ｍ面上ＫＣＯ−Ｃｒ　　合金膜を堆積したものであっ
た。Ｃ＠　−Ｔａ合金Ｈｋ杉威して大気へ填り出し−、
数時間以内にＣｏ　−Ｃｒ合金ｌ＃［を形成した場合に
は、ｃｏ　−Ｔａ合金膜とＣｏ　−Ｃｒ合金膜のｒ＃面
でのｍ−の間−を盲なかった。

］・、、１ 第３表 〔実施例３〕 １ｉ！鞠例２と同様Ｋ１４施１１１でＣ（１−Ｔａ合金
膜の偵抗磁力層を作成したサンプルの上ｇｃｏ　−Ｃｒ
合金膜を形成して二層１ｌＩＩｓ体を作製しＷ価した。

一時１１ｃ　Ｃ＠　−Ｃｒ合金膜のみからなる早鳩膜媒
体ｌ。

を作製し比幀した。

Ａ、鋏置秦件 ａ〜・は実−例コと同じ ｔ、基板とターゲット端部の距離：２６鬼なお、基板保
持手段のうち保持＾４２の基板背面に冷却用板（図省略
）を設けた。

８、−作中− スパッタは基板を固定し行なった゛。

３１１０基板のうち１ケにはＰＥＴフィルムＩｔ設値し
て成膜した。

Ｃ０スパッタ時投入電力は蛾大Ｓ　ｋ１投入し、膜厚は
約Ｏ，Ｓμ票　に形成した。

Ｄ、実施ｋＩｉ釆 実施例２と同縁な評価を行なった。

実施ガｌのサンプルＩ−４と同じ条件で作製したＧｏ　
−Ｔａ合金膜とＰＥＴフィルムとの比較結眼を第９−に
示す。なお、図において（ン壷オＰＥＴフィルムＫ　Ｃ
ｏ　−Ｃｒ合金膜のみ形成した檗層膜の一合、・はＰＥ
ＴフィルムにＣｏ　−Ｔａ合金ｇを形成し、次いでＣｏ
　−Ｃｒ合−膜を形成した二層膜の場合の配向性△＃５
０な示す。

篇くべきことに、本発明によれば、堆積速度約０．７μ
ｌＩ／Ｍの高速領域に飼るまでＰＥＴフィルム上に良好
な特性を有する二層膜を形成することが出来た。

なお、冷却用板としてＩｌｌ！ＷＪＩ１１さ０．１ｇ。

Ｏ９・Ｓのステンレス板を用い、冷却用板温度をｚｓ℃
〜８０℃まで変えて行なった場合、Ｃｏ　−Ｃｒ合金膜
の垂直杭碑力Ｈｅｗは２００〜４０００・　であった（
堆積連ＷＬＫ侭い相−はなかった）。又、冷却用板とし
て梨地面を用いる場合、冷却用板温度２Ｓ℃でＨｅｗは
＠ＳＯＯ・　（堆積速！ｔＯ，３＃１１／閤）であった
。配向性△＊ＳＯは＃に９図に示すよ５に一直杭磁力Ｈ
ｅマの大小に関係なく一様であった。

―直磁気記録技術では、記＊＊度を増す条件としては、
記録合生ヘッドと一直抗−力Ｈａマとの整合性が重要で
あり、適用システムに合わせて画直体磁力Ｈａｙの大き
さく　ｚ　ｏ　ｏ　〜１３００ｏ＊）を決める必要があ
る。この―、−直異方性にすぐれた特性を有することが
最も重要である。従つて、―直結晶配向性△６ｓｏｙｃ
優れた本発明の４ＪＬ南的、妊閾的効果は他めて大きい
のである。

史に、以上の本発明により、高四度記１１１％ＫＩｋｄ
Ｉｉ磁気記録を実用化するに際しての極めて重畳な峰鴫
が以下の通り解決された、 その第１は、ポリイミドあるいはポリエステルフィルム
等のプラスチックフィルムの基ＩＥ上に（６抗磁力層を
介して形成するＣｏ　−Ｃｒ合金からなる−１磁化層が
裏向垂直の結晶配向性△＃５０にすぐれているので垂直
磁化が従来の―＃ｊｉ磁性媒体に比軟し【格段に向上し
た。これは＋！１ＩｌｂｖＢｌｔ記鍮邦生時の鹸化の配
置ぎを減少させる、−ｔ　ｒｒわち信号８とノイズＮの
比Ｓ／Ｎを向上させることになる。

その第２は、イ６抗磁力層としてアモルファス合金−を
実機したことにより、＾密度配録時における透磁率の低
）°又はうゴ：豐電流損による配置ｍｌ［の低Ｆが隊滅
することＫある。□従来提案さ１１でいる塾抗磁力層と
してパーマロイ層に代表される会−結晶糸の薄膜では磁
気異方性工事ルギーに起因する透磁率の低ド、ヒステリ
シス損失・うず電ｆＩＬｌｌ失があるため、＾書度紀Ｉ
ＩＩｆＩ）生時の８／Ｎ比の低下が著しくなる場合が多
い。

その第３は、アモルファス合金としてＣｏ　−Ｔａ合金
を用いたことにある。Ｃｏ　−Ｔａ合金にはその性能を
損なわない範囲でＣｒ、　Ｍｏ、　Ｗ等の第３元素を加
えても曳い。Ｃｏ−Ｃｒ合金膜とＣｏ　−Ｔａ合金膜と
の組合せではＣｏ　　とい５１１ｉＪ質の組成が用いら
れているために真空中で形成される二層膜の境界領域で
は安定なｔｈ１１１１１体が形成されるので、耐久性、
耐食性にもすぐれた一直一気記録媒体が形成される。従
来のパーマロイ層等Ｆ・系偽抗磁力層では、薄膜に特有
な酸化等Ｋｉる膜質の変化、それに対応して、Ｃｏ　−
Ｃｒ合金膜との外面の接着力低下等耐久性、耐食性に問
題が発生する懸念がある。

その第４は、傘も重畳な峰題である馴膜遮直の飛躍的改
醤であり、しなやかな媒体の提供にある。

ポリエステルフィルム上に堆積速度０）ｐ＠／ｍ９上の
高速ですぐれた垂直磁性層を形成できたことにある。Ｃ
Ｇ　　合金をスパッタするプラ、Ｘマ餉城と、堆積すべ
き基板上へのプラズマのＩ１１隼力を緩ホ１した対向タ
ーゲット式スパッタ法により、Ｃｏ　−Ｔａ合金、Ｃｏ
−Ｃｒ合金の７モルフ１スあるいは結晶層の内Ｓ残留歪
を餐滅した。すなわちしなやかな媒体を１１！現できた
。

以上の通り１本発明は、磁気記録の高Ｗｉ度化に寄与す
るところ非？ｌＫ大なものである。

【図面の簡単な説明】

縞１図〜嬉４図は対向ターゲット式スパッタ法を実施す
るスパッタ装置の説明図、第５ＷＡｓｓＣｏ　−’ｆ＠
合金属作成に用いた複合ターゲットの一明図、＃ｓ６図
は実施例２．３に用いた基板保持手段の説明−２第７Ｆ
ＩＡ〜編９図は実施例１〜３ノｋｈ米を示すグラフであ
る。 １’、、Ｔ、は＃−ゲ７ト、１０は真空容器、４０は基
板、４１は基板保持手段 物奸出纏人　帝人株式会社 代理人　弁理士　　前　　１）　純　　博４２ オ斗霞 Ｔａ　（“ｔＸ） す７圓 沖３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｌ　非蜂柱材よりなる基板上に伝抗磁力層と膜面に１ｉ
   ｌｌｉｉな方向の一化容易軸を有するコバルト・りＵム
   合金膜からなる磁気記鍮層を順次形成した一気記録媒体
   において、前記１抗磁力層がコバルトを主成分としたコ
   バルトとタンタルの合金膜であることを特徴とする磁気
   記ｆＩＩｋＩ１１体。 ２　前記伍抗磁力層のタンタル濃度が１５ｖｔ−以上で
   ある特ｒｆｉｌｌ求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 ３　前記延抗磁力層がコバルトとタンタルとの７七ルフ
   ァス合金膜である特許請求の範囲第１墳紀躯の一気記録
   媒体。 ４　非磁性材よりなる基板上にコバルト・タンメル合金
   薄膜よりなる優抗磁力層と、膜面に垂直な方向の磁化谷
   島軸を有するコバルト・クロム合金薄層よりなるＳ気記
   鍮層とを拳次形成した磁気記録媒体の製造方法において
   、前記価抗磁力層及び前配磁気記侮層を、対画させた一
   対のターゲットの側方に基板を配しり法により作成する
   ことを％徴とする製造方法。 １　前記−抗磁力層を形成後、大気曝露が高々数時間以
   内で前記磁気記借層を形成する特許請求の範１１第４項
   記載の製造方法。 ｅＬ　　前記基板がポリエステルフィルムである特許請
   求の範囲第４項若しくは籐５項紀載の製造方法。