JPS58102178A - X線分光法 - Google Patents
X線分光法Info
- Publication number
- JPS58102178A JPS58102178A JP56201383A JP20138381A JPS58102178A JP S58102178 A JPS58102178 A JP S58102178A JP 56201383 A JP56201383 A JP 56201383A JP 20138381 A JP20138381 A JP 20138381A JP S58102178 A JPS58102178 A JP S58102178A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectrons
- target
- kinetic energy
- ray
- wavelength
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はX線、特に波長的ココOム以下の軟X線の波長
と強度を簡単に測定できるXII分光法に関する。
と強度を簡単に測定できるXII分光法に関する。
従来のXIIM分光法は、■半導体検出器を用いるもの
1■回折結晶又は回折格子を用いるものに大別され、ざ
らに■は■回折結晶又は回折格子を四−ランド円上な移
動させつつ計るもの、[相]回折結晶又は回折格子を移
動させずにX[i!感光フィルムをローランド円に沿っ
て設置するものにわけられる。ところで、これらX!1
分光法のうち、■は半導体検出器の応答速度が遅いため
にtps@c 以下の短いパルス吠に放射されるXIs
の分光が不可能であるほか、波長lOム以上のxIIの
検出・分光ができない欠点がある。また■の■はパルス
X線の分光にきわめて長時間を要する欠点がある・また
更に■の@は測定するxlIの波長が長くなるに従って
回折結晶(又は回折格子)の焦点が伸びるために装置が
大形化する欠点がある。
1■回折結晶又は回折格子を用いるものに大別され、ざ
らに■は■回折結晶又は回折格子を四−ランド円上な移
動させつつ計るもの、[相]回折結晶又は回折格子を移
動させずにX[i!感光フィルムをローランド円に沿っ
て設置するものにわけられる。ところで、これらX!1
分光法のうち、■は半導体検出器の応答速度が遅いため
にtps@c 以下の短いパルス吠に放射されるXIs
の分光が不可能であるほか、波長lOム以上のxIIの
検出・分光ができない欠点がある。また■の■はパルス
X線の分光にきわめて長時間を要する欠点がある・また
更に■の@は測定するxlIの波長が長くなるに従って
回折結晶(又は回折格子)の焦点が伸びるために装置が
大形化する欠点がある。
本発明は上記の事情に鑑み、パルス放射のX線、連続放
射のX@を問わずに測定が可能であり、使用する装置の
小形化を計ることのできるX11分光法を提供するもの
で、リチウム又はベリリウム又はほう素又は炭素よりな
るターゲラFに分光すべきX@を照射し、ターゲットよ
り放出する光電子の運動エネルギーおよび量を測定する
ことによりXiIiIの波長ならびに強度を測定するこ
とを特徴とするものである。
射のX@を問わずに測定が可能であり、使用する装置の
小形化を計ることのできるX11分光法を提供するもの
で、リチウム又はベリリウム又はほう素又は炭素よりな
るターゲラFに分光すべきX@を照射し、ターゲットよ
り放出する光電子の運動エネルギーおよび量を測定する
ことによりXiIiIの波長ならびに強度を測定するこ
とを特徴とするものである。
以下、本発明を図面を参照して詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す図であって、この図に
おいてlは分光すべきX5SZは例えば炭素よりなるタ
ーゲット、8はターゲットから放出される光電子、4は
光電子の運動エネルギー弁別器、5は上記の部品をおさ
めた真空容器である。
おいてlは分光すべきX5SZは例えば炭素よりなるタ
ーゲット、8はターゲットから放出される光電子、4は
光電子の運動エネルギー弁別器、5は上記の部品をおさ
めた真空容器である。
この図において、X1llの照射をうけたターゲラ−は
光電子8を放出する。今ターゲツシにリチウムを遍んで
これに振動数νのX線を照射する場合を考える。リチウ
ムのに軌道の電子は通常jよjeVの結合エネルギーで
リチウム原子核と結合して安定°状態を保っているが、
X線照射を受けるとX@を吸収し、b i’−jj、j
=Bk (eV)の運動エネルギーを得て光電子とな
って真空中にとび出して来る。XIIが種々の振動数を
含んでいる場合には光電子の運動エネルギーEkもさま
ざまな値をとる。そこで光電子8を運動エネルギー弁別
器番に導いて運動エネルギーと光電子の量の関係をプロ
ットすれば第2図に示すようなXIIの波長と強度の関
係が測定される。これらの測定は空気によるX@の吸収
、光電子の散乱を防止する際し、運動エネルギー弁別器
として写真フィルムタイプのものを用いれば、X4!1
1が短いパルスの場合にも分光が可能である。
光電子8を放出する。今ターゲツシにリチウムを遍んで
これに振動数νのX線を照射する場合を考える。リチウ
ムのに軌道の電子は通常jよjeVの結合エネルギーで
リチウム原子核と結合して安定°状態を保っているが、
X線照射を受けるとX@を吸収し、b i’−jj、j
=Bk (eV)の運動エネルギーを得て光電子とな
って真空中にとび出して来る。XIIが種々の振動数を
含んでいる場合には光電子の運動エネルギーEkもさま
ざまな値をとる。そこで光電子8を運動エネルギー弁別
器番に導いて運動エネルギーと光電子の量の関係をプロ
ットすれば第2図に示すようなXIIの波長と強度の関
係が測定される。これらの測定は空気によるX@の吸収
、光電子の散乱を防止する際し、運動エネルギー弁別器
として写真フィルムタイプのものを用いれば、X4!1
1が短いパルスの場合にも分光が可能である。
この場合X@bib w < j j、 j e V(
DIk件ellt場合、つまり波長がココ3ム以下の場
合には光電子は極端に減衰するのでリチウムを用いた場
合の測定可能波長域はココ3ム以下となる。
DIk件ellt場合、つまり波長がココ3ム以下の場
合には光電子は極端に減衰するのでリチウムを用いた場
合の測定可能波長域はココ3ム以下となる。
同様にベリリウムのに軌道電子のベリリウム原子核との
結合エネルギーは/ / /、 j e V%はう素の
に軌道電子のほう素原子核との結合エネルギーは/fQ
JeV、炭素のに軌道電子の炭素原子核との結合エネル
ギーはλta≦eVであり、ベリリウムをターゲットと
して用いた場合はhν〉///、jeVsつ*’)波長
///A以下の軟X@。
結合エネルギーは/ / /、 j e V%はう素の
に軌道電子のほう素原子核との結合エネルギーは/fQ
JeV、炭素のに軌道電子の炭素原子核との結合エネル
ギーはλta≦eVであり、ベリリウムをターゲットと
して用いた場合はhν〉///、jeVsつ*’)波長
///A以下の軟X@。
はう素をターゲットとした場合はhν〉/9Q3eV。
つまり波長/I/ム以下の軟X@、炭素をターゲットと
した場合はhν〉コl仏ぶeV、つまり波長4c3ム以
下の軟X線が分光可能である。
した場合はhν〉コl仏ぶeV、つまり波長4c3ム以
下の軟X線が分光可能である。
また、Fより原子番号の大なる元素においては、K軌道
のほかにL軌道の電子の放出があって、ある1つのエネ
ルギーのXIMに対して運動エネルギーの異なる光電子
が観測されるために分光は適さない。つまりMgを例に
とると、K軌道の電子は1072teV、L軌道電子は
6&60eVの結合エネルギーで原子核と結合しており
、エネルギbyのxli!照射によつ”(by−toy
xtevとhシー63.6eVの運動エネルギーの光電
子が放出される。また、オージェ効果によってhシーJ
OQ9eVの光電子も放出されるなど、7つのXIIエ
ネルギーに対して三つの情報が出てくるので分光ができ
ない。
のほかにL軌道の電子の放出があって、ある1つのエネ
ルギーのXIMに対して運動エネルギーの異なる光電子
が観測されるために分光は適さない。つまりMgを例に
とると、K軌道の電子は1072teV、L軌道電子は
6&60eVの結合エネルギーで原子核と結合しており
、エネルギbyのxli!照射によつ”(by−toy
xtevとhシー63.6eVの運動エネルギーの光電
子が放出される。また、オージェ効果によってhシーJ
OQ9eVの光電子も放出されるなど、7つのXIIエ
ネルギーに対して三つの情報が出てくるので分光ができ
ない。
以上説明したように、本発明は光電子の運動エネルギー
および量を測定することによってX@の分光を行うもの
であるから、パルス放射のX@。
および量を測定することによってX@の分光を行うもの
であるから、パルス放射のX@。
連続放射のX線を問わずに軟Xll1IS超軟X線領域
の分光を行うことができ、かつ使用する装置の小杉化を
計ることができる等の利点がある。
の分光を行うことができ、かつ使用する装置の小杉化を
計ることができる等の利点がある。
図は同実施例においてX@を分光した結果を示す図であ
ってXiIの波長と強度との関係を示す図である。 l・・・・・・X@、2・・・・・・ターゲット、訃・
・・・・光電子、4・・・・・・運動エネルギー弁別器
、ト・・・・・真空容器。
ってXiIの波長と強度との関係を示す図である。 l・・・・・・X@、2・・・・・・ターゲット、訃・
・・・・光電子、4・・・・・・運動エネルギー弁別器
、ト・・・・・真空容器。
Claims (1)
- リチウム(Li)又はベリリウム(Be)又ははう素(
B)又は炭素(C)よりなるターゲットに分光すべきX
iIを照射し、ターゲットより放出する光電子の運動エ
ネルギーおよび量を測定することによりXIsの波長な
らびに強度を測定することを特徴とするX@分光法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56201383A JPS58102178A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | X線分光法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56201383A JPS58102178A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | X線分光法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58102178A true JPS58102178A (ja) | 1983-06-17 |
Family
ID=16440167
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56201383A Pending JPS58102178A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | X線分光法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58102178A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5483893A (en) * | 1977-11-29 | 1979-07-04 | Anvar | Microanalysis method that use xxrays radiation |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP56201383A patent/JPS58102178A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5483893A (en) * | 1977-11-29 | 1979-07-04 | Anvar | Microanalysis method that use xxrays radiation |
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