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JPH11352489A - 広視野角液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

広視野角液晶表示装置及びその製造方法

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JPH11352489A
JPH11352489A JP11134981A JP13498199A JPH11352489A JP H11352489 A JPH11352489 A JP H11352489A JP 11134981 A JP11134981 A JP 11134981A JP 13498199 A JP13498199 A JP 13498199A JP H11352489 A JPH11352489 A JP H11352489A
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display device
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pattern
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 多重分割のためのパターン構造を形成して視
野角を拡大し、分割配向のためのパターンを形成する工
程を単純化する。また、多重分割領域の境界付近におい
ての光漏れ現象を減少させて対比度を向上させる電極及
びブラックマトリックス構造を具現する。 【解決手段】 第１基板、第１基板の上に形成されてい
る共通電極、共通電極の上に領域を分割するために形成
されている突起パターン、第１基板と対向するように対
応している第２基板、第２基板の上に形成されており、
領域を分割するための開口パターンを有している画素電
極を含んでなる液晶表示装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は垂直配向液晶表示装
置及びその製造方法に関し、特に一つの画素領域内で液
晶分子の配向方向が分割されて広視野角を具現する液晶
表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示装置は二枚の基板の間
に液晶を注入して、ここに印加する電場の強さを調節し
て光透過量を調節する構造からなる。
【０００３】垂直配向ねじれネマチック方式の液晶表示
装置は内側に透明電極が形成されている一組の透明基
板、二つの透明基板の間の液晶物質、それぞれの透明基
板の外側に付着されて光を偏向させる二枚の偏光板から
なる。電場を印加しない状態において液晶分子は二つの
基板に対して垂直に配向しており、電場を印加すると二
つの基板の間に詰められた液晶分子が基板に平行して一
定のピッチを有して螺旋状にねじれるようになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＶＡＴＮ液晶表示装置
の場合、電界が印加されない状態において液晶分子が基
板に対して垂直に配向しているため、直交する偏光板を
用いる場合電界が印加されない状態において完全に光が
遮断できる。すなわち、ノーマリブラックモード（ｎｏ
ｒｍａｌｌｙｂｌａｃｋｍｏｄｅ）においてオフ状態の
輝度が非常に低いので、従来のねじれネマチック液晶表
示装置に比べて高い対比度を得ることができる。しか
し、電界が印加された状態、特に階調電圧が印加された
状態においては通常のねじれネマッチクモードと同様に
液晶表示装置を見る方向によって光の遅延に大きい差異
が生じて視野角が狭いという問題点がある。
【０００５】本発明の目的は多重分割のためのパターン
構造を形成して視野角を拡大し、分割配向のためのパタ
ーンを形成する工程を単純化することにある。
【０００６】本発明の他の目的は多重分割領域の境界付
近においての光漏れ現象を減少させて対比度を向上させ
る電極及びブラックマトリックス構造を具現することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明による液晶表示装置においては、下部基板の画
素電極に開口パターンを形成して、前記基板に突起パタ
ーンを形成して液晶分子を分割配向する。
【０００８】二つの基板の間に負の誘電率異方性を有す
る液晶物質が注入されており、該液晶物質の分子軸を垂
直に配向する配向膜をさらに含むことができる。
【０００９】二つの基板の外側に透過軸が互いに直交す
る偏光板が付着されていることもある。
【００１０】ａプレート一軸性補償フィルム及びｃプレ
ート一軸性補償フィルムが偏光板と薄膜トランジスタ基
板及びカラーフィルター基板の間にそれぞれ付着される
こともあり、この時、補償フィルムの屈折率が一番大き
い方向が偏光板の透過軸と一致するか直交するように付
着するのが好ましい。
【００１１】開口パターン及び突起パターンは偏向軸を
基準に４５度の角度を有する山型形状に形成されている
こともある。
【００１２】一方、開口パターンは偏向軸と９０度の角
度を有する十字状またはＸ状に形成されており、突起パ
ターンは十字状またはＸ状を取り囲む四角形に形成して
いることがあるが、十字状の場合、中央から外側へ行く
ほどその幅が狭くなるのが好ましい。
【００１３】開口パターンの幅、突起パターンの幅と高
さはそれぞれ３〜２０μm、３〜２０μm、０．３〜３μ
mであるのが適当である。
【００１４】突起パターンと重なるように上部基板の上
にブラックマトリックスが形成されていることもあり、
下部基板の上に開口パターンと重なる配線を含むことも
できる。
【００１５】本発明による他の液晶表示装置において下
部基板の上に山型形状の開口パターンを有する画素電極
を形成しており、対応するほかの上部基板の上には開口
パターンと平行するように交互に配列されている山型形
状の突起パターンが形成されている。
【００１６】上部基板には突起パターンと重なる第１部
分及び山型形状に形成されている開口パターンと突起パ
ターンとの折曲部分を横切る形態に形成されている第２
部分及び開口パターンと突起パターンとが画素電極の境
界と会う部分を遮る第３部分を有するブラックマトリッ
クスが上部基板の上に形成されていることがある。
【００１７】この時、ブラックマトリックスの第２部分
は三角形に形成されていることがあり、ブラックマトリ
ックスは開口パターンと重なる第４部分をさらに有する
ことがある。
【００１８】一方、開口パターンと突起パターンとの間
の画素電極の端部が開口パターンと９０度の角度を成す
ことも可能である。
【００１９】前記のような本発明の実施例による液晶表
示装置の製造方法においては薄膜トランジスタ基板の開
口パターンを画素電極パターニング段階において同時に
形成し、カラーフィルター基板には領域を分割するため
の突起パターンを開口パターンと平行するように交互に
配列されるように形成する。
【００２０】突起は感光性膜で塗布、露光、現像または
焼き付けて形成できる。
【００２１】前記のように薄膜トランジスタ基板の場合
にはＩＴＯ画素電極のパターニング段階において開口部
が同時に形成されて、カラーフィルター基板の場合はカ
ラーフィルターの上に保護膜を塗布する必要がないので
工程が単純化する。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例による垂直
配向液晶表示装置及びその製造方法について添付図面を
参照しながら詳細に説明する。
【００２３】図１(Ａ)及び(Ｂ)は垂直配向液晶表示装置
において液晶分子の配列を電界が印加されない状態と電
界が十分に印加された状態とに分けて図示した図面であ
る。
【００２４】図１(Ａ)及び(Ｂ)に図示されたように、ガ
ラスや石英などで作られた二つの基盤１、２が互いに対
向しており、二つの基板１、２の内側面にはＩＴＯ（ｉ
ｎｄ−ｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）などの透明導電物質か
らなる透明電極１２、２２及び配向膜１４、２４が順次
に形成されている。二つの基板１、２の間には負の誘電
率異方性を有する液晶物質からなる液晶層１００があ
る。それぞれの基板１、２の外側面には液晶層１００に
入射する光及び液晶層１００を透過して出る光を偏向さ
せる偏光板１３、２３がそれぞれ付着されており、下部
基板１に付着された偏光板１３の偏向軸Ｂは上部基板２
に付着された偏光板２３の偏向軸Ａに対して９０度の角
度を成している。配向膜１４はラビング処理することも
あり、処理しないこともある。
【００２５】図１(Ａ)は電界を印加しない場合を示した
ものであって、液晶層１００の液晶分子３は配向膜１４
の配向力によって二つの基板１、２の表面に対して垂直
方向に配列されている。この時、下部基板１に付着され
ている偏光板１３を通過した光は偏光方向が変わらず液
晶層１００を通過する。次に、前記光は上部基板２に付
着されている偏光板２３によって遮断されてブラック状
態を示す。
【００２６】図１(Ｂ)は電界を十分に印加する場合を示
すものであって、液晶分子３は下部基板１から上部基板
２に至るまで９０度の角度を成すように螺旋状にねじら
れているため、液晶分子３の長軸方向が連続的に変化す
るねじられた構造を有する。ここで、二つの基板１、２
に隣接した部分においては印加された電場による力より
は配向膜１４の配向力が強いので、液晶分子３は垂直に
配向された元来の状態を維持する。この時、下部基板１
が付着された偏光板１３を通過して偏向された光が液晶
層１００を通過しながらその偏向軸が液晶分子３の長軸
方向のねじれに沿って９０度回転するようになり、した
がって、反対側の基板２に付着されている偏光板２３を
通過するようになってホワイト状態になる。
【００２７】一方、電圧が印加された状態においては角
度による視野角の依存性が大きく現われる。したがっ
て、垂直配向方式自体では広視野角の効果があるといえ
ないので、単位画素内で領域を分割するか補償フィルム
を用いることで視野角を補償することがある。
【００２８】図２と図３(Ａ)及び(Ｂ)は本発明の第１実
施例による垂直配向液晶表示装置において視野角を補償
するために提案された構造及び原理を図示したものであ
る。
【００２９】図２に示したように、下部基板の透明画素
電極１５に一方向に長く開口部４が空いており、このよ
うな下部基板は透明共通電極２５が前面に形成されてい
る上部基板と対向するように対応される。二つの電極１
５、２５に電圧が印加されると液晶分子３は開口部４に
よって生成されるフリンジフィールドによって開口部４
を境界にして左右対称的に配列される。開口部４の代わ
りに、突起が形成されていても同一な効果を得ることが
できる。
【００３０】図３(Ａ)及び(Ｂ)は前記のパターンによっ
て分割配向を具現した場合の液晶分子の配列をそれぞれ
図示した断面図である。
【００３１】先ず、図３(Ａ)を見ると、下部基板１に形
成されているＩＴＯ電極１５の一部が除去されて開口パ
ターン４が形成されている。電界を印加しない状態にお
いては図１(Ａ)に示したように液晶分子３は二つの基板
１、２に垂直に配列された状態を維持するので、電極が
オープンされない時と同一なブラック状態を現す。電界
を印加すると、ほとんどの領域においては基板１、２に
垂直である電場が形成されるがＩＴＯ電極１５が除去さ
れた開口パターン４の付近の電場は二つの基板１、２に
対して完全に垂直には形成されない。このようにオープ
ンされた部分の付近に形成される曲がった電場をフリン
ジフィールド（ｆｒｉｎｇｅｆｉｅｌｄ）という。
【００３２】液晶が負の誘電率異方性を有するため、液
晶分子３の配列方向は電場の方向と垂直になろうとす
る。したがって、このようなフリンジフィールドによっ
てオープンされた開口パターン４付近の液晶分子３の長
軸は二つの基板１、２の表面に対して傾いたままねじれ
るようになる。すると、ＩＴＯ電極がオープンされた部
分の中心線を基準に両側で液晶分子の傾く方向が反対に
なる二つの領域が生じるようになり、二つの領域の光学
的特性が互いに補償されて視野角が広がる。
【００３３】次に、図３(Ｂ)を見ると、下側基板１に山
型形状の突起５が形成されており、その上に垂直配向膜
１４が形成されている。液晶分子３は垂直配向膜１４の
配向力によって表面に対して垂直に配列しようとするの
で、電界が印加されない状態において突起５の周辺の液
晶分子３は突起５の表面に垂直である方向に傾くように
なる。
【００３４】十分な電界が二つの基板１、２の間に印加
されると、液晶分子３は電界の方向に対して垂直に配列
しようとするので、ねじれて基板１、２に対して平行に
配列される。図２と同様に突起５の中心線を基準に両側
で液晶分子３の傾く方向が反対になる二つの領域が生じ
るので、二つの領域の光学的特性が互いに補償されて視
野角が広がる。
【００３５】しかし、上部基板２の端部の表面に位置す
る液晶分子３´と下部基板１の開口パターン４または突
起５の付近に位置する液晶分子３の傾く程度が異なって
駆動の際、液晶配列の変動が大きく現われることがあ
る。
【００３６】液晶配列の変動を小さくして駆動を安定的
にするためのパターン構造及び配向原理が図４(Ａ)及び
(Ｂ)に図示されている。
【００３７】図３(Ａ)と同様に、下部基板１に形成され
ているＩＴＯ画素電極１５の一部が除去された開口パタ
ーン４が形成されている。また、上部基板２のＩＴＯ共
通電極２５の一部が除去されているが、下部基板１のオ
ープンされた部分とは一定距離をはずれて形成されてい
る。ＩＴＯ画素電極１５と共通電極２５とに電界を印加
すると、画素電極１５と共通電極２５とのオープンされ
た部分の付近ではフリンジフィールドが形成される。
【００３８】したがって、画素電極１５及び共通電極２
５がオープンされた部分の中心線を基準に両側で液晶分
子の傾く方向が反対になる二つの領域が生じるようにな
り、二つの領域の光学的特性が互いに補償されて視野角
が広がる。のみならず、上部基板２のオープンされた部
分と下部基板２のオープンされた部分との液晶分子３が
互いに平行に傾いている。したがって、液晶配列が安定
的になり、応答速度においても有利である。
【００３９】次に、図４(Ｂ)では下側基板１に山型形状
の突起５が形成されており、その上に垂直配向膜１４が
形成されている。また、上側基板２にも突起５及び垂直
配向膜２４が形成されている。前記図４(Ａ)のように、
それぞれの突起５を基準に両側で視野角の補償が成され
て、液晶分子３が分割された領域内で平行に配列される
ので、安定的な配列が成される。
【００４０】しかし、一つの画素領域が二分割配向され
た構造であるため、四分割方向に比べて視野角が不完全
に補償される問題点を依然として有している。
【００４１】また、突起パターンを上部及び下部基板に
形成した場合、電圧が印加されない時にも突起パターン
５の周囲で液晶分子３が完全に垂直配向されず一定の傾
斜を有して配列されるので、複屈折現象によって光が漏
れる現象が深刻に発生する。したがって、ブラック状態
の輝度が増加して対比度が減少する問題点がある。
【００４２】さらに、図４(Ａ)及び(Ｂ)の構造の液晶表
示装置を形成する工程が増加する短所がある。
【００４３】すなわち、図４(Ａ)でのカラーフィルター
基板の場合、ＩＴＯ共通電極２５内に開口パターンを形
成するためにはＩＴＯエッチ液を用いた湿式エッチング
を実施せねばならず、エッチング工程の間、エッチ液が
カラーフィルターに染み入ることがある。カラーフィル
ター内に染み入るエッチ液はカラーフィルターを汚染す
るか損傷するため、ＩＴＯ工程以前に有機物質または無
機物質の保護膜を追加して覆うべきである。したがっ
て、工程が増加する。
【００４４】図４(Ｂ)では画素電極及び共通電極を上部
及び下部基板にそれぞれ形成した後、その上に突起を形
成する工程が追加されるべきである。
【００４５】前記のように、画素領域の多重分割、対比
度、工程の単純化を同時に具現するのは難しい。
【００４６】図５は本発明の第５乃至１２の実施例によ
る垂直配向液晶表示装置の分割配向を図示した断面図で
ある。
【００４７】図５に示したように、下部基板１０の上の
ＩＴＯ画素電極２００には一部が除去された開口部２７
０が形成されており、その上には液晶分子３０を基板１
０面に垂直に配列するための垂直配向膜２４０が形成さ
れている。上部基板２０には突起パターンが形成されて
おり、突起パターン１７０が下部基板１０の開口部２７
０と交互に繰返されて配列されるように二つの基板１
０、２０が対応している。二つの基板１０、２０の間に
は負の誘電率異方性液晶物質３０が注入されている。
【００４８】また、上部及び下部基板１０、２０の外側
面には偏光板１３、２３が付着されている。偏光板１
３、２３の透過軸は互いに直角に置かれ、透過軸は突起
１７０及び開口部２７０の方向と４５度または９０度に
なるように置かれる。
【００４９】また、偏光板１３、２３と基板１０、２０
面の間には補償フィルム１３３、２３３がそれぞれ付着
されている。この時、二つの基板の中の一つにはａプレ
ート一軸性補償フィルムを、反対側にはｃプレート一軸
性補償フィルムを付着するか、ｃプレート一軸性補償フ
ィルムを両側に付着することができる。一軸性補償フィ
ルムの代わりに二軸性補償フィルムを用いることもでき
るが、この場合は二つの基板の中の一方にだけ二軸性補
償フィルムを付着することもできる。補償フィルムの付
着方向はａプレートまたは二軸性補償フィルムで屈折率
が一番大きい方向、つまり遅い軸が偏光板の透過軸と一
致するか直交するように付着する。
【００５０】前記のような液晶表示装置に電圧が印加さ
れると、画素電極２００の開口部２７０の付近でフリン
ジフィールドが形成されて開口部２７０を基準に両側で
液晶分子３０が対称的に配列され、上部基板の突起パタ
ーン１７０を中心に液晶分子３０が両側で対称的に配列
されて画素領域が開口部２７０と突起パターンとを中心
に分割配向される。
【００５１】前記のような構造のパターンは従来より単
純な工程から形成されるが、製造方法については後に説
明する。
【００５２】前記のように、分割配向をするようになる
と、配向の形態によって輝度や応答速度、残像などパネ
ルの特性が異なるようになる。したがって、ＩＴＯ電極
に形成される開口部や突起などのような分割配向のため
のパターンをどのような形態に作るかが重要な問題とな
る。
【００５３】本発明の実施例による液晶表示装置は四分
割配向領域を一つの画素領域に形成して広視野角を得る
ことができる液晶表示装置である。
【００５４】本発明の第５実施例による分割配向のため
のパターンが図６に示されている。
【００５５】カラーフィルター基板に形成された突起パ
ターン１７０と薄膜トラジスタ基板１０との画素電極２
００にオープンされた開口パターン２７０は全て画素の
縦方向の中央の部分で山型形状に折れた形態で形成され
ており、二つの基板に形成された突起パターン１７０と
開口パターン２７０とは交互に形成されている。このよ
うなパターン１７０、２７０を有する液晶表示装置の場
合、画素の中央の折れた位置を中心に下側半分または上
側半分に当たる領域の液晶分子は二つの基板に形成され
た互いに平行したパターンの間で互いに反対する方向に
倒れて二分割を得ることができる。そして、画素の中央
の折れた位置を中心に下側半分と上側半分とのパターン
が中央で折れていてパターンの傾斜方向が反対になって
いるため、画素全体として見ると、配向が異なる四つの
領域が存在するようになって、視野角を広げることがで
きる。
【００５６】図６に示したような液晶表示装置の一つの
画素内のほとんどの領域で液晶分子の方向子は互いに対
向するか反対方向に配列されるので、配向が非常に安定
的に現われる。
【００５７】偏光板の一つの透過軸１１１を基準にパタ
ーンを見ると、一透過軸１１１に対して上部及び下部両
側に４５度角度に開口パターン２７０及び突起パターン
１７０が形成されていて液晶分子の方向子が偏光板の透
過軸１１１、２２２方向と４５度角度を有するので視野
角の特性が向上する。
【００５８】前記に説明したように、補償フィルムが用
いられる場合ａプレートまたは二軸性補償フィルムで屈
折率が一番大きい方向が偏光板の透過軸１１１、２２２
と一致するか直交するように補償フィルムが付着され
る。
【００５９】パターンの中央の部分が折れず直線を形成
する場合さらに速い応答速度を得ることができるが、視
野角の側面で見ると四分割配向が有利であるため、この
二つの要件をできるだけ同時に満足するための方法とし
て提示されたのが本発明の第５実施例による分割配向の
ためのパターンである。
【００６０】しかし、この場合山型形状に折れた部分で
液晶分子の配列が乱れるようになり、下側基板の画素電
極開口パターン２７０と画素電極２００との境界が会う
部分が鋭角を成してこの部分でもディスクリネーション
が発生する。
【００６１】図７は図６のａ部分を拡大して示した平面
図であって、画素電極開口パターン２７０と画素電極２
００との境界が会う部分の液晶分子の配列を示してい
る。
【００６２】図７に示したようにＡ部分で液晶分子の配
列が乱れているため、輝度が低下する現象が現われるこ
ともある。また、このような乱れた配列は液晶表示装置
に画像を表示するために互いに異なる画素電圧を印加す
る過程において動くことがあるため、残像の原因になる
こともある。
【００６３】図８(Ａ)と(Ｂ)に示された本発明の第６実
施例による液晶表示装置は第１実施例で生じるディスク
リネーションを無くすことができる構造を有している。
【００６４】基本的なパターンの形態は第５実施例と類
似している。すなわち、カラーフィルター基板に形成さ
れた突起パターン１７０と薄膜トランジスタ基板に形成
された開口パターン２７０とはすべて画素の横方向の中
央の部分で山型形状に折れた形態で形成されており、二
つの基板に形成されたパターン１７０、２７０は交互に
形成されている。
【００６５】そして、山型形態に折れた部分の中央を横
切るように延長開口パターン２７２と第１枝突起パター
ン１７２とが形成されており、画素電極２００の境界と
突起パターン１７０とが会う地点から開口パターン２７
０側へ画素電極２００の端部に沿って第２枝突起パター
ン１７１が延長されている。このようにすると、上下板
のパターンの端部が互いに近くなり、パターンが鈍角に
形成されてディスクリネーションを無くすことができ
る。
【００６６】第１及び２枝突起パターン１７１、１７２
及び延長開口パターン２７２は山型形状に連結される部
分からその端部に行くほど厚さが薄くなるように形成す
るのが好ましく、山型形状のパターン１７、２７の幅は
３〜２０μm程度に形成するのが好ましい。また、パタ
ーンの間の間隔は５〜１５μmが好ましい。
【００６７】図９は図８(Ａ)のｂ部分の拡大図であっ
て、第６実施例に追加された枝パターンによって液晶分
子が整然と配列されていることが分かる。
【００６８】本発明の第７実施例では第５実施例の構造
で現われるディスクリネーションによる問題を解決する
ためにディスクリネーションを生じる領域をゲート配線
またはブラックマトリックスを用いて遮る。
【００６９】図１０と１１とはそれぞれ本発明の第７実
施例による液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板とカラ
ーフィルター基板の平面図である。
【００７０】図１０に示されたように、走射信号を伝達
するゲート線２１０が下辺がない梯形に形成されてお
り、分割配向を形成するためのパターン２７０が梯形の
斜辺に位置するゲート線２１０と重なる。すると、金属
からなるゲート線２１０が後面光源から入る光を遮断し
て薄膜トランジスタ基板の画素電極の開口パターン２７
０による光漏れや輝度の低下を防止することができる。
【００７１】次に、図１１に示したように、カラーフィ
ルター基板にはディスクリネーションが発生する領域と
カラーフィルター基板側の突起パターン１７０、１７
１、１７２が形成された部分を遮るようにブラックマト
リックス１１０が形成されている。ディスクリネーショ
ンが発生する領域は薄膜トランジスタ基板の開口パター
ン２７０と画素電極２００の境界領域との間の領域と山
型形状のパターン１７０、２７０が折れた部分である。
【００７２】前記のようなディスクリネーションを遮る
ためのブラックマトリックスパターンは図１１に示され
たように下側基板に画素電極２００が形成されている領
域を取り囲む形態で形成されて画素領域を定義している
端部と分割配向を形成するためのパターン１７０が形成
された部分を遮るために山型形状に形成された部分、山
型形状の突起パターン１７０の間で生じるディスクリネ
ーションを遮るために三角形に形成された部分、山型形
状のパターン１７０、２７０が折れる部分で生じるディ
スクリネーションを遮るために画素領域の中央を横切る
部分から構成される。
【００７３】これによって、ディスクリネーションが発
生する部分やパターンによって生じる光漏れをブラック
マトリックス１１０を用いて遮断することができ、明る
い色を表示する時、周辺より暗く現われることから生じ
る輝度の低下を防止することができるなど対比度が向上
する。また、このようにブラックマトリックス１１０を
比較的広い面積で形成してもパターンが形成されている
部分やディスクリネーションが発生する部分は元来表示
に寄与する部分と見ることができないので、開口率が減
少する問題は発生しない。
【００７４】図１２は図１０と１１とに示されたように
二つの基板を結合して形成した液晶表示装置の平面図で
あり、図１３は図１２のXIII−XIII′線に沿って図示し
た断面図である。
【００７５】図１２と１３に示されたように、下側基板
である薄膜トランジスタ基板１０にはゲート線２１０が
下辺のない梯形状に形成されており、その上を絶縁膜２
２０が覆っている。絶縁膜の上には画素電極２００が形
成されているが、下辺のない梯形状に形成されたゲート
線２１０の斜辺と一致する位置に画素電極２００の一部
が除去された開口パターンが形成されている。画素電極
２００の上には液晶分子を垂直に配向するための垂直配
向膜２４０が形成されている。
【００７６】一方、上側基板であるカラーフィルター基
板２０にはブラックマトリックス１１０が画素の外側の
みならず、分割配向のための突起パターン１７０が形成
される部分とディスクリネーションが発生する部分とを
同時に遮るように形成されている。ブラックマトリック
ス１１０の間の画素領域にはカラーフィルター１２０が
形成されており、その上にはＩＴＯなどの透明導電物質
からなる共通電極１３０が形成されている。ブラックマ
トリックス１１０の上の共通電極１３０の上には有機膜
または無機膜で突起パターンが形成されている。上側基
板に形成された突起パターン１７０はブラックマトリッ
クス１１０と重なるように形成されており、下側基板の
開口パターン２７０と平行するように交代に形成されて
いる。突起パターン１７０が形成されている共通電極の
上にも垂直配向膜１４０が形成されている。
【００７７】二つの基板１０、２０の外側面には透過軸
が互いに直交するように偏光板１３、２３がそれぞれ付
着されている。補償フィルム２３３、１３３がさらに付
着されていることもある。
【００７８】二つの基板の間には負の誘電率異方性を有
する液晶物質３０が注入されており、二つの基板１０、
２０に形成されている垂直配向膜１４０、２４０の配向
力によって二つの基板１０、２０に対して垂直に配向さ
れており、突起パターン１７０の周辺の液晶分子は突起
パターン１７０の表面に対して垂直の状態で配列されて
いる。
【００７９】ゲート線は通常の方法と同様に直線に形成
され、下板に分割配向のための開口パターンが形成され
ている部分もブラックマトリックスを用いて遮ることが
できる。図１４は本発明の第８実施例による液晶表示装
置の平面図である。
【００８０】ブラックマトリックス１１０が図１２に示
された本発明の第７実施例のように画素の外側、上板の
突起パターン１７０が形成される部分、ディスクリネー
ションが発生する部分を遮っており、下板の開口パター
ン２７０が形成される部分まで遮ることができるように
形成されている。
【００８１】本発明の第８実施例のように、ブラックマ
トリックスを用いてパターンが形成される部分とディス
クリネーションが発生する部分とを遮る場合、ゲート線
パターンの変形による影響を考慮しなくてもいいし、追
加の工程無しに単純な工程で垂直配向液晶表示装置の視
野角を広げながら対比度を向上させることができる。
【００８２】図１５で図示した本発明の第９実施例にお
いては、画素電極開口パターン２７０と画素電極２００
との境界が会う部分で液晶分子の配列が乱れて現われる
輝度の低下を防止するために画素電極の模様を変形す
る。
【００８３】前記のように、ディスクリネーションが発
生する部分は薄膜トランジスタ基板の画素電極２００の
開口パターン２７０と画素電極２００との境界が会う部
分である。
【００８４】したがって、本発明の第１０実施例におい
ては画素電極の開口パターン２７０とカラーフィルター
の突起パターン１７０との間の画素電極２００の境界が
開口パターン２７０と９０度の角度を成すようにする。
この時、開口パターン及び突起パターン１７０、２７０
の幅は３〜２０μm、パターンの間の間隔は５〜１５μm
であるのが好ましい。
【００８５】一つの画素領域を四分割配向するためのパ
ターンを有する本発明による第１０実施例が図１６に示
されている。
【００８６】図１６に示したように、薄膜トランジスタ
基板１０の画素電極には交差部分が９０度であるＸ型開
口パターン２８０が形成されており、カラーフィルター
基板には突起パターン１７０が形成されている。突起パ
ターン１７０は画素電極の端部領域とＸ型開口パターン
２８０と開口パターンとを横切る領域とで分れる。
【００８７】このような開口パターン２８０と突起パタ
ーン１７０とによって液晶の四分割配向がなされ、この
時、隣接した領域の液晶分子の方向子は互いに９０度を
成す。
【００８８】二つの偏光板の透過軸５５５、６６６の方
向がそれぞれ直角になるように付着する。この時、液晶
方向子の方向と透過軸５５５、６６６とは４５度を成す
ようにするのが好ましい。
【００８９】図１７及び１８は本発明の第１１及び１２
実施例による分割配向パターンを図示した平面図であっ
て、図１７は突起パターンが画素電極の端部と重なるか
端部内側に形成されている構造であり、図１８は突起パ
ターンが画素電極の外側に形成されている構造である。
【００９０】図１７及び１８に図示したように、薄膜ト
ランジスタ基板１０の画素電極２００には十字状の開口
パターン２５０が繰返し凹んでおり、カラーフィルター
基板には突起パターン１７０が十字状の開口パターン２
５０の外側を取り囲む形態で形成されている。
【００９１】このような開口パターン２５０と突起パタ
ーン１７０とによって液晶の四分割配向がなされ、この
時、連接した領域の液晶分子の方向子は互いに９０度を
成す。
【００９２】この時、十字状の開口パターン２５０は十
字パターンが分れる内側のダイヤモンド型の部分２５１
とダイヤモンド型部分の四つの角部から延長した枝パタ
ーン２５２からなり、枝パターン２５２は内側から外側
へ行くほど幅が狭くなる。
【００９３】突起パターン１７０は開口パターン２５０
と斜めに形成されているだけで同一な形態を有するの
で、開口パターン２５０のダイヤモンド型部分２５１の
斜辺と対向する突起パターン１７０の斜辺は互いに平行
する。
【００９４】したがって、二つの基板に形成されたパタ
ーンの間で液晶分子は殆ど一定の方向に倒れるようにな
り、このような方向は既に相当安定的であるため、再配
列される過程を経る必要がなくて応答速度は向上する。
【００９５】この時、二つの基板の偏光板の偏光方向は
それぞれ横方向と縦方向に互いに交差するように付着し
て偏向方向が液晶方向子の方向と４５度を成すようにす
るのが好ましい。
【００９６】また、この時、パターン１７０、２５０の
間の幅は３〜２０μm程度に形成し、突起パターン１７
０の高さは０．３〜３．０μm程度に形成されるのが好
ましい。
【００９７】パターン１７０、２５０の幅が狭すぎると
フリンジフィールドや突起によって液晶分子が傾く領域
が狭くて分割配向の効果を得るのが難しく、反対に広す
ぎるとパターンによって光が透過されない部分が広くて
開口率の減少をもたらす。
【００９８】また、突起パターン１７０と開口パターン
２５０との間の間隔は１０〜５０μmに形成されるのが
好ましい。
【００９９】開口率をさらに向上させるためには突起パ
ターン１７０が画素電極２００の端部と一部重なるか端
部の内側に形成されている図１７の実施例よりは画素電
極２００の端部の外側に突起パターン１７０が形成され
ている図１８の実施例を選択するのが好ましい。
【０１００】では、次に本発明の多重分割パターンを形
成するための液晶表示装置の製造方法について説明す
る。
【０１０１】図１９(Ａ)乃至(Ｅ)はカラーフィフィルタ
ー基板の製造方法を工程順に従って図示した断面図であ
る。
【０１０２】先ず、透明な絶縁基板の上にブラックマト
リックス１１０を形成して（図１９(Ａ)参照）、カラー
フィルターパターン１２０を形成する（図１９(Ｂ)参
照）。
【０１０３】その上にＩＴＯ物質で共通電極１３０を全
面に形成する（図１９(Ｃ)参照）。
【０１０４】フォトレジストまたはポリイミドなどのよ
うな感光性膜を３〜２０μm程度の厚さで共通電極１３
０の上に塗布（図１９(Ｄ)参照）、露光、現像した後、
焼き付け工程を実施して０．３〜３μm幅の突起パター
ン１７０を形成する（図１９(Ｅ)参照）。この時、突起
パターン１７０がブラックマトリックス１１０と重なる
ように形成することもできる。
【０１０５】終りに、垂直配向膜１４０を塗布してカラ
ーフィルター基板を完成する。
【０１０６】前記のように、共通電極を一部除去した開
口パターンを形成する場合、追加するべきカラーフィル
ター保護用保護膜形成工程を実施する必要がなく、突起
パターン１７０を無機または有機絶縁膜から形成する場
合に必要なフォトレジスト除去工程を経る必要がないの
で工程が単純になる。
【０１０７】図２０(Ａ)乃至(Ｄ)は薄膜トランジスタ基
板の製造方法を工程順に図示した断面図である。
【０１０８】透明絶縁基板１０の上にゲート線２１０な
どのゲート配線を形成し（図２０(Ａ)参照）、その上に
ゲート絶縁膜２２０を覆った後、半導体層（図示せず）
及びデータ配線を形成する工程を実施して薄膜トラジス
タを形成する（図２０(Ｂ)参照）。
【０１０９】保護膜（図示せず）を形成し、ＩＴＯのよ
うな透明導電物質を積層かつパターニングして画素電極
２００を形成する。この段階において、画素電極２００
の内部に３〜２０μm幅の開口パターン２７０を形成す
る（図２０(Ｃ)参照）。
【０１１０】次に、垂直配向膜２４０を塗布して薄膜ト
ランジスタ基板を完成する。
【０１１１】前記のように、薄膜トランジスタ基板の開
口パターンは画素電極をパターニングする段階において
同時に形成されるので別途の工程が要らない。
【０１１２】図１９(Ａ)乃至(Ｃ)と図２０(Ａ)乃至(Ｄ)
との過程を通じて製作された薄膜トランジスタ基板とカ
ラーフィルター基板を突起パターン１７０と開口パター
ン２７０とがはずれて位置するように組み立て、二つの
基板の間に陰の誘電率異方性を有する液晶を注入した
後、透過軸が互いに直交するように偏光板を基板の外側
面に付ける。
【０１１３】この時、偏光板の透過軸は突起パターン１
７０及び開口パターン２７０と４５度または９０度の角
度を有するように付着する。
【０１１４】偏光板２３、１３と基板２０、１０との面
の間に補償フィルム２３３、１３３を付着する。
【０１１５】この時、二つの基板の中で一方にはａプレ
ート一軸性補償フィルム２３３を、反対側基板にはｃプ
レート一軸性補償フィルムを付着するか、ｃプレート一
軸性フィルムを両側に付着することができる。一軸性補
償フィルムの代わりに一軸性補償フィルムを一方にだけ
付着することもできる。補償フィルム２３３、１３３の
付着方向はａプレートまたは二軸性補償フィルムで屈折
率が一番大きい方向が偏光板の透過軸と一致するか直交
するように付着する。
【０１１６】前記のように、薄膜トランジスタ基板の開
口パターン２７０は画素電極２００をパターニングする
段階で同時に形成し、カラーフィルター基板の突起パタ
ーン１７０を形成する以前に保護膜工程を追加する必要
がない。
【０１１７】
【発明の効果】以上のように、本発明による液晶表示装
置及びその製造方法においては開口パターンを画素電極
をパターニングする段階で形成し、突起パターンを形成
する以前に保護膜を形成する必要がないので、工程を追
加せず四分割垂直配向液晶表示装置を具現することがで
きる。したがって、広視野角が実現される。
【０１１８】また、突起パターンと開口パターンとが形
成されるところにブラックマトリックスまたはゲート線
を対応するか画素電極の構造を変形することによって輝
度を高めて対比度を向上させる。
【図面の簡単な説明】
【図１】垂直配向液晶表示装置において液晶分子の配向
をブラックモード及びホワイトモードによって図示した
概念図である。
【図２】本発明の第１実施例による液晶表示装置の分割
配向のためのパターンの平面図である。
【図３】本発明の第１及び２実施例による垂直配向液晶
表示装置の分割配向を図示した断面図である。
【図４】本発明の第３及び４実施例による垂直配向液晶
表示装置の分割配向を図示した他の断面図である。
【図５】本発明の第５及び１２実施例による垂直配向液
晶表示装置の分割配向を図示した断面図である。
【図６】本発明の第５実施例による垂直配向液晶表示装
置の分割配向のためのパターンを図示した平面図であ
る。
【図７】図６のａ部分の拡大図である。
【図８】本発明の第６実施例による垂直配向液晶表示装
置の分割配向のためのパターンを図示した断面図であ
る。
【図９】図８(Ａ)のｂ部分の拡大図である。
【図１０】ゲート線の変形された形態を示す平面図であ
る。
【図１１】本発明の第７実施例によるカラーフィルター
基板のブラックマトリックス及び突起パターンを示す平
面図である。
【図１２】図１０と図１１とを対応させた平面図であ
る。
【図１３】図１２のXIII−XIII′線に対する断面図であ
る。
【図１４】本発明の第８実施例によるカラー基板のブラ
ックマトリックスを示す平面図である。
【図１５】本発明の第９実施例による画素電極の変形さ
れた形態を示す平面図である。
【図１６】本発明の第１０実施例による垂直配向液晶表
示装置の分割配向のためのパターンを図示した平面図で
ある。
【図１７】本発明の第１１実施例による垂直配向液晶表
示装置の分割配向のためのパターンを図示した平面図で
ある。
【図１８】本発明の第１２実施例による垂直配向液晶表
示装置の分割配向のためのパターンを図示した平面図で
ある。
【図１９】本発明の実施例によるカラーフィルター基板
の製造方法を示す断面図である。
【図２０】本発明の実施例による薄膜トランジスタ基板
の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１、２ 基板 ３、３０ 液晶分子 ４、２７０ 開口部 ５ 突起 １２、２２ 透明電極 １３、２３ 偏光板 １４、２４、２４０ 配向膜 １５、２５ 電極 １００ 液晶層 １１０ ブラックマ
トリックス １１１、２２２、３３３、４４４ 透過軸 １２０ カラーフィ
ルタ １３３、２３３ 補償フィル
ム １４０、２４０ 垂直配向膜 １７０、１７１、１７２ 突起パター
ン ２００ 画素電極 ２１０ ゲート線 ２２０ ゲート絶縁
膜 ２５１ ダイヤモン
ド型部分

Claims (79)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１基板、前記第１基板の上に形成されて
    いる共通電極、前記共通電極の上に領域を分割するため
    に形成されている突起パターン、前記第１基板と対向す
    るように対応している第２基板、前記第２基板の上に形
    成されており、領域を分割するための開口パターンを有
    している画素電極を含んでなる液晶表示装置。
  2. 【請求項２】前記第１基板と前記第２基板との間に注入
    されており、負の誘電率異方性（anisotropy）を有する
    液晶物質をさらに含んでなる請求項１に記載の液晶表示
    装置。
  3. 【請求項３】前記第１基板及び第２基板は前記液晶物質
    の分子軸を垂直に配向する配向膜をさらに含んでなる請
    求項２に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】前記第１及び第２基板の外側に付着されて
    いる第１及び第２偏光板をさらに含み、前記第１及び第
    ２偏光板の透過軸は互いに直交する請求項１に記載の液
    晶表示装置。
  5. 【請求項５】前記第１及び第２偏光板の中の一つの内側
    に付着されている第１補償フィルムをさらに含んでなる
    請求項４に記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項６】前記第１補償フィルムは二軸性補償フィル
    ムである請求項５に記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項７】前記第１補償フィルムにおいて一番大きい
    屈折率を有する方向が前記第１及び第２偏光板の透過軸
    と一致するか直交する請求項６に記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項８】前記第１及び２偏光板の中の一つの内側に
    付着されている第２補償フィルムをさらに含んでなる請
    求項５に記載の液晶表示装置。
  9. 【請求項９】前記第１及び第２補償フィルムはそれぞれ
    aプレート及びｃプレート（plate）一軸性補償フィルム
    である請求項８に記載の液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】前記aプレート一軸性補償フィルムにお
    いて一番大きい屈折率を有する方向が前記第１及び第２
    偏光板の透過軸と一致するか直交する請求項９に記載の
    液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】前記開口パターンは山型形状に形成され
    ている請求項４に記載の液晶表示装置。
  12. 【請求項１２】前記突起パターンは前記開口パターンと
    平行するように交互に配列されており、山型形状に形成
    されている請求項１１に記載の液晶表示装置。
  13. 【請求項１３】前記突起パターンは前記開口パターンと
    前記画素電極との境界が成す角度が鋭角である部分の前
    記画素電極の境界に沿って延長された第１枝突起をさら
    に含む請求項１２に記載の液晶表示装置。
  14. 【請求項１４】前記第１枝突起は前記開口パターンの方
    へ行くほどその幅が狭くなる請求項１３に記載の液晶表
    示装置。
  15. 【請求項１５】前記共通電極には前記山型形状の突出部
    分から前記開口パターンの方に伸びている第２枝突起が
    形成されており、前記画素電極には前記開口パターンの
    前記山型形状の突出部分から前記突起パターンの方へ伸
    びている延長開口部が形成されている請求項１４に記載
    の液晶表示装置。
  16. 【請求項１６】前記延長開口部は前記突起パターンの方
    へ行くほどその幅が狭くなり、前記第２枝突起は前記画
    素電極の端部側に行くほどその幅が狭くなる請求項１５
    に記載の液晶表示装置。
  17. 【請求項１７】前記開口パターン及び前記突起パターン
    は前記第１及び第２偏光板の透過軸に対してそれぞれ４
    ５度の方向に形成されている請求項１２に記載の液晶表
    示装置。
  18. 【請求項１８】前記開口パターンの幅は３〜２０μmで
    ある請求項１２に記載の液晶表示装置。
  19. 【請求項１９】前記突起パターンの幅は３〜２０μmで
    ある請求項１８に記載の液晶表示装置。
  20. 【請求項２０】前記開口パターンと前記突起パターンと
    の間の間隔は５〜１５μmである請求項１９に記載の液
    晶表示装置。
  21. 【請求項２１】前記突起パターンの高さは０．３〜３μ
    mである請求項２０に記載の液晶表示装置。
  22. 【請求項２２】前記開口パターンは垂直に交差した第１
    部分と第２部分とからなる十字状である請求項４に記載
    の液晶表示装置。
  23. 【請求項２３】前記突起パターンは前記開口パターンの
    十字状を取り囲む四角形状に形成されている請求項２２
    記載の液晶表示装置。
  24. 【請求項２４】前記開口パターンは前記十字状の中央か
    ら外側へ行くほどその幅が狭くなる請求項２３に記載の
    液晶表示装置。
  25. 【請求項２５】前記開口部は前記十字状の中央の部分が
    ダイヤモンド型に形成されている請求項２４に記載の液
    晶表示装置。
  26. 【請求項２６】前記開口パターンの間隔は１０〜５０μ
    mに形成されている請求項２５に記載の液晶表示装置。
  27. 【請求項２７】前記第１部分と第２部分とは前記第１及
    び第２偏光板の透過軸と一致するように形成されている
    請求項２２に記載の液晶表示装置。
  28. 【請求項２８】前記突起パターンは前記画素電極の端側
    の外側に位置するように形成されている請求項２３に記
    載の液晶表示装置。
  29. 【請求項２９】前記突起パターンは前記画素電極の端側
    と重なるように形成されている請求項２３に記載の液晶
    表示装置。
  30. 【請求項３０】前記開口パターンは交差する第１部分と
    第２部分とが互いに直角であるＸ状に形成されている請
    求項４に記載の液晶表示装置。
  31. 【請求項３１】前記突起パターンは前記開口パターンの
    Ｘ状を取り囲む四角形状に形成されている請求項３０に
    記載の液晶表示装置。
  32. 【請求項３２】前記第１部分と前記第２部分とは前記第
    １及び第２偏光板の透過軸と一致する請求項３１に記載
    の液晶表示装置。
  33. 【請求項３３】前記突起パターンは前記画素電極の端部
    の外側に位置するように形成されている請求項３０に記
    載の液晶表示装置。
  34. 【請求項３４】前記突起パターンは前記画素電極の端部
    と重なるように形成されている請求項３０に記載の液晶
    表示装置。
  35. 【請求項３５】前記突起パターンはポリイミドから形成
    されている請求項１に記載の液晶表示装置。
  36. 【請求項３６】前記突起パターンはフォトレジストから
    形成されている請求項１に記載の液晶表示装置。
  37. 【請求項３７】前記突起パターンと重なるように前記第
    ２基板の上に形成されているブラックマトリックスをさ
    らに含んでなる請求項１に記載の液晶表示装置。
  38. 【請求項３８】前記第１基板の上に形成されており、前
    記開口パターンと重なる配線をさらに含んでなる請求項
    ３７に記載の液晶表示装置。
  39. 【請求項３９】前記配線はゲート配線である請求項３８
    に記載の液晶表示装置。
  40. 【請求項４０】山型形状の開口パターンが形成されてい
    る画素電極を有する第１基板、共通電極、前記共通電極
    の上に形成されており、前記開口パターンと互いに平行
    するように交互に配列されている山型形状の突起パター
    ンを有する第２基板を含んでなる液晶表示装置。
  41. 【請求項４１】前記第１基板の上にブラックマトリック
    スが形成されており、前記ブラックマトリックスは前記
    突起パターンと重なる第１部分と、前記山型形状に形成
    されている開口パターンと突起パターンとの折曲部分を
    横切る形態で形成されている第２部分と、前記開口パタ
    ーンと突起パターンとが前記画素電極の境界と会う部分
    を遮る第３部分を有している請求項４０に記載の液晶表
    示装置。
  42. 【請求項４２】前記ブラックマトリックスは前記開口パ
    ターンと重なる第４部分をさらに含む請求項４１に記載
    の液晶表示装置。
  43. 【請求項４３】前記ブラックマトリックスの前記第３部
    分は三角形に形成されている請求項４０に記載の液晶表
    示装置。
  44. 【請求項４４】前記第１基板には前記開口パターンと重
    なる配線がさらに形成されている請求項４０に記載の液
    晶表示装置。
  45. 【請求項４５】前記配線はゲート配線である請求項４４
    に記載の液晶表示装置。
  46. 【請求項４６】前記開口パターンと前記突起パターンと
    の間の画素電極の端部が前記開口パターンと９０度の角
    度を成している請求項４０に記載の液晶表示装置。
  47. 【請求項４７】第１基板、前記第１基板の上に形成され
    ている共通電極、前記共通電極の上に領域を分割するた
    めに形成されている突起パターン、前記第１基板と対向
    するように対応している第２基板、前記第２基板の上に
    形成されており、領域を分割するための開口パターンを
    有している画素電極、前記第１基板と前記第２基板との
    間に注入されており、負の誘電率異方性を有する液晶物
    質を含み、前記液晶物質は前記突起パターンと前記開口
    パターンとによって多数の領域に分割されて、隣接した
    前記領域の液晶の方向子が９０度を成す液晶表示装置。
  48. 【請求項４８】第１基板の上に領域を分割するための突
    起を形成する段階、第２基板の上部に薄膜トランジスタ
    を形成する段階、前記第２基板の上に開口部を有する画
    素電極を形成する段階、前記突起が前記開口部と交互に
    配列するように前記第１基板と前記第２基板とを組み立
    てる段階を含んでなる液晶表示装置の製造方法。
  49. 【請求項４９】前記突起は感光性膜から形成される請求
    項４８に記載の液晶表示装置の製造方法。
  50. 【請求項５０】前記突起を形成する段階は、前記感光性
    膜を塗布する段階、前記感光性膜を露光する段階、前記
    感光性膜を現像する段階、前記感光性膜を焼き付ける段
    階を含んでなる請求項４９に記載の液晶表示装置の製造
    方法。
  51. 【請求項５１】前記突起及び前記開口部の上に垂直配向
    膜をそれぞれ形成する段階をさらに含んでなる請求項４
    ８に記載の液晶表示装置の製造方法。
  52. 【請求項５２】前記突起は０．３〜３μmの高さで形成
    される請求項４８に記載の液晶表示装置の製造方法。
  53. 【請求項５３】前記突起は３〜２０μmの幅を有するよ
    うに形成される請求項５２に記載の液晶表示装置の製造
    方法。
  54. 【請求項５４】前記開口部は３〜２０μmの幅を有する
    ように形成される請求項５３に記載の液晶表示装置の製
    造方法。
  55. 【請求項５５】前記開口部は山型形状に形成される請求
    項４８に記載の液晶表示装置の製造方法。
  56. 【請求項５６】前記突起は山型形状に形成される請求項
    ５５に記載の液晶表示装置の製造方法。
  57. 【請求項５７】前記第１基板の上にブラックマトリック
    スを形成する段階をさらに含んでなる請求項５６に記載
    の液晶表示装置の製造方法。
  58. 【請求項５８】前記ブラックマトリックスは、前記突起
    と重なる第１部分と、前記山型形状に形成されている開
    口部と突起との折曲部分を横切る形態に形成されている
    第２部分と、前記開口部と突起とが前記画素電極の境界
    と会う部分を遮る第３部分を有するように形成する請求
    項５７に記載の液晶表示装置の製造方法。
  59. 【請求項５９】前記ブラックマトリックスは前記開口部
    と重なる第４部分をさらに有している請求項５８に記載
    の液晶表示装置の製造方法。
  60. 【請求項６０】前記ブラックマトリックスの前記第３部
    分は三角形に形成される請求項５８に記載の液晶表示装
    置の製造方法。
  61. 【請求項６１】前記第１基板に前記開口部と重なる配線
    を形成する段階をさらに含んでなる請求項５６に記載の
    液晶表示装置の製造方法。
  62. 【請求項６２】前記配線はゲート配線である請求項６１
    に記載の液晶表示装置の製造方法。
  63. 【請求項６３】前記開口部と前記突起との間の画素電極
    の端部が前記開口部と９０度の角度を成すように形成す
    る請求項５６に記載の液晶表示装置の製造方法。
  64. 【請求項６４】前記第１基板と前記第２基板との間に負
    の誘電率異方性を有する液晶物質を注入する段階をさら
    に含んでなる請求項４８に記載の液晶表示装置の製造方
    法。
  65. 【請求項６５】前記第１基板及び第２基板は前記液晶物
    質の分子軸を垂直に配向する配向膜をさらに含んでなる
    請求項６４に記載の液晶表示装置の製造方法。
  66. 【請求項６６】前記第１及び第２基板の外側に第１及び
    第２偏光板を付着する段階をさらに含んでなる請求項４
    ８に記載の液晶表示装置の製造方法。
  67. 【請求項６７】前記第１及び第２偏光板の透過軸は互い
    に直交する請求項６６に記載の液晶表示装置の製造方
    法。
  68. 【請求項６８】前記第１及び第２偏光板の中の一つの内
    側に第１補償フィルムを付着する段階をさらに含んでな
    る請求項６７に記載の液晶表示装置の製造方法。
  69. 【請求項６９】前記第１補償フィルムは二軸性補償フィ
    ルムである請求項６８に記載の液晶表示装置の製造方
    法。
  70. 【請求項７０】前記第１補償フィルムにおいて一番大き
    い屈折率を有する方向が前記第１及び第２偏光板の透過
    軸と一致するか直交するようにする請求項６９に記載の
    液晶表示装置の製造方法。
  71. 【請求項７１】前記第１及び第２偏光板の中の一つの内
    側に第２補償フィルムを付着する段階をさらに含んでな
    る請求項６８に記載の液晶表示装置の製造方法。
  72. 【請求項７２】前記第１及び第２補償フィルムはそれぞ
    れaプレート及びｃプレート一軸性補償フィルムである
    請求項７１に記載の液晶表示装置の製造方法。
  73. 【請求項７３】前記aプレート一軸性補償フィルムにお
    いて一番大きい屈折率を有する方向が前記第１及び第２
    偏光板の透過軸と一致するか直交するようにする請求項
    ７２に記載の液晶表示装置の製造方法。
  74. 【請求項７４】前記開口部は十字状に形成する請求項４
    ８に記載の液晶表示装置の製造方法。
  75. 【請求項７５】前記開口部は前記十字状の中央から外側
    へ行くほど、その幅が狭くなるように形成する請求項７
    ４に記載の液晶表示装置の製造方法。
  76. 【請求項７６】前記開口部は前記十字状の中央の部分が
    ダイヤモンド型になるように形成する請求項７５に記載
    の液晶表示装置の製造方法。
  77. 【請求項７７】前記突起は前記開口部の十字状を取り囲
    む四角形に形成する請求項７６に記載の液晶表示装置の
    製造方法。
  78. 【請求項７８】前記開口部は交差部分が互いに直交する
    Ｘ状に形成する請求項４８に記載の液晶表示装置の製造
    方法。
  79. 【請求項７９】前記突起は前記開口部のＸ状を取り囲む
    四角形に形成する請求項７８に記載の液晶表示装置の製
    造方法。
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