JPH11327490A

JPH11327490A - 表示装置

Info

Publication number: JPH11327490A
Application number: JP10155160A
Authority: JP
Inventors: Osamu Ichikawa; 市川　　修
Original assignee: YUNISUTEC KK
Current assignee: YUNISUTEC KK
Priority date: 1998-05-20
Filing date: 1998-05-20
Publication date: 1999-11-26

Abstract

(57)【要約】【課題】発光素子の電流定格を超えない電流値で、こ
の表示素子のもつ最大光度を低下させることなく、輝度
制御を可能とする。【解決手段】アナログスイッチとコンデンサとＭＯＳ
電界効果トランジスタと発光素子とにより構成し、アナ
ログスイッチを通してコンデンサに蓄積した輝度制御電
圧信号の電位をＭＯＳ電界効果トランジスタのゲート入
力に所定時間保持して与え、このゲート入力の電位の大
小によってＭＯＳ電界効果トランジスタのドレイン入
力、もしくはソース出力に直列接続した発光素子の電流
値を可変することにより、発光素子の輝度を制御しよう
とする表示装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電流を流すこと
によって発光する表示装置に係わり、特に電流の大小を
制御する事により、発光輝度を可変できる表示装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、このような発光素子を用いた表示
装置の輝度を制御するには、発光素子と直列に接続した
抵抗を備え、この発光素子と抵抗の両端に与える印加電
圧を可変する方法と、この印加電圧を高速でＯＮ／ＯＦ
Ｆし、点灯時間と非点灯時間の比率を制御する事で輝度
を可変するパルス駆動による方法とがある。

【０００３】一般に前者の方法は、多数個並べた発光素
子の各々を独立して輝度を制御する場合、駆動回路が大
規模で複雑になるため、例えばネオンサイン等のように
表示装置全体の輝度を制御するに限られていた。

【０００４】一方後者のパルス駆動方法は、前記発光素
子を縦横マトリックス状に多数個並べ、これを例えば横
方向に共通する配線を走査線とし、縦方向に共通する配
線のデータ線と定義すれば、まずデータ線の各々独立に
印加電圧を与え、所望の走査線を所定時間選択する。次
にこの各データ線の印加電圧を切り替えて次の走査線を
選択する。このように走査線に対応する各データ線の印
加電圧を切り替えるとともに、走査線の選択を切り替
え、これを人間の目にちらつきを感じさせない繰り返し
周波数で走査する線順次走査方式により文字や絵画を作
り出す方法が行われていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この線
順次駆動方式の採用にあっては、例えば走査線の数を１
６本としたときに発光素子の各々の点灯率は１６分の１
になり、これは、走査線の切り替えを行わず常に点灯状
態とするスタティック駆動時の輝度に対し１６分の１に
低下する。この輝度あるいは光度の低下を改善すために
は１６倍の電流を流す事が必要となるが、しばしば発光
素子の定格超える条件となる場合が発生し、従って発光
素子の寿命を短くする原因にもなっていた。

【０００６】この発明の目的は、発光素子の電流定格を
超えない電流値の範囲で、この表示素子のもつ最大光度
を低下させることなく、且つ、発光素子を多数個並べて
構成した表示装置にあっても、発光素子の各々を独立に
輝度制御できる表示装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明が提供する表示装
置は、アナログスイッチを通してコンデンサに蓄積され
た電位がＭＯＳ電界効果トランジスタのゲート入力に所
定時間保持して与えられ、この電位の大小によってＭＯ
Ｓ電界効果トランジスタに流れる電流値を可変し、この
ＭＯＳ電界効果トランジスタの例えばドレイン入力に接
続した発光素子の輝度を制御することを特徴とするもの
である。また、本発明が提供する表示装置は、アナログ
スイッチとコンデンサとＭＯＳ電界効果トランジスタと
発光素子とにより構成し、アナログスイッチを通してコ
ンデンサに蓄積した輝度制御電圧信号の電位をＭＯＳ電
界効果トランジスタのゲート入力に所定時間保持して与
え、このゲート入力の電位の大小によってＭＯＳ電界効
果トランジスタのドレイン入力、もしくはソース出力に
直列接続した発光素子の電流値を可変することにより、
発光素子の輝度を制御することを特徴とするものであ
る。

【０００８】

【発明の実施の形態】（実施例１）この発明の実施例を
図１、図２および図３を併用して説明する。図１は、実
施例による表示装置の回路構成を示し、電源ＶＤＤとＧ
ＮＤと輝度制御電圧信号ＡＤと書き込み制御信号ＷＲＣ
からなる入力端子と、アナログスイッチ１１と、コンデ
ンサ１２と、Ｎチャンネル・エンハンスメント形ＭＯＳ
電界効果トランジスタ１３および発光素子１４とにより
表示装置１０が構成される。

【０００９】図２は、図１における輝度制御電圧信号Ａ
Ｄと、書き込み制御信号ＷＲＣと、ゲート電圧ＡＧの変
化を示すタイミング図、また、図３は、ゲート電圧ＡＧ
に対する発光素子を流れる電流値を示すグラフである。

【００１０】アナログスイッチ１１は、電源ＶＤＤとＧ
ＮＤ（共に図示せず）を備え、入力１１１と出力１１２
とコントロール入力１１３により構成される。このアナ
ログスイッチの出力１１２は、コンデンサ１２とＭＯＳ
電界効果トランジスタ１３のゲート入力１３１に接続
される。このＭＯＳ電界効果トランジスタ１３のソース
出力１３２はＧＮＤに接続し、ドレイン入力１３３は、
例えば、ＬＥＤからなる発光素子１４のカソード電極１
４２に接続され、さらに、この発光素子１４のアノード
電極１４１は電源ＶＤＤに接続されている。

【００１１】アナログスイッチ１１のこのコントロール
入力１１３に与える電圧レベルを例えば、電源とＧＮＤ
間の電圧が５Ｖであるときおよそ３．５Ｖ以上の電位を
“Ｈレベル”とし、およそ１Ｖ未満を“Ｌレベル”と定
義すれば、このコントロール入力１１３に接続された書
き込み信号ＷＲＣが“Ｈレベル”にあるとき、入力１１
１と出力１１２間のインピーダンスは約２００Ωとな
り、“Ｌレベル”にあるとき約１ＧΩとなる。

【００１２】従って、書き込み信号ＷＲＣを“Ｈレベ
ル”としたとき、アナログスイッチ１１を通してコンデ
ンサ１２すなわちゲート電圧ＧＡが輝度制御電圧信号Ａ
Ｄの電位の９０％に達するまでに必要な時間Δｔは、の式を展開するととして求められる。ここでコンデンサ１２の容量を５０
０ｐＦとすればコントロール入力が“Ｈレベル”時のア
ナログスイッチのインピーダンスは２００Ωとしている
から、Δｔは約０．２３μ秒となる。

【００１３】一方、書き込み信号ＷＲＣを“Ｌレベル”
として、コンデンサ１２に貯えられた電位が９０％を保
持、すなわち１０％減衰するまでの時間Ｔは、同様に、この式を展開して時間Ｔを求めると、となり、コントロール入力が“Ｌレベル”時におけるア
ナログスイッチのインピーダンスの１ＧΩと、コンデン
サ１２の容量５００ｐＦを代入すれば、約５３ｍ秒とな
る。

【００１４】一般に、この電界効果トランジスタ１３に
は、ゲート入力１３１とソース出力１３２は漏れ電流が
考えられ、このため保持時間Ｔは５３ｍ秒より小さく見
込む必要があり、約２０ｍ秒として与えた結果、図２に
示すゲート電圧ＧＡが得られた。これは、例えばＬＥＤ
に流れる電流と発光輝度の関係は、その発光素子の持つ
定格電流の範囲でほぼ直線であることは周知であり、従
って、この実施例の表示装置により時間制御された条件
下で発光素子の輝度を制御することが可能となった。

【００１５】（実施例２）次に、本発明による他の実施
例を図４、図５および図６を併用して説明する。図４
は、実施例２による表示装置の回路構成を示し、電源Ｖ
ＤＤとＧＮＤと輝度制御電圧信号ＡＤとセレクト信号Ｓ
Ｌとクロック信号ＣＫからなる入力端子と、論理積ゲー
ト１５と、アナログスイッチ１１と、コンデンサ１２
と、Ｎチャンネル・エンハンスメント形ＭＯＳ電界効果
トランジスタ１３および発光素子１４とにより表示装置
１０が構成される。

【００１６】このアナログスイッチ１１のコントロール
入力１１１は２入力と１出力を持つ論理積ゲート１５の
出力１５３に接続を成し、この論理積ゲート１５の２つ
の入力はセレクト信号ＳＬとクロック信号ＣＫが接続さ
れ、このセレクト信号ＳＬが“Ｈレベル”であってクロ
ック信号ＣＫが信号が“Ｈレベル”であであるとき、輝
度制御電圧信号ＡＤからの電位はアナログスイッチ１１
を通してコンデンサ１２にゲート電圧ＧＡとして蓄積さ
れ、セレクト信号ＳＬおよびクロック信号ＣＫのいずれ
か、もしくは双方が“Ｌレベル”にあるとき、このコン
デンサ１２に蓄積されたゲート電位ＧＡは所定時間保持
され、ＭＯＳ電界効果トランジスタ１３および発光素子
１４の電流値を制御することができる。

【００１７】図５は、図４で示す表示装置１０を例えば
縦横１６×１６個並べてマトリックス構成とした表示装
置１００、図６は図５に示すマトリックス構成の表示装
置１００を駆動するための信号走査タイミング図であ
る。

【００１８】図５においてセレクト信号線ＳＬ１、ＳＬ
２、ＳＬ３、・・・ＳＬ１６は、横方向に並ぶ表示装置
１０のセレクト信号ＳＬに共通して結線され、クロック
信号線ＣＫ１、ＣＫ２・・・ＣＫ１６は縦方向に並ぶ表
示装置のクロック信号ＣＫを共通に結線している。ま
た、電源VDDとＧＮＤおよび輝度制御電圧信号ＡＤはマ
トリックス構成された各表示装置１０に共通して与えら
れる。

【００１９】図５および図６において、このセレクト信
号線ＳＬ１、ＳＬ２、・・・ＳＬ１６とクロック信号線
ＣＫ１、ＣＫ２・・・ＣＫ１６および輝度制御電圧信号
ＡＤの一連の走査方法は、まず、セレクト信号線ＳＬ１
を“Ｈレベル”とし、次にクロック信号線ＣＫ１を“Ｈ
レベル”にする。クロック信号線ＣＫ１は、例えば０．
５μ秒間“Ｈレベル”とし、再び“Ｌレベル”とする。
クロック信号ＣＫ２はクロック信号ＣＫ１を“Ｌレベ
ル”へ移行した後、０．５μ秒後に“Ｈレベル”とす
る。また、クロック信号線ＣＫ３はクロック信号線ＣＫ
２が“Ｌレベル”に移行した後の０．５μ秒後に“Ｈレ
ベル”とする。同様に、クロック信号線ＣＫ４〜ＣＫ１
６は０．５μ秒期間“Ｈレベル”とし、１μ秒毎に順次
切り替える。この一巡のクロック信号線の走査を完了す
るとセレクト信号線ＳＬ１が“Ｌレベル”となり、同時
にセレクト信号線ＳＬ２が“Ｈレベル”に移行するとと
もに、このセレクト信号線ＳＬ２が“Ｈレベル”期間中
に、前記同様にクロック信号線ＣＫ１〜ＣＫ１６の一連
の走査が行われる。

【００２０】このとき、各表示装置１０に共通して与え
られる輝度制御電圧信号ＡＤは、例えばクロック信号線
ＣＫ１〜ＣＫ１６の動きに同期して切り替えられる４ビ
ットの並列デジタル信号が抵抗器のラダーネットワーク
等によりアナログ電圧に変換される。このようにして、
マトリックス状に並べられた表示装置１０の各々独立
に、アナログ電圧に変換された輝度制御電圧信号ＡＤが
選択的に送り込まれ、この電位に従って表示装置１０の
各々の輝度が制御可能となる。

【００２１】（実施例３）図７は、本発明の他の実施例
による表示装置の回路構成を示し、電源ＶＤＤとＧＮＤ
と、第１の輝度制御電圧信号ＡＤＲと、この第１の輝度
制御電圧信号ＡＤＲが入力で接続を成す第１のアナログ
スイッチ１１Ｒと、この第１のアナログスイッチ１１Ｒ
の出力に接続される第１のコンデンサ１２Ｒと、この第
１のコンデンサ１２Ｒおよび第１のアナログスイッチ１
１Ｒの出力とゲート入力で接続を成す第１のＭＯＳ電界
効果トランジスタ１３Ｒと、この第１のＭＯＳ電界効果
トランジスタ１３Ｒのドレイン入力と電源ＶＤＤに接続
された第１の発光色を発光する発光素子１４Ｒと、第２
の輝度制御電圧信号ＡＤＧと、この第２の輝度制御電圧
信号ＡＤＧが入力で接続を成す第２のアナログスイッチ
１１Ｇと、この第２のアナログスイッチ１１Ｇの出力に
接続される第２のコンデンサ１２Ｇと、この第２のコン
デンサ１２Ｇおよび第２のアナログスイッチ１１Ｇの出
力とゲート入力で接続を成す第２のＭＯＳ電界効果トラ
ンジスタ１３Ｇと、この第２のＭＯＳ電界効果トランジ
スタ１３Ｇのドレイン入力と電源ＶＤＤに接続された第
２の発光色を発光する発光素子１４Ｇと、第３の輝度制
御電圧信号ＡＤＢと、この第３の輝度制御電圧信号ＡＤ
Ｂが入力で接続を成す第３のアナログスイッチ１１Ｂ
と、この第３のアナログスイッチ１１Ｂの出力に接続さ
れる第３のコンデンサ１２Ｂと、この第３のコンデンサ
１２Ｂおよび第３のアナログスイッチ１１Ｂの出力とゲ
ート入力で接続を成す第３のＭＯＳ電界効果トランジス
タ１３Ｂと、この第３のＭＯＳ電界効果トランジスタ１
３Ｂのドレイン入力と電源ＶＤＤに接続された第３の発
光色を発光する発光素子１４Ｂと、書き込み信号ＷＲＣ
を備え、この書き込み制御信号ＷＲＣは、前記第１、第
２および第３のアナログスイッチのコントロール入力に
共通して接続を成し、この書き込み制御信号ＷＲＣが
“Ｈレベル”のときに、前記第１の輝度制御電圧信号Ａ
ＤＲ、第２の輝度制御電圧信号ＡＤＧおよび第３の輝度
制御電圧信号ＡＤＢの各々に与えられる電位が、対応す
るＭＯＳ電界効果トランジスタのゲートに伝達保持さ
れ、第１、第２およひ第３の発光素子の各々に流れる電
流を制御する事によって表示装置の色調や明るさを可変
する事ができる。

【００２２】（実施例４）図８は、本発明の他の実施例
による表示装置の回路構成を示し、前記実施例で述べた
ＭＯＳ電界効果トランジスタ１３に２つのゲート入力を
もつデュアルゲート形のＭＯＳ電界効果トランジスタを
用い、一方のゲート入力１３１には輝度制御電圧信号Ａ
Ｄがアナログスイッチ１１を通して得られたゲート電圧
ＧＡが与えられ、他方のゲート入力１３４には、例えば
電源ＶＤＤの電圧を抵抗分圧器１６によって作られる電
位が与えられる。このゲート入力１３４へ印加する電圧
の制御によってゲート入力１３１に与えるゲート電圧Ｇ
Ａで決定する発光素子１４およびＭＯＳ電界効果トラン
ジスタ１３のドレイン入力１３３、ソース出力１３２を
流れる電流曲線を変更することができるので、図７に示
す実施例のように、複数の発光色で構成した多色表示可
能な表示装置にあっては、これらの異なる発光色を発光
する発光素子のしきい値電圧が異なる場合においても、
輝度変化特性を各色毎に制御できるため色調バランス整
合を可能にすることができる。

【００２３】（実施例５）図９は、本発明の他の実施例
による表示装置の回路構成を示し、一方を前記アナログ
スイッチ１１の出力１１２に、他方を電源ＶＤＤに接続
を成すコンデンサ１２と、ゲート入力１３１とドレイン
入力１３３とソース出力１３２を備えたＰチャンネル・
エンハンスメント形ＭＯＳ電界効果トランジスタ１３
と、このＭＯＳ電界効果トランジスタ１３のソース出力
１３２とＧＮＤ間に接続された発光素子１４と、この
ＭＯＳ電界効果トランジスタ１３のゲート入力１３１
は、コンデンサ１２およびアナログスイッチ１１の出力
１１２に接続され、ドレイン入力１３３は電源ＶＤＤに
接続して表示装置を構成することにより、前記実施例と
同様に発光素子１４に流れる電流を制御し、輝度を制御
することができる。

【００２４】（実施例６）図１０は、本発明の他の実施
例による表示装置の回路構成を示し、アナログスイッチ
１１と、コンデンサ１２と、ＭＯＳ電界効果トランジス
タ１３と、このＭＯＳ電界効果トランジスタ１３のドレ
イン入力と電源ＶＣＣ間に直列に接続された３つの発光
素子１４Ｘ、１４Ｙ、１４Ｚとにより構成され、光量を
多く得ようとする場合においても、ＬＥＤに与える電源
電圧を変更することで直列に接続した発光素子１４Ｘ、
１４Ｙ、１４Ｚの電流を制御することができる。

【００２５】

【発明の効果】この発明によれば、マトリックス状に配
置構成された発光素子の各々を、独立に、且つリアルタ
イムに輝度制御を行って画像や映像を表現する大規模構
成の表示装置の実現にあっても従来のパルス駆動のよう
な極めて高速な信号の処理を必要としない。このため、
大規模な表示装置を構成する多数個の発光素子の各々を
流れるパルス状の電流が集合されて大電流となり、これ
によって引き起こされていた電磁波の発生が抑えられ
る。また、電流制御用の抵抗体が不要となるため無駄な
電力を消費しない。

【００２６】

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１による表示装置の回路構成

【図２】図１に示す輝度制御信号と書き込み制御信号
と、これによって得られるゲート電圧の変化を示すタイ
ミング図

【図３】図１および図２に従うゲート電圧に対応する発
光素子に流れる電流値の関係を示すグラフ

【図４】実施例２による表示装置の回路構成

【図５】図４に示す表示装置を多数個マトリックス配置
して構成する表示装置

【図６】図５に従うセレクト信号線とクロック信号線と
輝度制御信号の関係を示すタイミング図

【図７】実施例３による表示装置の回路構成

【図８】実施例４による表示装置の回路構成

【図９】実施例５による表示装置の回路構成

【図１０】実施例６による表示装置の回路構成

【符号の説明】

１０、１００表示装置１１、１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂアナログスイッチ１１１アナログスイッチの入力１１２アナログスイッチの出力１１３アナログスイッチのコントロール入力１２、１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂコンデンサ１３、１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂ電界効果トランジスタ１３１、１３４電界効果トランジスタのゲート入力１３２電界効果トランジスタのソース出力１１３電界効果トランジスタのドレイン入力１４、１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ、１４Ｘ、１４Ｙ、１４
Ｚ発光素子１４１発光素子のアノード電極１４２発光素子のカソード電極１５論理積ゲート１５１、１５２論理積ゲートの入力１５３論理積ゲートの出力１６抵抗分圧器ＶＤＤ、ＶＣＣ電源ＧＮＤ接地ＡＤ、ＡＤＲ、ＡＤＧ、ＡＤＢ輝度制御電圧信号ＷＲＣ書き込み制御信号ＳＬセレクト信号ＣＫクロック信号ＳＬ１〜ＳＬ１６セレクト信号線ＣＫ１〜ＣＫ１６クロック信号線ＧＡゲート電圧

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１つの入力と１つの出力とコントロール入
力を備え、この入力および出力は、一方を入力としたと
き他方は出力として定義され、コントロール入力が“Ｈ
レベル”であるとき入力と出力の間が低インピーダンス
となり、コントロール入力が“Ｌレベル”にあるとき高
インピーダンスとなる双方向アナログスイッチと、この
アナログスイッチの出力とＧＮＤ間に接続されたコンデ
ンサと、ゲート入力とドレイン入力とソース出力を備え
たNチャンネル・エンハンスメント形ＭＯＳ電界効果ト
ランジスタと、このＭＯＳ電界効果トランジスタのドレ
イン入力と接続された発光素子と、この発光素子の他方
の電極は電源に接続され、前記ＭＯＳ電界効果トランジ
スタのゲート入力は前記アナログスイッチの出力および
コンデンサの接続点と接続され、ソース出力はＧＮＤに
接続され、前記アナログスイッチの入力は輝度制御電圧
信号に接続され、コントロール入力は書き込み制御信号
に接続して構成された事を特徴とする表示装置。
【請求項２】前記アナログスイッチのコントロール入力
は２入力と１出力を持つ論理積ゲートの出力に接続し、
この論理積ゲートの２つの入力はセレクト信号とクロッ
ク信号が接続され、このセレクト信号が“Ｈレベル”で
あってクロック信号が信号が“Ｈレベル”であであると
き、輝度制御電圧信号からの電位をアナログスイッチを
通して前記コンデンサに蓄積し、セレクト信号およびク
ロック信号のいずれか、もしくは双方が“Ｌレベル”に
あるとき、このコンデンサに蓄積された電位は所定時間
保持され、この電位の条件下で前記ＭＯＳ電界効果トラ
ンジスタおよび前記発光素子の電流値を制御して輝度制
御することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】第１の輝度制御電圧信号と、この第１の輝
度制御電圧信号が入力で接続を成す第１のアナログスイ
ッチと、この第１のアナログスイッチの出力に接続され
る第１のコンデンサと、この第１のコンデンサおよび第
１のアナログスイッチの出力とゲート入力で接続を成す
第１のＭＯＳ電界効果トランジスタと、この第１のＭＯ
Ｓ電界効果トランジスタのドレイン入力と電源に接続さ
れた第１の発光色を発光する発光素子と、第２の輝度制
御電圧信号と、この第２の輝度制御電圧信号が入力で接
続を成す第２のアナログスイッチと、この第２のアナロ
グスイッチの出力に接続される第２のコンデンサと、こ
の第２のコンデンサおよび第２のアナログスイッチの出
力とゲート入力で接続を成す第２のＭＯＳ電界効果トラ
ンジスタと、この第２のＭＯＳ電界効果トランジスタの
ドレイン入力と電源に接続された第２の発光色を発光す
る発光素子と、第３の輝度制御電圧信号と、この第３の
輝度制御電圧信号が入力で接続を成す第３のアナログス
イッチと、この第３のアナログスイッチの出力に接続さ
れる第３のコンデンサと、この第３のコンデンサおよび
第３のアナログスイッチの出力とゲート入力で接続を成
す第３のＭＯＳ電界効果トランジスタと、この第３のＭ
ＯＳ電界効果トランジスタのドレイン入力と電源に接続
された第３の発光色を発光する発光素子と、書き込み信
号を備え、この書き込み制御信号は、前記第１、第２お
よび第３のアナログスイッチのコントロール入力に共通
して接続を成し、この書き込み制御信号が“Ｈレベル”
のときに、前記第１、第２および第３の輝度制御電圧信
号の各々に与えられる電位が、対応するＭＯＳ電界効果
トランジスタのゲートに伝達保持され、第１、第２およ
ひ第３の発光素子の各々に流れる電流を制御して輝度を
制御することを特徴とする表示装置。
【請求項４】前記ＭＯＳ電界効果トランジスタは第１お
よび第２の二つのゲートに入力を持つデュアルゲートＮ
チャンネル・エンハンスメント形ＭＯＳ電界効果トラン
ジスタから成り、第１のゲート入力は前記アナログスイ
ッチの出力および前記コンデンサに接続され、第２のゲ
ート入力は電源もしくは、この電源を分圧して得られる
可変可能な電位が与えられ、この第２のゲート入力に与
える電位の大小に対応し、第１のゲート入力の電位で制
御される発光素子の電流値の変化曲線を変更可能にする
ことを特徴とする請求項１、請求項２または請求項３に
記載の表示装置。
【請求項５】一方を前記アナログスイッチの出力に接続
し、他方を電源に接続を成すコンデンサと、ゲート入力
とドレイン入力とソース出力を備えたＰチャンネル・エ
ンハンスメント形ＭＯＳ電界効果トランジスタと、この
ＭＯＳ電界効果トランジスタのソース出力とＧＮＤ間に
接続された発光素子と、このＭＯＳ電界効果トランジ
スタのゲート入力は、コンデンサおよびアナログスイッ
チの出力に接続され、ドレイン入力は電源に接続を成し
て構成されたことを特徴とする表示装置。
【請求項６】前記発光素子は複数個のＬＥＤが直列に接
続されたことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項
３、請求項４または請求項５に記載の表示装置。