JPH11274256A

JPH11274256A - 試料検査装置

Info

Publication number: JPH11274256A
Application number: JP7752498A
Authority: JP
Inventors: 史一 ▲高▼柳; Fumikazu Takayanagi; Eiji Kano; 英司狩野
Original assignee: Advantest Corp
Current assignee: Advantest Corp
Priority date: 1998-03-25
Filing date: 1998-03-25
Publication date: 1999-10-08

Abstract

(57)【要約】【課題】ウェハ上の微小な異物を回路パターンと区別
して検出し、その組成分析や形状観察などの分析を簡便
に行う試料検査装置を提供する。【解決手段】試料検査装置は、ＬＳＩウェハなどの被
測定試料４の表面へビーム光を照射し、該表面からの反
射光を観察する反射光観察部２と、異常観察・分析部３
と、被測定試料４を反射光観察部２と異常観察・分析部
３の各々の視野間および視野内に移動する移動ステージ
５と、反射光観察部２及び異常観察・分析部３で得られ
た情報を基に所望の形態に処理する情報処理部６と、反
射光観察部２からの情報を基に情報処理部６で確認され
た異常箇所の位置を記憶する座標記憶部７と、座標記憶
部７で記憶した異常箇所の位置座標に基づいて移動ステ
ージ５を駆動制御する制御部９と、情報処理部６での所
望の形態の処理結果を外部に表示するための表示部８と
を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェハの表面
に付着した異物を検出し、観察・分析するための試料検
査装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体関連業においては高度な製
造技術が使われており、特にＬＳＩ製造プロセスには半
導体ウェハに、ミクロン、サブミクロンの寸法の配線パ
ターン、トランジスタ素子が形成されている。一方、製
造技術の微細化に伴って、従来は問題とされなかった、
ウェハ表面に付着する微小な異物が回路パターンの断線
やショートを起こし、不良発生の大きな原因となってい
る。従って、これらの異物を管理し、異物発生を抑える
事は歩留まりを向上させる上で重要である。また、これ
らの異物は、ウェット工程、デポジション工程、リソグ
ラフ工程、拡散工程、イオン注入工程、及びメタライズ
工程のＬＳＩ製造プロセスにおいて発生するものであ
る。従って、異物の大きさ、形状、組成などを想定し、
いつ、どの工程で発生したのかを突き止める事は、異物
発生を抑える上で必要不可欠である。

【０００３】従来、半導体表面の微小異物を観察する際
には数百倍の光学顕微鏡を使って目視検査が行われてき
たが、回路パターンがより微細になるにつれて観察する
必要のある異物の大きさも微細化し、肉眼での観察は困
難となった。

【０００４】さらに、広大なウェハ面積の中から微小な
異物を検出するには、ウェハに光を照射して異物からの
光散乱を検出する異物検出装置によって実現されている
が、異物の存在する座標や大きさが分かるだけで具体的
な形状や組成は観察できない。そこで異物検出装置で異
物を検出した後、検出した異物の位置座標を基に電子顕
微鏡の視野内に試料を移動させ、走査電子顕微鏡による
形状観察や、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）
による組成分析を行う方法が一般的に行われている。こ
のような装置の一例が特公平４−６８６２２号公報に開
示されている。

【０００５】図４は、特公平４−５８６２２号公報に開
示された従来の試料検査装置を示す構成図である。この
図に示す装置では、真空ポンプ１０１で真空排気される
真空試料室１０２内の天井にはレーザー等の光学的手段
を用いた異物検査部１０３と走査電子顕微鏡（以下、
「ＳＥＭ」と称す）１０４が別個に配備されている。試
料室１０２内の床面には、ＬＳＩウェハ１０５などの被
検査物を異物検出部１０３とＳＥＭ１０４のそれぞれの
視野間および視野内に移動するための移動ステージ１０
６が設置されている。移動ステージ１０６はモータ１０
７により移動可能とされ、移動ステージ１０６の位置は
モータ１０７に接続したエンコーダ１０８によって出力
される。また、ＬＳＩウェハ１０５は試料ステージ１０
９上に載置されており、この試料ステージ１０９は移動
ステージ１０６上においてモータ１１０により回転可能
となっている。試料ステージ１０９の位置はモータ１１
０に接続したエンコーダ１１１によって出力される。

【０００６】モータ１０７、１１０にはそれらの駆動制
御を行う試料走査部１１２が接続されている。エンコー
ダ１０８、１１１にはＬＳＩウェハ１０５に付着してい
る異物の付着位置を記憶する座標記憶部１１３が接続さ
れている。この座標記憶部２２は、異物検出部１０３で
検出した時の異物検出信号１１４とエンコーダー１０
８、１１１からの出力を入力するようになっている。異
物検出信号１１４は、異物検出部１０３がＬＳＩウェハ
１０５上の異物を検知すると、例えば“Ｈｉｇｈ”レベ
ルとなる。試料走査部１１２及び座標記憶部１１３は制
御部１１５に接続され、制御部１１５はこれらと情報を
授受して検査装置全体を制御する。

【０００７】このような装置によって異物検査を行う際
は、まず、被検査物であるＬＳＩウェハ１０５が真空試
料室１０２内の試料ステージ１０９上に載置される。レ
ーザー等の光学的手段を用いた異物検出部１０３は、モ
ーター１０７と１１０により螺旋形に移動するＬＳＩウ
ェハ１０５上の異物を検出する。異物を検出すると、異
物検出信号１１４は“Ｌｏｗ”レベルから“Ｈｉｇｈ”
レベルとなる。その立ち上がりで、エンコーダー１０
８、１１１の出力が座標記憶部１１３にラッチされ、Ｌ
ＳＩウェハ１０５上の異物の位置が記憶される。従っ
て、異物の位置は極座標で得られる。ＬＳＩウェハ１０
５の全面あるいは数チップ分の検査が終了すると、移動
ステージ１０６はモーター１０７によりＳＥＭ１０４の
視野内に移動する。検出した異物の位置座標は座標記憶
部１１３に記憶されているので、そのデータに基づき試
料走査部１１２はモーター１０７、１１０を微小移動
し、試料ステージ１０９、移動ステージ１０６を位置決
めする。この事により観察したい位置の異物のＳＥＭ信
号を得る事ができる。

【０００８】被検査試料が回路パターン付きＬＳＩウェ
ハである場合、異物検査部１０３は例えば図５に示す構
成とする。図５において、Ｓ偏光レーザー１１６によ
り、Ｓ偏光レーザー光をＬＳＩウェハ１０５上に角度ψ
で照射する。ψは約１度である。ここで照射レーザー光
とウェハ法線のなす面に、垂直に振動する偏光をＳ偏
光、平行に振動する偏光をＰ偏光と呼ぶ。この時、ＬＳ
Ｉウェハ１０５上のパターン部分からの散乱光は偏光方
向が変化せず、Ｓ偏光のまま対物レンズ１１７の方に進
むが、異物に当たったレーザー光は偏光方向が変化する
ためＰ偏光成分を多く含んでいる。そこで対物レンズ１
１７の後方にＳ偏光を遮断する偏光板１１８を設けて、
これを通過した光を光ダイオード１１９で検出する事に
より、異物からの散乱光（Ｐ偏光成分）だけを検出す
る。これにより、回路パターン付きＬＳＩウェハ上の異
物の存在位置を検出する事ができる。

【０００９】その結果、座標記憶部１１３には、ＬＳＩ
ウェハ１０５上の任意の位置に付着しているすべての異
物についてその位置座標が記憶される事になる。次に、
制御部１１５は、座標記憶部１１３に記憶された各異物
毎の位置座標を読み出して、試料走査部１１２を介して
モータ１０７を駆動制御して移動ステージ１０６をＳＥ
Ｍ１０４の鏡筒の下側へ移動させ、更にモータ１０７及
びモータ１１０を駆動制御してＳＥＭ１０４の視野内に
各異物が存在するように移動ステージ１０６及び試料ス
テージ１０９を微動制御する。この様にして、異物のＳ
ＥＭ信号を分析する事により、各異物の解析・分析を行
う事ができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記の従来の試料検査
装置では、異常箇所の検出を入射レーザー光に対する散
乱光を観測する事によって行っている。例えばベアウェ
ハ上に載っている異物を検出する場合には、ウェハ表面
が入射レーザー光をほとんど散乱しないため、異物の存
在する表面からと、異物が存在しない表面からとの散乱
光検出強度との間に高いコントラストが得られ、異物を
検出する事ができる。しかし、回路パターン付きウェハ
上の異物を観察する場合には、異物の存在しないウェハ
表面もＳ偏光された入射レーザー光の偏光角を変えてし
まうために異物からの散乱光以外のバックグランドが強
くなり、微小異物の検出が困難となる。

【００１１】そこで本発明の目的は、特にウェハ上の微
小な異物を回路パターンと区別して検出し、その組成分
析や形状観察などの分析を簡便に行う試料検査装置を提
供する事にある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の試料検査装置は、被測定試料の表面にビー
ム光を照射し、該表面からの反射光を観察する反射光観
察手段と、被測定試料の表面の異常箇所を観察、分析す
る異常観察・分析手段と、前記被測定試料が載置され、
前記反射光観察手段と前記異常観察・分析手段のそれぞ
れの視野間および視野内を移動する移動手段と、前記反
射光観察手段によって得られた情報を基に前記測定試料
の表面の異常箇所を検出し、かつ、前記異常観察・分析
手段によって得られた情報を基に、検出された表面の異
常が異物であったのか、あるいはどのような種類の異物
であったのかを判断する情報処理部と、該情報処理部に
おいて前記測定試料の表面の異常箇所を検出したときの
位置座標を記憶する座標記憶手段と、前記座標記憶手段
に記憶された異常箇所の位置座標に基づいて前記移動手
段を移動させて前記測定試料の表面の異常箇所を前記異
常観察・分析手段の視野内に入れるための制御部と、前
記情報処理手段による処理結果を外部に表示する表示手
段と、を具備することを特徴とする。

【００１３】被測定試料が回路パターン付きウェハであ
るときは、前記反射光観察手段は、被測定試料の表面に
ビーム光を照射する照明部と、被測定試料の表面からの
反射光による画像を撮像する撮像部とを備えたものであ
る事が好ましい。この場合、前記情報処理手段は、前記
異常検出手段の撮像部によって得られた画像データを記
憶し、これらの被測定試料上の同じパターン同士の画像
データを比較することによって、被測定試料の表面上の
異常を検出する。

【００１４】また、被測定試料が回路パターンの無いベ
アウェハであれば、前記反射光観察手段は、被測定試料
の表面にビーム光を照射する照明部と、被測定試料の表
面からの反射光を受光する光検出器とを備えているもの
が好ましい。この場合、前記情報処理手段は、前記反射
光観察手段の光検出器によって得られた反射光の強度の
変化から、被測定試料の表面上の異常を検出する。

【００１５】以上の構成により、複雑な回路パターンを
有するシリコンウェハ上の異物も精度よく検出する事が
可能となる。

【００１６】この様にして構成された試料検査装置で
は、前記反射光観察手段によって得られた情報を基に前
記情報処理手段で前記測定試料の表面の異常箇所が検出
されると、検出された座標が座標記憶手段に記憶され
る。この座標記憶手段に記憶された異常箇所の位置座標
に基づいて、制御部が前記移動手段を移動し、前記測定
試料の表面の異常箇所を前記異常観察・分析手段の視野
内に入れる。これにより、前記測定試料の表面の異常箇
所は、前記異常観察・分析手段のうちの観察手段によっ
て詳しく観察され、さらに分析手段によって分析され
る。

【００１７】前記異物観察・分析手段のうちの観察手段
は、電子顕微鏡である事が望ましいが、イオン顕微鏡、
原子間力顕微鏡であっても構わない。

【００１８】また前記異物観察・分析手段のうちの分析
手段は、Ｘ線検出装置であることが望ましいが、オージ
ェ電子検出装置、飛行時間型二次イオン質量分析計、あ
るいはレーザー・マイクロブローブ質量分析装置であっ
ても構わない。

【００１９】また異物観察・分析手段によって得られた
情報を基に、組成や形状などの異物の性質による分類
や、異物マップ作成が情報処理手段によってなされても
よい。

【００２０】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態
である試料検査装置の構成を説明するためのブロック図
である。この形態の試料検査装置は図１に示すように、
排気ポンプで内部を真空状態にされた真空試料室１を備
える。真空試料室１内の上部には反射光観察部２と異常
観察・分析部３が別個に配備されている。反射光観察部
２は、後述するような被測定試料の表面へビーム光を照
射し、該表面からの反射光を観察するものである。異常
観察・分析部３において異常観察の手段は、本形態では
走査型電子顕微鏡であるが、イオン顕微鏡や原子間力顕
微鏡であってもよい。そして異常分析の手段は、本形態
ではエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）である
が、オージェ電子検出装置、飛行時間型二次イオン質量
分析計、もしくはレーザー・マイクロプローブ質量分析
装置であってもよい。

【００２１】試料室１内の下部には、ＬＳＩウェハなど
の被測定試料４を搭載し、反射光観察部２と異常観察・
分析部３のそれぞれの視野間および視野内に移動する移
動ステージ５が設置されている。反射光観察部１でビー
ム光を照射するときの光軸と、異常観察・分析部３の観
察手段又は分析手段で異常箇所を観察又は分析するとき
の光軸とは、少なくとも被測定試料上では一致してい
る。

【００２２】さらに真空試料室１の外部には、反射光観
察部２および異常観察・分析部３で得られた情報を記憶
し、当該情報を基に所望の形態に処理する情報処理部６
と、反射光観察部２からの情報を基に情報処理部６で確
認された被測定試料４の表面上の異常箇所の位置を記憶
する座標記憶部７と、座標記憶部７で記憶した被測定試
料４の表面上の異常箇所の位置座標に基づいて移動ステ
ージ５を駆動制御する制御部９と、情報処理部６での所
望の形態の処理結果を外部に表示するための表示部８と
が備えられている。

【００２３】情報処理部６は、反射光観察部２により被
測定試料４の表面に関する情報を得た場合はその情報を
基に被測定試料表面の異常箇所の存在を検出するという
処理形態をとる。また、異物観察・分析部３により被測
定試料表面の異常箇所についての観察・分析情報を得た
場合は、その情報を基に異常が異物であったのか、ある
いはどのような種類の異物であったのかを判断するとい
う処理形態をとる。

【００２４】このような装置によって試料を検査する際
は、まず、被測定試料４が真空試料室１内の移動ステー
ジ５上に載置される。そして移動ステージ５をＸ方向及
びＹ方向に移動させることにより、被測定試料４の表面
は反射光観察部２の照明部からのビーム光によってＸＹ
走査される。この照明部からのビーム光は白色光であっ
てもよい。

【００２５】被測定試料４が回路パターンを有するもの
である場合、反射光観察部２は例えば図２に示すよう
に、被測定試料４の表面にビーム光を照射する照明部
（不図示）と、被測定試料４の表面からの反射光による
画像を観察する撮像部であるＣＣＤカメラ１０と、被測
定試料４からの反射光をＣＣＤカメラ１０に結像するた
めの対物レンズ１１及び接眼レンズ１２とを有するもの
とする。この場合、被測定試料４の表面を反射光観察部
２の照明部からのビーム光によってＸＹ走査し、被測定
試料４の表面からの反射光による画像を反射光観察部２
のＣＣＤカメラ１０が観察し、その画像データを情報処
理部６に送り込む。情報処理部６は画像メモリーを備え
ており、反射光観察部２から送られてきた画像データを
順次記憶する。これらの画像データの各々は情報処理部
６において、被測定試料上の同じパターンを有する部分
の画像データと比較されることで、異常の存在が検出さ
れる。被測定試料４がウェハの場合、情報処理部６は、
反射光観察部２で得られたウェハ上のダイとダイあるい
は同じ回路パターン同士の画像データを比較してウェハ
表面の異常箇所を検出する。このとき、被測定試料４上
の異常箇所の位置座標は座標記憶部７に記憶される。

【００２６】また、被測定試料４が表面に回路パターン
を持たないものである場合には、反射光観察部２は例え
ば図３に示すように、被測定試料４の表面にレーザービ
ーム光を照射する照明部であるレーザー光源１３と、レ
ーザー光源１３からのレーザービーム光を被測定試料４
の略真上から照射するためのハーフミラー１４と、被測
定試料４の表面からの反射光をハーフミラー１４を介し
て受光（観察）する光検出器である光ダイオード１５と
を有するものとする。この場合には、被測定試料４の表
面を反射光観察部２の照明部からのビーム光によってＸ
Ｙ走査し、被測定試料４の表面からの反射光を反射光観
察部２の光ダイオード１５で検出（観察）し、その検出
信号を情報処理部６に送り込む。被測定試料４からの反
射光は表面に異常が無い限り一定の強度となるため、そ
れに伴った光ダイオード１５からの検出信号も一定であ
る。しかし、被測定試料４の表面に異常が存在する場
合、被測定試料４から反射光が散乱して強度が減少し、
それに伴って光ダイオード１５からの信号レベルも減少
する。したがって、反射光の強度に応じた信号レベルの
変化を情報処理部６が検知することによって異常の存在
が検出される。このとき、被測定試料４上の異常箇所の
位置座標は座標記憶部７に記憶される。

【００２７】反射光観察部２による被測定試料４上の異
常箇所の検出が終了すると、制御部９は、座標記憶部７
に記憶された異常箇所の位置データに基づいて移動ステ
ージ５を異常観察・分析部３の視野内に移動し、被測定
試料４表面の任意の異常箇所を異常観察・分析部３のう
ちの異常観察手段の光軸に位置決めする。そして、この
異常観察手段としての走査型電子顕微鏡の電子銃で異常
箇所に電子ビームを照射して、異常箇所の詳しい形状観
察や正確な座標確認が行われる。異常箇所の正確な座標
確認は、走査型電子顕微鏡による画像データを基にソフ
ト的に行われることが望ましい。確認された異常箇所の
正確な座標は座標記憶部７に記憶され、これに基づき制
御部９によって移動ステージ５が微小移動され、異常箇
所が、異常観察・分析部３の異常分析手段であるところ
のエネルギー分散型Ｘ線分析器の視野内に入れられ、異
常箇所からの特性Ｘ線を検出することによって異物の組
成が分析される。このような操作を、検出した異常箇所
毎に繰り返すことにより、被測定試料４表面の異常箇所
すべてを観察・分析する事ができる。なお、異常観察・
分析部３は組成分析を行わず、異常箇所の詳しい形状観
察のみに終わっても構わない。

【００２８】異常観察・分析部３によって得られた異常
箇所の観察情報や分析情報は情報処理部９に送られ、そ
の異常部分の詳しい形状や、元素組成などに基づいて分
類され、検出された表面の異常が異物であったのか、あ
るいはどのような種類の異物であったのかが判断され
る。また、被測定試料４の表面上のどの位置にどのよう
な種類の異物が存在するかを示す異物マップも作成され
る。これらの結果は表示部８に出力されることによって
使用者が得ることができる。なお、上記の異常部分の分
類の基準は形状、元素組成以外でもかまわない。

【００２９】また、上述したような試料検査装置は、検
出された異物数が予め登録された任意データよりも大き
かったとき、もしくは分析結果が予め登録された任意の
元素と一致した場合、アラームを発することによって、
異常を検出したこと、異常分析結果を取得したことを使
用者に知らせるものとしてもよい。

【００３０】

【発明の効果】本発明によれば、ＬＳＩウェハなどの被
測定試料の表面に付着している多数の微小異物や結晶欠
陥を高速で検出できるだけでなく、それらの各々の微小
異物について形状を観察したり組成分析をし、これらの
データを基に異物の分類をすることが可能となる。また
これら一連の動作は全て自動で、高速で行うこともでき
る。さらに異常箇所の検出に、測定試料表面からの反射
光を基に画像データを取得し、これらを比較する手法を
とったので、回路パターン付きのウェハなどの上の微小
異物を精度よく検出することができる。その結果、半導
体等の製造プロセスにおいて異物の発生原因を究明する
ことができ、製品の大幅な歩留まり向上を図ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態による試料検査装置を説明
するためのブロック構成図である。

【図２】本発明の実施の形態による試料検査装置で検査
するパターン付き被検査試料のための反射光観察部を説
明するための模式図である。

【図３】本発明の実施の形態による試料検査装置で検査
するパターン無し被検査試料のための反射光観察部を説
明するための模式図である。

【図４】従来の試料検査装置を説明するためのブロック
構成図である。

【図５】図４で示した試料検査装置の異物検出部を説明
するための模式図である。

【符号の説明】

１真空試料室２反射光観察部３異常観察・分析部４被測定試料５移動ステージ６情報処理部７座標記憶部８表示部９制御部１０ＣＣＤカメラ１１対物レンズ１２接眼レンズ１３レーザー光源１４ハーフミラー１５光ダイオード

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被測定試料の表面にビーム光を照射し、
該表面からの反射光を観察する反射光観察手段と、被測定試料の表面の異常箇所を観察、分析する異常観察
・分析手段と、前記被測定試料が載置され、前記反射光観察手段と前記
異常観察・分析手段のそれぞれの視野間および視野内を
移動する移動手段と、前記反射光観察手段によって得られた情報を基に前記測
定試料の表面の異常箇所を検出し、かつ、前記異常観察
・分析手段によって得られた情報を基に、検出された表
面の異常が異物であったのか、あるいはどのような種類
の異物であったのかを判断する情報処理部と、前記情報処理部において前記測定試料の表面の異常箇所
を検出したときの位置座標を記憶する座標記憶手段と、前記座標記憶手段に記憶された異常箇所の位置座標に基
づいて前記移動手段を移動させて前記測定試料の表面の
異常箇所を前記異常観察・分析手段の視野内に入れるた
めの制御部と、前記情報処理手段による処理結果を外部に表示する表示
手段と、を具備することを特徴とする試料検査装置。
【請求項２】前記反射光観察手段で異常箇所にビーム
光を照射するときの光軸と、前記異常観察・分析手段の
観察手段又は分析手段で異常箇所を観察又は分析すると
きの光軸とは、少なくとも被測定試料上では一致してい
ることを特徴とする請求項１に記載の試料検査装置。
【請求項３】前記反射光観察手段は、被測定試料の表
面にビーム光を照射する照明部と、被測定試料の表面か
らの反射光を受光する光検出器とを備えたことを特徴と
する請求項１に記載の試料検査装置。
【請求項４】前記情報処理手段は、前記反射光観察手
段の光検出器によって得られた反射光の強度の変化か
ら、被測定試料の表面上の異常を検出することを特徴と
する請求項３に記載の試料検査装置。
【請求項５】前記反射光観察手段は、被測定試料の表
面にビーム光を照射する照明部と、被測定試料の表面か
らの反射光による画像を撮像する撮像部とを備えたこと
を特徴とする請求項１に記載の試料検査装置。
【請求項６】前記情報処理手段は、前記異常検出手段
の撮像部で得られた被測定試料上の同じパターン同士の
画像データを比較して被測定試料の表面上の異常を検出
することを特徴とする請求項５に記載の試料検査装置。
【請求項７】前記情報処理手段は、前記異常観察・分
析手段によって得られた情報を基に、被測定基板の表面
のどの位置にどのような種類の異物が存在するかを示す
異物マップを作成することを特徴とする請求項１に記載
の試料検査装置。
【請求項８】前記観察・分析手段のうちの観察手段が
電子顕微鏡である請求項１に記載の試料検査装置。
【請求項９】前記観察・分析手段のうちの観察手段が
イオン顕微鏡である請求項１に記載の試料検査装置。
【請求項１０】前記観察・分析手段のうちの観察手段
が原子間力顕微鏡である請求項１に記載の試料検査装
置。
【請求項１１】前記観察・分析手段のうちの分析手段
がＸ線検出装置である請求項１に記載の試料検査装置。
【請求項１２】前記観察・分析手段のうちの分析手段
がオージェ電子検出装置である請求項１に記載の試料検
査装置。
【請求項１３】前記観察・分析手段のうちの分析手段
が飛行時間型二次イオン質量分析計である請求項１に記
載の試料検査装置。
【請求項１４】前記観察・分析手段のうちの分析手段
がレーザー・マイクロブローブ質量分析装置である請求
項１に記載の試料検査装置。
【請求項１５】請求項１に記載の試料検査装置におい
て、検出された異物数が予め登録された任意データより
も大きかったとき、もしくは分析結果が予め登録された
任意の元素と一致した場合、アラームを発することによ
って、異常を検出し、異常分析結果を取得したことを知
らせることを特徴とする試料検査装置。