JPH11256349A - 樹脂基材への高密着性めっき方法およびこれに用いる銅めっき液 - Google Patents
樹脂基材への高密着性めっき方法およびこれに用いる銅めっき液Info
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- JPH11256349A JPH11256349A JP7126698A JP7126698A JPH11256349A JP H11256349 A JPH11256349 A JP H11256349A JP 7126698 A JP7126698 A JP 7126698A JP 7126698 A JP7126698 A JP 7126698A JP H11256349 A JPH11256349 A JP H11256349A
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
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- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡便に、安定して樹脂基材と導体層間の高い
密着強度を得ることのできる手段を開発すること。 【解決手段】 触媒化処理をした樹脂基材上に、銅上に
おけるめっき析出速度を０.５μｍ／３０分以下に制御
した無電解銅めっきを施し、次いで電気めっきを施すこ
とを特徴とするに樹脂基材への高密着性めっき方法。こ
の方法に利用できる無電解銅めっき浴の例としては、銅
イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤としてホルムアルデ
ヒドまたはグリオキシル酸および析出制御剤を含み、ｐ
Ｈが１２〜１３の範囲である無電解銅めっき液並びに銅
イオン、銅イオンの錯化剤としてのクエン酸またはその
塩および還元剤として次亜リン酸またはその塩を含み、
ｐＨ８.０〜１１.０の範囲である無電解銅めっき液が挙
げられる。
密着強度を得ることのできる手段を開発すること。 【解決手段】 触媒化処理をした樹脂基材上に、銅上に
おけるめっき析出速度を０.５μｍ／３０分以下に制御
した無電解銅めっきを施し、次いで電気めっきを施すこ
とを特徴とするに樹脂基材への高密着性めっき方法。こ
の方法に利用できる無電解銅めっき浴の例としては、銅
イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤としてホルムアルデ
ヒドまたはグリオキシル酸および析出制御剤を含み、ｐ
Ｈが１２〜１３の範囲である無電解銅めっき液並びに銅
イオン、銅イオンの錯化剤としてのクエン酸またはその
塩および還元剤として次亜リン酸またはその塩を含み、
ｐＨ８.０〜１１.０の範囲である無電解銅めっき液が挙
げられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂基材上に密着
性の良い金属被膜を形成することのできる高密着性めっ
き方法およびこのために利用しうる無電解銅めっき液に
関する。
性の良い金属被膜を形成することのできる高密着性めっ
き方法およびこのために利用しうる無電解銅めっき液に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の傾向として小型化、軽
薄化、高速化、高性能化などに伴い、プリント配線板も
薄型化、多層化と高密度化の要求が高まっている。この
ような要求に対応するために現在、ビルドアップ工法が
注目され、絶縁層と導体層を一層毎に積み上げてその都
度層間を接続して多層配線板を作製している 。また、
多層配線板を作製する上で層間絶縁材料、ビアホールの
形成、ファインパターンの形成など、さまざまな要素技
術があり、その中の層間絶縁材料においては、絶縁層と
導体層の密着性が良いことは非常に重要である。
薄化、高速化、高性能化などに伴い、プリント配線板も
薄型化、多層化と高密度化の要求が高まっている。この
ような要求に対応するために現在、ビルドアップ工法が
注目され、絶縁層と導体層を一層毎に積み上げてその都
度層間を接続して多層配線板を作製している 。また、
多層配線板を作製する上で層間絶縁材料、ビアホールの
形成、ファインパターンの形成など、さまざまな要素技
術があり、その中の層間絶縁材料においては、絶縁層と
導体層の密着性が良いことは非常に重要である。
【０００３】一般にプリント配線板において、樹脂基材
上の導体層は、無電解及び電気めっきを順次行うことに
より形成されることが多く、例えば、金属銅層（導体
層）を形成するための方法は、樹脂基材表面の粗化、パ
ラジウム触媒付与、無電解銅めっき、電解銅めっきの順
で行われるのが一般的である。 そして、樹脂基材と銅
めっき層の密着性は、粗化により生じた樹脂基材上の微
細な凹孔内に無電解銅めっきが錨のように入り込むこと
による効果、いわゆるアンカー効果に依存するとされて
いる。
上の導体層は、無電解及び電気めっきを順次行うことに
より形成されることが多く、例えば、金属銅層（導体
層）を形成するための方法は、樹脂基材表面の粗化、パ
ラジウム触媒付与、無電解銅めっき、電解銅めっきの順
で行われるのが一般的である。 そして、樹脂基材と銅
めっき層の密着性は、粗化により生じた樹脂基材上の微
細な凹孔内に無電解銅めっきが錨のように入り込むこと
による効果、いわゆるアンカー効果に依存するとされて
いる。
【０００４】このように、現在、密着性を向上させるた
めに、絶縁層の表面を酸化剤で粗化し、アンカー効果を
得ることで密着強度を向上させているが、高い密着強度
を安定して得ることは難しく、プリント配線板作製の上
での隘路の一つとなっている。
めに、絶縁層の表面を酸化剤で粗化し、アンカー効果を
得ることで密着強度を向上させているが、高い密着強度
を安定して得ることは難しく、プリント配線板作製の上
での隘路の一つとなっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、簡便に、安定
して樹脂基材と導体層間の高い密着強度を得ることので
きる手段の開発が強く求められていた。
して樹脂基材と導体層間の高い密着強度を得ることので
きる手段の開発が強く求められていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、プリント配
線板における、樹脂基材と導体層間の密着性に関連する
要素について、種々研究を行っていたところ、樹脂表面
に形成された微細凹孔の大きさと無電解銅めっきの銅上
での析出速度が密着性に大きな影響を与えていることを
見出した。
線板における、樹脂基材と導体層間の密着性に関連する
要素について、種々研究を行っていたところ、樹脂表面
に形成された微細凹孔の大きさと無電解銅めっきの銅上
での析出速度が密着性に大きな影響を与えていることを
見出した。
【０００７】すなわち、微細凹孔が小さすぎ、しかも、
銅上での無電解銅めっきの析出速度が速すぎるとブリッ
ジ状の析出が発生し、樹脂表面に形成された微細凹孔内
部にめっきが付き回ることなく成膜されるため、十分な
密着性が得られないことを知った。 一方、これを避
け、無電解銅めっきの付き回りを良くしようと、樹脂基
材を甘めに粗化すれば、当然のことながらアンカー効果
が失われる結果となる。
銅上での無電解銅めっきの析出速度が速すぎるとブリッ
ジ状の析出が発生し、樹脂表面に形成された微細凹孔内
部にめっきが付き回ることなく成膜されるため、十分な
密着性が得られないことを知った。 一方、これを避
け、無電解銅めっきの付き回りを良くしようと、樹脂基
材を甘めに粗化すれば、当然のことながらアンカー効果
が失われる結果となる。
【０００８】本発明者は、この矛盾を解消すべく更に研
究を重ねた結果、無電解銅めっきにおいて、最初にパラ
ジウム触媒上に析出した金属銅上には最早析出せず、残
ったパラジウム触媒上に選択的に析出するような無電解
銅めっき液を利用すれば、微細凹孔の内部にも無電解銅
が付き回り、十分なアンカー効果が得られるであろうこ
とを着想した。 そして、無電解銅めっき液の組成や配
合成分について種々検討した結果、このような目的に合
ったものを見出し、本発明を完成した。
究を重ねた結果、無電解銅めっきにおいて、最初にパラ
ジウム触媒上に析出した金属銅上には最早析出せず、残
ったパラジウム触媒上に選択的に析出するような無電解
銅めっき液を利用すれば、微細凹孔の内部にも無電解銅
が付き回り、十分なアンカー効果が得られるであろうこ
とを着想した。 そして、無電解銅めっき液の組成や配
合成分について種々検討した結果、このような目的に合
ったものを見出し、本発明を完成した。
【０００９】すなわち本発明の目的は、触媒化処理をし
た樹脂基材上に、銅上におけるめっき析出速度を０.５
μｍ／３０分以下に制御した無電解銅めっきを施し、次
いで電気めっきを施す樹脂基材への高密着性めっき方法
を提供することである。
た樹脂基材上に、銅上におけるめっき析出速度を０.５
μｍ／３０分以下に制御した無電解銅めっきを施し、次
いで電気めっきを施す樹脂基材への高密着性めっき方法
を提供することである。
【００１０】また本発明の他の目的は、上記方法に使用
される、銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤としてホ
ルムアルデヒドまたはグリオキシル酸および析出制御剤
を含み、ｐＨが１２〜１３の範囲である無電解銅めっき
液を提供することである。
される、銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤としてホ
ルムアルデヒドまたはグリオキシル酸および析出制御剤
を含み、ｐＨが１２〜１３の範囲である無電解銅めっき
液を提供することである。
【００１１】更に、本発明の別の目的は、前記方法に用
いられる銅イオン、銅イオンの錯化剤としてのクエン酸
またはその塩および還元剤として次亜リン酸またはその
塩を含み、ｐＨ８.０〜１１.０の範囲である無電解銅め
っき液を提供することである。
いられる銅イオン、銅イオンの錯化剤としてのクエン酸
またはその塩および還元剤として次亜リン酸またはその
塩を含み、ｐＨ８.０〜１１.０の範囲である無電解銅め
っき液を提供することである。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明においては、無電解銅めっ
きがパラジウム触媒上に析出した銅めっき被膜上にはそ
れ以上析出せず、まだ銅が析出しないパラジウム触媒上
には通常の速度で析出するように調整することが重要で
ある。
きがパラジウム触媒上に析出した銅めっき被膜上にはそ
れ以上析出せず、まだ銅が析出しないパラジウム触媒上
には通常の速度で析出するように調整することが重要で
ある。
【００１３】このためには、無電解銅めっきの銅上での
析出速度を０.５μｍ／３０分以下に制御することが必
要である。
析出速度を０.５μｍ／３０分以下に制御することが必
要である。
【００１４】上記の条件を満たす無電解銅めっきであれ
ば、その浴組成等に関係なく本発明に利用することがで
きるが、このような無電解銅めっき液の例の一つとして
は、銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤としてホルム
アルデヒドまたはグリオキシル酸および析出制御剤を含
み、ｐＨが１２〜１３の範囲である無電解銅めっき液が
挙げられる。
ば、その浴組成等に関係なく本発明に利用することがで
きるが、このような無電解銅めっき液の例の一つとして
は、銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤としてホルム
アルデヒドまたはグリオキシル酸および析出制御剤を含
み、ｐＨが１２〜１３の範囲である無電解銅めっき液が
挙げられる。
【００１５】この無電解銅めっき液に添加される析出制
御剤は、銅上への無電解銅めっきの析出を抑制するもの
であり、具体的には、チオ尿素、アリルチオ尿素、チオ
リンゴ酸、チオグリコール酸もしくはチオシアン酸また
はそれらの塩が挙げられる。この中でもチオ尿素、アリ
ルチオ尿素、チオリンゴ酸もしくはそれらの塩の効果が
もっとも優れている。 この析出抑制剤は、一般には０.
１〜１０００ｐｐｍ程度配合される。
御剤は、銅上への無電解銅めっきの析出を抑制するもの
であり、具体的には、チオ尿素、アリルチオ尿素、チオ
リンゴ酸、チオグリコール酸もしくはチオシアン酸また
はそれらの塩が挙げられる。この中でもチオ尿素、アリ
ルチオ尿素、チオリンゴ酸もしくはそれらの塩の効果が
もっとも優れている。 この析出抑制剤は、一般には０.
１〜１０００ｐｐｍ程度配合される。
【００１６】一方、上記無電解めっき液において、銅イ
オン源としては硫酸銅、塩化第二銅、硝酸銅等が、銅イ
オンの錯化剤としては、ＥＤＴＡ、酒石酸、リンゴ酸、
クエン酸、クワドロール、グリシン等やそれらの塩が挙
げられる。 これらは、いずれもホルムアルデヒドを還
元剤として使用する無電解銅めっき浴で一般に用いられ
ているものである。 また、これらの配合量も従来のホ
ルムアルデヒドを用いた無電解銅めっき浴と同程度でよ
い。
オン源としては硫酸銅、塩化第二銅、硝酸銅等が、銅イ
オンの錯化剤としては、ＥＤＴＡ、酒石酸、リンゴ酸、
クエン酸、クワドロール、グリシン等やそれらの塩が挙
げられる。 これらは、いずれもホルムアルデヒドを還
元剤として使用する無電解銅めっき浴で一般に用いられ
ているものである。 また、これらの配合量も従来のホ
ルムアルデヒドを用いた無電解銅めっき浴と同程度でよ
い。
【００１７】上記の無電解銅めっき液の銅皮膜上への析
出速度は、ホルムアルデヒドを還元剤とし、ｐＨ１２〜
１３の一般的な無電解銅めっきと比べ約１／２以下であ
り、０.５μｍ／３０分以下の析出速度を維持できるも
のである。
出速度は、ホルムアルデヒドを還元剤とし、ｐＨ１２〜
１３の一般的な無電解銅めっきと比べ約１／２以下であ
り、０.５μｍ／３０分以下の析出速度を維持できるも
のである。
【００１８】また、無電解銅めっきの銅上での析出速度
を０.５μｍ／３０分以下に制御することが可能な無電
解銅めっき液の別の例としては、銅イオン、銅イオンの
錯化剤としてのクエン酸またはその塩および還元剤とし
て次亜リン酸またはその塩を含み、ｐＨ８.０〜１１.０
の範囲である無電解銅めっき液を挙げることができる。
を０.５μｍ／３０分以下に制御することが可能な無電
解銅めっき液の別の例としては、銅イオン、銅イオンの
錯化剤としてのクエン酸またはその塩および還元剤とし
て次亜リン酸またはその塩を含み、ｐＨ８.０〜１１.０
の範囲である無電解銅めっき液を挙げることができる。
【００１９】この無電解めっき液の特徴は、銅イオンの
錯化剤としては、クエン酸またはその塩を利用すること
である。 このクエン酸またはその塩の配合量は、銅イ
オンに対するモル比で１〜１０倍とすることが好まし
い。 銅イオンの錯化剤としてクエン酸以外の有機酸を
用いた次亜リン酸を還元剤とする無電解銅めっき浴は公
知であるが、これらを利用しても良い結果が得られな
い。
錯化剤としては、クエン酸またはその塩を利用すること
である。 このクエン酸またはその塩の配合量は、銅イ
オンに対するモル比で１〜１０倍とすることが好まし
い。 銅イオンの錯化剤としてクエン酸以外の有機酸を
用いた次亜リン酸を還元剤とする無電解銅めっき浴は公
知であるが、これらを利用しても良い結果が得られな
い。
【００２０】一方、この無電解銅めっき液の銅イオン源
としては、硫酸銅、塩化第二銅、硝酸銅等が挙げられる
が、これらは、いずれも次亜リン酸またはその塩を還元
剤として使用する無電解銅めっき浴で一般に用いられて
いるものである。 また、その配合量も通常の次亜リン
酸またはその塩を用いる無電解銅めっき浴と同程度でよ
い。
としては、硫酸銅、塩化第二銅、硝酸銅等が挙げられる
が、これらは、いずれも次亜リン酸またはその塩を還元
剤として使用する無電解銅めっき浴で一般に用いられて
いるものである。 また、その配合量も通常の次亜リン
酸またはその塩を用いる無電解銅めっき浴と同程度でよ
い。
【００２１】この無電解銅めっき浴においては、次亜リ
ン酸塩が銅に対する自己触媒作用がないという性質を利
用するものであり、クエン酸またはその塩との組合せに
より、触媒であるパラジウム上に銅が析出するとそれ以
降の析出は起こらず、銅上の析出速度を０.５μｍ／３
０分以下に制御することもできるのである。
ン酸塩が銅に対する自己触媒作用がないという性質を利
用するものであり、クエン酸またはその塩との組合せに
より、触媒であるパラジウム上に銅が析出するとそれ以
降の析出は起こらず、銅上の析出速度を０.５μｍ／３
０分以下に制御することもできるのである。
【００２２】本発明方法は、上記したような銅上の析出
速度を０.５μｍ／３０分以下に制御した無電解銅めっ
き液を利用する以外は、従来と同様なプリント配線板作
製手段により実施することができる。 すなわち、プリ
ント配線基板を処理するための条件の一例を示せば次の
通りであり、無電解銅めっき後の電気めっきも、電気銅
めっきの他、電気はんだめっき、電気金めっき等所望の
ものを実施することができる。
速度を０.５μｍ／３０分以下に制御した無電解銅めっ
き液を利用する以外は、従来と同様なプリント配線板作
製手段により実施することができる。 すなわち、プリ
ント配線基板を処理するための条件の一例を示せば次の
通りであり、無電解銅めっき後の電気めっきも、電気銅
めっきの他、電気はんだめっき、電気金めっき等所望の
ものを実施することができる。
【００２３】［ 基 本 操 作 工 程 ］ 膨 潤 工 程 （６５〜８５℃； ５〜１５分） ↓ エッチング工程（６５〜８５℃； ５〜１５分） ↓ 中 和 工 程 （６５〜８５℃； ５〜１０分） ↓ 予備浸漬工程 （１５〜３０℃； １〜 ３分） ↓（水洗なし） 触媒付与工程 （１５〜３０℃； ２〜１０分） ↓ 促 進 工 程 （１５〜３０℃； ２〜１０分） ↓ 無電解銅めっき工程 ↓ 電解銅めっき工程 注）上記において、工程間に水洗を行う。
【００２４】
【作用】本発明方法により、樹脂基材と導体層間の高い
密着強度を得ることのできる理由は、無電解銅めっきの
銅上への析出が抑制されている結果、樹脂表面の微小凹
部内部も含め全ての触媒上に無電解銅めっき析出して十
分に付き回り、良好な密着性が得られるためである。
密着強度を得ることのできる理由は、無電解銅めっきの
銅上への析出が抑制されている結果、樹脂表面の微小凹
部内部も含め全ての触媒上に無電解銅めっき析出して十
分に付き回り、良好な密着性が得られるためである。
【００２５】なお、本発明で用いる析出制御剤は、めっ
き浴の自己分解を防止する目的で、添加される安定剤に
含まれるものではあるが、安定剤が常に析出制御剤とし
て利用できる訳ではない。また、安定剤が銅上における
無電解銅めっきの析出速度を制御することは知られてお
らず、更に析出速度の制御により密着性が向上すること
も知られていないことである。
き浴の自己分解を防止する目的で、添加される安定剤に
含まれるものではあるが、安定剤が常に析出制御剤とし
て利用できる訳ではない。また、安定剤が銅上における
無電解銅めっきの析出速度を制御することは知られてお
らず、更に析出速度の制御により密着性が向上すること
も知られていないことである。
【００２６】
【実施例】次に実施例を挙げ、本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はこれら実施例等により何ら制約される
ものではない。
するが、本発明はこれら実施例等により何ら制約される
ものではない。
【００２７】実 施 例 １ 析 出 抑 制 作 用 の 検 討 ：いくつかの化合物につ
いて、銅皮膜上への銅析出に対し、どのような影響があ
るかどうかを調べた。試験は、下記のホルマリンを還元
剤とする基本無電解銅めっき浴組成に表１に示す成分お
よび濃度の添加剤を加えたものに、銅張積層板を浸漬
し、下記条件で銅めっき層の析出する速度を測定するこ
とにより行った。 この結果も表１に示す。
いて、銅皮膜上への銅析出に対し、どのような影響があ
るかどうかを調べた。試験は、下記のホルマリンを還元
剤とする基本無電解銅めっき浴組成に表１に示す成分お
よび濃度の添加剤を加えたものに、銅張積層板を浸漬
し、下記条件で銅めっき層の析出する速度を測定するこ
とにより行った。 この結果も表１に示す。
【００２８】［ 基本無電解めっき浴組成 ］ 硫酸銅五水和物 ０.０３Ｍ ＥＤＴＡ・四水和物 ０.２４Ｍ ホルマリン ０.２Ｍ ｐＨ １２.５
【００２９】［ 無電解めっき条件 ］ 浴 温 ６０℃ 攪 拌 空気攪拌
【００３０】
【表１】
【００３１】この結果から明らかなように、チオ尿素、
アリルチオ尿素、チオリンゴ酸、チオグリコール酸、チ
オシアン酸カリウム等では、明らかに無電解銅めっきの
析出速度が低下し、基本無電解めっき組成で行った場合
の半分以下で、本発明方法の条件である０.５μｍ／３
０分の条件を満たしていた。 これに対し、２−メルカ
プトベンゾチアゾールやポリビニルイミダゾールを添加
した場合は、析出速度が速くなっていた。
アリルチオ尿素、チオリンゴ酸、チオグリコール酸、チ
オシアン酸カリウム等では、明らかに無電解銅めっきの
析出速度が低下し、基本無電解めっき組成で行った場合
の半分以下で、本発明方法の条件である０.５μｍ／３
０分の条件を満たしていた。 これに対し、２−メルカ
プトベンゾチアゾールやポリビニルイミダゾールを添加
した場合は、析出速度が速くなっていた。
【００３２】実 施 例 ２ 密 着 強 度 試 験 ：大きさが２０ｍｍ×５０ｍｍのＦ
Ｒ−４基板上に、エポキシ系絶縁ワニス（フォトビア形
成材料：ＪＳＲ（株）製ＩＬＤ−３００）を塗布、硬化
せしめたものをテストピースとして用いた。試験は、下
記処理工程に従い、まず、この基材表面を粗化した。
次に、触媒付与、密着促進した後、実施例１の基本無電
解銅めっき組成に表２に示す種類および濃度の析出制御
剤を加えた無電解銅めっき浴に３０分間浸漬した。 更
に、これに硫酸銅めっき浴（荏原ユージライト（株）、
キューブライトＴＨプロセス）で、約３０μｍの膜厚と
なるまで電気めっきを行った。
Ｒ−４基板上に、エポキシ系絶縁ワニス（フォトビア形
成材料：ＪＳＲ（株）製ＩＬＤ−３００）を塗布、硬化
せしめたものをテストピースとして用いた。試験は、下
記処理工程に従い、まず、この基材表面を粗化した。
次に、触媒付与、密着促進した後、実施例１の基本無電
解銅めっき組成に表２に示す種類および濃度の析出制御
剤を加えた無電解銅めっき浴に３０分間浸漬した。 更
に、これに硫酸銅めっき浴（荏原ユージライト（株）、
キューブライトＴＨプロセス）で、約３０μｍの膜厚と
なるまで電気めっきを行った。
【００３３】得られた銅めっき皮膜の密着強度は、９０
度引き剥がし試験によって密着を測定した。 密着強度
は、インストロンテスターによりクロスヘッドスピード
３ｍｍ／ｓｅｃ.で垂直に引き剥がし測定した。 各試料
の密着強度も表２中に示す。なお、樹脂又は銅箔の引き
剥がし面の状態は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により
観察した。
度引き剥がし試験によって密着を測定した。 密着強度
は、インストロンテスターによりクロスヘッドスピード
３ｍｍ／ｓｅｃ.で垂直に引き剥がし測定した。 各試料
の密着強度も表２中に示す。なお、樹脂又は銅箔の引き
剥がし面の状態は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により
観察した。
【００３４】［ 処 理 工 程 ］ 膨 潤 工 程 （７５℃；１０分） ↓ エッチング工程（７５℃；１０分） ↓ 中 和 工 程 （７５℃；１０分） ↓ 予備浸漬工程 （常温；２分） ↓（水洗なし） 触媒付与工程 （常温；５分） ↓ 促 進 工 程 （常温；５分） ↓ 無電解銅めっき工程（６０℃；３０分） ↓ ベーキング工程（１）（１２０℃；６０分） ↓ 電解銅めっき工程（２５℃；２Ａ／ｄｍ2；７５分） ↓ ベーキング工程（２）（１５０℃；１２０分） 注）上記において、工程間に水洗を行う。
【００３５】
【表２】
【００３６】この結果、析出制御剤を用いた無電解銅め
っきによれば、無添加のものに比べ、密着強度が向上す
ることが明らかとなった。このことから、導体層を形成
するために施す無電解めっきは、樹脂に形成されたエッ
チング痕の底部まで均一に成膜されればアンカー効果に
よって密着力の向上すること、およびこのためには析出
速度を制御する必要があることが示された。
っきによれば、無添加のものに比べ、密着強度が向上す
ることが明らかとなった。このことから、導体層を形成
するために施す無電解めっきは、樹脂に形成されたエッ
チング痕の底部まで均一に成膜されればアンカー効果に
よって密着力の向上すること、およびこのためには析出
速度を制御する必要があることが示された。
【００３７】実 施 例 ３ 下記めっき浴組成を利用する以外は、実施例２と同じめ
っき条件、工程によりエポキシ樹脂基材上に無電解銅め
っきおよび硫酸銅めっきを行った。得られた銅めっき皮
膜の密着強度も実施例２と同様にして測定したところ、
１.０ｋｇ／ｃｍであった。
っき条件、工程によりエポキシ樹脂基材上に無電解銅め
っきおよび硫酸銅めっきを行った。得られた銅めっき皮
膜の密着強度も実施例２と同様にして測定したところ、
１.０ｋｇ／ｃｍであった。
【００３８】［めっき浴組成］ 硫酸銅五水和物 ０.０３２Ｍ クエン酸ナトリウム ０.０５２Ｍ 次亜リン酸ナトリウム ０.５４Ｍ ホウ酸 ０.５０Ｍ ｐＨ ９.０
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、無電解銅めっきの浴管
理を適切に行うことにより、樹脂基材上に密着性の良い
金属被膜を形成することができるため、多層配線板等の
プリント配線板を作製する上で極めて有利なものであ
る。 以 上
理を適切に行うことにより、樹脂基材上に密着性の良い
金属被膜を形成することができるため、多層配線板等の
プリント配線板を作製する上で極めて有利なものであ
る。 以 上
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本間 英夫 神奈川県横浜市磯子区杉田８−１−60 (72)発明者 石橋 純一 神奈川県横浜市保土ヶ谷区峰沢町９−２− 307 (72)発明者 鈴木 雅子 東京都中央区築地２丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 丸山 恵美 神奈川県藤沢市善行坂１−１−６ 荏原ユ ージライト株式会社内 (72)発明者 藤波 知之 神奈川県藤沢市善行坂１−１−６ 荏原ユ ージライト株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 触媒化処理をした樹脂基材上に、銅上に
おけるめっき析出速度を０.５μｍ／３０分以下に制御
した無電解銅めっきを施し、次いで電気めっきを施すこ
とを特徴とするに樹脂基材への高密着性めっき方法。 - 【請求項２】 無電解銅めっきが、銅イオン、銅イオン
の錯化剤、還元剤としてホルムアルデヒドまたはグリオ
キシル酸および析出制御剤を含み、ｐＨが１２〜１３の
範囲である無電解銅めっき液を用いて行う請求項第１項
記載の樹脂基材への高密着性めっき方法。 - 【請求項３】 析出抑制剤が、チオ尿素、アリルチオ尿
素、チオリンゴ酸、チオグリコール酸、チオシアン酸及
びそれらの塩から選ばれた化合物である請求項第２項記
載の樹脂基材への高密着性めっき方法。 - 【請求項４】 無電解銅めっきが、銅イオン、銅イオン
の錯化剤としてのクエン酸またはその塩および還元剤と
して次亜リン酸またはその塩を含み、ｐＨ８.０〜１１.
０の範囲である無電解銅めっき液を用いて行う請求項第
１項記載の樹脂基材への高密着性めっき方法。 - 【請求項５】 銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤と
してホルムアルデヒドまたはグリオキシル酸および析出
制御剤を含み、ｐＨが１２〜１３の範囲である無電解銅
めっき液。 - 【請求項６】 析出抑制剤が、チオ尿素、アリルチオ尿
素、チオリンゴ酸、チオグリコール酸及びチオシアン酸
並びにそれらの塩から選ばれた化合物である請求項第５
項記載の無電解銅めっき液。 - 【請求項７】 銅イオン、銅イオンの錯化剤としてのク
エン酸またはその塩および還元剤として次亜リン酸また
はその塩を含み、ｐＨ８.０〜１１.０の範囲である無電
解銅めっき液。
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|---|---|---|---|
| JP07126698A JP3276919B2 (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 樹脂基材への高密着性めっき方法およびこれに用いる銅めっき液 |
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001107255A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-17 | Inoac Corp | 電気的不導体への金属メッキ方法 |
| WO2001046494A1 (fr) * | 1999-12-22 | 2001-06-28 | Ebara Corporation | Solution de plaquage non electrique et procede de formation d'un cablage avec cette solution |
| WO2001053569A1 (en) * | 2000-01-20 | 2001-07-26 | Nikko Materials Company, Limited | Copper electroplating liquid, pretreatment liquid for copper electroplating and method of copper electroplating |
| WO2005038088A1 (ja) * | 2003-10-20 | 2005-04-28 | Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd. | 無電解銅めっき液及びそれを用いた配線基板の製造方法 |
| EP1876262A1 (en) * | 2006-07-07 | 2008-01-09 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Environmentally friendly electroless copper compositions |
| JP2008095140A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Ishihara Chem Co Ltd | ウエハ又は基板用の銅析出抑制剤、及び銅フィリング方法 |
| DE102007047492A1 (de) * | 2007-10-04 | 2009-04-16 | Elantas Gmbh | Drahtlacke mit guter Haftung auf elektrischen Leitern |
-
1998
- 1998-03-06 JP JP07126698A patent/JP3276919B2/ja not_active Expired - Fee Related
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