JPH11204315A

JPH11204315A - 抵抗器の製造方法

Info

Publication number: JPH11204315A
Application number: JP10003667A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Yamada; 博之山田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-01-12
Filing date: 1998-01-12
Publication date: 1999-07-30
Also published as: MY125902A; TW409264B; US6238992B1

Abstract

(57)【要約】【課題】電極間ショートあるいははんだ付けの際のは
んだブリッジのない抵抗器の製造方法を提供することを
目的とする。【解決手段】基板１の上面に上面電極層４を形成する
工程と、上面電極層４と接続するように抵抗体パターン
６を形成する工程と、抵抗体パターン６を覆うように保
護膜層８を形成する工程と、基板１の側面に上面電極層
４と電気的に接続するように金属薄膜による側面電極層
１０を形成する工程と、側面電極層１０および基板１の
一部を除去して透孔１１を形成する工程とからなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子回路に一般に使
用される抵抗器の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化に伴い、回路の
無調整化をするために、抵抗値許容差の高精度な角形チ
ップ抵抗器への要求が高まってきている。特に、±０．
５％あるいは±０．１％の抵抗値許容差を有する角形チ
ップ抵抗器には、過去から主流で使用されてきたグレー
ズ材料を用いた厚膜抵抗体を有する角形チップ抵抗器よ
りも、高精度を得やすい金属薄膜抵抗体を有する角形チ
ップ抵抗器への市場の要望が高まっている。

【０００３】また、回路基板の実装密度を高めるため、
複数の角形チップ抵抗器を１パッケージ化した多連チッ
プ抵抗器への需要も急増しており、これも同様に従来の
厚膜抵抗体から金属薄膜抵抗体を有する薄膜多連チップ
抵抗器（以下、「抵抗器」と記す。）への需要が拡大し
てきている。

【０００４】以下、従来の抵抗器の製造方法について、
図４を参照しながら説明する。図４は従来の抵抗器の製
造方法を示す工程図である。

【０００５】まず、複数個の抵抗要素が構成されるよう
に表面に一定間隔で設けた縦方向の分割溝２３および横
方向の分割溝２２と、横方向の分割溝２２上で設けた透
孔２４とを有する９６％アルミナからなる基板２１を受
け入れる工程Ａを行う。

【０００６】次に、基板２１の上面に横方向の分割溝２
２をまたがるように透孔２４をはさんで金等の薄膜によ
る上面電極層２５を形成する工程Ｂを行う。

【０００７】次に、基板２１の裏面に上面電極層２５と
対応させて金等の薄膜による裏面電極層を形成する工程
Ｃを行う（図示せず）。

【０００８】次に、基板２１の上面全体にＮｉＣｒ等の
薄膜抵抗層２６を形成する工程Ｄを行う。

【０００９】次に、上面電極層２５と接続されるよう
に、フォトリソ法により薄膜抵抗層２６を抵抗体パター
ン２７に形成する工程Ｅを行う。

【００１０】次に、抵抗体パターン２７の抵抗値を所定
の抵抗値に揃えるためにＹＡＧレーザー等により抵抗値
修正する工程Ｆを行う。

【００１１】次に、抵抗値修正済みの抵抗体パターン２
８を完全に覆うように、エポキシ系樹脂等を印刷、硬化
して保護膜層２９を形成する工程Ｇを行う。

【００１２】次に、横方向の分割溝２２により基板２１
を１次基板分割する工程Ｈを行う。次に、１次分割済み
基板３０の分割面にスパッタリング等の薄膜技術によ
り、ニッケル系の薄膜による側面電極層３１を形成する
工程Ｉを行う。この時、側面電極層３１を形成する１次
分割済み基板３０の分割面と、隣接する電極間を分離す
る透孔２４の側面とを選択的に形成する必要がある。よ
って、側面電極層３１を形成する前に透孔２４の側面に
レジストを塗布し、側面電極層３１を形成した後に、リ
フトオフ法によりレジストを剥離して分割面にのみ側面
電極層３１を形成していた。

【００１３】次に、側面電極層形成済み基板を縦方向の
分割溝２３により個片状に２次基板分割する工程Ｊを行
う。

【００１４】最後に、個片状基板３２の露出している上
面電極層２５および裏面電極層および側面電極層３１に
電極めっき層３３を形成する工程Ｋを行う。

【００１５】以上の工程により、従来の抵抗器を製造し
ていた。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５の
斜視図に示すように、透孔２４内へのレジスト塗布のバ
ラツキにより、透孔２４の側面全体を覆いきれないこと
があるために、側面電極層３７を形成する際に透孔２４
の中に側面電極材料が付着してしまい、流れ込み部３８
が形成され、電極間の短絡（ショート）またははんだ付
けの際にはんだブリッジが生ずるという課題があった。

【００１７】本発明は、電極間の絶縁性に優れた抵抗器
の製造方法を提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、方形の基板の上面に複数の上面電極層を形
成する工程と、前記複数の上面電極層と電気的に接続す
るように少なくとも１つの抵抗層を形成する工程と、少
なくとも前記抵抗層を覆うように保護層を形成する工程
と、前記基板の側面に前記上面電極層と電気的に接続す
るように側面電極層を形成する工程と、前記側面電極層
および前記基板の一部を除去し隣接する前記上面電極層
間を分離する工程とを有するものである。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、方形の基板の上面に複数の上面電極層を形成する工
程と、前記複数の上面電極層と電気的に接続するように
少なくとも１つの抵抗層を形成する工程と、少なくとも
前記抵抗層を覆うように保護層を形成する工程と、前記
基板の側面に前記上面電極層と電気的に接続するように
側面電極層を形成する工程と、前記側面電極層および前
記基板の一部を除去し隣接する前記上面電極層間を分離
する工程とからなるものである。

【００２０】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の側面電極層は、ニッケル系、銅系の金属を薄膜
形成法により形成する工程からなるものである。

【００２１】また、請求項３に記載の発明は、請求項２
に記載の薄膜形成法は、スパッタリング、真空蒸着、イ
オンプレーティング、溶射のいずれかであるものであ
る。

【００２２】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
に記載の少なくとも片側の複数箇所の側面電極層および
基板を同時に除去するものである。

【００２３】また、請求項５に記載の発明は、請求項４
に記載の片側の複数箇所を等ピッチで除去するものであ
る。

【００２４】また、請求項６に記載の発明は、請求項１
に記載の基板を挟んで対向する箇所の側面電極層および
基板を同時に除去するものである。

【００２５】また、請求項７に記載の発明は、請求項１
に記載の側面電極層および基板をダイシング工法により
除去するものである。

【００２６】また、請求項８に記載の発明は、請求項５
に記載の片側の複数箇所をマルチブレードによるダイシ
ング工法により除去するものである。

【００２７】また、請求項９に記載の発明は、複数個の
抵抗素子が形成されるように縦方向および横方向の分割
用のスリットを形成した基板の上面に前記横方向のスリ
ットをまたがるように複数の上面電極層を形成する工程
と、前記上面電極層と電気的に接続するように基板の上
面に少なくとも１つの抵抗層を形成する工程と、前記基
板を前記横方向のスリットで分割する工程と、その分割
した側面に前記上面電極層と電気的に接続するように側
面電極層を形成する工程と、前記側面電極層および前記
基板の一部を除去し隣接する前記上面電極層間を分離す
る工程と、前記基板を前記縦方向のスリットで分割する
工程とからなるものである。

【００２８】また、請求項１０に記載の発明は、請求項
９に記載の横方向のスリットで分割した基板を複数本積
み重ねた状態で同時に側面電極層を形成するものであ
る。

【００２９】また、請求項１１に記載の発明は、請求項
９に記載の側面電極層を形成した基板を複数本積み重ね
た状態で同時に側面電極層および基板の一部を除去する
ものである。

【００３０】また、請求項１２に記載の発明は、請求項
９に記載の横方向のスリットで分割した基板を複数本積
み重ねた状態で同時に側面電極層を形成した後に、側面
電極層および基板の一部を除去するものである。

【００３１】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態１による抵抗器の製造方法について、図面を参照しな
がら説明する。

【００３２】図１は本発明の実施の形態１による抵抗器
の製造方法を示す工程図である。まず、複数個の抵抗要
素が構成されるように表面に一定間隔で設けた横方向の
分割溝２と縦方向の分割溝３とを有するとともに、耐熱
性および絶縁性に優れた９６％アルミナを含有してなる
シート状の基板１を受け入れる工程Ａを行う。

【００３３】次に、基板１の上面に横方向の分割溝２を
またがるように、金等を主成分とする金属有機物等から
なる電極ペーストをスクリーン印刷した後、ベルト式連
続焼成炉により８５０℃、４５分のプロファイルによっ
て焼成し、薄膜からなる上面電極層４を形成する工程Ｂ
を行う。

【００３４】次に、基板１の裏面に上面電極層４と対応
し、かつ同様の方法により金の薄膜からなる裏面電極層
を形成する工程Ｃを行う（図示せず）。

【００３５】次に、基板１の上面全体にスパッタリング
により、ＮｉＣｒ等の薄膜抵抗層５を形成する工程Ｄを
行う。

【００３６】次に、上面電極層４と接続されるように、
ＬＳＩ等で一般的に行われるフォトリソ法により薄膜抵
抗層５を抵抗体パターン６に形成し、この抵抗体パター
ン６を安定な膜にするために、約３００〜４００℃の温
度で、約５〜６時間の熱処理をする工程Ｅを行う。

【００３７】次に、抵抗体パターン６の抵抗値を所定の
抵抗値に揃えるためにＹＡＧレーザーでトリミング溝を
施して抵抗値修正する工程Ｆを行う。

【００３８】次に、抵抗値修正済みの抵抗体パターン７
を完全に覆うように、エポキシ系樹脂等からなる樹脂ペ
ーストをスクリーン印刷した後、基板１上に強固に接着
させるために、ベルト式連続硬化炉によって約２００℃
で、約３０分のプロファイルによって熱硬化して、約２
０μｍの膜厚の保護膜層８を形成する工程Ｇを行う。

【００３９】次に、側面電極層を形成する前工程として
側面部を露出させるために、横方向の分割溝２により分
割して１次分割済み基板９を形成する工程Ｈを行う。

【００４０】次に、１次分割済み基板９の左右両端の側
面に上面電極層４および裏面電極層と電気的に接続する
ように、ニッケル系または銅系の金属薄膜をスパッタリ
ングにより側面電極層１０を形成する工程Ｉを行う。

【００４１】次に、側面電極層を形成した１次分割済み
基板９の隣接する上面電極層４の間に形成された側面電
極層１０および基板１の一部をダイシング工法により除
去し、透孔１１を加工形成する工程Ｊを行う。

【００４２】次に、電極めっきの前工程として縦方向の
分割溝３により分割して個片状基板１２を形成する工程
Ｋを行う。

【００４３】最後、はんだ付け時の電極食われの防止お
よびはんだ付け時の信頼性の確保のため、上面電極層
４、裏面電極層および側面電極層１０の表面にニッケル
めっきを施した後、はんだめっきを施すことにより、電
極めっき層１３を形成する工程Ｌを行い、本発明の実施
の形態１による抵抗器を製造した。

【００４４】この本発明の実施の形態１による抵抗器の
製造方法によれば、側面電極層を形成した後、隣接電極
間に透孔を加工形成するために、透孔部分への電極形成
がなくなり、隣接する電極端子間のショートは発生せ
ず、したがってはんだ付け時のはんだブリッジも発生し
なかった。また、レジストを使用しないため、透孔側面
へのレジストの残留による絶縁劣化の可能性もなくな
る。

【００４５】なお、本発明の実施の形態１において、抵
抗体を金属薄膜抵抗体により構成される抵抗器で説明し
たが、抵抗体材料を限定するものではなく、例えば厚膜
抵抗体であっても構わないし、その場合には抵抗値精度
の高い抵抗器を実現できる。

【００４６】また、表面に分割溝のあるシート状の基板
を使用したが、分割溝のない基板を使用しても良い。し
かしながら、この場合には分割溝を加工形成する工程、
例えば炭酸ガスによるレーザースクライブ工程が付加さ
れるため、コスト高になる。

【００４７】また、本発明の実施の形態１の抵抗器の製
造方法を示す図１では、１チップの中に２つの独立した
抵抗体を有する（一般的には２連チップと呼ばれる）抵
抗器で説明したが、３つ以上の独立した抵抗体を有する
（３連チップ以上）抵抗器でも良いし、共通端子電極
（コモン）をもつ並列する抵抗体を有する抵抗器でも良
く、さらに複数の電極端子を持つものであれば、コンデ
ンサを含めた受動素子などでも同様の効果が得られるこ
とはいうまでもない。

【００４８】また、側面電極層をスパッタリングにより
形成したが、これ以外の薄膜形成法、例えば真空蒸着、
イオンプレーティング、溶射で形成しても同様の効果が
得られる。

【００４９】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２による抵抗器の製造方法について、図面を参照しな
がら説明する。

【００５０】本発明の実施の形態２による抵抗器の製造
方法は、図１に示す本発明の実施の形態１の工程図とほ
ぼ同じであるため、これと異なる工程Ｉと工程Ｊについ
てのみ、図２，３により説明する。

【００５１】まず、図１の工程Ａから工程Ｈを経た後、
１次分割済み基板９を形成する。次に、図１に示す工程
Ｉにおいて、１次分割済み基板９の左右両端の側面に上
面電極層４および裏面電極層と電気的に接続するよう
に、Ｎｉ系の金属薄膜をスパッタリングにより、側面電
極層１０を形成する。この時、図２に示すように１次分
割済み基板９を複数本積み重ねた状態で基板ホルダー１
４に挿入して、同時に側面電極層１０を形成する。

【００５２】次に、図１に示す工程Ｊにおいて、側面電
極層１０を形成した１次分割済み基板９の隣接する上面
電極層４の間に形成された側面電極層１０および１次分
割済み基板９の一部をダイシング工法により除去し、透
孔１１を加工形成する。この時、図３に示すように、側
面電極層１０を形成した１次分割済み基板９を複数本積
み重ねた状態で、基板を挟んで対向する両側の複数箇所
を同時に等ピッチで除去する。また、複数箇所の除去
は、複数のブレードが所望の等ピッチにセットされたマ
ルチブレードによるダイシング工法により行う。

【００５３】その後、本発明の実施の形態１と同様に、
図１に示す工程Ｋ，Ｌを行う。以上の工程により、本発
明の実施の形態２による抵抗器を製造した。

【００５４】この本発明の実施の形態２による抵抗器の
製造方法によれば、本発明の実施の形態１と同様に、側
面電極層を形成した後、隣接電極間に透孔を加工形成す
るために、透孔部分への電極形成がなくなり、電極端子
間のショートは発生せず、したがってはんだ付け時のは
んだブリッジも発生しなかった。

【００５５】なお、本発明の実施の形態２において、透
孔の加工形成を基板の両側で複数箇所同時に行ったが、
１ヶ所ずつ加工形成することも可能である。しかし当然
ながら、透孔間の位置精度において劣るばかりでなく、
生産性も劣ることは言うまでもない。特に、基板を挟ん
で対向する透孔の位置精度が得にくくなる。

【００５６】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、透孔内に電極が形成されないため、電極端子
間のショートならびに、はんだ付け時のはんだブリッジ
を防止することができる。

【００５７】また、複数の透孔を同時に加工形成するこ
とで、透孔間の寸法精度を高めることができる。よっ
て、はんだ付け時のセルフアライメント効果が得やすく
なる。

【００５８】さらに、あらかじめシート状の基板に透孔
を設けておく必要がないため、基板金型の構造が単純と
なり、メンテナンスも容易であり、基板を安価に製造す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１による抵抗器の製造方法
を示す工程図

【図２】本発明の実施の形態２における要部工程である
側面電極層の形成状態を示す斜視図

【図３】同要部工程である透孔の加工形成状態を示す斜
視図

【図４】従来の抵抗器の製造方法を示す工程図

【図５】従来の抵抗器の斜視図

【符号の説明】

１基板２横方向の分割溝３縦方向の分割溝４上面電極層５薄膜抵抗層６抵抗体パターン７抵抗値修正済みの抵抗体８保護膜層９１次分割済み基板１０側面電極層１１透孔１２個片状基板１３電極めっき層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】方形の基板の上面に複数の上面電極層を
形成する工程と、前記複数の上面電極層と電気的に接続
するように少なくとも１つの抵抗層を形成する工程と、
少なくとも前記抵抗層を覆うように保護層を形成する工
程と、前記基板の側面に前記上面電極層と電気的に接続
するように側面電極層を形成する工程と、前記側面電極
層および前記基板の一部を除去し隣接する前記上面電極
層間を分離する工程とからなる抵抗器の製造方法。
【請求項２】側面電極層は、ニッケル系、銅系の金属
を薄膜形成法により形成する工程からなる請求項１記載
の抵抗器の製造方法。
【請求項３】薄膜形成法は、スパッタリング、真空蒸
着、イオンプレーティング、溶射のいずれかである請求
項２記載の抵抗器の形成方法。
【請求項４】少なくとも片側の複数箇所の側面電極層
および基板を同時に除去する請求項１記載の抵抗器の製
造方法。
【請求項５】片側の複数箇所を等ピッチで除去する請
求項４記載の抵抗器の製造方法。
【請求項６】基板を挟んで対向する箇所の側面電極層
および基板を同時に除去する請求項１記載の抵抗器の製
造方法。
【請求項７】側面電極層および基板をダイシング工法
により除去する請求項１記載の抵抗器の製造方法。
【請求項８】片側の複数箇所をマルチブレードによる
ダイシング工法により除去する請求項５記載の抵抗器の
製造方法。
【請求項９】複数個の抵抗素子が形成されるように縦
方向および横方向の分割用のスリットを形成した基板の
上面に前記横方向のスリットをまたがるように複数の上
面電極層を形成する工程と、前記上面電極層と電気的に
接続するように基板の上面に少なくとも１つの抵抗層を
形成する工程と、前記基板を前記横方向のスリットで分
割する工程と、その分割した側面に前記上面電極層と電
気的に接続するように側面電極層を形成する工程と、前
記側面電極層および前記基板の一部を除去し隣接する前
記上面電極層間を分離する工程と、前記基板を前記縦方
向のスリットで分割する工程とからなる抵抗器の製造方
法。
【請求項１０】横方向のスリットで分割した基板を複
数本積み重ねた状態で同時に側面電極層を形成する請求
項９記載の抵抗器の製造方法。
【請求項１１】側面電極層を形成した基板を複数本積
み重ねた状態で同時に側面電極層および基板の一部を除
去する請求項９記載の抵抗器の製造方法。
【請求項１２】横方向のスリットで分割した基板を複
数本積み重ねた状態で同時に側面電極層を形成した後
に、側面電極層および基板の一部を除去する請求項９記
載の抵抗器の製造方法。