JPH11109313A - アクティブマトリクス形液晶表示装置、その駆動方法、駆動回路および液晶表示システム - Google Patents
アクティブマトリクス形液晶表示装置、その駆動方法、駆動回路および液晶表示システムInfo
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- JPH11109313A JPH11109313A JP26412397A JP26412397A JPH11109313A JP H11109313 A JPH11109313 A JP H11109313A JP 26412397 A JP26412397 A JP 26412397A JP 26412397 A JP26412397 A JP 26412397A JP H11109313 A JPH11109313 A JP H11109313A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 166
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 139
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 95
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 24
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- JZLMRQMUNCKZTP-UHFFFAOYSA-N molybdenum tantalum Chemical compound [Mo].[Ta] JZLMRQMUNCKZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶に直流電圧を印加せず、焼き付きやフリ
ッカの生じないアクティブマトリクス形液晶表示装置を
提供する。 【解決手段】 マトリクス状に複数の画素電極P(1,
1)〜P(m,2n)を配設し、薄膜トランジスタT
(1,1)〜T(m,2n)で制御する。隣接する2行の
画素電極P(1,1)〜P(m,2n)に接続した薄膜ト
ランジスタT(1,1)〜T(m,2n)のゲート電極25
のうち、一方の行の偶数列と他方の行の奇数列を同一の
アドレス線Y1 〜Y2n+1に接続する。隣接する2列の画
素電極P(1,1)〜P(m,2n)に接続した薄膜トラ
ンジスタT(1,1)〜T(m,2n)のソース電極30お
よびドレイン電極31間のうち、双方の列の偶数行同士と
奇数行同士を交互に設ける。同じ列の隣接する奇数行と
偶数行に属する2つの画素電極P(1,1)〜P(m,
2n)間で液晶層を交流駆動し1表示ドットとする。
ッカの生じないアクティブマトリクス形液晶表示装置を
提供する。 【解決手段】 マトリクス状に複数の画素電極P(1,
1)〜P(m,2n)を配設し、薄膜トランジスタT
(1,1)〜T(m,2n)で制御する。隣接する2行の
画素電極P(1,1)〜P(m,2n)に接続した薄膜ト
ランジスタT(1,1)〜T(m,2n)のゲート電極25
のうち、一方の行の偶数列と他方の行の奇数列を同一の
アドレス線Y1 〜Y2n+1に接続する。隣接する2列の画
素電極P(1,1)〜P(m,2n)に接続した薄膜トラ
ンジスタT(1,1)〜T(m,2n)のソース電極30お
よびドレイン電極31間のうち、双方の列の偶数行同士と
奇数行同士を交互に設ける。同じ列の隣接する奇数行と
偶数行に属する2つの画素電極P(1,1)〜P(m,
2n)間で液晶層を交流駆動し1表示ドットとする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶への直流印加
を防止したアクティブマトリクス形液晶表示装置、その
駆動装置、駆動回路および液晶表示システムに関する。
を防止したアクティブマトリクス形液晶表示装置、その
駆動装置、駆動回路および液晶表示システムに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータやワーク
ステーションに適した高性能の液晶表示装置が開発、実
用化されている。そして、この種の液晶表示装置として
は、一方の基板にアレイ基板を用いたアクティブマトリ
クス形の液晶表示装置が代表的なものである。
ステーションに適した高性能の液晶表示装置が開発、実
用化されている。そして、この種の液晶表示装置として
は、一方の基板にアレイ基板を用いたアクティブマトリ
クス形の液晶表示装置が代表的なものである。
【0003】ここで、アレイ基板は、透光性基板上に薄
膜トランジスタ(Thin Film Transistor)を備えた画素
電極をマトリクス状に配列したものである。そして、こ
のアレイ基板は、図示しない対向電極基板と対向配置さ
れ、これらアレイ基板および対向電極基板間に挟持され
た液晶とでアクティブマトリクス形液晶表示装置を構成
している。
膜トランジスタ(Thin Film Transistor)を備えた画素
電極をマトリクス状に配列したものである。そして、こ
のアレイ基板は、図示しない対向電極基板と対向配置さ
れ、これらアレイ基板および対向電極基板間に挟持され
た液晶とでアクティブマトリクス形液晶表示装置を構成
している。
【0004】また、このアレイ基板は、薄膜プロセス技
術を用いてガラス基板上に形成されており、図9に示す
ように、マトリクス状に配列された複数個の透明な画素
電極11を有する。また、ガラス基板上には、マトリクス
状に配列された複数の画素電極11の行方向に沿って設け
られた複数のアドレス線Y1,Y2,・・,Ynと、同様に複
数の画素電極11の列方向に沿って設けられた複数のデー
タ線X1,X2,・・,Xmとが形成されている。
術を用いてガラス基板上に形成されており、図9に示す
ように、マトリクス状に配列された複数個の透明な画素
電極11を有する。また、ガラス基板上には、マトリクス
状に配列された複数の画素電極11の行方向に沿って設け
られた複数のアドレス線Y1,Y2,・・,Ynと、同様に複
数の画素電極11の列方向に沿って設けられた複数のデー
タ線X1,X2,・・,Xmとが形成されている。
【0005】そして、これら画素電極11に対応してそれ
ぞれ薄膜トランジスタ12が設けられており、これら薄膜
トランジスタ12のゲートは行毎に対応するアドレス線Y
1,Y2,・・,Ynのいずれかに接続され、ソース・ドレ
イン間は列毎に対応するデータ線X1,X2,・・,Xmのい
ずれかに接続されている。
ぞれ薄膜トランジスタ12が設けられており、これら薄膜
トランジスタ12のゲートは行毎に対応するアドレス線Y
1,Y2,・・,Ynのいずれかに接続され、ソース・ドレ
イン間は列毎に対応するデータ線X1,X2,・・,Xmのい
ずれかに接続されている。
【0006】さらに、各画素電極11毎に信号蓄積容量13
の一端が接続されており、これら各信号蓄積容量13の他
端は共通接続され、端子14に導出されている。
の一端が接続されており、これら各信号蓄積容量13の他
端は共通接続され、端子14に導出されている。
【0007】このように構成されたアレイ基板に対し、
図示しない対向電極基板は、アレイ基板と同様のガラス
基板上に、画素電極11に対向して共通の透明な対向電極
が設けられている。さらに、アレイ基板および対向電極
基板は周縁部にて封着され、これらアレイ基板および対
向電極基板間の数ミクロンの間隙に液晶が挟持され、ア
クティブマトリクス形の液晶表示装置が構成される。
図示しない対向電極基板は、アレイ基板と同様のガラス
基板上に、画素電極11に対向して共通の透明な対向電極
が設けられている。さらに、アレイ基板および対向電極
基板は周縁部にて封着され、これらアレイ基板および対
向電極基板間の数ミクロンの間隙に液晶が挟持され、ア
クティブマトリクス形の液晶表示装置が構成される。
【0008】ここで、対向電極および液晶を含めた1画
素分の等価回路を図10を参照して説明する。
素分の等価回路を図10を参照して説明する。
【0009】図10において、図9と同様に構成され、
信号蓄積容量13の他端は、図9で示した端子14を介し
て、対向共通電極15に接続され、画素電極11と対向共通
電極15との間には液晶層による液晶層容量16が存在し、
薄膜トランジスタ12にはゲート・ソース間の寄生容量17
が存在している。
信号蓄積容量13の他端は、図9で示した端子14を介し
て、対向共通電極15に接続され、画素電極11と対向共通
電極15との間には液晶層による液晶層容量16が存在し、
薄膜トランジスタ12にはゲート・ソース間の寄生容量17
が存在している。
【0010】図11は、図10の動作を説明するための
電位図で、VYjはアドレス線Yjに供給される書き込
み走査信号、±VXi(D) はデータ線Xiに供給される
ノーマリ・ホワイトモードの場合の暗レベル階調電圧、
±VXi(B) は同様の明レベル階調電圧、Vcom は対向
共通電極15に供給される対向電極駆動電圧である。
電位図で、VYjはアドレス線Yjに供給される書き込
み走査信号、±VXi(D) はデータ線Xiに供給される
ノーマリ・ホワイトモードの場合の暗レベル階調電圧、
±VXi(B) は同様の明レベル階調電圧、Vcom は対向
共通電極15に供給される対向電極駆動電圧である。
【0011】そして、この図11に示すように、書き込
み走査信号VYjは高電位から低電位に周期的に変化す
るが、書き込み走査信号VYjの高電位期間にて暗レベ
ル階調電圧±VXi(D) および明レベル階調電圧±VX
i(B) の電位が薄膜トランジスタ12を介して信号蓄積容
量13や液晶層容量16に書き込まれる。また、書込み走査
信号VYjの低電位期間では書き込まれた電位がそれぞ
れ保持され、画素電極電位±Vp(D) および画素電極電
位±Vp(B) となる。
み走査信号VYjは高電位から低電位に周期的に変化す
るが、書き込み走査信号VYjの高電位期間にて暗レベ
ル階調電圧±VXi(D) および明レベル階調電圧±VX
i(B) の電位が薄膜トランジスタ12を介して信号蓄積容
量13や液晶層容量16に書き込まれる。また、書込み走査
信号VYjの低電位期間では書き込まれた電位がそれぞ
れ保持され、画素電極電位±Vp(D) および画素電極電
位±Vp(B) となる。
【0012】この画素電極電位±Vp(D) ,±Vp(B)
は、薄膜トランジスタ12のゲート・ソース間寄生容量17
の影響などを受けて、データ線Xiに供給される暗レベ
ル階調電圧±VXi(D) および明レベル階調電圧±VX
i(B) の電位より、それぞれ電位シフトΔV1および電
位シフトΔV2だけ低い電位となる。これら電位シフト
ΔV1と電位シフトΔV2との値が異なるのは、液晶の
誘電異方性により液晶層容量16が電圧依存性を有するこ
とに起因する。
は、薄膜トランジスタ12のゲート・ソース間寄生容量17
の影響などを受けて、データ線Xiに供給される暗レベ
ル階調電圧±VXi(D) および明レベル階調電圧±VX
i(B) の電位より、それぞれ電位シフトΔV1および電
位シフトΔV2だけ低い電位となる。これら電位シフト
ΔV1と電位シフトΔV2との値が異なるのは、液晶の
誘電異方性により液晶層容量16が電圧依存性を有するこ
とに起因する。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】このように、電位シフ
トΔV1と電位シフトΔV2との値が異なるため、液晶
に直流電圧が印加されない最適対向電極電圧が明レベル
表示時と暗レベル表示時とで異なり、いかに対向電極電
圧Vcom の値を調整しようとも液晶に直流電圧が印加さ
れてしまい、表示にフリッカーや焼き付きを生じる問題
を有している。
トΔV1と電位シフトΔV2との値が異なるため、液晶
に直流電圧が印加されない最適対向電極電圧が明レベル
表示時と暗レベル表示時とで異なり、いかに対向電極電
圧Vcom の値を調整しようとも液晶に直流電圧が印加さ
れてしまい、表示にフリッカーや焼き付きを生じる問題
を有している。
【0014】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、液晶に直流電圧を印加せず、フリッカや焼き付きを
生じないアクティブマトリクス形液晶表示装置、その駆
動方法、駆動回路および液晶表示システムを提供するこ
とを目的とする。
で、液晶に直流電圧を印加せず、フリッカや焼き付きを
生じないアクティブマトリクス形液晶表示装置、その駆
動方法、駆動回路および液晶表示システムを提供するこ
とを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス形液晶表示装置は、複数の行および列を有するマ
トリクス状に配列された複数の画素電極、これら複数の
画素電極の行方向に沿ってそれぞれ設けられた複数のア
ドレス線、前記複数の画素電極の列方向に沿ってそれぞ
れ設けられた複数のデータ線、および、前記複数の画素
電極毎に設けられ、ゲートは対応するアドレス線に接続
されるとともにソースおよびドレインは対応する画素電
極およびデータ線間に接続された薄膜トランジスタを有
する第1の透光性基板と、この第1の透光性基板に対向
し対向電極を有する第2の透光性基板と、これら第1の
透光性基板および第2の透光性基板間に挟持された液晶
とを具備したアクティブマトリクス形液晶表示装置にお
いて、隣接する2行の画素電極にそれぞれ接続された隣
接する薄膜トランジスタは、一方の行の偶数列に属する
薄膜トランジスタのゲートと他方の行の奇数列に属する
薄膜トランジスタのゲートとが同一のアドレス線に接続
され、隣接する2列の画素電極にそれぞれ接続された隣
接する薄膜トランジスタは、双方の列の偶数行に属する
薄膜トランジスタのソースおよびドレインのいずれか一
方が接続されたデータ線と奇数行に属する薄膜トランジ
スタのソースおよびドレインのいずれか一方が接続され
たデータ線とが交互に設けられ、同じ列の隣接する奇数
行および偶数行に属する2つの画素電極間で前記液晶を
交流駆動し、これら画素電極を1表示ドットとするもの
である。
リクス形液晶表示装置は、複数の行および列を有するマ
トリクス状に配列された複数の画素電極、これら複数の
画素電極の行方向に沿ってそれぞれ設けられた複数のア
ドレス線、前記複数の画素電極の列方向に沿ってそれぞ
れ設けられた複数のデータ線、および、前記複数の画素
電極毎に設けられ、ゲートは対応するアドレス線に接続
されるとともにソースおよびドレインは対応する画素電
極およびデータ線間に接続された薄膜トランジスタを有
する第1の透光性基板と、この第1の透光性基板に対向
し対向電極を有する第2の透光性基板と、これら第1の
透光性基板および第2の透光性基板間に挟持された液晶
とを具備したアクティブマトリクス形液晶表示装置にお
いて、隣接する2行の画素電極にそれぞれ接続された隣
接する薄膜トランジスタは、一方の行の偶数列に属する
薄膜トランジスタのゲートと他方の行の奇数列に属する
薄膜トランジスタのゲートとが同一のアドレス線に接続
され、隣接する2列の画素電極にそれぞれ接続された隣
接する薄膜トランジスタは、双方の列の偶数行に属する
薄膜トランジスタのソースおよびドレインのいずれか一
方が接続されたデータ線と奇数行に属する薄膜トランジ
スタのソースおよびドレインのいずれか一方が接続され
たデータ線とが交互に設けられ、同じ列の隣接する奇数
行および偶数行に属する2つの画素電極間で前記液晶を
交流駆動し、これら画素電極を1表示ドットとするもの
である。
【0016】そして、隣接する2行の画素電極にそれぞ
れ接続された隣接する薄膜トランジスタは、一方の行の
偶数列に属する薄膜トランジスタのゲートと他方の行の
奇数列に属する薄膜トランジスタのゲートとが同一のア
ドレス線に接続され、隣接する2列の画素電極にそれぞ
れ接続された隣接する薄膜トランジスタは、双方の列の
偶数行に属する薄膜トランジスタのソースおよびドレイ
ンのいずれか一方が接続されたデータ線と奇数行に属す
る薄膜トランジスタのソースおよびドレインのいずれか
一方が接続されたデータ線とが交互に設けられ、同じ列
の隣接する奇数行および偶数行に属する2つの画素電極
間で液晶を交流駆動し、これら画素電極を1表示ドット
として2つの画素電極間で液晶を駆動するので、画素電
位シフトが画素電極間で相殺され、液晶への直流電圧印
加がなくなり、フリッカや焼付きを防止する。
れ接続された隣接する薄膜トランジスタは、一方の行の
偶数列に属する薄膜トランジスタのゲートと他方の行の
奇数列に属する薄膜トランジスタのゲートとが同一のア
ドレス線に接続され、隣接する2列の画素電極にそれぞ
れ接続された隣接する薄膜トランジスタは、双方の列の
偶数行に属する薄膜トランジスタのソースおよびドレイ
ンのいずれか一方が接続されたデータ線と奇数行に属す
る薄膜トランジスタのソースおよびドレインのいずれか
一方が接続されたデータ線とが交互に設けられ、同じ列
の隣接する奇数行および偶数行に属する2つの画素電極
間で液晶を交流駆動し、これら画素電極を1表示ドット
として2つの画素電極間で液晶を駆動するので、画素電
位シフトが画素電極間で相殺され、液晶への直流電圧印
加がなくなり、フリッカや焼付きを防止する。
【0017】また、対向電極は、1表示ドット単位に分
割されているものである。
割されているものである。
【0018】さらに、nおよびmを正の整数として、2
n行m列に画素電極を配列し、2n+1本のアドレス線
およびm+1本のデータ線を設けたものである。
n行m列に画素電極を配列し、2n+1本のアドレス線
およびm+1本のデータ線を設けたものである。
【0019】またさらに、各列毎の画素電極に対して
は、その列の両側の各1本のデータ線のうち、各行毎に
交互に接続されたものから供給される液晶駆動信号が書
き込まれるものである。
は、その列の両側の各1本のデータ線のうち、各行毎に
交互に接続されたものから供給される液晶駆動信号が書
き込まれるものである。
【0020】本発明のアクティブマトリクス形液晶表示
装置の駆動方法は、複数の行および列を有するマトリク
ス状に配列された複数の画素電極、これら複数の画素電
極の行方向に沿ってそれぞれ設けられた複数のアドレス
線、前記複数の画素電極の列方向に沿ってそれぞれ設け
られた複数のデータ線、および、前記複数の画素電極毎
に設けられ、ゲートは対応するアドレス線に接続される
とともにソースおよびドレインは対応する画素電極およ
びデータ線間に接続された薄膜トランジスタを有する第
1の透光性基板と、この第1の透光性基板に対向し対向
電極を有する第2の透光性基板と、これら第1および第
2の透光性基板間に挟持された液晶とを備え、隣接する
2行の画素電極にそれぞれ接続された隣接する薄膜トラ
ンジスタは、一方の行の偶数列に属する薄膜トランジス
タのゲートと他方の行の奇数列に属する薄膜トランジス
タのゲートとが同一のアドレス線に接続され、隣接する
2列の画素電極にそれぞれ接続された隣接する薄膜トラ
ンジスタは、双方の列の偶数行に属する薄膜トランジス
タのソースおよびドレインのいずれか一方が接続された
データ線と奇数行に属する薄膜トランジスタのソースお
よびドレインのいずれか一方が接続されたデータ線とが
交互に設けられ、同じ列の隣接する奇数行および偶数行
に属する2つの画素電極間で前記液晶を交流駆動し、こ
れら画素電極を1表示ドットとするアクティブマトリク
ス形液晶表示装置の駆動方法であって、前記1表示ドッ
トを構成する2つの画素電極に対し、一方の画素電極に
表示データに基づく階調電圧を、他方の画素電極に所定
のバイアス電圧をそれぞれ同時に書き込み、これら階調
電圧およびバイアス電圧を前記2つの画素電極に対して
フレーム期間毎に交互に入れ替えるものである。
装置の駆動方法は、複数の行および列を有するマトリク
ス状に配列された複数の画素電極、これら複数の画素電
極の行方向に沿ってそれぞれ設けられた複数のアドレス
線、前記複数の画素電極の列方向に沿ってそれぞれ設け
られた複数のデータ線、および、前記複数の画素電極毎
に設けられ、ゲートは対応するアドレス線に接続される
とともにソースおよびドレインは対応する画素電極およ
びデータ線間に接続された薄膜トランジスタを有する第
1の透光性基板と、この第1の透光性基板に対向し対向
電極を有する第2の透光性基板と、これら第1および第
2の透光性基板間に挟持された液晶とを備え、隣接する
2行の画素電極にそれぞれ接続された隣接する薄膜トラ
ンジスタは、一方の行の偶数列に属する薄膜トランジス
タのゲートと他方の行の奇数列に属する薄膜トランジス
タのゲートとが同一のアドレス線に接続され、隣接する
2列の画素電極にそれぞれ接続された隣接する薄膜トラ
ンジスタは、双方の列の偶数行に属する薄膜トランジス
タのソースおよびドレインのいずれか一方が接続された
データ線と奇数行に属する薄膜トランジスタのソースお
よびドレインのいずれか一方が接続されたデータ線とが
交互に設けられ、同じ列の隣接する奇数行および偶数行
に属する2つの画素電極間で前記液晶を交流駆動し、こ
れら画素電極を1表示ドットとするアクティブマトリク
ス形液晶表示装置の駆動方法であって、前記1表示ドッ
トを構成する2つの画素電極に対し、一方の画素電極に
表示データに基づく階調電圧を、他方の画素電極に所定
のバイアス電圧をそれぞれ同時に書き込み、これら階調
電圧およびバイアス電圧を前記2つの画素電極に対して
フレーム期間毎に交互に入れ替えるものである。
【0021】そして、隣接する2行の画素電極にそれぞ
れ接続された隣接する薄膜トランジスタは、一方の行の
偶数列に属する薄膜トランジスタのゲートと他方の行の
奇数列に属する薄膜トランジスタのゲートとが同一のア
ドレス線に接続され、隣接する2列の画素電極にそれぞ
れ接続された隣接する薄膜トランジスタは、双方の列の
偶数行に属する薄膜トランジスタのソースおよびドレイ
ンのいずれか一方が接続されたデータ線と奇数行に属す
る薄膜トランジスタのソースおよびドレインのいずれか
一方が接続されたデータ線とが交互に設けられ、同じ列
の隣接する奇数行および偶数行に属する2つの画素電極
間で液晶を交流駆動し、これら画素電極を1表示ドット
として2つの画素電極間で液晶を駆動し、一方の画素電
極に表示データに基づく階調電圧を、他方の画素電極に
所定のバイアス電圧をそれぞれ同時に書き込み、これら
階調電圧およびバイアス電圧を2つの画素電極に対して
フレーム期間毎に交互に入れ替えるので、画素電位シフ
トが画素電極間で相殺され、液晶への直流電圧印加がな
くなり、フリッカや焼付きを防止する。
れ接続された隣接する薄膜トランジスタは、一方の行の
偶数列に属する薄膜トランジスタのゲートと他方の行の
奇数列に属する薄膜トランジスタのゲートとが同一のア
ドレス線に接続され、隣接する2列の画素電極にそれぞ
れ接続された隣接する薄膜トランジスタは、双方の列の
偶数行に属する薄膜トランジスタのソースおよびドレイ
ンのいずれか一方が接続されたデータ線と奇数行に属す
る薄膜トランジスタのソースおよびドレインのいずれか
一方が接続されたデータ線とが交互に設けられ、同じ列
の隣接する奇数行および偶数行に属する2つの画素電極
間で液晶を交流駆動し、これら画素電極を1表示ドット
として2つの画素電極間で液晶を駆動し、一方の画素電
極に表示データに基づく階調電圧を、他方の画素電極に
所定のバイアス電圧をそれぞれ同時に書き込み、これら
階調電圧およびバイアス電圧を2つの画素電極に対して
フレーム期間毎に交互に入れ替えるので、画素電位シフ
トが画素電極間で相殺され、液晶への直流電圧印加がな
くなり、フリッカや焼付きを防止する。
【0022】また、画素電極への階調電圧およびバイア
ス電圧の書込みパターンは、行および列のいずれの方向
に対しても交互であるものである。
ス電圧の書込みパターンは、行および列のいずれの方向
に対しても交互であるものである。
【0023】さらに、各データ線に供給され、このデー
タ線の両側の各1列の画素電極に書き込まれる階調電圧
は、フレーム期間毎に隣接するデータ線と交互にシフト
されて供給されるものである。
タ線の両側の各1列の画素電極に書き込まれる階調電圧
は、フレーム期間毎に隣接するデータ線と交互にシフト
されて供給されるものである。
【0024】またさらに、複数のアドレス線を同時に2
本選択し、この選択状態が順次1本ずつシフトする書き
込み走査信号を供給するとともに、複数のデータ線に対
し、前記書き込み走査信号に同期して、階調電圧とバイ
アス電圧とが交互に設定された液晶駆動信号を並列的に
供給するものである。
本選択し、この選択状態が順次1本ずつシフトする書き
込み走査信号を供給するとともに、複数のデータ線に対
し、前記書き込み走査信号に同期して、階調電圧とバイ
アス電圧とが交互に設定された液晶駆動信号を並列的に
供給するものである。
【0025】そしてまた、書込み走査信号は、表示デー
タの持つ水平走査期間に概略等しい選択期間を有し、シ
フトは水平走査期間の1/2毎に順次行なわれ、液晶駆
動信号は水平走査期間の1/2毎に階調電圧とバイアス
電圧とが交互に設定されるものである。
タの持つ水平走査期間に概略等しい選択期間を有し、シ
フトは水平走査期間の1/2毎に順次行なわれ、液晶駆
動信号は水平走査期間の1/2毎に階調電圧とバイアス
電圧とが交互に設定されるものである。
【0026】そして、液晶駆動信号は、隣接する2本の
データ線の一方に階調電圧が供給されている期間には他
方にバイアス電圧が供給されており、これらの階調電圧
およびバイアス電圧が供給されるタイミングは、フレー
ム期間毎に、表示データの持つ水平走査期間の前半の1
/2と後半の1/2との間で切り替わるように設定した
ものである。
データ線の一方に階調電圧が供給されている期間には他
方にバイアス電圧が供給されており、これらの階調電圧
およびバイアス電圧が供給されるタイミングは、フレー
ム期間毎に、表示データの持つ水平走査期間の前半の1
/2と後半の1/2との間で切り替わるように設定した
ものである。
【0027】また、本発明のアクティブマトリクス形液
晶表示装置の駆動回路は、複数の行および列を有するマ
トリクス状に配列された複数の画素電極、これら複数の
画素電極の行方向に沿ってそれぞれ設けられた複数のア
ドレス線、前記複数の画素電極の列方向に沿ってそれぞ
れ設けられた複数のデータ線、および、前記複数の画素
電極毎に設けられ、ゲートは対応するアドレス線に接続
されるとともにソースおよびドレインは対応する画素電
極およびデータ線間に接続された薄膜トランジスタを有
する第1の透光性基板と、この第1の透光性基板に対向
し対向電極を有する第2の透光性基板と、これら第1の
透光性基板および第2の透光性基板間に挟持された液晶
とを備え、隣接する2行の画素電極にそれぞれ接続され
た隣接する薄膜トランジスタは、一方の行の偶数列に属
する薄膜トランジスタのゲートと他方の行の奇数列に属
する薄膜トランジスタのゲートとが同一のアドレス線に
接続され、隣接する2列の画素電極にそれぞれ接続され
た隣接する薄膜トランジスタは、双方の列の偶数行に属
する薄膜トランジスタのソースおよびドレインのいずれ
か一方が接続されたデータ線と奇数行に属する薄膜トラ
ンジスタのソースおよびドレインのいずれか一方が接続
されたデータ線とが交互に設けられ、同じ列の隣接する
奇数行および偶数行に属する2つの画素電極間で前記液
晶を交流駆動し、これら画素電極を1表示ドットとする
アクティブマトリクス形液晶表示装置の駆動回路であっ
て、直並列変換回路と、行単位分、順次直列に入力され
る表示データに対して、1表示ドット分に相当する遅延
を与える遅延回路と、この遅延回路によって遅延された
表示データと遅延されていない表示データとをフレーム
期間毎に切り換えて前記直並列変換回路に供給する表示
データ切換回路と、前記直並列変換回路によって並列状
態に変換された表示データに基づいて生成出力されるデ
ータ線駆動用の階調電圧の一部を所定のバイアス電圧で
周期的に置換するバイアス置換回路とを具備したもので
ある。
晶表示装置の駆動回路は、複数の行および列を有するマ
トリクス状に配列された複数の画素電極、これら複数の
画素電極の行方向に沿ってそれぞれ設けられた複数のア
ドレス線、前記複数の画素電極の列方向に沿ってそれぞ
れ設けられた複数のデータ線、および、前記複数の画素
電極毎に設けられ、ゲートは対応するアドレス線に接続
されるとともにソースおよびドレインは対応する画素電
極およびデータ線間に接続された薄膜トランジスタを有
する第1の透光性基板と、この第1の透光性基板に対向
し対向電極を有する第2の透光性基板と、これら第1の
透光性基板および第2の透光性基板間に挟持された液晶
とを備え、隣接する2行の画素電極にそれぞれ接続され
た隣接する薄膜トランジスタは、一方の行の偶数列に属
する薄膜トランジスタのゲートと他方の行の奇数列に属
する薄膜トランジスタのゲートとが同一のアドレス線に
接続され、隣接する2列の画素電極にそれぞれ接続され
た隣接する薄膜トランジスタは、双方の列の偶数行に属
する薄膜トランジスタのソースおよびドレインのいずれ
か一方が接続されたデータ線と奇数行に属する薄膜トラ
ンジスタのソースおよびドレインのいずれか一方が接続
されたデータ線とが交互に設けられ、同じ列の隣接する
奇数行および偶数行に属する2つの画素電極間で前記液
晶を交流駆動し、これら画素電極を1表示ドットとする
アクティブマトリクス形液晶表示装置の駆動回路であっ
て、直並列変換回路と、行単位分、順次直列に入力され
る表示データに対して、1表示ドット分に相当する遅延
を与える遅延回路と、この遅延回路によって遅延された
表示データと遅延されていない表示データとをフレーム
期間毎に切り換えて前記直並列変換回路に供給する表示
データ切換回路と、前記直並列変換回路によって並列状
態に変換された表示データに基づいて生成出力されるデ
ータ線駆動用の階調電圧の一部を所定のバイアス電圧で
周期的に置換するバイアス置換回路とを具備したもので
ある。
【0028】そして、隣接する2行の画素電極にそれぞ
れ接続された隣接する薄膜トランジスタは、一方の行の
偶数列に属する薄膜トランジスタのゲートと他方の行の
奇数列に属する薄膜トランジスタのゲートとが同一のア
ドレス線に接続され、隣接する2列の画素電極にそれぞ
れ接続された隣接する薄膜トランジスタは、双方の列の
偶数行に属する薄膜トランジスタのソースおよびドレイ
ンのいずれか一方が接続されたデータ線と奇数行に属す
る薄膜トランジスタのソースおよびドレインのいずれか
一方が接続されたデータ線とが交互に設けられ、同じ列
の隣接する奇数行および偶数行に属する2つの画素電極
間で液晶を交流駆動し、これら画素電極を1表示ドット
として2つの画素電極間で液晶を駆動し、行単位分、順
次直列に入力される表示データに対して、遅延回路で1
表示ドット分に相当する遅延を与え、表示データ切換回
路で遅延回路によって遅延された表示データと遅延され
ていない表示データとをフレーム期間毎に切り換えて直
並列変換回路に供給し、バイアス置換回路で直並列変換
回路によって並列状態に変換された表示データに基づい
て生成出力されるデータ線駆動用の階調電圧の一部を所
定のバイアス電圧で周期的に置換するので、画素電位シ
フトが画素電極間で相殺され、液晶への直流電圧印加が
なくなり、フリッカや焼付きを防止する。
れ接続された隣接する薄膜トランジスタは、一方の行の
偶数列に属する薄膜トランジスタのゲートと他方の行の
奇数列に属する薄膜トランジスタのゲートとが同一のア
ドレス線に接続され、隣接する2列の画素電極にそれぞ
れ接続された隣接する薄膜トランジスタは、双方の列の
偶数行に属する薄膜トランジスタのソースおよびドレイ
ンのいずれか一方が接続されたデータ線と奇数行に属す
る薄膜トランジスタのソースおよびドレインのいずれか
一方が接続されたデータ線とが交互に設けられ、同じ列
の隣接する奇数行および偶数行に属する2つの画素電極
間で液晶を交流駆動し、これら画素電極を1表示ドット
として2つの画素電極間で液晶を駆動し、行単位分、順
次直列に入力される表示データに対して、遅延回路で1
表示ドット分に相当する遅延を与え、表示データ切換回
路で遅延回路によって遅延された表示データと遅延され
ていない表示データとをフレーム期間毎に切り換えて直
並列変換回路に供給し、バイアス置換回路で直並列変換
回路によって並列状態に変換された表示データに基づい
て生成出力されるデータ線駆動用の階調電圧の一部を所
定のバイアス電圧で周期的に置換するので、画素電位シ
フトが画素電極間で相殺され、液晶への直流電圧印加が
なくなり、フリッカや焼付きを防止する。
【0029】さらに、本発明の液晶表示システムは、複
数の行および列を有するマトリクス状に配列された複数
の画素電極、これら複数の画素電極の行方向に沿ってそ
れぞれ設けられた複数のアドレス線、前記複数の画素電
極の列方向に沿ってそれぞれ設けられた複数のデータ
線、前記複数の画素電極毎に設けられ、ゲートは対応す
るアドレス線に接続され、ソース・ドレイン間は対応す
る画素電極とデータ線との間に接続された薄膜トランジ
スタを有する第1の透光性基板と、対向電極を有する第
2の透光性基板と、これら第1および第2の透光性基板
間に挟持された液晶とを備え、隣接する2行の画素電極
にそれぞれ接続された隣接する薄膜トランジスタは、一
方の行の偶数列に属する薄膜トランジスタのゲートと他
方の行の奇数列に属する薄膜トランジスタのゲートとが
同一のアドレス線に接続され、隣接する2列の画素電極
にそれぞれ接続された隣接する薄膜トランジスタは、双
方の列の偶数行に属する薄膜トランジスタのソースおよ
びドレインのいずれか一方が接続されたデータ線と奇数
行に属する薄膜トランジスタのソースおよびドレインの
いずれか一方が接続されたデータ線とが交互に設けら
れ、同じ列の隣接する奇数行および偶数行に属する2つ
の画素電極間で前記液晶を交流駆動し、これら画素電極
を1表示ドットとするアクティブマトリクス形液晶表示
装置と、前記各アドレス線に対し、表示データの持つ水
平走査期間に概略等しい選択期間を有し、水平走査期間
の1/2毎に次のアドレス線に順次シフトされる書き込
み走査信号を供給するアドレス線駆動回路と、前記各デ
ータ線に表示データに基づく階調電圧と所定の電位を有
するバイアス電圧とを所定の順序で供給するデータ線駆
動回路と、前記アドレス線駆動回路および前記データ線
駆動回路の動作を制御する制御回路とを具備したもので
ある。
数の行および列を有するマトリクス状に配列された複数
の画素電極、これら複数の画素電極の行方向に沿ってそ
れぞれ設けられた複数のアドレス線、前記複数の画素電
極の列方向に沿ってそれぞれ設けられた複数のデータ
線、前記複数の画素電極毎に設けられ、ゲートは対応す
るアドレス線に接続され、ソース・ドレイン間は対応す
る画素電極とデータ線との間に接続された薄膜トランジ
スタを有する第1の透光性基板と、対向電極を有する第
2の透光性基板と、これら第1および第2の透光性基板
間に挟持された液晶とを備え、隣接する2行の画素電極
にそれぞれ接続された隣接する薄膜トランジスタは、一
方の行の偶数列に属する薄膜トランジスタのゲートと他
方の行の奇数列に属する薄膜トランジスタのゲートとが
同一のアドレス線に接続され、隣接する2列の画素電極
にそれぞれ接続された隣接する薄膜トランジスタは、双
方の列の偶数行に属する薄膜トランジスタのソースおよ
びドレインのいずれか一方が接続されたデータ線と奇数
行に属する薄膜トランジスタのソースおよびドレインの
いずれか一方が接続されたデータ線とが交互に設けら
れ、同じ列の隣接する奇数行および偶数行に属する2つ
の画素電極間で前記液晶を交流駆動し、これら画素電極
を1表示ドットとするアクティブマトリクス形液晶表示
装置と、前記各アドレス線に対し、表示データの持つ水
平走査期間に概略等しい選択期間を有し、水平走査期間
の1/2毎に次のアドレス線に順次シフトされる書き込
み走査信号を供給するアドレス線駆動回路と、前記各デ
ータ線に表示データに基づく階調電圧と所定の電位を有
するバイアス電圧とを所定の順序で供給するデータ線駆
動回路と、前記アドレス線駆動回路および前記データ線
駆動回路の動作を制御する制御回路とを具備したもので
ある。
【0030】そして、隣接する2行の画素電極にそれぞ
れ接続された隣接する薄膜トランジスタは、一方の行の
偶数列に属する薄膜トランジスタのゲートと他方の行の
奇数列に属する薄膜トランジスタのゲートとが同一のア
ドレス線に接続され、隣接する2列の画素電極にそれぞ
れ接続された隣接する薄膜トランジスタは、双方の列の
偶数行に属する薄膜トランジスタのソースおよびドレイ
ンのいずれか一方が接続されたデータ線と奇数行に属す
る薄膜トランジスタのソースおよびドレインのいずれか
一方が接続されたデータ線とが交互に設けられ、同じ列
の隣接する奇数行および偶数行に属する2つの画素電極
間で液晶を交流駆動し、これら画素電極を1表示ドット
として2つの画素電極間で液晶を駆動し、各アドレス線
に対し、表示データの持つ水平走査期間に概略等しい選
択期間を有し、アドレス線駆動回路で水平走査期間の1
/2毎に次のアドレス線に順次シフトされる書き込み走
査信号を供給し、データ線駆動回路で各データ線に表示
データに基づく階調電圧と所定の電位を有するバイアス
電圧とを所定の順序で供給し、制御回路でアドレス線駆
動回路およびデータ線駆動回路の動作を制御するので、
画素電位シフトが画素電極間で相殺され、液晶への直流
電圧印加がなくなり、フリッカや焼付きを防止する。
れ接続された隣接する薄膜トランジスタは、一方の行の
偶数列に属する薄膜トランジスタのゲートと他方の行の
奇数列に属する薄膜トランジスタのゲートとが同一のア
ドレス線に接続され、隣接する2列の画素電極にそれぞ
れ接続された隣接する薄膜トランジスタは、双方の列の
偶数行に属する薄膜トランジスタのソースおよびドレイ
ンのいずれか一方が接続されたデータ線と奇数行に属す
る薄膜トランジスタのソースおよびドレインのいずれか
一方が接続されたデータ線とが交互に設けられ、同じ列
の隣接する奇数行および偶数行に属する2つの画素電極
間で液晶を交流駆動し、これら画素電極を1表示ドット
として2つの画素電極間で液晶を駆動し、各アドレス線
に対し、表示データの持つ水平走査期間に概略等しい選
択期間を有し、アドレス線駆動回路で水平走査期間の1
/2毎に次のアドレス線に順次シフトされる書き込み走
査信号を供給し、データ線駆動回路で各データ線に表示
データに基づく階調電圧と所定の電位を有するバイアス
電圧とを所定の順序で供給し、制御回路でアドレス線駆
動回路およびデータ線駆動回路の動作を制御するので、
画素電位シフトが画素電極間で相殺され、液晶への直流
電圧印加がなくなり、フリッカや焼付きを防止する。
【0031】また、データ線に供給されるバイアス電圧
の値を調整する電圧調整手段を具備したものである。
の値を調整する電圧調整手段を具備したものである。
【0032】
【発明の実施の形態】以下、本発明の液晶表示システム
の一実施の形態を図面を参照して説明する。
の一実施の形態を図面を参照して説明する。
【0033】図2に示すように、21は第1の透光性基板
としてのマトリクスアレイ基板で、このマトリクスアレ
イ基板21には第2の透光性基板としての対向電極基板22
が対向して配設され、これらマトリクスアレイ基板21お
よび対向電極基板22間には液晶層23が封止注入されて挟
持されている。
としてのマトリクスアレイ基板で、このマトリクスアレ
イ基板21には第2の透光性基板としての対向電極基板22
が対向して配設され、これらマトリクスアレイ基板21お
よび対向電極基板22間には液晶層23が封止注入されて挟
持されている。
【0034】そして、マトリクスアレイ基板21は、透明
なたとえばガラス基板24上に、モリブデン・タンタル
(MoTa)合金などの金属を用いて薄膜トランジスタ
Tのゲート電極25が形成され、このゲート電極25上には
酸化シリコンなどを用いたゲート絶縁膜26が積層形成さ
れている。このゲート電極25の上方のゲート絶縁膜26上
には、アモルファスシリコンなどの半導体層27および窒
化シリコンなどのチャネル保護膜28が積層形成されてい
る。また、半導体層27上にはn+アモルファスシリコン
膜29を介してアルミニウムなどを用いたソース電極30お
よびドレイン電極31がそれぞれ形成され、これらソース
電極30およびドレイン電極31の表面に保護膜32が積層形
成され、薄膜トランジスタTが構成される。
なたとえばガラス基板24上に、モリブデン・タンタル
(MoTa)合金などの金属を用いて薄膜トランジスタ
Tのゲート電極25が形成され、このゲート電極25上には
酸化シリコンなどを用いたゲート絶縁膜26が積層形成さ
れている。このゲート電極25の上方のゲート絶縁膜26上
には、アモルファスシリコンなどの半導体層27および窒
化シリコンなどのチャネル保護膜28が積層形成されてい
る。また、半導体層27上にはn+アモルファスシリコン
膜29を介してアルミニウムなどを用いたソース電極30お
よびドレイン電極31がそれぞれ形成され、これらソース
電極30およびドレイン電極31の表面に保護膜32が積層形
成され、薄膜トランジスタTが構成される。
【0035】また、ゲート絶縁膜26上には、たとえばI
TO(Indium Tin Oxide)の透明導電膜を用いた画素電
極Pが、薄膜トランジスタTのソース電極30と電気的に
接続された状態で形成される。なお、ドレイン電極31は
図1に示すデータ線Xと、ゲート電極25はアドレス線Y
とそれぞれ一体に形成されている。
TO(Indium Tin Oxide)の透明導電膜を用いた画素電
極Pが、薄膜トランジスタTのソース電極30と電気的に
接続された状態で形成される。なお、ドレイン電極31は
図1に示すデータ線Xと、ゲート電極25はアドレス線Y
とそれぞれ一体に形成されている。
【0036】一方、対向電極基板22では、たとえばガラ
ス基板34上に、カラーフィルタ35を介して対向電極Cが
形成されている。ここで、カラーフィルタ35は、マトリ
クスアレイ基板21側に設けた画素電極Pに対応する面積
を有し、この画素電極Pに対向して配置される。また、
このカラーフィルタ35と他のカラーフィルタとの間には
ブラックマトリクス36が形成されている。これに対し、
対向電極Cは、2つの画素電極による1表示ドット毎に
設けられており、複数個がマトリクス状に配置されてい
る。
ス基板34上に、カラーフィルタ35を介して対向電極Cが
形成されている。ここで、カラーフィルタ35は、マトリ
クスアレイ基板21側に設けた画素電極Pに対応する面積
を有し、この画素電極Pに対向して配置される。また、
このカラーフィルタ35と他のカラーフィルタとの間には
ブラックマトリクス36が形成されている。これに対し、
対向電極Cは、2つの画素電極による1表示ドット毎に
設けられており、複数個がマトリクス状に配置されてい
る。
【0037】これら、マトリクスアレイ基板21および対
向電極基板22の内面には、それぞれ液晶配向膜37が形成
されており、マトリクスアレイ基板21および対向電極基
板22は数μmの間隙を保って周辺部で封着され、この内
部の間隙に液晶層23が封入されて液晶表示装置が構成さ
れる。なお、ツイストネマチック(TN)型液晶表示装
置の場合は、マトリクスアレイ基板21および対向電極基
板22の外面に図示しない偏光板がそれぞれ設けられる。
向電極基板22の内面には、それぞれ液晶配向膜37が形成
されており、マトリクスアレイ基板21および対向電極基
板22は数μmの間隙を保って周辺部で封着され、この内
部の間隙に液晶層23が封入されて液晶表示装置が構成さ
れる。なお、ツイストネマチック(TN)型液晶表示装
置の場合は、マトリクスアレイ基板21および対向電極基
板22の外面に図示しない偏光板がそれぞれ設けられる。
【0038】また、等価回路的には図1に示すように、
マトリクスアレイ基板21は、複数(2n)の行および複数
の列(m)を有する2n行m列のマトリクス状に配列さ
れた複数の画素電極P(1,1)〜P(m,2n)を有す
る。なお、nおよびmは正の整数である。
マトリクスアレイ基板21は、複数(2n)の行および複数
の列(m)を有する2n行m列のマトリクス状に配列さ
れた複数の画素電極P(1,1)〜P(m,2n)を有す
る。なお、nおよびmは正の整数である。
【0039】そして、これら複数の画素電極P(1,
1)〜P(m,2n)に対しては、行方向に沿って複数の
アドレス線Y1 ,Y2 ,・・,Y2n+1がそれぞれ設けら
れるとともに、列方向に沿って複数のデータ線X1 ,X
2 ,・・,Xm+1 がそれぞれ設けられている。
1)〜P(m,2n)に対しては、行方向に沿って複数の
アドレス線Y1 ,Y2 ,・・,Y2n+1がそれぞれ設けら
れるとともに、列方向に沿って複数のデータ線X1 ,X
2 ,・・,Xm+1 がそれぞれ設けられている。
【0040】さらに、これら複数の画素電極P(1,
1)〜P(m,2n)毎に薄膜トランジスタT(1,1)
〜T(m,2n)が設けられており、ゲートはアドレス線
Y1 ,Y2 ,・・,Y2n+1の対応するものに接続され、
ソース電極30およびドレイン電極31間は対応する画素電
極P(1,1)〜P(m,2n)とデータ線X1 ,X2 ,
・・,Xm+1 との間に接続されている。
1)〜P(m,2n)毎に薄膜トランジスタT(1,1)
〜T(m,2n)が設けられており、ゲートはアドレス線
Y1 ,Y2 ,・・,Y2n+1の対応するものに接続され、
ソース電極30およびドレイン電極31間は対応する画素電
極P(1,1)〜P(m,2n)とデータ線X1 ,X2 ,
・・,Xm+1 との間に接続されている。
【0041】ここで、複数のアドレス線Y1 ,Y2 ,・
・,Y2n+1については、隣接する2行の画素電極P
(1,1)〜P(m,2n)に接続された薄膜トランジス
タT(1,1)〜T(m,2n)のゲート電極25のうち、
一方の行の偶数列に属するものと他方の行の奇数列に属
するものとが同一のアドレス線Y1 ,Y2 ,・・,Y2n
+1に接続されるように構成する。
・,Y2n+1については、隣接する2行の画素電極P
(1,1)〜P(m,2n)に接続された薄膜トランジス
タT(1,1)〜T(m,2n)のゲート電極25のうち、
一方の行の偶数列に属するものと他方の行の奇数列に属
するものとが同一のアドレス線Y1 ,Y2 ,・・,Y2n
+1に接続されるように構成する。
【0042】たとえばアドレス線Y2 についてみると、
隣接する2行の画素電極P(1,1)〜P(m,1)お
よび画素電極P(1,2) 〜P(m,2)に接続された
薄膜トランジスタT(1,1)〜T(m,1)および薄
膜トランジスタT(1,2)〜T(m,2)のうち、一
方の行の偶数列に属する薄膜トランジスタT(2,
1),・・,T(m,1)のゲート電極25および他方の
行の奇数列に属する薄膜トランジスタT(1,2),T
(3,2),・・,T(m-1 ,2)のゲート電極25が、
同一のアドレス線Y2 に接続されている。
隣接する2行の画素電極P(1,1)〜P(m,1)お
よび画素電極P(1,2) 〜P(m,2)に接続された
薄膜トランジスタT(1,1)〜T(m,1)および薄
膜トランジスタT(1,2)〜T(m,2)のうち、一
方の行の偶数列に属する薄膜トランジスタT(2,
1),・・,T(m,1)のゲート電極25および他方の
行の奇数列に属する薄膜トランジスタT(1,2),T
(3,2),・・,T(m-1 ,2)のゲート電極25が、
同一のアドレス線Y2 に接続されている。
【0043】ただし、最外側のアドレス線Y1 およびア
ドレス線Y2n+1については、隣接する行が1行のみであ
るため、アドレス線Y1 については第1行の画素電極P
(1,1)〜P(m,1)に接続された薄膜トランジス
タT(1,1)〜T(m,1)のうち、奇数列に属する
薄膜トランジスタT(1,1),T(3,1),・・,
T(m-1 ,1)のゲート電極25が接続される。同様に、
アドレス線Y2n+1については最終行の画素電極P(1,
2n)〜P(m,2n)に接続された薄膜トランジスタT
(1,2n)〜T(m,2n)のうち、偶数列に属する薄膜
トランジスタT(2,1),・・,T(m,2n)のゲー
ト電極25が接続される。
ドレス線Y2n+1については、隣接する行が1行のみであ
るため、アドレス線Y1 については第1行の画素電極P
(1,1)〜P(m,1)に接続された薄膜トランジス
タT(1,1)〜T(m,1)のうち、奇数列に属する
薄膜トランジスタT(1,1),T(3,1),・・,
T(m-1 ,1)のゲート電極25が接続される。同様に、
アドレス線Y2n+1については最終行の画素電極P(1,
2n)〜P(m,2n)に接続された薄膜トランジスタT
(1,2n)〜T(m,2n)のうち、偶数列に属する薄膜
トランジスタT(2,1),・・,T(m,2n)のゲー
ト電極25が接続される。
【0044】また、複数のデータ線X1 ,X2 ,・・X
m+1 については、隣接する2列の画素電極(1,1)〜
P(m,2n)に接続された薄膜トランジスタT(1,
1)〜T(m,2n)のソース電極30およびドレイン電極
31間のうち、双方の列の偶数行に属するもの同士が接続
されたデータ線X1 ,X2 ,・・,Xm+1 と奇数行に属
するもの同士が接続されたデータ線X1 ,X2 ,・・,
Xm+1 とが交互に設けられている。
m+1 については、隣接する2列の画素電極(1,1)〜
P(m,2n)に接続された薄膜トランジスタT(1,
1)〜T(m,2n)のソース電極30およびドレイン電極
31間のうち、双方の列の偶数行に属するもの同士が接続
されたデータ線X1 ,X2 ,・・,Xm+1 と奇数行に属
するもの同士が接続されたデータ線X1 ,X2 ,・・,
Xm+1 とが交互に設けられている。
【0045】たとえばデータ線X2 についてみると、隣
接する2列の画素電極P(1,1)〜P(1,2n)およ
び画素電極P(2,1)〜P(2,2n)に接続された薄
膜トランジスタT(1,1)〜T(1,2n)および薄膜
トランジスタT(2,1)〜T(2,2n)のうち、双方
の列の偶数行に属する薄膜トランジスタT(1,2),
T(1,4),・・,T(1,2n)および薄膜トランジ
スタT(2,2),T(2,4),・・,T(2,2n)
が、それぞれソース電極30およびドレイン電極31間を介
して接続されている。また、データ線X3 についてみる
と、隣接する2列の画素電極P(2,1)〜P(2,2
n)および画素電極P(3,1)〜P(3,2n)に接続
された薄膜トランジスタT(2,1)〜T(2,2n)お
よび画素電極T(3,1)〜T(3,2n)のうち、双方
の列の奇数行に属する薄膜トランジスタT(2,1),
T(2,3),・・,T(2,2n-1)および薄膜トラン
ジスタT(3,1),T(3,3),・・,T(3,2n
-1)が、それぞれソース電極30およびドレイン電極31間
を介して接続されている。すなわち、偶数行に属するも
の同士が接続されたデータ線X2 と奇数行に属するもの
同士が接続されたデータ線X3 とが交互に設けられてい
る。これらの関係は他のデータ線X3 ,X4 ,・・,X
m についても同じである。
接する2列の画素電極P(1,1)〜P(1,2n)およ
び画素電極P(2,1)〜P(2,2n)に接続された薄
膜トランジスタT(1,1)〜T(1,2n)および薄膜
トランジスタT(2,1)〜T(2,2n)のうち、双方
の列の偶数行に属する薄膜トランジスタT(1,2),
T(1,4),・・,T(1,2n)および薄膜トランジ
スタT(2,2),T(2,4),・・,T(2,2n)
が、それぞれソース電極30およびドレイン電極31間を介
して接続されている。また、データ線X3 についてみる
と、隣接する2列の画素電極P(2,1)〜P(2,2
n)および画素電極P(3,1)〜P(3,2n)に接続
された薄膜トランジスタT(2,1)〜T(2,2n)お
よび画素電極T(3,1)〜T(3,2n)のうち、双方
の列の奇数行に属する薄膜トランジスタT(2,1),
T(2,3),・・,T(2,2n-1)および薄膜トラン
ジスタT(3,1),T(3,3),・・,T(3,2n
-1)が、それぞれソース電極30およびドレイン電極31間
を介して接続されている。すなわち、偶数行に属するも
の同士が接続されたデータ線X2 と奇数行に属するもの
同士が接続されたデータ線X3 とが交互に設けられてい
る。これらの関係は他のデータ線X3 ,X4 ,・・,X
m についても同じである。
【0046】ただし、最外側のデータ線X1 およびデー
タ線Xm+1 については、隣接する列が1行のみであるた
め、データ線X1 については第1列の画素電極P(1,
1)〜P(1,2n)に接続された薄膜トランジスタT
(1,1)〜T(1,2n)のうち、奇数行に属する薄膜
トランジスタT(1,1),T(1,3),・・,T
(1,2n-1)が、それぞれソース電極30およびドレイン
電極31間を介して接続される。同様に、データ線Xm+1
については、最終列の画素電極P(m,1)〜P(m,
2n)に接続された薄膜トランジスタT(m,1)〜T
(m,2n)のうち、奇数列に属する薄膜トランジスタT
(m,1),T(m,3),・・,T(m,2n-1)が、
それぞれソース電極30およびドレイン電極31間を介して
接続される。
タ線Xm+1 については、隣接する列が1行のみであるた
め、データ線X1 については第1列の画素電極P(1,
1)〜P(1,2n)に接続された薄膜トランジスタT
(1,1)〜T(1,2n)のうち、奇数行に属する薄膜
トランジスタT(1,1),T(1,3),・・,T
(1,2n-1)が、それぞれソース電極30およびドレイン
電極31間を介して接続される。同様に、データ線Xm+1
については、最終列の画素電極P(m,1)〜P(m,
2n)に接続された薄膜トランジスタT(m,1)〜T
(m,2n)のうち、奇数列に属する薄膜トランジスタT
(m,1),T(m,3),・・,T(m,2n-1)が、
それぞれソース電極30およびドレイン電極31間を介して
接続される。
【0047】このように構成した結果、同じ列の隣接す
る奇数行と偶数行に属する2つの画素電極(1,1)〜
P(m,2n)間、たとえば画素電極P(1,1)と画素
電極P(1,2)との間、画素電極P(m,2n-1)と画
素電極P(1,2n)との間、あるいは、画素電極P
(m,1)と画素電極P(m,2)との間、画素電極P
(m,2n-1)と画素電極P(m,2n)との間などで、そ
れぞれ液晶層23を交流駆動して1表示ドットとしてい
る。このため、信号蓄積容量は不要となり、マトリクス
アレイ基板21の構造が簡単になる。
る奇数行と偶数行に属する2つの画素電極(1,1)〜
P(m,2n)間、たとえば画素電極P(1,1)と画素
電極P(1,2)との間、画素電極P(m,2n-1)と画
素電極P(1,2n)との間、あるいは、画素電極P
(m,1)と画素電極P(m,2)との間、画素電極P
(m,2n-1)と画素電極P(m,2n)との間などで、そ
れぞれ液晶層23を交流駆動して1表示ドットとしてい
る。このため、信号蓄積容量は不要となり、マトリクス
アレイ基板21の構造が簡単になる。
【0048】なお、図1において、1表示ドットを構成
する2つの画素電極P(1,1)〜P(m,2n)を囲む
破線は、対向電極基板22上に設けられた対向電極C
(1,1)〜C(m,n)の形状および配置を示してお
り、1表示ドットに対応して対向電極C(1,1)〜C
(m,n)がマトリクス状に設けられている。
する2つの画素電極P(1,1)〜P(m,2n)を囲む
破線は、対向電極基板22上に設けられた対向電極C
(1,1)〜C(m,n)の形状および配置を示してお
り、1表示ドットに対応して対向電極C(1,1)〜C
(m,n)がマトリクス状に設けられている。
【0049】図3は、図1および図2で説明した液晶表
示装置の1表示ドットを構成する各画素電極P(1,
1)〜P(m,2n)と対向電極C(1,1)〜C(m,
n)との関係、および、各画素電極P(1,1)〜P
(m,2n)に書き込まれる液晶駆動信号を示し、(a)
は奇数フレーム期間、(b)は偶数フレーム期間での書
込み電圧の状態を示している。
示装置の1表示ドットを構成する各画素電極P(1,
1)〜P(m,2n)と対向電極C(1,1)〜C(m,
n)との関係、および、各画素電極P(1,1)〜P
(m,2n)に書き込まれる液晶駆動信号を示し、(a)
は奇数フレーム期間、(b)は偶数フレーム期間での書
込み電圧の状態を示している。
【0050】図3に示すように、1表示ドットを構成す
る同じ列の隣接する奇数行と偶数行に属する2つの画素
電極(1,1)〜P(m,2n)、たとえば図3(a)の
画素電極P(1,1)およびP(1,2)の一方、この
場合、画素電極P(1,1)には、図1で示した対応す
るデータ線X1 から表示データに基づく階調電圧Vsが
書き込まれ、他方、この場合、画素電極P(1,2)に
は、対応するデータ線X2 からバイアス電圧Vb が書き
込まれる。なお、バイアス電圧Vb は表示データとは関
係なく、たとえば階調電圧Vs より低い電位を有するも
のとする。この書き込み状態は、図示のように、行、列
いずれの方向の画素電極P(1,1)〜P(m,2n)に
ついても同じであり、階調電圧Vs とバイアス電圧Vb
とが交互に書き込まれるように構成されている。
る同じ列の隣接する奇数行と偶数行に属する2つの画素
電極(1,1)〜P(m,2n)、たとえば図3(a)の
画素電極P(1,1)およびP(1,2)の一方、この
場合、画素電極P(1,1)には、図1で示した対応す
るデータ線X1 から表示データに基づく階調電圧Vsが
書き込まれ、他方、この場合、画素電極P(1,2)に
は、対応するデータ線X2 からバイアス電圧Vb が書き
込まれる。なお、バイアス電圧Vb は表示データとは関
係なく、たとえば階調電圧Vs より低い電位を有するも
のとする。この書き込み状態は、図示のように、行、列
いずれの方向の画素電極P(1,1)〜P(m,2n)に
ついても同じであり、階調電圧Vs とバイアス電圧Vb
とが交互に書き込まれるように構成されている。
【0051】すなわち、各列毎の画素電極P(1,1)
〜P(m,2n)、たとえば画素電極P(1,1),P
(1,2),・・,P(1,2n)に対しては、列の両側
の各1本のデータ線X1 ,X2 のうち、各行毎に交互に
接続されたものから供給される液晶駆動信号である階調
電圧Vs とバイアス電圧Vb とが書込まれることにな
る。
〜P(m,2n)、たとえば画素電極P(1,1),P
(1,2),・・,P(1,2n)に対しては、列の両側
の各1本のデータ線X1 ,X2 のうち、各行毎に交互に
接続されたものから供給される液晶駆動信号である階調
電圧Vs とバイアス電圧Vb とが書込まれることにな
る。
【0052】これら画素電極に書き込まれる階調電圧V
s およびバイアス電圧Vb は、フレーム期間毎に階調電
圧Vs からバイアス電圧Vb へ、あるいは、バイアス電
圧Vb から階調電圧Vs への入れ替えられる。たとえば
1表示ドットを構成する画素電極P(1,1)および画
素電極P(1,2)は、図3(a)の奇数フレーム期間
では、画素電極P(1,1)が階調電圧Vs 、画素電極
P(1,2)がバイアス電圧Vb であったが、図3
(b)の偶数フレーム期間では、P(1,1)がバイア
ス電圧Vb 、P(1,2)が階調電圧Vs となる。ま
た、画素電極P(2,1)および画素電極P(2,2)
は、図3(a)の奇数フレーム期間では、画素電極P
(2,1)がバイアス電圧Vb 、画素電極P(2,2)
が階調電圧Vs であったが、図3(b)の偶数フレーム
期間では、画素電極P(2,1)が階調電圧Vs 、画素
電極P(2,2)がバイアス電圧Vb となる。このこと
は、他の1表示ドットを構成するたの画素電極の組み合
わせでも同様である。
s およびバイアス電圧Vb は、フレーム期間毎に階調電
圧Vs からバイアス電圧Vb へ、あるいは、バイアス電
圧Vb から階調電圧Vs への入れ替えられる。たとえば
1表示ドットを構成する画素電極P(1,1)および画
素電極P(1,2)は、図3(a)の奇数フレーム期間
では、画素電極P(1,1)が階調電圧Vs 、画素電極
P(1,2)がバイアス電圧Vb であったが、図3
(b)の偶数フレーム期間では、P(1,1)がバイア
ス電圧Vb 、P(1,2)が階調電圧Vs となる。ま
た、画素電極P(2,1)および画素電極P(2,2)
は、図3(a)の奇数フレーム期間では、画素電極P
(2,1)がバイアス電圧Vb 、画素電極P(2,2)
が階調電圧Vs であったが、図3(b)の偶数フレーム
期間では、画素電極P(2,1)が階調電圧Vs 、画素
電極P(2,2)がバイアス電圧Vb となる。このこと
は、他の1表示ドットを構成するたの画素電極の組み合
わせでも同様である。
【0053】すなわち、1表示ドットを構成する2つの
画素電極P(1,1)〜P(m,2n)に対し、一方に表
示データに基づく階調電圧Vs を、他方に所定のバイア
ス電圧Vb をそれぞれ同時に書き込み、これら階調電圧
Vs およびバイアス電圧Vbを、フレーム期間毎に交互
に入れ替えている。
画素電極P(1,1)〜P(m,2n)に対し、一方に表
示データに基づく階調電圧Vs を、他方に所定のバイア
ス電圧Vb をそれぞれ同時に書き込み、これら階調電圧
Vs およびバイアス電圧Vbを、フレーム期間毎に交互
に入れ替えている。
【0054】また、図3に示すように、画素電極P
(1,1)〜画素電極P(m,2n)への階調電圧VS お
よびバイアス電圧Vb の書き込みパターンは、行および
列のいずれの方向に対しても交互となるように設定され
ている。
(1,1)〜画素電極P(m,2n)への階調電圧VS お
よびバイアス電圧Vb の書き込みパターンは、行および
列のいずれの方向に対しても交互となるように設定され
ている。
【0055】図4は、図3で示したi番目(i=1〜
m)の列の、各表示ドットを構成する画素電極Pと対向
電極Cとの関係、および、これら各画素電極Pおよび対
向電極C間の電界の様子を模式的に示しており、図4に
示すように、マトリクスアレイ基板21に設けられた画素
電極P(i,2j-1)および画素電極P(i,2j)と、対
向電極基板22に設けられた対向電極C(i,j)とで1
表示ドットを構成し、画素電極P(i,2j+1)および画
素電極P(i,2j+2)と対向電極C(i,j+1 )とで1
表示ドットを構成している。このうち、たとえば対向電
極C(i,j)は、1表示ドットを構成する2つの画素
電極P(i,2j-1)とP(i,2j)との間で電界を中継
する。そして、これら画素電極P(i,2j-1)、画素電
極P(i,2j)上の液晶層23を、これら画素電極P
(i,2j-1),P(i,2j)間に電気的に直列接続す
る。このように直列接続された液晶層23には、一端から
階調電圧Vs が、他端からバイアス電圧Vb がそれぞれ
供給されて駆動される。この階調電圧Vs とバイアス電
圧Vb との供給端は前述のようにフレーム期間毎に入れ
替えられ、交流駆動が達成される。
m)の列の、各表示ドットを構成する画素電極Pと対向
電極Cとの関係、および、これら各画素電極Pおよび対
向電極C間の電界の様子を模式的に示しており、図4に
示すように、マトリクスアレイ基板21に設けられた画素
電極P(i,2j-1)および画素電極P(i,2j)と、対
向電極基板22に設けられた対向電極C(i,j)とで1
表示ドットを構成し、画素電極P(i,2j+1)および画
素電極P(i,2j+2)と対向電極C(i,j+1 )とで1
表示ドットを構成している。このうち、たとえば対向電
極C(i,j)は、1表示ドットを構成する2つの画素
電極P(i,2j-1)とP(i,2j)との間で電界を中継
する。そして、これら画素電極P(i,2j-1)、画素電
極P(i,2j)上の液晶層23を、これら画素電極P
(i,2j-1),P(i,2j)間に電気的に直列接続す
る。このように直列接続された液晶層23には、一端から
階調電圧Vs が、他端からバイアス電圧Vb がそれぞれ
供給されて駆動される。この階調電圧Vs とバイアス電
圧Vb との供給端は前述のようにフレーム期間毎に入れ
替えられ、交流駆動が達成される。
【0056】このとき、各画素電極P(i,2j-1),P
(i,2j)で生じる電位シフトは、1表示ドットを構成
する2つの画素電極P(i,2j-1),P(i,2j)間で
相殺され、液晶層23に直流電圧が印加されることはな
い。すなわち、あるフレーム期間において1表示ドット
を構成する一方の画素電極P(i,2j-1)で電位シフト
ΔV1 が生じ、他方の画素電極P(i,2j)で電位シフ
トΔV2 が生じても、次のフレーム期間では、一方の画
素電極P(i,2j-1)で電位シフトΔV2 が生じ、他方
の画素電極P(i,2j)で電位シフトΔV1 が生じるこ
とになるので、これら異なる値の電位シフトはそれぞれ
相殺される。
(i,2j)で生じる電位シフトは、1表示ドットを構成
する2つの画素電極P(i,2j-1),P(i,2j)間で
相殺され、液晶層23に直流電圧が印加されることはな
い。すなわち、あるフレーム期間において1表示ドット
を構成する一方の画素電極P(i,2j-1)で電位シフト
ΔV1 が生じ、他方の画素電極P(i,2j)で電位シフ
トΔV2 が生じても、次のフレーム期間では、一方の画
素電極P(i,2j-1)で電位シフトΔV2 が生じ、他方
の画素電極P(i,2j)で電位シフトΔV1 が生じるこ
とになるので、これら異なる値の電位シフトはそれぞれ
相殺される。
【0057】したがって、液晶に印加される直流電圧を
ある基準値以下に収めるために必要であった信号蓄積容
量を設ける必要はない。このため、マトリクスアレイ基
板21の構造が簡単になるばかりではなく、画素開口率を
高めることができる。
ある基準値以下に収めるために必要であった信号蓄積容
量を設ける必要はない。このため、マトリクスアレイ基
板21の構造が簡単になるばかりではなく、画素開口率を
高めることができる。
【0058】図5は上述のように構成した液晶表示装置
の駆動方法を説明し、図5において、VY1 ,VY2 ,
・・・,VY2n,VY2n+1は書き込み走査信号で、図1
で示した各アドレス線Y1 ,Y2 ,・・・,Y2n,Y2n
+1に順次供給される。この書き込み走査信号VY1 ,V
Y2 ,・・・,VY2n,VY2n+1は、対応するアドレス
線Y1 ,Y2 ,・・・,Y2n,Y2n+1に接続された全て
の画素電極P(1,1)〜P(m,2n)に走査信号を書
き込むための書き込み期間Th の2倍の長さの選択期間
2Th を有し、各アドレス線Y1 ,Y2 ,・・・,Y2
n,Y2n+1に対するシフトは書き込み時間Th 毎に行な
われる。このため、隣接信号との選択期間に、書き込み
期間Th の重なりを有している。すなわち、同時2ライ
ン選択・順次1ラインシフト形式の書き込み走査信号で
ある。なお、VgHは走査選択電位であり、VgLは走査非
選択電位である。
の駆動方法を説明し、図5において、VY1 ,VY2 ,
・・・,VY2n,VY2n+1は書き込み走査信号で、図1
で示した各アドレス線Y1 ,Y2 ,・・・,Y2n,Y2n
+1に順次供給される。この書き込み走査信号VY1 ,V
Y2 ,・・・,VY2n,VY2n+1は、対応するアドレス
線Y1 ,Y2 ,・・・,Y2n,Y2n+1に接続された全て
の画素電極P(1,1)〜P(m,2n)に走査信号を書
き込むための書き込み期間Th の2倍の長さの選択期間
2Th を有し、各アドレス線Y1 ,Y2 ,・・・,Y2
n,Y2n+1に対するシフトは書き込み時間Th 毎に行な
われる。このため、隣接信号との選択期間に、書き込み
期間Th の重なりを有している。すなわち、同時2ライ
ン選択・順次1ラインシフト形式の書き込み走査信号で
ある。なお、VgHは走査選択電位であり、VgLは走査非
選択電位である。
【0059】また、Tv(o)およびTv(e)はともに垂直走
査期間のフレーム期間を表しており、(o) は奇数フレー
ムを、(e) は偶数フレームを意味し、TBLK は垂直ブラ
ンキング期間を表している。
査期間のフレーム期間を表しており、(o) は奇数フレー
ムを、(e) は偶数フレームを意味し、TBLK は垂直ブラ
ンキング期間を表している。
【0060】さらに、VX1 ,VX2 ,・・,VXm ,
VXm+1 は液晶駆動信号で、これら液晶駆動信号VX1
,VX2 ,・・VXm ,VXm+1 は、表示データに基
づいて多数の電位をとる階調電圧Vs とバイアス電圧V
b とを有し、図1で示した各データ線X1 ,X2 ,・
・,Xm ,Xm+1 の対応するものに並列的に供給され
る。なお、VR は基準電位で、たとえば階調電圧Vs の
最小電位とし、階調電圧Vsの( )内の数字は、1表
示ドット単位のn行m列の表示データを想定するときの
個々の表示データの座標(m,n)で、表示データマッ
プを構成する。
VXm+1 は液晶駆動信号で、これら液晶駆動信号VX1
,VX2 ,・・VXm ,VXm+1 は、表示データに基
づいて多数の電位をとる階調電圧Vs とバイアス電圧V
b とを有し、図1で示した各データ線X1 ,X2 ,・
・,Xm ,Xm+1 の対応するものに並列的に供給され
る。なお、VR は基準電位で、たとえば階調電圧Vs の
最小電位とし、階調電圧Vsの( )内の数字は、1表
示ドット単位のn行m列の表示データを想定するときの
個々の表示データの座標(m,n)で、表示データマッ
プを構成する。
【0061】そして、液晶駆動信号VX1 ,VX2 ,・
・,VXm ,VXm+1 は、それぞれ書き込み走査信号V
Y1 ,VY2 ,・・・,VY2n,VY2n+1に同期して、
表示データに基づく階調電圧Vs と所定電位のバイアス
電圧Vb とが、書込み期間Th 毎に交互に供給される。
・,VXm ,VXm+1 は、それぞれ書き込み走査信号V
Y1 ,VY2 ,・・・,VY2n,VY2n+1に同期して、
表示データに基づく階調電圧Vs と所定電位のバイアス
電圧Vb とが、書込み期間Th 毎に交互に供給される。
【0062】また、表示データマップ上の隣接する2列
の表示データは、フレーム期間Tv毎に交互に入れ替え
られるが、階調電圧Vs はこの入れ替えられた列の表示
データに基づくものである。言い換えると、図1で示し
た各データ線X1 〜Xm+1 に供給され、たとえばデータ
線X2 の両側の各1列の画素電極P(1,2),P
(1,4),・・,P(1,2n)および画素電極P
(2,2),P(2,4),・・,P(2,2n)に書き
込まれる階調電圧Vs は、フレーム期間Tv(o)およびフ
レーム期間Tv(e)毎に、隣接するデータ線X1 ,X3 と
列毎に交互にシフトされ、供給されている。すなわち、
図5で示すように、奇数フレーム期間Tv(o)にデータ線
X2 に供給される液晶駆動信号VX2 の階調電圧Vs
は、偶数フレーム期間Tv(e)ではデータ線X3 の液晶駆
動信号VX3 としてシフトされ、データ線X2 に供給さ
れる液晶駆動信号VX2 の階調電圧Vs としては、奇数
フレーム期間Tv(o)にデータ線X1 に供給されていた液
晶駆動信号VX1 の階調電圧Vs が、偶数フレーム期間
Tv(e)ではデータ線X2 の液晶駆動信号VX2 としてシ
フトされている。
の表示データは、フレーム期間Tv毎に交互に入れ替え
られるが、階調電圧Vs はこの入れ替えられた列の表示
データに基づくものである。言い換えると、図1で示し
た各データ線X1 〜Xm+1 に供給され、たとえばデータ
線X2 の両側の各1列の画素電極P(1,2),P
(1,4),・・,P(1,2n)および画素電極P
(2,2),P(2,4),・・,P(2,2n)に書き
込まれる階調電圧Vs は、フレーム期間Tv(o)およびフ
レーム期間Tv(e)毎に、隣接するデータ線X1 ,X3 と
列毎に交互にシフトされ、供給されている。すなわち、
図5で示すように、奇数フレーム期間Tv(o)にデータ線
X2 に供給される液晶駆動信号VX2 の階調電圧Vs
は、偶数フレーム期間Tv(e)ではデータ線X3 の液晶駆
動信号VX3 としてシフトされ、データ線X2 に供給さ
れる液晶駆動信号VX2 の階調電圧Vs としては、奇数
フレーム期間Tv(o)にデータ線X1 に供給されていた液
晶駆動信号VX1 の階調電圧Vs が、偶数フレーム期間
Tv(e)ではデータ線X2 の液晶駆動信号VX2 としてシ
フトされている。
【0063】このように、図5に示す場合には、偶数フ
レーム期間Tv(e)は奇数フレーム期間Tv(o)より1番だ
け若い番号の列の表示データに基づいて階調電圧が設定
されている。したがって、液晶駆動信号VX1 の偶数フ
レーム期間Tv(e)、および、液晶駆動信号VXm+1 の奇
数フレーム期間Tv(o)には表示データが存在しないた
め、全期間バイアス電圧VB の電位に設定されている。
レーム期間Tv(e)は奇数フレーム期間Tv(o)より1番だ
け若い番号の列の表示データに基づいて階調電圧が設定
されている。したがって、液晶駆動信号VX1 の偶数フ
レーム期間Tv(e)、および、液晶駆動信号VXm+1 の奇
数フレーム期間Tv(o)には表示データが存在しないた
め、全期間バイアス電圧VB の電位に設定されている。
【0064】また、各データ線X1 〜Xm+1 に並列的に
供給される液晶駆動信号VX1 ,VX2 ,・・,VXm
,VXm+1 は、各アドレス線Y1 〜Y2n+1に供給され
る書き込み走査信号VY1 ,VY2 ,・・,VY2n,V
Y2n+1により、図1に示す画素電極P(1,1)〜P
(m.2n)を介してそれぞれの画素容量へ順次書き込ま
れる。
供給される液晶駆動信号VX1 ,VX2 ,・・,VXm
,VXm+1 は、各アドレス線Y1 〜Y2n+1に供給され
る書き込み走査信号VY1 ,VY2 ,・・,VY2n,V
Y2n+1により、図1に示す画素電極P(1,1)〜P
(m.2n)を介してそれぞれの画素容量へ順次書き込ま
れる。
【0065】順を追って説明すると、奇数フレーム期間
Tv(o)の期間t1 では、書き込み走査信号VY1 ,VY
2 が選択電位VgHであるので、データ線X1 ,X3 ,・
・Xm-1 から階調電圧Vs (1,1),Vs (3,
1),・・,Vs (m-1 ,1)が画素電極P(1,
1),P(3,1),・・,P(m-1 ,1)にそれぞれ
供給される。また、データ線X2 ,X4 ,・・,Xm か
らバイアス電圧Vb が画素電極P(1,2),P(3,
2),・・,P(m-1 ,2)にそれぞれ供給される。す
なわち、1表示ドットを構成する2つのたとえば画素電
極P(1,1),P(1,2)上の、対向電極C(1,
1)を介して直列接続された液晶層23には、一端から階
調電圧Vs が、他端からバイアス電圧Vb が同時に供給
され、充電、すなわち書き込みされる。
Tv(o)の期間t1 では、書き込み走査信号VY1 ,VY
2 が選択電位VgHであるので、データ線X1 ,X3 ,・
・Xm-1 から階調電圧Vs (1,1),Vs (3,
1),・・,Vs (m-1 ,1)が画素電極P(1,
1),P(3,1),・・,P(m-1 ,1)にそれぞれ
供給される。また、データ線X2 ,X4 ,・・,Xm か
らバイアス電圧Vb が画素電極P(1,2),P(3,
2),・・,P(m-1 ,2)にそれぞれ供給される。す
なわち、1表示ドットを構成する2つのたとえば画素電
極P(1,1),P(1,2)上の、対向電極C(1,
1)を介して直列接続された液晶層23には、一端から階
調電圧Vs が、他端からバイアス電圧Vb が同時に供給
され、充電、すなわち書き込みされる。
【0066】続いて、期間t2 では、書込み走査信号V
Y2 ,VY3 が選択電位VgHであるので、データ線X2
,X4 ,・・,Xm から階調電圧Vs (2,1),Vs
(4,1),・・,Vs (m,1)が画素電極P
(2,2),P(4,2),・・,P(m,2)にそれ
ぞれ供給される。また、データ線X3 ,X5 ,・・,X
m+1からバイアス電圧Vb が画素電極P(2,1),P
(4,1),・・,P(m,1)にそれぞれ供給され、
書き込みされる。
Y2 ,VY3 が選択電位VgHであるので、データ線X2
,X4 ,・・,Xm から階調電圧Vs (2,1),Vs
(4,1),・・,Vs (m,1)が画素電極P
(2,2),P(4,2),・・,P(m,2)にそれ
ぞれ供給される。また、データ線X3 ,X5 ,・・,X
m+1からバイアス電圧Vb が画素電極P(2,1),P
(4,1),・・,P(m,1)にそれぞれ供給され、
書き込みされる。
【0067】以後、同様にして書き込みが進められ、最
後の期間t2nでは、データ線X2 ,X4 ,・・,Xm か
ら階調電圧Vs (2,n),Vs (4,n),・・,V
s (m,n)が、画素電極P(2,2n),P(4,2
n),・・,P(m,2n)にそれぞれ供給される。ま
た、データ線X3 ,X5 ,・・,Xm+1 からバイアス電
圧Vb が画素電極P(2,2n-1),P(4,2n-1),・
・,P(m,2n-1)にそれぞれ供給されて、この奇数フ
レーム期間Tv(o)での書き込みが終了する。
後の期間t2nでは、データ線X2 ,X4 ,・・,Xm か
ら階調電圧Vs (2,n),Vs (4,n),・・,V
s (m,n)が、画素電極P(2,2n),P(4,2
n),・・,P(m,2n)にそれぞれ供給される。ま
た、データ線X3 ,X5 ,・・,Xm+1 からバイアス電
圧Vb が画素電極P(2,2n-1),P(4,2n-1),・
・,P(m,2n-1)にそれぞれ供給されて、この奇数フ
レーム期間Tv(o)での書き込みが終了する。
【0068】次に、所定の垂直ブランキング期間TBLK
を経た後、偶数フレーム期間Tv(e)での書き込みに移
る。先に説明した奇数フレーム期間Tv(o)の場合と同様
に、期間t1 から期間t2n間で順次書き込みされるが、
液晶層23に対する交流駆動を達成するため、各データ線
X1 〜Xm+1 に並列的に供給される液晶駆動信号は、隣
接するデータ線X1 〜Xm+1 と入れ替えられており、同
一画素電極P(1,1)〜P(m,2n)に対しては、階
調電圧Vs とバイアス電圧Vb とが、偶数フレーム期間
Tv(e)および奇数フレーム期間Tv(o)毎に交互に供給さ
れる。
を経た後、偶数フレーム期間Tv(e)での書き込みに移
る。先に説明した奇数フレーム期間Tv(o)の場合と同様
に、期間t1 から期間t2n間で順次書き込みされるが、
液晶層23に対する交流駆動を達成するため、各データ線
X1 〜Xm+1 に並列的に供給される液晶駆動信号は、隣
接するデータ線X1 〜Xm+1 と入れ替えられており、同
一画素電極P(1,1)〜P(m,2n)に対しては、階
調電圧Vs とバイアス電圧Vb とが、偶数フレーム期間
Tv(e)および奇数フレーム期間Tv(o)毎に交互に供給さ
れる。
【0069】すなわち、偶数フレーム期間Tv(e)の期間
t1 では、データ線X1 ,X3 ,・・Xm-1 からバイア
ス電圧Vb が画素電極P(1,1),P(3,1),・
・,P(m-1 ,1)にそれぞれ供給される。また、デー
タ線X2 ,X4 ,・・Xm から階調電圧Vs (1,
1),Vs(3,1),・・,Vs (m-1 ,1)が画素
電極P(1,2),P(3,2),・・,P(m-1 ,
2)にそれぞれ供給される。この結果、奇数フレーム期
間Tv(o)では階調電圧Vs が供給されたたとえば画素電
極P(1,1)にはバイアス電圧Vb が供給され、奇数
フレーム期間Tv(o)ではバイアス電圧Vb が供給された
たとえば画素電極P(1,2)には階調電圧Vs が供給
される。以後、同様にして期間t2 ないし期間t2nで書
き込まれる。
t1 では、データ線X1 ,X3 ,・・Xm-1 からバイア
ス電圧Vb が画素電極P(1,1),P(3,1),・
・,P(m-1 ,1)にそれぞれ供給される。また、デー
タ線X2 ,X4 ,・・Xm から階調電圧Vs (1,
1),Vs(3,1),・・,Vs (m-1 ,1)が画素
電極P(1,2),P(3,2),・・,P(m-1 ,
2)にそれぞれ供給される。この結果、奇数フレーム期
間Tv(o)では階調電圧Vs が供給されたたとえば画素電
極P(1,1)にはバイアス電圧Vb が供給され、奇数
フレーム期間Tv(o)ではバイアス電圧Vb が供給された
たとえば画素電極P(1,2)には階調電圧Vs が供給
される。以後、同様にして期間t2 ないし期間t2nで書
き込まれる。
【0070】このようにして、図3で示した電圧パター
ンの書き込みされ、液晶層23に対する交流駆動が達成さ
れ、画素電位シフトの問題からも解放される。
ンの書き込みされ、液晶層23に対する交流駆動が達成さ
れ、画素電位シフトの問題からも解放される。
【0071】なお、バイアス電圧Vb の電位は、たとえ
ば対向電極C(1,1)〜C(m,n)によって直列接
続される2つの画素電極P(1,1)〜P(m,2n)上
の液晶層23の閾値電圧付近に設定するのがよい。
ば対向電極C(1,1)〜C(m,n)によって直列接
続される2つの画素電極P(1,1)〜P(m,2n)上
の液晶層23の閾値電圧付近に設定するのがよい。
【0072】ここで、上述のような駆動方法では、各デ
ータ線X1 〜Xm+1 に供給される液晶駆動信号VX1 〜
VXm+1 の波形から明らかなように、表示データに基づ
く階調電圧Vs (1,1)〜Vs (m,n)の極性反転
が不要である。
ータ線X1 〜Xm+1 に供給される液晶駆動信号VX1 〜
VXm+1 の波形から明らかなように、表示データに基づ
く階調電圧Vs (1,1)〜Vs (m,n)の極性反転
が不要である。
【0073】なお、対向電極C(1,1)〜C(m,
n)は、それぞれ1表示ドットを構成する2つの画素電
極P(1,1)〜P(m,2n)上の液晶層23を、電気的
に直列接続するものであり、駆動電圧は供給しない。
n)は、それぞれ1表示ドットを構成する2つの画素電
極P(1,1)〜P(m,2n)上の液晶層23を、電気的
に直列接続するものであり、駆動電圧は供給しない。
【0074】また、データ線X1 〜Xm+1 の駆動回路
は、図6に示すように、データ線X1〜Xm+1 に対応し
た多数の出力のうち、隣接する2つの出力について示し
ている。
は、図6に示すように、データ線X1〜Xm+1 に対応し
た多数の出力のうち、隣接する2つの出力について示し
ている。
【0075】そして、41は直並列変換回路で、この直並
列変換回路41は、水平スタート信号SYH、ドットクロ
ックCPHおよび直列状態の表示データを入力し、この
表示データを並列状態に変換する。また、42はストレー
ジ・レジスタで、このストレージ・レジスタ42は並列状
態に変換された表示データを蓄え、このストレージ・レ
ジスタ42から出力されるデジタル表示データをD/A変
換回路43でアナログ電圧による階調電圧に変換する。な
お、図6は、液晶表示装置のk番目とk+1番目の列を
駆動する部分を示している。
列変換回路41は、水平スタート信号SYH、ドットクロ
ックCPHおよび直列状態の表示データを入力し、この
表示データを並列状態に変換する。また、42はストレー
ジ・レジスタで、このストレージ・レジスタ42は並列状
態に変換された表示データを蓄え、このストレージ・レ
ジスタ42から出力されるデジタル表示データをD/A変
換回路43でアナログ電圧による階調電圧に変換する。な
お、図6は、液晶表示装置のk番目とk+1番目の列を
駆動する部分を示している。
【0076】また、44,45はそれぞれスイッチ回路で、
これらスイッチ回路44,45は、スイッチ素子441 ,442
およびスイッチ素子451 ,452 とインバータ443 および
インバータ453 を有しており、スイッチ制御信号Pc1ま
たはPc2によってオン・オフ制御され、D/A変換回路
43から出力される階調電圧Vs の一部をバイアス電圧V
b に置換させ、対応する出力端子OTk またはOTk+1
から対応するデータ線に出力し、これらスイッチ回路4
4,45はバイアス置換回路として機能する。
これらスイッチ回路44,45は、スイッチ素子441 ,442
およびスイッチ素子451 ,452 とインバータ443 および
インバータ453 を有しており、スイッチ制御信号Pc1ま
たはPc2によってオン・オフ制御され、D/A変換回路
43から出力される階調電圧Vs の一部をバイアス電圧V
b に置換させ、対応する出力端子OTk またはOTk+1
から対応するデータ線に出力し、これらスイッチ回路4
4,45はバイアス置換回路として機能する。
【0077】さらに、46は表示データ遅延回路で、この
表示データ遅延回路46は図示しない表示信号源からの表
示データDDおよびドットクロックCPHを入力し、表
示データDDを1表示ドット分遅延させ、47は表示デー
タ切換回路で、この表示データ切換回路47は表示データ
遅延回路46によって1表示ドット分遅延された表示デー
タと遅延されていない表示データとを入力し、表示デー
タ切換え信号FPに従って、表示データのいずれかを交
互に選択し、直並列変換回路41に出力する。
表示データ遅延回路46は図示しない表示信号源からの表
示データDDおよびドットクロックCPHを入力し、表
示データDDを1表示ドット分遅延させ、47は表示デー
タ切換回路で、この表示データ切換回路47は表示データ
遅延回路46によって1表示ドット分遅延された表示デー
タと遅延されていない表示データとを入力し、表示デー
タ切換え信号FPに従って、表示データのいずれかを交
互に選択し、直並列変換回路41に出力する。
【0078】図7(a)は、図6に示す回路の動作を示
し、VPは垂直同期信号で、この垂直同期信号VPはフ
レーム期間Tv(o)、Tv(e)を規定し、HPは水平同期信
号で、この水平同期信号HPは水平走査期間Thpを規定
する。また、DD/Vは表示データで、一般には色および
階調ビット並列のデータであるが、1つの波形で代表さ
せて垂直走査期間にわたる行単位のデータ(L−1)〜
(L−n)の形で表している。すなわち、水平走査期間
Thpはこの表示データDD/Vの水平走査の期間である。
し、VPは垂直同期信号で、この垂直同期信号VPはフ
レーム期間Tv(o)、Tv(e)を規定し、HPは水平同期信
号で、この水平同期信号HPは水平走査期間Thpを規定
する。また、DD/Vは表示データで、一般には色および
階調ビット並列のデータであるが、1つの波形で代表さ
せて垂直走査期間にわたる行単位のデータ(L−1)〜
(L−n)の形で表している。すなわち、水平走査期間
Thpはこの表示データDD/Vの水平走査の期間である。
【0079】また、CPVはアドレス信号シフトクロッ
クで、このアドレス信号シフトクロックCVPは水平走
査期間Thpの半分の周期に設定されており、アドレス信
号VY1 ,VY2 ,・・,VY2n+1のシフトに用いられ
る。すなわち、アドレス信号VY1 ,VY2 ,・・,V
Y2n+1は、表示データDD/Vの持つ水平走査期間Thpに
概略等しい高電位側の選択期間を有し、アドレス信号シ
フトクロックCPVによって順次水平走査期間Tph/2
ずつシフトされ、図5における書き込み走査信号と同様
である。なお、これらはデータ線駆動回路の動作タイミ
ングの参照信号であり、データ線駆動回路における信号
波形ではない。
クで、このアドレス信号シフトクロックCVPは水平走
査期間Thpの半分の周期に設定されており、アドレス信
号VY1 ,VY2 ,・・,VY2n+1のシフトに用いられ
る。すなわち、アドレス信号VY1 ,VY2 ,・・,V
Y2n+1は、表示データDD/Vの持つ水平走査期間Thpに
概略等しい高電位側の選択期間を有し、アドレス信号シ
フトクロックCPVによって順次水平走査期間Tph/2
ずつシフトされ、図5における書き込み走査信号と同様
である。なお、これらはデータ線駆動回路の動作タイミ
ングの参照信号であり、データ線駆動回路における信号
波形ではない。
【0080】また、表示データ切換え信号FPは、図6
で示した表示データ切換回路47に入力され、フレーム期
間Tvp毎に反転して、直並列変換回路41に入力される表
示データを切り換える。LPはタイミング信号で、この
タイミング信号LPはアドレス信号シフトクロックCP
Vなどから生成され、水平走査期間Tph/2毎に論理反
転する。さらに、スイッチ制御信号Pc1,Pc2は、図6
で示したようにスイッチ回路44またはスイッチ回路45を
制御するもので、タイミング信号LPや表示データ切換
え信号FPなどから生成される。
で示した表示データ切換回路47に入力され、フレーム期
間Tvp毎に反転して、直並列変換回路41に入力される表
示データを切り換える。LPはタイミング信号で、この
タイミング信号LPはアドレス信号シフトクロックCP
Vなどから生成され、水平走査期間Tph/2毎に論理反
転する。さらに、スイッチ制御信号Pc1,Pc2は、図6
で示したようにスイッチ回路44またはスイッチ回路45を
制御するもので、タイミング信号LPや表示データ切換
え信号FPなどから生成される。
【0081】さらに、図7(b)は、図7(a)の横軸
(時間軸)を水平走査期間Thpに拡大した信号を示して
おり、図7(b)において、HPは水平同期信号と同様
で、DD/Hは表示信号DD/Vをドット単位に細分化して
示した表示データである。すなわち、図7(a)におけ
る表示データDD/Vは垂直走査期間Tvpにわたる行単位
のデータ(L−1)〜(L−n)として示したが、図7
(b)における表示データDD/Hは、任意の行jにおけ
る水平走査期間Thpにわたるドット単位のデータ(1,
j)〜(m,j)として示している。また、CPHは表
示データのドットクロックである。
(時間軸)を水平走査期間Thpに拡大した信号を示して
おり、図7(b)において、HPは水平同期信号と同様
で、DD/Hは表示信号DD/Vをドット単位に細分化して
示した表示データである。すなわち、図7(a)におけ
る表示データDD/Vは垂直走査期間Tvpにわたる行単位
のデータ(L−1)〜(L−n)として示したが、図7
(b)における表示データDD/Hは、任意の行jにおけ
る水平走査期間Thpにわたるドット単位のデータ(1,
j)〜(m,j)として示している。また、CPHは表
示データのドットクロックである。
【0082】これら表示データDD/Hおよびドットクロ
ックCPHは、前述のように図6の表示データ遅延回路
46に入力され、ここで1ドット分遅延される。すなわ
ち、表示データ遅延回路46の出力としては、図7(b)
で示す、1ドット分遅延された表示データDD/H(DL)が
得られる。
ックCPHは、前述のように図6の表示データ遅延回路
46に入力され、ここで1ドット分遅延される。すなわ
ち、表示データ遅延回路46の出力としては、図7(b)
で示す、1ドット分遅延された表示データDD/H(DL)が
得られる。
【0083】この遅延された表示データDD/H(DL)は、
遅延されない表示データDD/Hおよびフレーム期間Tvp
毎に論理反転する切換え制御信号FPとともに図6の表
示データ切換回路47に入力される。したがって、この表
示データ切換回路47からは、フレーム期間Tvp毎に切り
換えられる表示データDD/H,DD/H(DL)が交互に出力
される。
遅延されない表示データDD/Hおよびフレーム期間Tvp
毎に論理反転する切換え制御信号FPとともに図6の表
示データ切換回路47に入力される。したがって、この表
示データ切換回路47からは、フレーム期間Tvp毎に切り
換えられる表示データDD/H,DD/H(DL)が交互に出力
される。
【0084】この表示データDD/Hまたは表示データD
D/H(DL)はドットクロックCPHおよび水平スタート信
号STHとともに直並列変換回路41に供給され、並列デ
ータに変換された後、ストレージ・レジスタ42に蓄えら
れる。このストレージ・レジスタ42に蓄えられた表示デ
ータは、行毎に各表示ドットに対応した表示データとし
て読み出され、D/A変換回路43に供給される。
D/H(DL)はドットクロックCPHおよび水平スタート信
号STHとともに直並列変換回路41に供給され、並列デ
ータに変換された後、ストレージ・レジスタ42に蓄えら
れる。このストレージ・レジスタ42に蓄えられた表示デ
ータは、行毎に各表示ドットに対応した表示データとし
て読み出され、D/A変換回路43に供給される。
【0085】このD/A変換回路43は、液晶表示装置の
k番目とk+1番目の列に対応する部分を示しており、
出力としてデジタル表示データからアナログ電圧に変換
された階調信号DOk および階調信号DOk+1 が得られ
る。これら階調信号DOk および階調信号DOk+1 の階
調電圧Vs は一定ではなく、表示データに応じて多数の
電位をとる。
k番目とk+1番目の列に対応する部分を示しており、
出力としてデジタル表示データからアナログ電圧に変換
された階調信号DOk および階調信号DOk+1 が得られ
る。これら階調信号DOk および階調信号DOk+1 の階
調電圧Vs は一定ではなく、表示データに応じて多数の
電位をとる。
【0086】なお、基準電圧VR は、たとえば階調電圧
Vs の最小電位に設定する。また()内の数字はn行m
列の表示データを想定する際の個々の表示データの座標
(m,n)である。たとえば階調信号DOK の場合、奇
数フレーム期間Tvp(o) では、k列の表示データ(k,
1)〜(k,n)に基づく電圧であり、偶数フレーム期
間Tvp(e) では(k−1)列の表示データ(k−1,
1)〜(k−1,n)に基づく電圧である。
Vs の最小電位に設定する。また()内の数字はn行m
列の表示データを想定する際の個々の表示データの座標
(m,n)である。たとえば階調信号DOK の場合、奇
数フレーム期間Tvp(o) では、k列の表示データ(k,
1)〜(k,n)に基づく電圧であり、偶数フレーム期
間Tvp(e) では(k−1)列の表示データ(k−1,
1)〜(k−1,n)に基づく電圧である。
【0087】このように、偶数フレーム期間Tvp(e) で
は、奇数フレーム期間Tvp(o) より1番だけ若い番号の
列の表示データに基づく階調信号が、D/A変換回路43
の各出力として得られ、表示データ遅延回路46および表
示データ切換回路47の働きによる。
は、奇数フレーム期間Tvp(o) より1番だけ若い番号の
列の表示データに基づく階調信号が、D/A変換回路43
の各出力として得られ、表示データ遅延回路46および表
示データ切換回路47の働きによる。
【0088】このようにして得られた階調信号DOk お
よび階調信号DOk+1 は、それぞれ対応するスイッチ回
路44,45に供給され、これら階調信号DOk ,DOk+1
の一部がバイアス電圧Vb によって周期的に置換され
る。
よび階調信号DOk+1 は、それぞれ対応するスイッチ回
路44,45に供給され、これら階調信号DOk ,DOk+1
の一部がバイアス電圧Vb によって周期的に置換され
る。
【0089】すなわち、スイッチ回路44にはスイッチ制
御信号Pc1が供給されており、この信号Pc1の高電位期
間ではスイッチ素子441 が導通し、スイッチ素子442 が
非導通となり、出力端子OTk にはD/A変換回路43の
階調電圧Vs である出力信号DOk が出力される。一
方、スイッチ制御信号Pc1の低電位期間ではスイッチ素
子441 が非導通となり、スイッチ素子442 が導通するた
め、出力端子OTk には、各スイッチ回路44,45に共通
に入力されているバイアス電圧Vb が出力される。この
結果、出力端子OTk には図7(a)で示す液晶駆動信
号VXk が得られる。
御信号Pc1が供給されており、この信号Pc1の高電位期
間ではスイッチ素子441 が導通し、スイッチ素子442 が
非導通となり、出力端子OTk にはD/A変換回路43の
階調電圧Vs である出力信号DOk が出力される。一
方、スイッチ制御信号Pc1の低電位期間ではスイッチ素
子441 が非導通となり、スイッチ素子442 が導通するた
め、出力端子OTk には、各スイッチ回路44,45に共通
に入力されているバイアス電圧Vb が出力される。この
結果、出力端子OTk には図7(a)で示す液晶駆動信
号VXk が得られる。
【0090】また、スイッチ回路45にはスイッチ制御信
号Pc2が供給されており、スイッチ回路44におけるスイ
ッチ制御信号Pc1と同様の働きにより、スイッチ素子45
1 およびスイッチ素子442 の導通、非導通が制御され、
出力端子OTk+1 には図7(a)で示す液晶駆動信号V
Xk+1 が得られる。
号Pc2が供給されており、スイッチ回路44におけるスイ
ッチ制御信号Pc1と同様の働きにより、スイッチ素子45
1 およびスイッチ素子442 の導通、非導通が制御され、
出力端子OTk+1 には図7(a)で示す液晶駆動信号V
Xk+1 が得られる。
【0091】上記説明のように、スイッチ制御信号Pc1
は奇数番のデータ線に接続される出力回路のスイッチを
制御する信号であり、スイッチ制御信号Pc2は偶数番の
データ線に接続される出力回路のスイッチを制御する信
号である。
は奇数番のデータ線に接続される出力回路のスイッチを
制御する信号であり、スイッチ制御信号Pc2は偶数番の
データ線に接続される出力回路のスイッチを制御する信
号である。
【0092】このようにして、表示データに基づく階調
信号DOk ,DOk+1 の一部が所定のバイアス電圧Vb
で周期的に置換された形のデータ線駆動信号を得ること
ができる。
信号DOk ,DOk+1 の一部が所定のバイアス電圧Vb
で周期的に置換された形のデータ線駆動信号を得ること
ができる。
【0093】また、この駆動回路では、表示データに基
づくアナログの階調電圧Vs を極性反転しないため、回
路構成が簡単になる。
づくアナログの階調電圧Vs を極性反転しないため、回
路構成が簡単になる。
【0094】なお、図6で示したD/A変換回路43につ
いては、種々の方式のものが適用できる。
いては、種々の方式のものが適用できる。
【0095】図8はアクティブマトリクス形液晶表示装
置を用いた液晶表示システムを示し、アクティブマトリ
クス形の液晶表示装置51で、図1ないし図4に示したよ
うに、マトリクスアレイ基板21と、対向電極基板22とを
有し、これらマトリクスアレイ基板21および対向電極基
板22の間に液晶を挟持して液晶層23を形成したものであ
る。
置を用いた液晶表示システムを示し、アクティブマトリ
クス形の液晶表示装置51で、図1ないし図4に示したよ
うに、マトリクスアレイ基板21と、対向電極基板22とを
有し、これらマトリクスアレイ基板21および対向電極基
板22の間に液晶を挟持して液晶層23を形成したものであ
る。
【0096】また、52はアドレス線駆動回路で、このア
ドレス線駆動回路52はマトリクスアレイ基板21に配列さ
れた各アドレス線Y1 〜Y2n+1に対し、書き込み走査信
号VY1 〜VY2n+1を供給する。この書き込み走査信号
VY1 〜VY2n+1は、図7で説明したように、表示デー
タDD/Vの水平走査期間Thpに概略等しい選択期間を有
し、水平走査期間Thp/2毎に次のアドレス線Y1 〜Y
2n+1に順次シフトされる。
ドレス線駆動回路52はマトリクスアレイ基板21に配列さ
れた各アドレス線Y1 〜Y2n+1に対し、書き込み走査信
号VY1 〜VY2n+1を供給する。この書き込み走査信号
VY1 〜VY2n+1は、図7で説明したように、表示デー
タDD/Vの水平走査期間Thpに概略等しい選択期間を有
し、水平走査期間Thp/2毎に次のアドレス線Y1 〜Y
2n+1に順次シフトされる。
【0097】さらに、53はデータ線駆動回路で、このデ
ータ線駆動回路53はマトリクスアレイ基板21に配列され
た各データ線X1 〜Xm+1 に対し、図5および図7で説
明したように、表示データに基づく階調電圧Vs と所定
の電位を有するバイアス電圧Vb とを所定の順序で供給
する。
ータ線駆動回路53はマトリクスアレイ基板21に配列され
た各データ線X1 〜Xm+1 に対し、図5および図7で説
明したように、表示データに基づく階調電圧Vs と所定
の電位を有するバイアス電圧Vb とを所定の順序で供給
する。
【0098】そして、アドレス線駆動回路52およびデー
タ線駆動回路53の動作は制御回路54で制御され、表示信
号源55で液晶表示装置51に表示する表示データを発生す
る。また、56は電圧調整手段で、この電圧調整手段56は
バイアス電圧Vb の入力端子57を有し、データ線X1 〜
Xm+1 に供給されるバイアス電圧Vb の値を調整する。
タ線駆動回路53の動作は制御回路54で制御され、表示信
号源55で液晶表示装置51に表示する表示データを発生す
る。また、56は電圧調整手段で、この電圧調整手段56は
バイアス電圧Vb の入力端子57を有し、データ線X1 〜
Xm+1 に供給されるバイアス電圧Vb の値を調整する。
【0099】なお、液晶表示装置51は、マトリクスアレ
イ基板21を有するが、このマトリクスアレイ基板21上に
は、図1で示したように複数の行および列を有するマト
リクス状に配列された複数の画素電極P(1,1)〜P
(m,2n)が設けられており、行方向に沿って複数のア
ドレス線Y1 〜Y2n+1が、また、列方向に沿って複数の
データ線X1 〜Xm+1 がそれぞれ設けられている。さら
に、複数の画素電極P(1,1)〜P(m,2n)毎に薄
膜トランジスタT(1,1)〜T(m,2n)が設けら
れ、ゲート電極25は対応するアドレス線Y1 〜Y2n+1に
接続され、また、ソース電極30およびドレイン電極31間
は対応する画素電極P(1,1)〜P(m,2n)とデー
タ線X1 〜Xm+1 との間に接続されている。
イ基板21を有するが、このマトリクスアレイ基板21上に
は、図1で示したように複数の行および列を有するマト
リクス状に配列された複数の画素電極P(1,1)〜P
(m,2n)が設けられており、行方向に沿って複数のア
ドレス線Y1 〜Y2n+1が、また、列方向に沿って複数の
データ線X1 〜Xm+1 がそれぞれ設けられている。さら
に、複数の画素電極P(1,1)〜P(m,2n)毎に薄
膜トランジスタT(1,1)〜T(m,2n)が設けら
れ、ゲート電極25は対応するアドレス線Y1 〜Y2n+1に
接続され、また、ソース電極30およびドレイン電極31間
は対応する画素電極P(1,1)〜P(m,2n)とデー
タ線X1 〜Xm+1 との間に接続されている。
【0100】また、対向電極基板22には、対向電極C
(1,1)〜C(m,n)が設けられており、マトリク
スアレイ基板21との間には液晶が挟持され、液晶層23が
形成されている。
(1,1)〜C(m,n)が設けられており、マトリク
スアレイ基板21との間には液晶が挟持され、液晶層23が
形成されている。
【0101】これら複数の画素電極P(1,1)〜P
(m,2n)、対応する複数の薄膜トランジスタT(1,
1)〜T(m,2n)、複数のアドレス線Y1 ,〜Y2n+1
および複数のデータ線X1 〜Xm+1 の接続関係は図1の
通りであり、同じ列の隣接する奇数行と偶数行に属する
2つの画素電極P(1,1)〜P(m,2n)間で液晶層
23の液晶を交流駆動し1表示ドットとしている。
(m,2n)、対応する複数の薄膜トランジスタT(1,
1)〜T(m,2n)、複数のアドレス線Y1 ,〜Y2n+1
および複数のデータ線X1 〜Xm+1 の接続関係は図1の
通りであり、同じ列の隣接する奇数行と偶数行に属する
2つの画素電極P(1,1)〜P(m,2n)間で液晶層
23の液晶を交流駆動し1表示ドットとしている。
【0102】さらに、図8に示す液晶表示システムで
は、表示信号源55から表示データ551および同期信号55
2 が制御回路54に供給される。そして、制御回路54で
は、同期信号552 に基づいてアドレス線駆動回路52およ
びデータ線駆動回路53の動作を制御するタイミング信号
を発生したり、データ線駆動回路53の信号入力仕様に基
づいた表示データ551 が処理される。そして、アドレス
線駆動回路52にタイミング信号541 を供給し、データ線
駆動回路53にタイミング信号542 および表示データ543
をそれぞれ供給する。
は、表示信号源55から表示データ551および同期信号55
2 が制御回路54に供給される。そして、制御回路54で
は、同期信号552 に基づいてアドレス線駆動回路52およ
びデータ線駆動回路53の動作を制御するタイミング信号
を発生したり、データ線駆動回路53の信号入力仕様に基
づいた表示データ551 が処理される。そして、アドレス
線駆動回路52にタイミング信号541 を供給し、データ線
駆動回路53にタイミング信号542 および表示データ543
をそれぞれ供給する。
【0103】また、アドレス線駆動回路52は、タイミン
グ信号541 に基づき、書き込み走査信号VY1 〜VY2n
+1を、マトリクスアレイ基板21に配列された対応するア
ドレス線Y1 〜Y2n+1に供給する。これら書き込み走査
信号VY1 〜VY2n+1は、図7を用いて前述したよう
に、表示データの有する水平走査期間Thpに概略等しい
選択期間を有し、水平走査期間Thp/2ずつ次のアドレ
ス線Y1 〜Y2n+1にシフトされる。
グ信号541 に基づき、書き込み走査信号VY1 〜VY2n
+1を、マトリクスアレイ基板21に配列された対応するア
ドレス線Y1 〜Y2n+1に供給する。これら書き込み走査
信号VY1 〜VY2n+1は、図7を用いて前述したよう
に、表示データの有する水平走査期間Thpに概略等しい
選択期間を有し、水平走査期間Thp/2ずつ次のアドレ
ス線Y1 〜Y2n+1にシフトされる。
【0104】さらに、データ線駆動回路53は、タイミン
グ信号542 および表示データ543 を入力することによ
り、図6で説明した各機能により、1フレーム期間Tvp
おきに表示データ543 、図7(b)に示す表示データD
D/Hに対して1ドット遅延処理し、これら表示データを
直並列変換およびD/A変換して、各表示ドットの輝度
に対応した階調電圧Vs を生成する。そして、この階調
電圧Vs と所定のバイアス電圧Vb とを、所定の順序で
対応するデータ線X1 〜Xm+1 に供給する。
グ信号542 および表示データ543 を入力することによ
り、図6で説明した各機能により、1フレーム期間Tvp
おきに表示データ543 、図7(b)に示す表示データD
D/Hに対して1ドット遅延処理し、これら表示データを
直並列変換およびD/A変換して、各表示ドットの輝度
に対応した階調電圧Vs を生成する。そして、この階調
電圧Vs と所定のバイアス電圧Vb とを、所定の順序で
対応するデータ線X1 〜Xm+1 に供給する。
【0105】このようにして各データ線X1 〜Xm+1 に
供給されたこれらの階調電圧Vs およびバイアス電圧V
b は、各アドレス線Y1 〜Y2n+1に供給される書き込み
走査信号VY1 〜VY2n+1により、図3で示したよう
に、それぞれの画素電極P(1,1)〜P(m,2n)に
書き込まれて表示される。
供給されたこれらの階調電圧Vs およびバイアス電圧V
b は、各アドレス線Y1 〜Y2n+1に供給される書き込み
走査信号VY1 〜VY2n+1により、図3で示したよう
に、それぞれの画素電極P(1,1)〜P(m,2n)に
書き込まれて表示される。
【0106】この液晶表示システムでは、液晶表示装置
51の対向電極C(1,1)〜C(m,n)を駆動する必
要はないので、対向電極駆動回路を除去できる。
51の対向電極C(1,1)〜C(m,n)を駆動する必
要はないので、対向電極駆動回路を除去できる。
【0107】ここで、図8のシステム構成では、バイア
ス電圧Vb が、バイアス電圧の入力端子57から電圧調整
手段56を介してデータ線駆動回路53に供給される構成で
あり、このように電圧調整機能を備えておくことによ
り、最適表示状態のへの設定が容易になる。
ス電圧Vb が、バイアス電圧の入力端子57から電圧調整
手段56を介してデータ線駆動回路53に供給される構成で
あり、このように電圧調整機能を備えておくことによ
り、最適表示状態のへの設定が容易になる。
【0108】
【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス形液晶表
示装置によれば、隣接する2行の画素電極にそれぞれ接
続された隣接する薄膜トランジスタは、一方の行の偶数
列に属する薄膜トランジスタのゲートと他方の行の奇数
列に属する薄膜トランジスタのゲートとが同一のアドレ
ス線に接続され、隣接する2列の画素電極にそれぞれ接
続された隣接する薄膜トランジスタは、双方の列の偶数
行に属する薄膜トランジスタのソースおよびドレインの
いずれか一方が接続されたデータ線と奇数行に属する薄
膜トランジスタのソースおよびドレインのいずれか一方
が接続されたデータ線とが交互に設けられ、同じ列の隣
接する奇数行および偶数行に属する2つの画素電極間で
液晶を交流駆動し、これら画素電極を1表示ドットとし
て2つの画素電極間で液晶を駆動するので、画素電位シ
フトが画素電極間で相殺され、液晶への直流電圧印加が
なくなり、フリッカや焼付きを防止して高品位に表示で
き、液晶駆動信号の極性反転が不要であり、駆動回路を
簡単にでき、対向電極を駆動する必要がないため、対向
電極駆動回路をなくすことができ、低消費電力化および
低価格化を図ることができる。
示装置によれば、隣接する2行の画素電極にそれぞれ接
続された隣接する薄膜トランジスタは、一方の行の偶数
列に属する薄膜トランジスタのゲートと他方の行の奇数
列に属する薄膜トランジスタのゲートとが同一のアドレ
ス線に接続され、隣接する2列の画素電極にそれぞれ接
続された隣接する薄膜トランジスタは、双方の列の偶数
行に属する薄膜トランジスタのソースおよびドレインの
いずれか一方が接続されたデータ線と奇数行に属する薄
膜トランジスタのソースおよびドレインのいずれか一方
が接続されたデータ線とが交互に設けられ、同じ列の隣
接する奇数行および偶数行に属する2つの画素電極間で
液晶を交流駆動し、これら画素電極を1表示ドットとし
て2つの画素電極間で液晶を駆動するので、画素電位シ
フトが画素電極間で相殺され、液晶への直流電圧印加が
なくなり、フリッカや焼付きを防止して高品位に表示で
き、液晶駆動信号の極性反転が不要であり、駆動回路を
簡単にでき、対向電極を駆動する必要がないため、対向
電極駆動回路をなくすことができ、低消費電力化および
低価格化を図ることができる。
【0109】また、本発明のアクティブマトリクス形液
晶表示装置の駆動方法によれば、隣接する2行の画素電
極にそれぞれ接続された隣接する薄膜トランジスタは、
一方の行の偶数列に属する薄膜トランジスタのゲートと
他方の行の奇数列に属する薄膜トランジスタのゲートと
が同一のアドレス線に接続され、隣接する2列の画素電
極にそれぞれ接続された隣接する薄膜トランジスタは、
双方の列の偶数行に属する薄膜トランジスタのソースお
よびドレインのいずれか一方が接続されたデータ線と奇
数行に属する薄膜トランジスタのソースおよびドレイン
のいずれか一方が接続されたデータ線とが交互に設けら
れ、同じ列の隣接する奇数行および偶数行に属する2つ
の画素電極間で液晶を交流駆動し、これら画素電極を1
表示ドットとして2つの画素電極間で液晶を駆動し、一
方の画素電極に表示データに基づく階調電圧を、他方の
画素電極に所定のバイアス電圧をそれぞれ同時に書き込
み、これら階調電圧およびバイアス電圧を2つの画素電
極に対してフレーム期間毎に交互に入れ替えるので、画
素電位シフトが画素電極間で相殺され、液晶への直流電
圧印加がなくなり、フリッカや焼付きを防止して高品位
に表示でき、液晶駆動信号の極性反転が不要であり、駆
動回路を簡単にでき、対向電極を駆動する必要がないた
め、対向電極駆動回路をなくすことができ、低消費電力
化および低価格化を図ることができる。
晶表示装置の駆動方法によれば、隣接する2行の画素電
極にそれぞれ接続された隣接する薄膜トランジスタは、
一方の行の偶数列に属する薄膜トランジスタのゲートと
他方の行の奇数列に属する薄膜トランジスタのゲートと
が同一のアドレス線に接続され、隣接する2列の画素電
極にそれぞれ接続された隣接する薄膜トランジスタは、
双方の列の偶数行に属する薄膜トランジスタのソースお
よびドレインのいずれか一方が接続されたデータ線と奇
数行に属する薄膜トランジスタのソースおよびドレイン
のいずれか一方が接続されたデータ線とが交互に設けら
れ、同じ列の隣接する奇数行および偶数行に属する2つ
の画素電極間で液晶を交流駆動し、これら画素電極を1
表示ドットとして2つの画素電極間で液晶を駆動し、一
方の画素電極に表示データに基づく階調電圧を、他方の
画素電極に所定のバイアス電圧をそれぞれ同時に書き込
み、これら階調電圧およびバイアス電圧を2つの画素電
極に対してフレーム期間毎に交互に入れ替えるので、画
素電位シフトが画素電極間で相殺され、液晶への直流電
圧印加がなくなり、フリッカや焼付きを防止して高品位
に表示でき、液晶駆動信号の極性反転が不要であり、駆
動回路を簡単にでき、対向電極を駆動する必要がないた
め、対向電極駆動回路をなくすことができ、低消費電力
化および低価格化を図ることができる。
【0110】さらに、本発明のアクティブマトリクス形
液晶表示装置の駆動回路によれば、隣接する2行の画素
電極にそれぞれ接続された隣接する薄膜トランジスタ
は、一方の行の偶数列に属する薄膜トランジスタのゲー
トと他方の行の奇数列に属する薄膜トランジスタのゲー
トとが同一のアドレス線に接続され、隣接する2列の画
素電極にそれぞれ接続された隣接する薄膜トランジスタ
は、双方の列の偶数行に属する薄膜トランジスタのソー
スおよびドレインのいずれか一方が接続されたデータ線
と奇数行に属する薄膜トランジスタのソースおよびドレ
インのいずれか一方が接続されたデータ線とが交互に設
けられ、同じ列の隣接する奇数行および偶数行に属する
2つの画素電極間で液晶を交流駆動し、これら画素電極
を1表示ドットとして2つの画素電極間で液晶を駆動
し、行単位分、順次直列に入力される表示データに対し
て、遅延回路で1表示ドット分に相当する遅延を与え、
表示データ切換回路で遅延回路によって遅延された表示
データと遅延されていない表示データとをフレーム期間
毎に切り換えて直並列変換回路に供給し、バイアス置換
回路で直並列変換回路によって並列状態に変換された表
示データに基づいて生成出力されるデータ線駆動用の階
調電圧の一部を所定のバイアス電圧で周期的に置換する
ので、画素電位シフトが画素電極間で相殺され、液晶へ
の直流電圧印加がなくなり、フリッカや焼付きを防止し
て高品位に表示でき、液晶駆動信号の極性反転が不要で
あり、駆動回路を簡単にでき、対向電極を駆動する必要
がないため、対向電極駆動回路をなくすことができ、低
消費電力化および低価格化を図ることができる。
液晶表示装置の駆動回路によれば、隣接する2行の画素
電極にそれぞれ接続された隣接する薄膜トランジスタ
は、一方の行の偶数列に属する薄膜トランジスタのゲー
トと他方の行の奇数列に属する薄膜トランジスタのゲー
トとが同一のアドレス線に接続され、隣接する2列の画
素電極にそれぞれ接続された隣接する薄膜トランジスタ
は、双方の列の偶数行に属する薄膜トランジスタのソー
スおよびドレインのいずれか一方が接続されたデータ線
と奇数行に属する薄膜トランジスタのソースおよびドレ
インのいずれか一方が接続されたデータ線とが交互に設
けられ、同じ列の隣接する奇数行および偶数行に属する
2つの画素電極間で液晶を交流駆動し、これら画素電極
を1表示ドットとして2つの画素電極間で液晶を駆動
し、行単位分、順次直列に入力される表示データに対し
て、遅延回路で1表示ドット分に相当する遅延を与え、
表示データ切換回路で遅延回路によって遅延された表示
データと遅延されていない表示データとをフレーム期間
毎に切り換えて直並列変換回路に供給し、バイアス置換
回路で直並列変換回路によって並列状態に変換された表
示データに基づいて生成出力されるデータ線駆動用の階
調電圧の一部を所定のバイアス電圧で周期的に置換する
ので、画素電位シフトが画素電極間で相殺され、液晶へ
の直流電圧印加がなくなり、フリッカや焼付きを防止し
て高品位に表示でき、液晶駆動信号の極性反転が不要で
あり、駆動回路を簡単にでき、対向電極を駆動する必要
がないため、対向電極駆動回路をなくすことができ、低
消費電力化および低価格化を図ることができる。
【0111】またさらに、本発明の液晶表示システムに
よれば、隣接する2行の画素電極にそれぞれ接続された
隣接する薄膜トランジスタは、一方の行の偶数列に属す
る薄膜トランジスタのゲートと他方の行の奇数列に属す
る薄膜トランジスタのゲートとが同一のアドレス線に接
続され、隣接する2列の画素電極にそれぞれ接続された
隣接する薄膜トランジスタは、双方の列の偶数行に属す
る薄膜トランジスタのソースおよびドレインのいずれか
一方が接続されたデータ線と奇数行に属する薄膜トラン
ジスタのソースおよびドレインのいずれか一方が接続さ
れたデータ線とが交互に設けられ、同じ列の隣接する奇
数行および偶数行に属する2つの画素電極間で液晶を交
流駆動し、これら画素電極を1表示ドットとして2つの
画素電極間で液晶を駆動し、各アドレス線に対し、表示
データの持つ水平走査期間に概略等しい選択期間を有
し、アドレス線駆動回路で水平走査期間の1/2毎に次
のアドレス線に順次シフトされる書き込み走査信号を供
給し、データ線駆動回路で各データ線に表示データに基
づく階調電圧と所定の電位を有するバイアス電圧とを所
定の順序で供給し、制御回路でアドレス線駆動回路およ
びデータ線駆動回路の動作を制御するので、画素電位シ
フトが画素電極間で相殺され、液晶への直流電圧印加が
なくなり、フリッカや焼付きを防止して高品位に表示で
き、液晶駆動信号の極性反転が不要であり、駆動回路を
簡単にでき、対向電極を駆動する必要がないため、対向
電極駆動回路をなくすことができ、低消費電力化および
低価格化を図ることができる。
よれば、隣接する2行の画素電極にそれぞれ接続された
隣接する薄膜トランジスタは、一方の行の偶数列に属す
る薄膜トランジスタのゲートと他方の行の奇数列に属す
る薄膜トランジスタのゲートとが同一のアドレス線に接
続され、隣接する2列の画素電極にそれぞれ接続された
隣接する薄膜トランジスタは、双方の列の偶数行に属す
る薄膜トランジスタのソースおよびドレインのいずれか
一方が接続されたデータ線と奇数行に属する薄膜トラン
ジスタのソースおよびドレインのいずれか一方が接続さ
れたデータ線とが交互に設けられ、同じ列の隣接する奇
数行および偶数行に属する2つの画素電極間で液晶を交
流駆動し、これら画素電極を1表示ドットとして2つの
画素電極間で液晶を駆動し、各アドレス線に対し、表示
データの持つ水平走査期間に概略等しい選択期間を有
し、アドレス線駆動回路で水平走査期間の1/2毎に次
のアドレス線に順次シフトされる書き込み走査信号を供
給し、データ線駆動回路で各データ線に表示データに基
づく階調電圧と所定の電位を有するバイアス電圧とを所
定の順序で供給し、制御回路でアドレス線駆動回路およ
びデータ線駆動回路の動作を制御するので、画素電位シ
フトが画素電極間で相殺され、液晶への直流電圧印加が
なくなり、フリッカや焼付きを防止して高品位に表示で
き、液晶駆動信号の極性反転が不要であり、駆動回路を
簡単にでき、対向電極を駆動する必要がないため、対向
電極駆動回路をなくすことができ、低消費電力化および
低価格化を図ることができる。
【図1】本発明のアクティブマトリクス形液晶表示装置
の一実施の形態のマトリクスアレイ基板の構成を示す等
価回路図である。
の一実施の形態のマトリクスアレイ基板の構成を示す等
価回路図である。
【図2】同上アクティブマトリクス形液晶表示装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図3】同上画素電極への液晶駆動信号の書き込み状態
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図4】同上表示ドットを構成する2つの画素電極と対
向電極および液晶との関係を電界とともに示す断面図で
ある。
向電極および液晶との関係を電界とともに示す断面図で
ある。
【図5】同上アクティブマトリクス形液晶表示装置の駆
動方法を示す波形図である。
動方法を示す波形図である。
【図6】同上アクティブマトリクス形液晶表示装置の駆
動回路を示す構成図である。
動回路を示す構成図である。
【図7】同上動作を説明する波形図である。
【図8】同上液晶表示システムを示す構成図である。
【図9】従来例のアクティブマトリクス形液晶表示装置
のマトリクスアレイ基板の構成を示す等価回路図であ
る。
のマトリクスアレイ基板の構成を示す等価回路図であ
る。
【図10】同上1画素の等価回路図である。
【図11】同上動作を説明する電位図である。
21 第1の透光性基板としてのマトリクスアレイ基板 22 第2の透光性基板としての対向電極基板 23 液晶層 25 ゲート電極 30 ソース電極 31 ドレイン電極 41 直並列変換回路 44,45 バイアス置換回路としてのスイッチ回路 46 表示データ遅延回路 47 表示データ切換回路 51 液晶表示装置 52 アドレス線駆動回路 53 データ線駆動回路 54 制御回路 56 電圧調整手段 P(1,1)〜P(m,2n) 画素電極 T(1,1)〜T(m,2n) 薄膜トランジスタ X1 〜Xm+1 データ線 Y1 〜Y2n+1 アドレス線 C(1,1)〜C(m,2n) 対向電極 VX1 〜VXm+1 液晶駆動信号
Claims (13)
- 【請求項1】 複数の行および列を有するマトリクス状
に配列された複数の画素電極、これら複数の画素電極の
行方向に沿ってそれぞれ設けられた複数のアドレス線、
前記複数の画素電極の列方向に沿ってそれぞれ設けられ
た複数のデータ線、および、前記複数の画素電極毎に設
けられ、ゲートは対応するアドレス線に接続されるとと
もにソースおよびドレインは対応する画素電極およびデ
ータ線間に接続された薄膜トランジスタを有する第1の
透光性基板と、この第1の透光性基板に対向し対向電極
を有する第2の透光性基板と、これら第1の透光性基板
および第2の透光性基板間に挟持された液晶とを具備し
たアクティブマトリクス形液晶表示装置において、 隣接する2行の画素電極にそれぞれ接続された隣接する
薄膜トランジスタは、一方の行の偶数列に属する薄膜ト
ランジスタのゲートと他方の行の奇数列に属する薄膜ト
ランジスタのゲートとが同一のアドレス線に接続され、 隣接する2列の画素電極にそれぞれ接続された隣接する
薄膜トランジスタは、双方の列の偶数行に属する薄膜ト
ランジスタのソースおよびドレインのいずれか一方が接
続されたデータ線と奇数行に属する薄膜トランジスタの
ソースおよびドレインのいずれか一方が接続されたデー
タ線とが交互に設けられ、 同じ列の隣接する奇数行および偶数行に属する2つの画
素電極間で前記液晶を交流駆動し、これら画素電極を1
表示ドットとすることを特徴とするアクティブマトリク
ス形液晶表示装置。 - 【請求項2】 対向電極は、1表示ドット単位に分割さ
れていることを特徴とする請求項1記載のアクティブマ
トリクス形液晶表示装置。 - 【請求項3】 nおよびmを正の整数として、2n行m
列に画素電極を配列し、2n+1本のアドレス線および
m+1本のデータ線を設けたことを特徴とする請求項1
または2記載のアクティブマトリクス形液晶表示装置。 - 【請求項4】 各列毎の画素電極に対しては、その列の
両側の各1本のデータ線のうち、各行毎に交互に接続さ
れたものから供給される液晶駆動信号が書き込まれるこ
とを特徴とする請求項1ないし3いずれか記載のアクテ
ィブマトリクス形液晶表示装置。 - 【請求項5】 複数の行および列を有するマトリクス状
に配列された複数の画素電極、これら複数の画素電極の
行方向に沿ってそれぞれ設けられた複数のアドレス線、
前記複数の画素電極の列方向に沿ってそれぞれ設けられ
た複数のデータ線、および、前記複数の画素電極毎に設
けられ、ゲートは対応するアドレス線に接続されるとと
もにソースおよびドレインは対応する画素電極およびデ
ータ線間に接続された薄膜トランジスタを有する第1の
透光性基板と、この第1の透光性基板に対向し対向電極
を有する第2の透光性基板と、これら第1および第2の
透光性基板間に挟持された液晶とを備え、 隣接する2行の画素電極にそれぞれ接続された隣接する
薄膜トランジスタは、一方の行の偶数列に属する薄膜ト
ランジスタのゲートと他方の行の奇数列に属する薄膜ト
ランジスタのゲートとが同一のアドレス線に接続され、
隣接する2列の画素電極にそれぞれ接続された隣接する
薄膜トランジスタは、双方の列の偶数行に属する薄膜ト
ランジスタのソースおよびドレインのいずれか一方が接
続されたデータ線と奇数行に属する薄膜トランジスタの
ソースおよびドレインのいずれか一方が接続されたデー
タ線とが交互に設けられ、同じ列の隣接する奇数行およ
び偶数行に属する2つの画素電極間で前記液晶を交流駆
動し、これら画素電極を1表示ドットとするアクティブ
マトリクス形液晶表示装置の駆動方法であって、 前記1表示ドットを構成する2つの画素電極に対し、一
方の画素電極に表示データに基づく階調電圧を、他方の
画素電極に所定のバイアス電圧をそれぞれ同時に書き込
み、これら階調電圧およびバイアス電圧を前記2つの画
素電極に対してフレーム期間毎に交互に入れ替えること
を特徴とするアクティブマトリクス形液晶表示装置の駆
動方法。 - 【請求項6】 画素電極への階調電圧およびバイアス電
圧の書込みパターンは、行および列のいずれの方向に対
しても交互であることを特徴とする請求項5記載のアク
ティブマトリクス形液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項7】 各データ線に供給され、このデータ線の
両側の各1列の画素電極に書き込まれる階調電圧は、フ
レーム期間毎に隣接するデータ線と交互にシフトされて
供給されることを特徴とする請求項5または6記載のア
クティブマトリクス形液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項8】 複数のアドレス線を同時に2本選択し、
この選択状態が順次1本ずつシフトする書き込み走査信
号を供給するとともに、複数のデータ線に対し、前記書
き込み走査信号に同期して、階調電圧とバイアス電圧と
が交互に設定された液晶駆動信号を並列的に供給するこ
とを特徴とする請求項5ないし7記載のアクティブマト
リクス形液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項9】 書込み走査信号は、表示データの持つ水
平走査期間に概略等しい選択期間を有し、シフトは水平
走査期間の1/2毎に順次行なわれ、液晶駆動信号は水
平走査期間の1/2毎に階調電圧とバイアス電圧とが交
互に設定されることを特徴とする請求項8記載のアクテ
ィブマトリクス形液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項10】 液晶駆動信号は、隣接する2本のデー
タ線の一方に階調電圧が供給されている期間には他方に
バイアス電圧が供給されており、これらの階調電圧およ
びバイアス電圧が供給されるタイミングは、フレーム期
間毎に、表示データの持つ水平走査期間の前半の1/2
と後半の1/2との間で切り替わるように設定したこと
を特徴とする請求項7ないし9いずれか記載のアクティ
ブマトリクス形液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項11】 複数の行および列を有するマトリクス
状に配列された複数の画素電極、これら複数の画素電極
の行方向に沿ってそれぞれ設けられた複数のアドレス
線、前記複数の画素電極の列方向に沿ってそれぞれ設け
られた複数のデータ線、および、前記複数の画素電極毎
に設けられ、ゲートは対応するアドレス線に接続される
とともにソースおよびドレインは対応する画素電極およ
びデータ線間に接続された薄膜トランジスタを有する第
1の透光性基板と、この第1の透光性基板に対向し対向
電極を有する第2の透光性基板と、これら第1の透光性
基板および第2の透光性基板間に挟持された液晶とを備
え、隣接する2行の画素電極にそれぞれ接続された隣接
する薄膜トランジスタは、一方の行の偶数列に属する薄
膜トランジスタのゲートと他方の行の奇数列に属する薄
膜トランジスタのゲートとが同一のアドレス線に接続さ
れ、隣接する2列の画素電極にそれぞれ接続された隣接
する薄膜トランジスタは、双方の列の偶数行に属する薄
膜トランジスタのソースおよびドレインのいずれか一方
が接続されたデータ線と奇数行に属する薄膜トランジス
タのソースおよびドレインのいずれか一方が接続された
データ線とが交互に設けられ、同じ列の隣接する奇数行
および偶数行に属する2つの画素電極間で前記液晶を交
流駆動し、これら画素電極を1表示ドットとするアクテ
ィブマトリクス形液晶表示装置の駆動回路であって、 直並列変換回路と、 行単位分、順次直列に入力される表示データに対して、
1表示ドット分に相当する遅延を与える遅延回路と、 この遅延回路によって遅延された表示データと遅延され
ていない表示データとをフレーム期間毎に切り換えて前
記直並列変換回路に供給する表示データ切換回路と、 前記直並列変換回路によって並列状態に変換された表示
データに基づいて生成出力されるデータ線駆動用の階調
電圧の一部を所定のバイアス電圧で周期的に置換するバ
イアス置換回路とを具備したことを特徴とするアクティ
ブマトリクス形液晶表示装置の駆動回路。 - 【請求項12】 複数の行および列を有するマトリクス
状に配列された複数の画素電極、これら複数の画素電極
の行方向に沿ってそれぞれ設けられた複数のアドレス
線、前記複数の画素電極の列方向に沿ってそれぞれ設け
られた複数のデータ線、前記複数の画素電極毎に設けら
れ、ゲートは対応するアドレス線に接続され、ソース・
ドレイン間は対応する画素電極とデータ線との間に接続
された薄膜トランジスタを有する第1の透光性基板と、
対向電極を有する第2の透光性基板と、これら第1およ
び第2の透光性基板間に挟持された液晶とを備え、隣接
する2行の画素電極にそれぞれ接続された隣接する薄膜
トランジスタは、一方の行の偶数列に属する薄膜トラン
ジスタのゲートと他方の行の奇数列に属する薄膜トラン
ジスタのゲートとが同一のアドレス線に接続され、隣接
する2列の画素電極にそれぞれ接続された隣接する薄膜
トランジスタは、双方の列の偶数行に属する薄膜トラン
ジスタのソースおよびドレインのいずれか一方が接続さ
れたデータ線と奇数行に属する薄膜トランジスタのソー
スおよびドレインのいずれか一方が接続されたデータ線
とが交互に設けられ、同じ列の隣接する奇数行および偶
数行に属する2つの画素電極間で前記液晶を交流駆動
し、これら画素電極を1表示ドットとするアクティブマ
トリクス形液晶表示装置と、 前記各アドレス線に対し、表示データの持つ水平走査期
間に概略等しい選択期間を有し、水平走査期間の1/2
毎に次のアドレス線に順次シフトされる書き込み走査信
号を供給するアドレス線駆動回路と、 前記各データ線に表示データに基づく階調電圧と所定の
電位を有するバイアス電圧とを所定の順序で供給するデ
ータ線駆動回路と、 前記アドレス線駆動回路および前記データ線駆動回路の
動作を制御する制御回路とを具備したことを特徴とする
液晶表示システム。 - 【請求項13】 データ線に供給されるバイアス電圧の
値を調整する電圧調整手段を具備したことを特徴とする
請求項12記載の液晶表示システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26412397A JPH11109313A (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | アクティブマトリクス形液晶表示装置、その駆動方法、駆動回路および液晶表示システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26412397A JPH11109313A (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | アクティブマトリクス形液晶表示装置、その駆動方法、駆動回路および液晶表示システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11109313A true JPH11109313A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17398806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26412397A Pending JPH11109313A (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | アクティブマトリクス形液晶表示装置、その駆動方法、駆動回路および液晶表示システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11109313A (ja) |
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-
1997
- 1997-09-29 JP JP26412397A patent/JPH11109313A/ja active Pending
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