JPH1065476A - Ｌｃローパスフィルタ - Google Patents
ＬｃローパスフィルタInfo
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- JPH1065476A JPH1065476A JP24113696A JP24113696A JPH1065476A JP H1065476 A JPH1065476 A JP H1065476A JP 24113696 A JP24113696 A JP 24113696A JP 24113696 A JP24113696 A JP 24113696A JP H1065476 A JPH1065476 A JP H1065476A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- thin film
- conductive layer
- spiral
- electrode
- Prior art date
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 共振用コンデンサをインダクタに並列接続す
るようにして減衰極を急峻とする手段にあって、部品点
数を増加することなく、容易に共振用コンデンサを形成
し得るようにする。 【解決手段】 中心に向けてとぐろ状に巻回したスパイ
ラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 が形成され、その上に被覆し
た誘電薄膜１０上に、接続路１７ａ，１７ｂをスパイラ
ルインダクタＬ1 ，Ｌ2 の中心から外方へ延出するよう
に形成したものにあって、前記接続路１７ａ，１７ｂ
に、スパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 の外側巻回部と前
記誘電薄膜１０を介して対向するコンデンサ電極となる
張出し導体部ｘ，ｘを延成し、これにより、インダクタ
Ｌ1 ，Ｌ2 と並列接続される共振用コンデンサＣx ，Ｃ
x を構成して、自己共振するようにした。
るようにして減衰極を急峻とする手段にあって、部品点
数を増加することなく、容易に共振用コンデンサを形成
し得るようにする。 【解決手段】 中心に向けてとぐろ状に巻回したスパイ
ラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 が形成され、その上に被覆し
た誘電薄膜１０上に、接続路１７ａ，１７ｂをスパイラ
ルインダクタＬ1 ，Ｌ2 の中心から外方へ延出するよう
に形成したものにあって、前記接続路１７ａ，１７ｂ
に、スパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 の外側巻回部と前
記誘電薄膜１０を介して対向するコンデンサ電極となる
張出し導体部ｘ，ｘを延成し、これにより、インダクタ
Ｌ1 ，Ｌ2 と並列接続される共振用コンデンサＣx ，Ｃ
x を構成して、自己共振するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話や自動車
電話等の各種無線通信機器に使用されるＬＣローパスフ
ィルタに関するものである。
電話等の各種無線通信機器に使用されるＬＣローパスフ
ィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ローパスフィルタは、特定周波数以下の
低周波信号を通過させて、所定以上の高調波信号を除去
する濾波機能を生ずるものであり、インダクタと、コン
デンサを組み合わせてなるＬＣローパスフィルタが知ら
れている。このＬＣローパスフィルタは、複数のコンデ
ンサＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 を並列に形成して一端をアース接
続し、各コンデンサＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 の他端間に夫々イ
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 を位置させて、各インダクタＬ1 ，
Ｌ2 を直列接続するようにして構成される（図８参
照）。
低周波信号を通過させて、所定以上の高調波信号を除去
する濾波機能を生ずるものであり、インダクタと、コン
デンサを組み合わせてなるＬＣローパスフィルタが知ら
れている。このＬＣローパスフィルタは、複数のコンデ
ンサＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 を並列に形成して一端をアース接
続し、各コンデンサＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 の他端間に夫々イ
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 を位置させて、各インダクタＬ1 ，
Ｌ2 を直列接続するようにして構成される（図８参
照）。
【０００３】従来のＬＣローパスフィルタは、誘電体シ
ート上に導電層を印刷法でメタライズして、一体焼成し
たものや、チップインダクタやチップコンデンサの部品
を個別に実装して構成したものが一般的である。一方、
近年では、電子機器の小型化、高密度化、低価格化に対
する要望が高まっている。そして、これらの要求に対応
するためにはインダクタやコンデンサの個別の部品を小
型化する必要があった。ところで、上述した従来のＬＣ
ローパスフィルタにあって、誘電体シート上に、メタラ
イズ印刷し、一体焼成したものは、容量密度に限界があ
るため、一層の小型化は困難であった。また、従来のメ
タライズ印刷焼成法では、メタライズ中の不純物や面粗
さのため高周波領域での損失の増大が問題となってい
た。さらに、チップインダクタ等を、外付する構成にあ
っては、部品点数が増大し、製造が面倒になると共に、
やはり小型化の障害となっていた、
ート上に導電層を印刷法でメタライズして、一体焼成し
たものや、チップインダクタやチップコンデンサの部品
を個別に実装して構成したものが一般的である。一方、
近年では、電子機器の小型化、高密度化、低価格化に対
する要望が高まっている。そして、これらの要求に対応
するためにはインダクタやコンデンサの個別の部品を小
型化する必要があった。ところで、上述した従来のＬＣ
ローパスフィルタにあって、誘電体シート上に、メタラ
イズ印刷し、一体焼成したものは、容量密度に限界があ
るため、一層の小型化は困難であった。また、従来のメ
タライズ印刷焼成法では、メタライズ中の不純物や面粗
さのため高周波領域での損失の増大が問題となってい
た。さらに、チップインダクタ等を、外付する構成にあ
っては、部品点数が増大し、製造が面倒になると共に、
やはり小型化の障害となっていた、
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この種、ローパスフィ
ルタにあっては、図９で示すように、低周波側の通過域
から高周波側の阻止域に移行する減衰域の勾配（減衰極
から必要減衰量に至るまでの勾配）を急峻にすることに
より、選択性の良い、特性の優れたものを実現すること
ができ、このため、減衰極ｘを急峻にして減衰域の勾配
を大きくするために、種々の方法が採用されている。
ルタにあっては、図９で示すように、低周波側の通過域
から高周波側の阻止域に移行する減衰域の勾配（減衰極
から必要減衰量に至るまでの勾配）を急峻にすることに
より、選択性の良い、特性の優れたものを実現すること
ができ、このため、減衰極ｘを急峻にして減衰域の勾配
を大きくするために、種々の方法が採用されている。
【０００５】この従来方法としては、ローパスフィルタ
の減衰極を急峻にするためには、チェビシェフ型のロー
パスフィルタの設計法に従って、通過帯域のリップル量
を大きくする方法が良く知られている。しかるに、この
方法にあっては、通過帯域のリップル量を大きくするた
めに、通過帯域幅が狭くなるという欠点がある。
の減衰極を急峻にするためには、チェビシェフ型のロー
パスフィルタの設計法に従って、通過帯域のリップル量
を大きくする方法が良く知られている。しかるに、この
方法にあっては、通過帯域のリップル量を大きくするた
めに、通過帯域幅が狭くなるという欠点がある。
【０００６】一方、他の一般的方法としては、図８のイ
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 と並列となる共振用コンデンサＣX
を外付部材を介して形成し、これにより減衰極を形成す
るものがある。ところが、かかるコンデンサは、通常外
付けとしているため、部品点数が多くなり、フィルタの
小型化に対応できないという問題点がある。
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 と並列となる共振用コンデンサＣX
を外付部材を介して形成し、これにより減衰極を形成す
るものがある。ところが、かかるコンデンサは、通常外
付けとしているため、部品点数が多くなり、フィルタの
小型化に対応できないという問題点がある。
【０００７】本発明は、上述のように、共振用コンデン
サをインダクタに並列接続するようにして減衰極を急峻
とする手段にあって、部品点数を増加することなく、簡
易に共振用コンデンサを形成し得る構成を提供しようと
するものである。
サをインダクタに並列接続するようにして減衰極を急峻
とする手段にあって、部品点数を増加することなく、簡
易に共振用コンデンサを形成し得る構成を提供しようと
するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、中心に向けて
とぐろ状に巻回したスパイラルインダクタを備える導電
層を備え、該導電層上に被覆した誘電薄膜上に、接続路
をスパイラルインダクタの中心から外方へ延出するよう
に形成して、該接続路の端部とスパイラルインダクタの
中心とを電気的に接続するようにしたＬＣローパスフィ
ルタにおいて、前記接続路にスパイラルインダクタの一
部と前記誘電薄膜を介して対向するコンデンサ電極とな
る張出し導体部を延成したことを特徴とするものであ
る。
とぐろ状に巻回したスパイラルインダクタを備える導電
層を備え、該導電層上に被覆した誘電薄膜上に、接続路
をスパイラルインダクタの中心から外方へ延出するよう
に形成して、該接続路の端部とスパイラルインダクタの
中心とを電気的に接続するようにしたＬＣローパスフィ
ルタにおいて、前記接続路にスパイラルインダクタの一
部と前記誘電薄膜を介して対向するコンデンサ電極とな
る張出し導体部を延成したことを特徴とするものであ
る。
【０００９】この構成にあって、前記接続路に、スパイ
ラルインダクタの一部とで共振用コンデンサを形成する
張出し導体部を延成することにより、インダクタと共振
用コンデンサとが並列接続されて、自己共振する。そし
てこの自己共振周波数は、張出し導体部の幅、形状によ
り選定される。
ラルインダクタの一部とで共振用コンデンサを形成する
張出し導体部を延成することにより、インダクタと共振
用コンデンサとが並列接続されて、自己共振する。そし
てこの自己共振周波数は、張出し導体部の幅、形状によ
り選定される。
【００１０】かかる、構成を用いて、入力側コンデン
サ，中間コンデンサ及び出力側コンデンサが並列に形成
されると共に、夫々の一端がアース接続され、各コンデ
ンサの他端間に二つのスパイラルインダクタが位置し
て、両スパイラルインダクタが直列接続される回路構成
を次のように構成し得る。
サ，中間コンデンサ及び出力側コンデンサが並列に形成
されると共に、夫々の一端がアース接続され、各コンデ
ンサの他端間に二つのスパイラルインダクタが位置し
て、両スパイラルインダクタが直列接続される回路構成
を次のように構成し得る。
【００１１】すなわち、絶縁基板上に第一の導電層を形
成し、さらに、該絶縁基板上に誘電薄膜を積層して、そ
の上面に第二の導電層を形成してなり、その積層構造の
半面部をコンデンサ形成領域とし、他半面部をインダク
タ形成領域とし、前記インダクタ形成領域にあっては、
一方の導電層に、中心に向けてとぐろ状に巻回したスパ
イラルインダクタを二つ並成し、前記コンデンサ形成領
域にあっては、一方の導電層の、その中間部に、中間デ
ンデンサの電極を形成して、両スパイラルインダクタの
外側巻回部と接続すると共に、該コンデンサ電極の両側
にアース電極を形成し、さらに、他方の導電層の、その
両側部に、入力側と、出力側のコンデンサの電極を夫々
形成し、かつ該電極から、二つのスパイラルインダクタ
の中心の直上位置まで、接続路を延出すると共に、他方
の導電層の、両コンデンサ電極の中間部に、アース電極
を形成し、さらに、前記誘電薄膜に形成した導通孔を介
して、前記接続路の延出端と、スパイラルインダクタの
中心とを電気的に接続するようにし、これにより、前記
誘電薄膜を介してコンデンサ電極と、アース電極を対峙
させて、入力側コンデンサ，中間コンデンサ及び出力側
コンデンサを並列に形成して一端をアース接続し、各コ
ンデンサの他端間に夫々スパイラルインダクタを位置さ
せて、両スパイラルインダクタを直列接続するようにし
て構成すると共に、前記接続路にスパイラルインダクタ
の一部と前記誘電薄膜を介して対向するコンデンサ電極
となる張出し導体部を延成したことを特徴とするもので
ある。
成し、さらに、該絶縁基板上に誘電薄膜を積層して、そ
の上面に第二の導電層を形成してなり、その積層構造の
半面部をコンデンサ形成領域とし、他半面部をインダク
タ形成領域とし、前記インダクタ形成領域にあっては、
一方の導電層に、中心に向けてとぐろ状に巻回したスパ
イラルインダクタを二つ並成し、前記コンデンサ形成領
域にあっては、一方の導電層の、その中間部に、中間デ
ンデンサの電極を形成して、両スパイラルインダクタの
外側巻回部と接続すると共に、該コンデンサ電極の両側
にアース電極を形成し、さらに、他方の導電層の、その
両側部に、入力側と、出力側のコンデンサの電極を夫々
形成し、かつ該電極から、二つのスパイラルインダクタ
の中心の直上位置まで、接続路を延出すると共に、他方
の導電層の、両コンデンサ電極の中間部に、アース電極
を形成し、さらに、前記誘電薄膜に形成した導通孔を介
して、前記接続路の延出端と、スパイラルインダクタの
中心とを電気的に接続するようにし、これにより、前記
誘電薄膜を介してコンデンサ電極と、アース電極を対峙
させて、入力側コンデンサ，中間コンデンサ及び出力側
コンデンサを並列に形成して一端をアース接続し、各コ
ンデンサの他端間に夫々スパイラルインダクタを位置さ
せて、両スパイラルインダクタを直列接続するようにし
て構成すると共に、前記接続路にスパイラルインダクタ
の一部と前記誘電薄膜を介して対向するコンデンサ電極
となる張出し導体部を延成したことを特徴とするもので
ある。
【００１２】かかる構成にあって、絶縁基板上に第一の
導電層を形成し、さらに、該絶縁基板上に誘電薄膜を積
層して、その上面に第二の導電層を形成するだけで、Ｌ
Ｃローパスフィルタが構成されることとなる。尚、上述
の一方の導電層とは、第一，第二の導電層のうちいずれ
でも良く、従って他方の導電層とは、第一，第二の導電
層のうち残余の導電層となる。
導電層を形成し、さらに、該絶縁基板上に誘電薄膜を積
層して、その上面に第二の導電層を形成するだけで、Ｌ
Ｃローパスフィルタが構成されることとなる。尚、上述
の一方の導電層とは、第一，第二の導電層のうちいずれ
でも良く、従って他方の導電層とは、第一，第二の導電
層のうち残余の導電層となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１〜５は本発明に係るＬＣロー
パスフィルタ１を示す。このＬＣローパスフィルタ１
は、入力側コンデンサＣ1 ，中間コンデンサＣ2 及び出
力側コンデンサＣ3 が並列に形成されると共に、夫々の
一端がアース接続され、コンデンサＣ1，Ｃ2 の他端間
にスパイラルインダクタＬ1 が、コンデンサＣ2 ，Ｃ3
の他端間にスパイラルインダクタＬ2 が位置して、両ス
パイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 が直列接続され、図８の
等価回路を構成するようにしたものである。
パスフィルタ１を示す。このＬＣローパスフィルタ１
は、入力側コンデンサＣ1 ，中間コンデンサＣ2 及び出
力側コンデンサＣ3 が並列に形成されると共に、夫々の
一端がアース接続され、コンデンサＣ1，Ｃ2 の他端間
にスパイラルインダクタＬ1 が、コンデンサＣ2 ，Ｃ3
の他端間にスパイラルインダクタＬ2 が位置して、両ス
パイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 が直列接続され、図８の
等価回路を構成するようにしたものである。
【００１４】ここでアルミナ基板からなる絶縁基板２
は、厚が０．６３５ｍｍである。この絶縁基板２には第
一の導電層３が銅メッキ法により形成される。また該絶
縁基板２上には、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜からな
る誘電薄膜４がスピンコ−ト法等により積層される。さ
らに、該誘電薄膜４上には第二の導電層１０が銅メッキ
法により形成される。前記第一の導電層３の銅被膜の厚
は５μｍである。また前記誘電薄膜４は厚が３μｍであ
り、さらに第二の導電層１０の銅被膜の厚は５μｍであ
る。
は、厚が０．６３５ｍｍである。この絶縁基板２には第
一の導電層３が銅メッキ法により形成される。また該絶
縁基板２上には、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜からな
る誘電薄膜４がスピンコ−ト法等により積層される。さ
らに、該誘電薄膜４上には第二の導電層１０が銅メッキ
法により形成される。前記第一の導電層３の銅被膜の厚
は５μｍである。また前記誘電薄膜４は厚が３μｍであ
り、さらに第二の導電層１０の銅被膜の厚は５μｍであ
る。
【００１５】この各絶縁基板２，誘電薄膜４は、いずれ
も、例えば３ｍｍ角の正方形状等、十分小さなものとす
ることができ、その総厚は、０．７ｍｍ以下の極薄状と
なっている。
も、例えば３ｍｍ角の正方形状等、十分小さなものとす
ることができ、その総厚は、０．７ｍｍ以下の極薄状と
なっている。
【００１６】そしてこの積層構造の半面部をコンデンサ
形成領域Ｆ1 とし、他半面部をインダクタ形成領域Ｆ2
としている。
形成領域Ｆ1 とし、他半面部をインダクタ形成領域Ｆ2
としている。
【００１７】このインダクタ形成領域Ｆ2 にあっては、
前記第一の導電層３には、外側から、中心に向けて、と
ぐろ状に巻回したスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 が二
つ並成される。
前記第一の導電層３には、外側から、中心に向けて、と
ぐろ状に巻回したスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 が二
つ並成される。
【００１８】一方、前記コンデンサ形成領域Ｆ1 にあっ
ては、第一の導電層３の、その中間部に、中間デンデン
サＣ2 の電極６を形成して、その内側中心位置で、両ス
パイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 の外側巻回部７ａ，７ｂ
と接続するようにしている。また、該コンデンサ電極６
の両側にアース電極８ａ，８ｂを形成している。このア
ース電極８ａ，８ｂは、前記スパイラルインダクタＬ
1 ，Ｌ2 の周囲にも形成され、さらにスパイラルインダ
クタＬ1 ，Ｌ2 間にはアース電極層８ｃが延出されてい
る。すなわち、二つのスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2
と、中間コンデンサＣ2 の電極６を除く全面に、アース
電極層８が形成されている。
ては、第一の導電層３の、その中間部に、中間デンデン
サＣ2 の電極６を形成して、その内側中心位置で、両ス
パイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 の外側巻回部７ａ，７ｂ
と接続するようにしている。また、該コンデンサ電極６
の両側にアース電極８ａ，８ｂを形成している。このア
ース電極８ａ，８ｂは、前記スパイラルインダクタＬ
1 ，Ｌ2 の周囲にも形成され、さらにスパイラルインダ
クタＬ1 ，Ｌ2 間にはアース電極層８ｃが延出されてい
る。すなわち、二つのスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2
と、中間コンデンサＣ2 の電極６を除く全面に、アース
電極層８が形成されている。
【００１９】さらに、誘電薄膜４上に形成される第二の
導電層１０の、その両側部に、入力側コンデンサＣ1
と、出力側コンデンサＣ3 の電極１６ａ，１６ｂを夫々
形成し、かつ該電極から、二つのスパイラルインダクタ
Ｌ1 ，Ｌ2 の中心の直上位置まで、接続路１７ａ，１７
ｂを延出している。この接続路１７ａ，１７ｂは、本発
明の要部を構成し、図４で拡大して示すように、該接続
路１７ａ，１７ｂから、張出し導体部ｘ，ｘが夫々延成
される。この張出し導体部ｘは、スパイラルインダクタ
Ｌ1 ，Ｌ2 の外側巻回部７ａ，７ｂと、誘電薄膜４を介
して上下で対向している。このため、張出し導体部ｘ，
ｘがコンデンサ電極となり、外側巻回部７ａ，７ｂ、誘
電薄膜４及び張出し導体部ｘ，ｘにより、共振用コンデ
ンサＣx が構成されることとなる。
導電層１０の、その両側部に、入力側コンデンサＣ1
と、出力側コンデンサＣ3 の電極１６ａ，１６ｂを夫々
形成し、かつ該電極から、二つのスパイラルインダクタ
Ｌ1 ，Ｌ2 の中心の直上位置まで、接続路１７ａ，１７
ｂを延出している。この接続路１７ａ，１７ｂは、本発
明の要部を構成し、図４で拡大して示すように、該接続
路１７ａ，１７ｂから、張出し導体部ｘ，ｘが夫々延成
される。この張出し導体部ｘは、スパイラルインダクタ
Ｌ1 ，Ｌ2 の外側巻回部７ａ，７ｂと、誘電薄膜４を介
して上下で対向している。このため、張出し導体部ｘ，
ｘがコンデンサ電極となり、外側巻回部７ａ，７ｂ、誘
電薄膜４及び張出し導体部ｘ，ｘにより、共振用コンデ
ンサＣx が構成されることとなる。
【００２０】このように、第二の導電層１０は、接続路
１７ａ，１７ｂを除いて、前記コンデンサ形成領域Ｆ1
のみに形成され、このコンデンサ形成領域Ｆ1 の、両コ
ンデンサ電極１６ａ，１６ｂの中間部に、アース電極１
８を形成するようにしている。
１７ａ，１７ｂを除いて、前記コンデンサ形成領域Ｆ1
のみに形成され、このコンデンサ形成領域Ｆ1 の、両コ
ンデンサ電極１６ａ，１６ｂの中間部に、アース電極１
８を形成するようにしている。
【００２１】さらに、前記誘電薄膜４には、スパイラル
インダクタＬ1 ，Ｌ2 の中心の直上位置で、導通孔２
０，２０が形成され、該導通孔２０，２０を介して、前
記接続路１７７ａ，１７ｂの延出端と、スパイラルイン
ダクタＬ1 ，Ｌ2 の中心とを電気的に接続するようにし
ている。さらには、前記アース電極１８には、導通孔２
１，２１が形成され、前記アース電極８ａ，８ｂとの接
続を確保するようにしている。さらには、前記絶縁基板
２の下面にも、図５で示すように、アース電極２５が形
成されている。
インダクタＬ1 ，Ｌ2 の中心の直上位置で、導通孔２
０，２０が形成され、該導通孔２０，２０を介して、前
記接続路１７７ａ，１７ｂの延出端と、スパイラルイン
ダクタＬ1 ，Ｌ2 の中心とを電気的に接続するようにし
ている。さらには、前記アース電極１８には、導通孔２
１，２１が形成され、前記アース電極８ａ，８ｂとの接
続を確保するようにしている。さらには、前記絶縁基板
２の下面にも、図５で示すように、アース電極２５が形
成されている。
【００２２】しかして、これにより、前記誘電薄膜４を
介してコンデンサ電極１６ａとアース電極８ａとが、コ
ンデンサ電極６とアース電極１８とが、コンデンサ電極
１６ｂとアース電極８ｂとが夫々対峙して、入力側コン
デンサＣ1 ，中間コンデンサＣ2 及び出力側コンデンサ
Ｃ3 が並列に配設されることとなる。また、各コンデン
サの夫々の一端がアース接続される。そして、入力側コ
ンデンサＣ1 と中間コンデンサＣ2 の他端間にスパイラ
ルインダクタＬ1 が位置し、中間コンデンサＣ2 と出力
側コンデンサＣ3 の他端間にスパイラルインダクタＬ2
が位置すると共に、両スパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2
が直列接続する。
介してコンデンサ電極１６ａとアース電極８ａとが、コ
ンデンサ電極６とアース電極１８とが、コンデンサ電極
１６ｂとアース電極８ｂとが夫々対峙して、入力側コン
デンサＣ1 ，中間コンデンサＣ2 及び出力側コンデンサ
Ｃ3 が並列に配設されることとなる。また、各コンデン
サの夫々の一端がアース接続される。そして、入力側コ
ンデンサＣ1 と中間コンデンサＣ2 の他端間にスパイラ
ルインダクタＬ1 が位置し、中間コンデンサＣ2 と出力
側コンデンサＣ3 の他端間にスパイラルインダクタＬ2
が位置すると共に、両スパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2
が直列接続する。
【００２３】さらに一方、外側巻回部７ａ，７ｂ、誘電
薄膜４及び張出し導体部ｘ，ｘにより構成される共振用
コンデンサＣx ，Ｃx が、インダクタＬ1 ，Ｌ2 と並列
接続される。そしてこれにより、自己共振を生じさせる
ことができ、減衰極が形成されて、減衰域にあって、共
振周波数と、出力との関係が急峻な勾配となる。この自
己共振周波数は、張出し導体部ｘ，ｘの形状を変えて、
共振用コンデンサＣx，Ｃx の容量値を選定することに
より、随意に設定することとなる。而して、図８で示
す、等価回路が構成されることとなる。
薄膜４及び張出し導体部ｘ，ｘにより構成される共振用
コンデンサＣx ，Ｃx が、インダクタＬ1 ，Ｌ2 と並列
接続される。そしてこれにより、自己共振を生じさせる
ことができ、減衰極が形成されて、減衰域にあって、共
振周波数と、出力との関係が急峻な勾配となる。この自
己共振周波数は、張出し導体部ｘ，ｘの形状を変えて、
共振用コンデンサＣx，Ｃx の容量値を選定することに
より、随意に設定することとなる。而して、図８で示
す、等価回路が構成されることとなる。
【００２４】かかる構成にあっては、絶縁基板２上に、
銅メッキ法により、第一の導電層３を形成し、次に、ス
ピンコート法で、誘電薄膜４を形成し、さらに銅メッキ
法により第二の導電層１０を形成し、これにより各層を
順次形成することにより、小型のＬＣローパスフィルタ
を容易に製造することができる。従って、第二の導電層
１０の形成時に、張出し導体部ｘ，ｘを同時的に形成す
るだけで、その減衰域の幅を調整でき、選択性の良い、
ローパスフィルタを、他の構成を付加することなく形成
できることとなる。
銅メッキ法により、第一の導電層３を形成し、次に、ス
ピンコート法で、誘電薄膜４を形成し、さらに銅メッキ
法により第二の導電層１０を形成し、これにより各層を
順次形成することにより、小型のＬＣローパスフィルタ
を容易に製造することができる。従って、第二の導電層
１０の形成時に、張出し導体部ｘ，ｘを同時的に形成す
るだけで、その減衰域の幅を調整でき、選択性の良い、
ローパスフィルタを、他の構成を付加することなく形成
できることとなる。
【００２５】ここで、前記張出し導体部ｘ，ｘを形成し
た本発明のＬＣローパスフィルタの周波数特性を図６で
示し、同様の構成で、しかも張出し導体部ｘ，ｘのみが
形成されない対比品のＬＣローパスフィルタの周波数特
性を図７で示す。ここで、前記張出し導体部ｘ，ｘの幅
及び突出度は、幅０．１５ｍｍ、突出度０．５ｍｍであ
る。
た本発明のＬＣローパスフィルタの周波数特性を図６で
示し、同様の構成で、しかも張出し導体部ｘ，ｘのみが
形成されない対比品のＬＣローパスフィルタの周波数特
性を図７で示す。ここで、前記張出し導体部ｘ，ｘの幅
及び突出度は、幅０．１５ｍｍ、突出度０．５ｍｍであ
る。
【００２６】この周波数特性から、張出し導体部ｘ，ｘ
の形成により、減衰域の幅が狭くなり、減衰量が大き
く、選択性のよいローパスフィルタを提供し得ることが
理解される。
の形成により、減衰域の幅が狭くなり、減衰量が大き
く、選択性のよいローパスフィルタを提供し得ることが
理解される。
【００２７】上記の構成に代えて、絶縁基板２上に形成
される第一の導電層３に、コンデンサ電極１６ａ，１６
ｂとアース電極１８を形成し、誘電薄膜４上に形成され
る第二導電層１０に、スパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ
2 ，コンデンサ電極６，アース電極８ａ，８ｂを形成す
るようにしても良い。すなわち、第一の導電層３，１０
の形成内容は、互換可能である。
される第一の導電層３に、コンデンサ電極１６ａ，１６
ｂとアース電極１８を形成し、誘電薄膜４上に形成され
る第二導電層１０に、スパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ
2 ，コンデンサ電極６，アース電極８ａ，８ｂを形成す
るようにしても良い。すなわち、第一の導電層３，１０
の形成内容は、互換可能である。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、中心に向けてとぐろ状に巻回
したスパイラルインダクタを備える導電層を備え、該導
電層上に被覆した誘電薄膜上に、接続路をスパイラルイ
ンダクタの中心から外方へ延出するように形成したもの
にあって、前記接続路に、スパイラルインダクタの一部
と前記誘電薄膜を介して対向するコンデンサ電極となる
張出し導体部を延成し、これにより、インダクタと並列
接続される共振用コンデンサを構成して、自己共振する
ようにしたものであるから、単にインダクタと接続する
ための接続路を形成する際に、張出し導体部を同時的に
形成するだけで、減衰域の出力勾配を急峻にでき、減衰
量が大きく、選択性のよいローパスフィルタを提供し得
る。また、かかる構成にあっては、張出し導体部の形状
を選定するだけで、共振周波数を設定でき、調整が容易
となる。さらには、共振用コンデンサのための外付部材
を要しないから、構造が簡易となり、小型化に対応でき
る。
したスパイラルインダクタを備える導電層を備え、該導
電層上に被覆した誘電薄膜上に、接続路をスパイラルイ
ンダクタの中心から外方へ延出するように形成したもの
にあって、前記接続路に、スパイラルインダクタの一部
と前記誘電薄膜を介して対向するコンデンサ電極となる
張出し導体部を延成し、これにより、インダクタと並列
接続される共振用コンデンサを構成して、自己共振する
ようにしたものであるから、単にインダクタと接続する
ための接続路を形成する際に、張出し導体部を同時的に
形成するだけで、減衰域の出力勾配を急峻にでき、減衰
量が大きく、選択性のよいローパスフィルタを提供し得
る。また、かかる構成にあっては、張出し導体部の形状
を選定するだけで、共振周波数を設定でき、調整が容易
となる。さらには、共振用コンデンサのための外付部材
を要しないから、構造が簡易となり、小型化に対応でき
る。
【図１】ＬＣローパスフィルタ１の絶縁基板２と誘電薄
膜４を分離して示す斜視図である。
膜４を分離して示す斜視図である。
【図２】ＬＣローパスフィルタ１の平面図である。
【図３】誘電薄膜４の平面図である。
【図４】張出し導体部を示す、一部切欠拡大平面図であ
る。
る。
【図５】ＬＣローパスフィルタ１の縦断側面図である。
【図６】本発明のＬＣローパスフィルタの周波数特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図７】対比品のＬＣローパスフィルタの周波数特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図８】等価回路図である。
【図９】ローパスフィルタの減衰域を示す波形図であ
る。
る。
１ ＬＣローパスフィルタ ２ 絶縁基板 ３ 第一の導電層 ４ 誘電薄膜 ８ａ，８ｂ アース電極 １０ 第二の導電層 １６ａ，１６ｂ コンデンサ電極 １７ａ，１７ｂ 接続路 １８ アース電極 ２０ 導通孔 Ｌ1 ，Ｌ2 インダクタ Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 コンデンサ ｘ 張出し導体部
Claims (2)
- 【請求項１】中心に向けてとぐろ状に巻回したスパイラ
ルインダクタを備える導電層を備え、該導電層上に被覆
した誘電薄膜上に、接続路をスパイラルインダクタの中
心から外方へ延出するように形成して、該接続路の端部
とスパイラルインダクタの中心とを電気的に接続するよ
うにしたＬＣローパスフィルタにおいて、 前記接続路にスパイラルインダクタの一部と前記誘電薄
膜を介して対向するコンデンサ電極となる張出し導体部
を延成したことを特徴とするＬＣローパスフィルタ。 - 【請求項２】絶縁基板上に第一の導電層を形成し、さら
に、該絶縁基板上に誘電薄膜を積層して、その上面に第
二の導電層を形成してなり、その積層構造の半面部をコ
ンデンサ形成領域とし、他半面部をインダクタ形成領域
とし、前記インダクタ形成領域にあっては、一方の導電
層に、中心に向けてとぐろ状に巻回したスパイラルイン
ダクタを二つ並成し、前記コンデンサ形成領域にあって
は、一方の導電層の、その中間部に、中間デンデンサの
電極を形成して、両スパイラルインダクタの外側巻回部
と接続すると共に、該コンデンサ電極の両側にアース電
極を形成し、さらに、他方の導電層の、その両側部に、
入力側と、出力側のコンデンサの電極を夫々形成し、か
つ該電極から、二つのスパイラルインダクタの中心の直
上位置まで、接続路を延出すると共に、他方の導電層
の、両コンデンサ電極の中間部に、アース電極を形成
し、さらに、前記誘電薄膜に形成した導通孔を介して、
前記接続路の延出端と、スパイラルインダクタの中心と
を電気的に接続するようにし、これにより、前記誘電薄
膜を介してコンデンサ電極と、アース電極を対峙させ
て、入力側コンデンサ，中間コンデンサ及び出力側コン
デンサを並列に形成して一端をアース接続し、各コンデ
ンサの他端間に夫々スパイラルインダクタを位置させ
て、両スパイラルインダクタを直列接続するようにして
構成すると共に、 前記接続路にスパイラルインダクタの一部と前記誘電薄
膜を介して対向するコンデンサ電極となる張出し導体部
を延成したことを特徴とするＬＣローパスフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24113696A JPH1065476A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | Ｌｃローパスフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24113696A JPH1065476A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | Ｌｃローパスフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1065476A true JPH1065476A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=17069819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24113696A Pending JPH1065476A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | Ｌｃローパスフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1065476A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100431877B1 (ko) * | 1999-12-07 | 2004-05-20 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 필터, 듀플렉서 및 통신 장치 |
| KR100438160B1 (ko) * | 2002-03-05 | 2004-07-01 | 삼성전자주식회사 | 인덕터와 캐패시터를 갖는 소자 및 그의 제작방법 |
| WO2006022115A1 (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ノイズフィルタ、およびノイズフィルタアレイ |
| US7683740B2 (en) | 2006-07-28 | 2010-03-23 | Tdk Corporation | Electronic component and method for manufacturing same |
| EP2830071A1 (en) | 2013-07-24 | 2015-01-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency component and filter component |
| WO2017014058A1 (ja) * | 2015-07-22 | 2017-01-26 | 株式会社村田製作所 | Ｌｃフィルタ |
| US10110192B2 (en) | 2014-12-02 | 2018-10-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
-
1996
- 1996-08-23 JP JP24113696A patent/JPH1065476A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100431877B1 (ko) * | 1999-12-07 | 2004-05-20 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 필터, 듀플렉서 및 통신 장치 |
| KR100438160B1 (ko) * | 2002-03-05 | 2004-07-01 | 삼성전자주식회사 | 인덕터와 캐패시터를 갖는 소자 및 그의 제작방법 |
| JP4925185B2 (ja) * | 2004-08-25 | 2012-04-25 | 株式会社村田製作所 | ノイズフィルタアレイ |
| JPWO2006022115A1 (ja) * | 2004-08-25 | 2008-05-08 | 株式会社村田製作所 | ノイズフィルタ、およびノイズフィルタアレイ |
| US7511594B2 (en) | 2004-08-25 | 2009-03-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Noise filter and noise filter array |
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| US9385682B2 (en) | 2013-07-24 | 2016-07-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency component and filter component |
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| WO2017014058A1 (ja) * | 2015-07-22 | 2017-01-26 | 株式会社村田製作所 | Ｌｃフィルタ |
| JPWO2017014058A1 (ja) * | 2015-07-22 | 2018-03-08 | 株式会社村田製作所 | Ｌｃフィルタ |
| US10122340B2 (en) | 2015-07-22 | 2018-11-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | LC filter |
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